【課題】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、ドライエッチング耐性に非常に優れ、基板エッチング中のよれの発生を高度に抑制できると共に、化学増幅型レジストを用いた上層パターン形成におけるポイゾニング問題を回避できるレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、パターン形成方法、及びフラーレン誘導体を提供することを目的とする。
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料であって、少なくとも、（Ａ）フラーレン骨格を有する物質と電子吸引基含有１，３−ジエン化合物誘導体との反応生成物であるフラーレン誘導体、（Ｂ）有機溶剤とを含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 （もっと読む）

【課題】熱板の強度を低下させたり、装置コストを増大させることなく、基板間における塗布膜の特性の変動を防止しつつ、基板を処理する処理時間を短縮することができる、熱処理方法及び熱処理装置を提供する。
【解決手段】所定温度に設定された熱板上に、複数の基板よりなる基板群の各基板を順次載置して熱処理する熱処理方法において、熱板の設定温度を第１の温度Ｔ１よりも低い第２の温度Ｔ２に変更し、熱板の温度が第２の温度Ｔ２に到達する前に、熱板による基板群の最初の基板の熱処理を開始し、熱板により最初の基板を熱処理する第１の工程Ｓ１６と、最初の基板の熱処理の後、熱板の設定温度を第２の温度Ｔ２よりも高い第３の温度Ｔ３に変更し、熱板の温度が第３の温度Ｔ３に到達した後、熱板の設定温度を第２の温度Ｔ２に変更する際に、熱板による基板群の次の基板の熱処理を開始し、熱板により次の基板を熱処理する第２の工程Ｓ１７とを有する。 （もっと読む）

【解決手段】式（１）で示される酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位ａと、ラクトン環を有する繰り返し単位ｂを含有する（メタ）アクリレートポリマーと、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に現像液として２−ヘプタノンを５０質量％以上含有する溶液による現像を行うパターン形成方法。


（式中、Ｒ2は酸不安定基である。）
【効果】安全にネガティブトーンパターンを形成できるプロセスを構築できる。 （もっと読む）

【課題】異物付着欠陥が低減されたパターンを形成できるパターン形成方法及びこのパターン形成方法に用いられる現像液を提供する。
【解決手段】（ア）化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び、（ウ）露光した膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、
を含むパターン形成方法であって、前記現像液中のアルコール化合物（Ｘ）の含有率が、現像液の全質量に対し０以上５００ｐｐｍ未満であることを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】解像力が高く、ＬＷＲを低減でき、パターン形状に優れるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）（Ａ）酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、（Ｃ）溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、
を含むパターン形成方法であって、
前記樹脂（Ａ）が、極性基が酸の作用により分解し脱離する脱離基で保護された構造を有し、
前記脱離基がケイ素原子を含有する、パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ないパターンを形成することができるレジスト組成物を製造するレジスト組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂、酸発生剤及び溶剤を混合して得られる混合液をセラミックス製のフィルタで濾過してレジスト組成物を得るレジスト組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】解像力が高く、ＬＷＲを低減でき、パターン形状に優れるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）（Ａ）酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、（Ｃ）溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、
を含むパターン形成方法であって、
前記樹脂（Ａ）が、極性基が酸の作用により分解し脱離する脱離基で保護された構造を有し、
前記脱離基がフッ素原子を含む、パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜として最適なレジスト下層膜と無機ハードマスクを組み合わせたパターン形成方法の提供。
【解決手段】一般式(１)で表されるナフタレン誘導体又はそれを含有する高分子化合物をレジスト下層膜材料として用いた下層膜形成方法により、反射防止膜としての最適な特性、エッチング耐性、高耐熱性、耐溶媒性を有し、ベーク中のアウトガスの発生を抑制でき、基板のエッチング中によれのないレジスト下層膜を形成できる。


（環構造Ａｒ１、Ａｒ２はベンゼン環又はナフタレン環。Ｘは単結合又はＣ１〜２０のアルキレン基。ｍは０又は１。ｎは分子量が１０万以下となる自然数。） （もっと読む）

【課題】撥水性と滑水性に優れ、現像欠陥が少なく、現像後のレジストパターン形状が良好な液浸リソグラフィー用レジスト保護膜材料、更にはこの材料を用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】少なくとも、側鎖にヘキサフルオロヒドロキシプロピル基を有する（メタ）アクリレート単位、側鎖にフッ素含有環状エーテル構造含有基を有する（メタ）アクリレート単位、及び側鎖にスルホン酸基を有するビニルモノマー単位を含有し、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲内である高分子化合物を含むものであることを特徴とするレジスト保護膜材料。 （もっと読む）

【課題】 煩雑なエッチング工程等を施すことなく、簡便に多層構造が形成できる、絶縁パターン形成方法及び樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 〔Ｉ〕基板上に有機パターンを形成する工程と、
〔II〕前記有機パターンのパターン間に絶縁材料を埋め込む工程と、
〔III〕前記有機パターンを除去し、前記絶縁材料からなる反転パターンを得る工程と、
〔IV〕得られた反転パターンを硬化させる工程と、
を有することを特徴とする、絶縁パターン形成方法と、ダマシンプロセス用絶縁パターン形成材料を提供する。 （もっと読む）

【課題】水等の液浸露光用液体を介してレジスト膜を露光する液浸露光プロセスに好適に用いられる液浸露光用感放射線性樹脂組成物、硬化パターン形成方法及び硬化パターンを提供する。
【解決手段】本発明の液浸露光用感放射線性樹脂組成物は、式［Ｒ^１_ａＳｉＸ_４−ａ］で表されるシラン化合物、及び式［ＳｉＸ_４］で表されるシラン化合物から選ばれる少なくとも１種を加水分解縮合させて得られる構造を有し、且つＧＰＣによる重量平均分子量が１０００〜２０００００であるケイ素含有重合体と、フッ素含有重合体と、酸発生剤と、溶剤とを含有する〔尚、各式におけるＲ^１はフッ素原子、アルキルカルボニルオキシ基、又は炭素数１〜２０のアルキル基を示し、Ｘは塩素原子、臭素原子又はＯＲ（Ｒ：１価の有機基）を示し、ａは１〜３の整数を示す。〕。 （もっと読む）

【課題】良好なパターン形状を得ることが可能で、水等の液浸露光液に溶出し難く、液浸露光液との後退接触角が大きく、現像欠陥を生じ難いレジスト被膜の材料である感放射線性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）一般式（１）で表される繰り返し単位（ａ１）を有する第一の重合体を含む重合体成分と、（Ｂ）溶剤と、を含有する感放射線性樹脂組成物である。


（一般式（１）中、Ｒ^１は、水素原子等を示す。Ｒ^２及びＲ^３は、相互に独立に、炭素数４〜２０の１価の脂環式炭化水素基等を示す。Ｒｆは、少なくとも１つのフッ素原子を有するともに、ＣＯＯＲ^４で表される基を有する有機基等を示す。） （もっと読む）

【課題】残膜率が向上するレリーフパターンの製造方法、及び当該製造方法で形成されたレリーフパターンを有する電子部品を提供する。
【解決手段】ネガ型感光性樹脂組成物を用いて塗膜又は成形体を形成し、当該塗膜又は成形体に所定パターン状に電磁波を照射後、未露光部の塗膜を除去してパターンを形成する現像工程の前に、当該塗膜又は成形体を加熱する工程を有するレリーフパターンの製造方法であって、前記加熱する工程が、系外から積極的かつ継続的に気体が供給され、且つ、当該塗膜又は成形体から発生する揮発性成分が系外に積極的に除去される雰囲気下で、熱媒体を介するか、電磁波の輻射により、当該塗膜又は成形体を加熱する工程であることを特徴とする、レリーフパターンの製造方法である。 （もっと読む）

【解決手段】（ｉ）下記（Ａ）〜（Ｃ）成分含有の化学増幅ポジ型レジスト材料を基板に塗布しレジスト層を形成する工程、
（Ａ）ヒドロキシスチレン単位、およびｐ-アミロキシスチレン化合物単位、および/又はスチレン化合物単位、および/又はアルキル（メタ）アクリレート単、のの繰り返し単位を有するＭｗ１，０００〜５００，０００の高分子化合物、
（Ｂ）光酸発生剤、
（Ｃ）アゾベンゼン構造含有化合物、
（ｉｉ）加熱処理後、フォトマスクを介して放射線又は電子線で露光する工程、
（ｉｉｉ）加熱処理後、現像する工程、を有し、現像後の断面パターン形状においてパターン側壁が基板面に対し７０°以上８７°未満の角度面を有すレジストパターン形成方法。
【効果】保存安定性が高く、プロセス適応性を有し、パターン側壁角度の制御性能に優れ、高解像度で電解メッキ耐性を与えるレジストパターンを形成し得る。 （もっと読む）

【課題】良好な焦点深度をはじめとする良好な解像度を提供する新規のフォトレジストシステムの提供。
【解決手段】樹脂、光活性成分、およびフェノール系成分；を含む化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物のレリーフ像を半導体基体上にコーティングした半導体基体を提供し；並びにイオンを前記基体に適用する；ことを含む、イオン注入された半導体基体を提供する方法 （もっと読む）

【課題】合成が容易で、触媒活性が高い塩基である３級のアミンやアミジンを発生可能な塩基発生剤、及び当該塩基発生剤を用いた感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】特定の酸と塩基を含む構造を有し、電磁波の照射により塩基を発生することを特徴とする塩基発生剤、並びに、当該塩基発生剤及び塩基性物質によって又は塩基性物質の存在下での加熱によって最終生成物への反応が促進される高分子前駆体を含有することを特徴とする、感光性樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】化学増幅型レジスト層における未露光部については高残膜率を維持でき、かつ、露光部については現像後において未露光部に対して高いパターンコントラストを得る。
【解決手段】化学増幅型レジスト層を基体上に形成する工程と、前記化学増幅型レジスト層に対して露光前ベークを行う工程と、前記化学増幅型レジスト層に対して所定のパターン露光を行う工程と、前記化学増幅型レジスト層に対して露光後ベークを行う工程と、を有し、前記露光前ベーク時間の方が、前記露光後ベーク時間よりも長くする。 （もっと読む）

【課題】現像欠陥の少ないパターンを形成可能とするパターン形成方法及びレジスト組成物を提供する。
【解決手段】本発明に係るパターン形成方法は、（Ａ）レジスト組成物を用いて膜を形成することと、（Ｂ）前記膜を露光することと、（Ｃ）有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像することとを含んでいる。上記レジスト組成物は、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位を含んだ樹脂と、下記成分（Ｓ１）及び成分（Ｓ２）の少なくとも一方を含んだ溶剤とを含有している。
（Ｓ１）プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート；
（Ｓ２）プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸エステル、酢酸エステル、アルコキシプロピオン酸エステル、鎖状ケトン、環状ケトン、ラクトン、及びアルキレンカーボネートからなる群より選択される少なくとも１つ。 （もっと読む）

【課題】スキャンスピードが高速（例えば、７００ｍｍ／ｓ）であっても水残りを抑制でき、さらに液浸液と上層膜との界面におけるバブルの発生をも抑制することのできる液浸上層膜を形成できる上層膜形成用組成物の提供。
【解決手段】液浸上層膜形成用組成物は、下記一般式（１−１）で表される繰り返し単位および（１−２）で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる少なくとも一種、炭化水素基を有する繰り返し単位およびフッ素置換炭化水素基を有する繰り返し単位を含有する重合体（Ａ）と溶剤（Ｓ）とを含む。


（一般式（１−１）及び（１−２）中、Ｒ^１は水素原子等を示す。Ｒ^２及びＲ^３は互いに独立に単結合又は炭化水素基を示し、Ｒ^４はフッ素原子置換炭化水素基を示す。） （もっと読む）

【課題】感光性樹脂組成物の保存安定性、感度及び溶剤除去工程の寛容度に優れ、かつ、透明性及び耐溶剤性に優れた硬化膜を与える感光性樹脂組成物を提供すること。また、前記感光性樹脂組成物により形成された硬化膜を層間絶縁膜として具備する、信頼性と生産性の高い、有機ＥＬ表示装置、及び、液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】（Ａ）カルボキシ基が酸分解性基で保護された残基を有するモノマー単位（１）と、フェノール性水酸基が酸分解性基で保護された残基を有するモノマー単位（２）と、３員環及び／又は４員環の環状エーテル残基を有するモノマー単位（３）と、を含有する共重合体、（Ｂ）光酸発生剤、並びに、（Ｃ）溶剤、を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。 （もっと読む）