【課題】微細な反転パターンを、少ない工程数で、良好な形状で形成できるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】支持体上に、レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成する工程（ｉ）と、前記レジストパターンが形成された前記支持体上に、反転パターン形成用材料を塗布して前記レジストパターンの高さと同じかそれよりも薄い膜厚のパターン反転用被膜を形成する工程（ｉｉ）と、前記レジストパターンをエッチングにより除去し、反転パターンを形成する工程（ｉｉｉ）と、を備え、前記反転パターン形成用材料は、シリコン含有量が１５質量％超のシロキサンポリマーを含有することを特徴とするパターン形成方法。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に、レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成する工程（ｉ）と、
前記レジストパターンが形成された前記支持体上に、反転パターン形成用材料を塗布して前記レジストパターンの高さと同じかそれよりも薄い膜厚のパターン反転用被膜を形成する工程（ｉｉ）と、
前記レジストパターンをエッチングにより除去し、反転パターンを形成する工程（ｉｉｉ）と、を備え、
前記反転パターン形成用材料は、シリコン含有量が１５質量％超のシロキサンポリマーを含有することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
前記エッチングがウェットエッチングである請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記工程（ｉｉ）において、前記反転パターン形成用材料を塗布した後、１５０℃以上の温度にてベークする請求項１または２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記パターン反転用被膜の膜厚は、前記レジストパターンの高さの５０％未満である請求項１〜３のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記シロキサンポリマーは、下記式（ｘ０−１）で表される構成単位を有する請求項１〜４のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
【化１】

【請求項６】
前記シロキサンポリマーは、下記式（ｘ１−１）で表される構成単位を有する請求項１〜５のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
【化２】

［式中、Ｒ^１は有機基である。］
【請求項７】
前記Ｒ^１は、置換基を有していてもよいアルキル基、アリール基またはアラルキル基である請求項６に記載のパターン形成方法。
【請求項８】
前記反転パターン形成用材料は、前記レジストパターンを溶解しない有機溶剤を含有する請求項１〜７のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
【請求項９】
前記有機溶剤は、アルコール系有機溶剤、フッ素系有機溶剤、および水酸基を有さないエーテル系有機溶剤からなる群から選択される少なくとも１種である請求項８に記載のパターン形成方法。

【図１】

【図２】

【公開番号】特開２０１０−１５１９２４（Ｐ２０１０−１５１９２４Ａ）
【公開日】平成２２年７月８日（２０１０．７．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−３２７４８８（Ｐ２００８−３２７４８８）
【出願日】平成２０年１２月２４日（２００８．１２．２４）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】