【課題】パターン倒れ、表面粗さ、および表面欠陥を改良することができる、リソグラフィー用リンス液とそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】少なくともスルホン酸と、アルキレンオキシ基を有する非イオン性界面活性剤と、水とを含むリソグラフィー用リンス液と、それを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】耐刷性、耐汚れ性および経時後の耐汚れ性に優れる平版印刷版及び平版印刷版の製造方法の提供。
【解決手段】支持体と、該支持体上に設けられた感光層と、前記支持体と前記感光層との間に任意に設けられてもよいその他の層を含み；前記支持体と接する前記感光層または前記その他の層が、（Ａ）共重合体を含み、前記（Ａ）共重合体が、（ａ１）下記式で表される構造を側鎖に有する繰り返し単位と、（ａ２）式（ａ２−１）〜（ａ２−６）で表される構造の少なくとも１つを側鎖に有する繰り返し単位とを有する平版印刷版原版（Ｌ¹は単結合、炭素数６〜１４の２価の芳香族基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、または−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ²−；Ｚ¹は２価の連結基；Ｒ¹は水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、スルホ基、アルキルスルホニル基およびアリールスルホニル基；Ｒ²¹、Ｒ²²およびＲ²³は水素原子、ハロゲン原子または炭素数１〜８のアルキル基）。
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【課題】環境負荷の少ない現像剤によりネガ型画像形成性要素を画像形成して現像する方法を提供すること。
【解決手段】ネガ型画像形成性要素を画像形成し、次いで、毒性および腐食性が低く、使用後により容易に廃棄できる低ｐＨ有機系炭素現像液を使用して現像することができる。当該現像液は１２未満のｐＨを有し、ａ）窒素含有複素環を含む両性界面活性剤、ｂ）２又は３個以上の窒素原子を有する両性界面活性剤、またはｃ）ａ）の両性界面活性剤およびｂ）の両性界面活性剤を含む。 （もっと読む）

【課題】形成した樹脂パターンを熱処理した後であっても矩形又は矩形に近い樹脂パターンを製造できる樹脂パターン製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも工程（１）〜（６）をこの順に含むことを特徴とする樹脂パターン製造方法。
（１）感光性樹脂組成物を基板上に塗布する塗布工程
（２）塗布された感光性樹脂組成物から溶剤を除去する溶剤除去工程
（３）溶剤が除去された感光性樹脂組成物を活性光線によりパターン状に露光する露光工程
（４）露光された感光性樹脂組成物を水性現像液により現像する現像工程
（５）現像された感光性樹脂組成物の表面とプラズマ化したガスから生じるイオン及び／又はラジカルとを接触させプラズマ処理を行うプラズマ処理工程
（６）プラズマ処理を行った感光性樹脂組成物を熱処理する熱処理工程 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー用共重合体の、パターン形成における性能を、パターンを形成せずに評価する方法を提供する。
【解決手段】下記工程（１）〜（３）を含むリソグラフィー用共重合体の評価方法。
（１）リソグラフィー用共重合体と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを含むリソグラフィー組成物を用いて、基材上に薄膜を形成する工程。
（２）前記薄膜を露光した後、現像する工程。
（３）現像後、現像処理した薄膜の表面状態を評価する工程。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のダブルパターニング技術に適用される反転材料として特に適した組成物を提供する。
【解決手段】表面上に形成された感光性樹脂からなるパターン形状の間隙に埋め込む組成物であって、少なくともアリールオキシシラン原料の加水分解縮合物と、溶媒として芳香族化合物を有することを特徴とする間隙埋め込み用組成物。 （もっと読む）

【課題】フォトスピード、限界寸法（ｃｒｉｔｉｃａｌ ｄｅｍｅｎｓｉｏｎ；ＣＤ）均一性、ネガティブトーン現像剤（ＮＴＤ）中での溶解速度、及び、パターン忠実度に優れた、フォトレジスト組成物、フォトレジスト組成物の層を含むコーティングされた基体及びフォトリソグラフィパターンを形成する方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）式（Ｉ）、（ＩＩ）および（ＩＩＩ）：


の単位を含む第１のポリマー；（Ｂ）（メタ）アクリル酸Ｃ３〜Ｃ７アルキルホモポリマーもしくはコポリマーである第２のポリマー；並びに（Ｂ）光酸発生剤；を含むフォトレジスト組成物、及びフォトレジスト層の未露光領域が現像剤によって除去されて、フォトリソグラフィパターンを形成する方法。 （もっと読む）

【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、露光ラチチュードに優れたパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）酸の作用により分解し、極性基を生じる基を有する繰り返し単位を、樹脂中の全繰り返し単位に対して６５モル％以上有し、かつ下記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される繰り返し単位を有する樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程を含む、パターン形成方法。
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【課題】ハンプのない半導体装置の製造方法と、半導体装置と、露光装置とを提供する。
【解決手段】被加工膜２の上に下層レジスト膜となる感光性のネガ型のレジスト材料が塗布される。下層レジスト材料膜に露光光を照射することにより酸を発生させる。ベーク処理を施すことによって下層レジスト膜３ｂが形成される。現像処理を施すことにより、架橋した下層レジスト膜３ｂを残して、未架橋の下層レジスト材料膜の部分が除去される。中間層レジスト膜となる感光性のネガ型のレジスト材料を塗布し、同様の露光処理と現像処理を施すことにより、架橋した中間層レジスト膜４ｂを残して、未架橋の中間層レジスト材料膜の部分が除去される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のダブルパターニング技術に適用される反転材料として特に適した組成物の提供をする。
【解決手段】表面上に形成された感光性樹脂からなるパターン形状の間隙に埋め込む組成物であって、少なくともアルキルトリアルコキシシランを含むアルコキシシランを原料とする平均分子量が３０００〜５００００である加水分解縮合物と、溶媒として総炭素数７〜９のエーテル化合物及び／又は総炭素数６〜９のアルキルアルコール化合物とを含有する間隙埋め込み用組成物。 （もっと読む）

【課題】ポジ型現像プロセスにより、微細なレジストパターンを良好なリソグラフィー特性にて安定に形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分とを含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、該レジスト膜を露光する工程、及び該レジスト膜を、前記有機溶剤を含有する現像液を用いたポジ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法であって、（Ａ）成分として、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位を有する樹脂成分を用い、現像液として極性有機溶剤を含み、実質的にアルカリ成分を含まない現像液を用いる。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ不溶性又は難溶性の高分子化合物であって、該酸不安定基が脱離したときにアルカリ可溶性となる高分子化合物、
（Ｂ）酸発生剤、
（Ｃ）パーフルオロアルキルエチレンオキシド付加物からなる非イオン性含フッ素界面活性剤及びパーフルオロポリエーテル基を含有し且つポリオキシアルキレン型ポリエーテル結合を有する非イオン性含フッ素オルガノシロキサン系化合物の中から選ばれる少なくとも１種の非イオン性含フッ素化合物
を含有する波長１５０ｎｍ以上の紫外線を露光光源とする化学増幅ポジ型レジスト材料。
【効果】本発明によれば、スカムを形成しないレジスト材料であって、塗布均一性に優れ、基板周辺部で膜厚が極端に厚くなる現象であるＥｄｇｅ Ｃｒｏｗｎを抑えることのできる化学増幅型レジスト材料を提供することができる。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ不溶性又は難溶性の樹脂であって、該酸不安定基が脱離したときにアルカリ可溶性となるベース樹脂、
（Ｂ）酸発生剤、
（Ｃ）塩基性成分として窒素を含有する化合物
を含有するポジ型である化学増幅型レジスト組成物のレジスト膜を得る工程と、パターン露光する工程と、現像する工程と、更に現像により得られたパターンの線幅を１０％以上変化させない範囲で加熱によるパターン形状補正を行う工程を含むパターン形成方法において、上記組成物は、酸不安定基で保護された酸性官能基を有する分子量８００以下の軟化促進剤を２．５〜２０質量％で含有する組成物であるレジストパターン形成方法。
【効果】本発明のレジストパターン形成方法では、現像により得られたパターンを熱変形させて、パターンの線幅を１０％以上変化させない範囲でレジストパターン形状の微細な荒れの修正を安定して行える。 （もっと読む）

【課題】所定の組成を有するレジスト層に対して所望の解像度をもたらしつつも、レジストパターンを形成する際の必要露光量を低減させる。
【解決手段】α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、フルオロカーボンを含む溶媒Ａと、前記溶媒Ａよりも前記レジスト層に対する溶解度が高いアルコール溶媒Ｂと、酢酸−ｎ−アミル又は酢酸エチル又はそれらの混合物からなる溶媒Ｃとを含む。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンサイズを必要以上に変動させることなく、レジストパターンのＬＷＲを改善できるレジストパターン改善化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物、及び下記一般式（２）で表される化合物の少なくともいずれかと、水とを少なくとも含有するレジストパターン改善化材料である。
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【課題】ＳｉＯＮ、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ケイ酸ハフニウム、ケイ酸ジルコニウムおよび他の無機表面のような下地無機表面に対して良好な接着性を示しうるイオン注入リソグラフィ適用に特に有用な新規フォトレジストの提供。
【解決手段】１）樹脂、２）光活性成分、および３）多ケト成分を含む化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物のレリーフ像を半導体基体上にコーティングした半導体基体を提供し、並びにイオンを前記基体に適用する。 （もっと読む）

【課題】耐刷性と現像性が両立できる平版印刷版原版、平版印刷版の製版方法及び平版印刷方法を提供する。
【解決手段】表面親水性の支持体上に、熱可塑性微粒子ポリマー、赤外線吸収剤、及び高分子化合物を含有する画像記録層を有する平版印刷版原版であって、高分子化合物が主鎖が三つ以上に分岐した星型形状を有し、分岐した高分子主鎖の側鎖に親水性基を有することを特徴とする平版印刷版原版。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニング法により良好なパターンを得ることができるレジストパターンの製造方法を提供する。
【解決手段】（１）〜（１１）の工程；（１）第１のレジスト膜を得る工程（２）プリベークする工程（３）露光処理する工程（４）ポストエクスポージャーベークする工程（５）現像して第１のレジストパターンを得る工程（６）第１のレジストパターンを光に対して不活性化させる工程、或いは、アルカリ現像液又は第２のレジスト組成物に対して不溶化させる工程（７）第１のレジストパターンの上に、第２のレジスト組成物を、３００〜３０００ｒｐｍの回転数でスピンコートし、乾燥して第２のレジスト膜を得る工程（８）プリベークする工程（９）露光処理する工程（１０）ポストエクスポージャーベークする工程（１１）現像して第２のレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 膨潤率に優れたポジ型感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 樹脂（Ａ）および感放射線酸発生剤（Ｂ）を含み、樹脂（Ａ）の少なくとも１種が、一般式（１）で表される、酸解離性基により保護された酸基を有する構造単位（Ａ１）を含み、かつ、架橋性基を含む、ポジ型感光性樹脂組成物。
一般式（１）
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【課題】感度及び塗布性に優れ、液晶への汚染が少ない硬化膜を得ることができる感光性樹脂組成物、その硬化膜及び形成方法、前記硬化膜を含む有機ＥＬ表示装置及び液晶表示装置の提供。
【解決手段】式（ａ１）〜（ａ４）の構成単位を有する共重合体、式（Ｂ）のオキシムスルホネート化合物、式（Ｃ１）又は（Ｃ２）の化合物及び溶剤を含有する感光性樹脂組成物、その硬化膜及び形成方法、前記硬化膜を含む有機ＥＬ表示装置及び液晶表示装置。
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