【課題】パターン微細化が進展する状況下においても、所望形状のレジストパターンの形成を確実に行えるようにする。
【解決手段】レジスト膜に凹凸パターンを形成するパターン形成工程（Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）と、前記パターン形成工程（Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）で形成した前記凹凸パターンの凹状部分の底部に対してエッチングを行う除去工程（Ｓ６）と、を備えるレジストパターン形成方法において、前記パターン形成工程（Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）の後で前記除去工程（Ｓ６）の前に、前記パターン形成工程（Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）で形成した前記凹凸パターンの凸状部分の頂部を含む当該頂部の近傍領域に、前記除去工程（Ｓ６）での前記エッチングによる前記凹凸パターンのパターン消失を抑制する形状の保護膜を、化学的成膜処理により形成する保護膜形成工程（Ｓ５）を備える。 （もっと読む）

【課題】相対的に移動する投影レンズに水が十分に追従し、液浸露光工程を安定して実施できるレジスト保護膜を提供する。
【解決手段】下記式（ａ３）で表される化合物の重合により形成される繰り返し単位（Ａ３）、下記式（ａ４）で表される化合物の重合により形成される繰り返し単位（Ａ４）、および下記式（ａ５）で表される化合物の重合により形成される繰り返し単位（Ａ５）から選択される少なくとも一種の繰り返し単位を有する第１の重合体を含む液浸露光用レジスト保護膜用組成物を提供する。
ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２）_３Ｃ（ＣＦ_３）_２ＯＨ ………（ａ３）
ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２）_３Ｃ（Ｏ）Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｃ（ＣＦ_３）_２ＯＨ………（ａ４）
ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２）_３Ｃ（Ｏ）ＯＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２Ｃ（ＣＦ_３）_２ＯＨ （ａ５） （もっと読む）

【課題】露光パターン形成用領域を複数回に分けて露光する場合、又は複数の露光パターン形成用領域を同時若しくは連続的に露光する場合に、露光位置の確認が容易な露光方法及び露光位置の確認方法を提供する。
【解決手段】露光対象部材２は、露光パターン形成用領域及びその周囲の少なくとも一部の非パターン形成領域を備えている。この露光対象部材２の非パターン形成領域における露光パターンの延長上にある領域に露光光の照射により変色する光変色材料を塗布するか、又は露光光の照射により変色する光変色部材を貼付し、マスクに透過させた露光光を露光対象部材に照射する際に、露光パターン形成用領域の他に、光変色材料又は光変色部材からなる光変色領域２２にも照射してこれを変色させる。そして、この光変色領域２２の変色により、露光パターン形成領域における露光位置を確認し、露光不良の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】保護膜のアルカリ溶解性の低下を抑えながら、撥水性を向上させることが可能な保護膜形成用材料、及びこの保護膜形成用材料を用いたレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】式（Ａ−１）で表されるモノマーに由来す構成単位を有するアルカリ可溶性ポリマーを含有する保護膜形成用材料。


式中、Ｒ^０は式（ａ−１）又は式（ａ−２）で表される基、Ｑ^０は単結合又はフッ素原子を有していてもよい２価の連結基、Ｒ^１はフッ素原子を有していてもよい有機基を示す。 （もっと読む）

【課題】スループットを短縮し、所望の回路パターンを形成することが可能な半導体回路パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に被エッチング膜を形成し、この被エッチング膜上に現像液溶解性膜を形成する。次に、現像液溶解性膜上にフォトレジスト膜を形成し、フォトマスクを介してフォトレジスト膜を露光する。さらに、現像液を用いてフォトレジスト膜を現像する。この工程では、フォトレジストパターンの下側の現像液溶解性膜を、アンダーカット状の残存部分を残すように溶解させる。次に、フォトレジスト膜を覆うように耐エッチング膜を形成したのち、フォトレジスト膜を除去することにより、被エッチング膜上に、フォトレジスト膜の開口部に対応する耐エッチング膜のパターンを形成するリフトオフ工程を行う。その後、現像液溶解性膜と耐エッチング膜とをマスクとして、被エッチング膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】浸漬リソグラフィ処理に適した、フォトレジスト組成物の上に適用されるバリアー層組成物を提供する。別の面において、浸漬リソグラフィ処理のための新規な方法を提供する。
【解決手段】浸漬リソグラフィ用のバリアー層として、少なくとも樹脂主鎖内にフッ素置換基を含有していない１種以上の樹脂をはじめとする、１種以上の非溶媒担体材料（成分）を含有する。 （もっと読む）

【課題】マルチパターニングを用いたパターン形成において、高精度のパターンを形成する。
【解決手段】第１のマスクパターンが形成されたマスクを用いて、基板上のレジストを露光し、前記露光後のレジストを現像することにより、前記レジストに第１のサブパターンを形成し、形成された第１のサブパターンの開口底部に接触させずに前記レジストの表面を覆うように酸性膜または酸を発生させる膜を形成する成膜し、該成膜工程後、第２のマスクパターンが形成されたマスクを用いて、前記レジストを露光し、前記露光後のレジストを現像することにより、前記レジストに第２のサブパターンを形成するパターン形成方法であり、前記第２のサブパターンを形成する際の現像処理を終えるまでに、前記酸性膜または酸を発生させる膜を除去することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】 より微細なパターンを簡便かつ効率的に形成可能であり、半導体の製造プロセスに適用することのできる、実用性の高いパターン形成方法を提供することにある。
【解決手段】 少なくとも、（１）基板上に有機下層膜を成膜し、有機下層膜上にフォトレジストパターンを形成する工程と、（２）フォトレジストパターンに、アルカリ性物質を含むアルカリ性溶液を保持させ、その後過剰なアルカリ性溶液を除去する工程と、（３）フォトレジストパターンに、アルカリ性物質の作用により架橋可能なシロキサンポリマー溶液を塗布して、フォトレジストパターン近傍で架橋させて架橋部を形成する工程と、（４）未架橋のシロキサンポリマー及びフォトレジストパターンを除去する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】２４８ｎｍ（ＫｒＦ）および１９３ｎｍ（ＡｒＦ）の露光波長での十分な透過性と、フォトレジスト膜とインターミキシングを起こすことなくフォトレジスト上に被膜を形成でき、さらに液浸露光時の水に溶出することなく安定な被膜を維持し、かつアルカリ現像液に容易に溶解する上層膜を形成する。
【解決手段】レンズとフォトレジスト膜との間に水を介して放射線照射する液浸露光装置を用いるときに、上記フォトレジスト膜に被覆される組成物であって、この組成物は、放射線照射時に水に溶出することなく安定な膜を形成し、その後のアルカリ性水溶液を用いる現像液に溶解する樹脂と、炭素数６以下の１価アルコールを含む溶媒とからなり、特に上記樹脂が、少なくともα位にフルオロアルキル基を有するアルコール性水酸基をその側鎖に有する樹脂成分を含む。 （もっと読む）

【課題】ポジ型レジスト膜を用い、１回の露光で密集したドットパターンと孤立ドットパターンを形成し、これを用いてポジネガ反転によってホールパターンを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】被加工基板上に、酸不安定基の脱離によってアルカリ性現像液可溶になる樹脂、光酸発生剤又はこれと熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料を塗布しレジスト膜を形成する工程、位相シフトマスクを用いて露光し、露光後加熱しアルカリ性現像液で現像してポジ型パターンを得る工程、パターンを露光又は加熱し、上記樹脂の酸不安定基を脱離させアルカリ溶解性を向上させ、樹脂に架橋を形成させ上記ポジ型パターンに反転用膜形成用組成物用の有機溶剤への耐性を与える工程、反転用膜を形成する工程、上記架橋形成されたポジ型パターンをアルカリ性ウェットエッチング液で溶解除去する工程を含むポジネガ反転を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】塗布液の有効利用及び塗布液膜の均一化を図れるようにした塗布処理方法及び塗布処理装置を提供すること。
【解決手段】半導体ウエハＷを低速の第１の回転数で回転させて、ウエハの中心部に純水ＤＩＷを供給して純水の液溜りを形成し、その後、ウエハを上記第１の回転数の状態で、ウエハの中心部に水溶性の塗布液ＴＡＲＣを供給し、該塗布液と上記純水とを混合する。その後、ウエハを上記第１の回転数より高速の第２の回転数で回転させて塗布液膜を形成する。塗布液と純水とを混合する工程と塗布液膜を形成する工程の時間比率を１：３〜３：１の範囲内に制御して塗布液ＴＡＲＣの吐出量を設定する。 （もっと読む）

【課題】微細な反転パターンを、少ない工程数で、良好な形状で形成できるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】支持体上に、レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成する工程（ｉ）と、前記レジストパターンが形成された前記支持体上に、反転パターン形成用材料を塗布して前記レジストパターンの高さと同じかそれよりも薄い膜厚のパターン反転用被膜を形成する工程（ｉｉ）と、前記レジストパターンをエッチングにより除去し、反転パターンを形成する工程（ｉｉｉ）と、を備え、前記反転パターン形成用材料は、シリコン含有量が１５質量％超のシロキサンポリマーを含有することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】埋め込み性が良好で、有機材料に対して高いエッチング選択比を有し、微細な反転パターンを良好な形状で形成できる反転パターン形成用材料、および該反転パターン形成用材料を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】支持体上に、レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成する工程（ｉ）と、前記レジストパターンが形成された前記支持体上に、反転パターン形成用材料を塗布してパターン反転用被膜を形成する工程（ｉｉ）と、前記レジストパターンをエッチングにより除去し、反転パターンを形成する工程（ｉｉｉ）と、を備えるパターン形成方法であって、前記反転パターン形成用材料が、下記式（ｘ０−１）で表される構成単位を有し、シリコン含有量が１５質量％超のシロキサンポリマーを含有することを特徴とする。
［化１］
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【課題】撥液性とアルカリ溶解性に優れた液浸露光用レジスト保護膜材料の提供。
【解決手段】下式（ａ１）で表される化合物の環化重合により形成された繰り返し単位（Ａ１）、好ましくは下式（ａ２）で表される化合物の環化重合により形成された繰り返し単位（Ａ２）を含む液浸露光用レジスト保護膜組成物。ただし、Ｚ：式−Ｃ（ＣＦ_３）_２ＯＨ で表される基を１つ以上有する炭素数３から２０の有機基。ｎ：０、１または２。Ｒ：水素原子または炭素数１〜２０の１価有機基であって、２個のＲは同一であってもよく異なっていてもよい。
ＣＦ_２＝ＣＦＣＦ_２ＣＨ（Ｃ（Ｏ）ＯＺ）（ＣＨ_２）_ｎＣＲ＝ＣＨＲ （ａ１）
ＣＦ_２＝ＣＦＣＦ_２ＣＨ（Ｃ（Ｏ）ＯＺ）ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２ （ａ２） （もっと読む）

【課題】ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理によって、（１）第一のレジストパターンの線幅が変動しない、（２）第一のレジストパターンのラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が悪化しない、という要件を満たすフリージングプロセス用の表面処理剤およびそれを用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】カルボジイミド基を有する化合物を含有することを特徴とするレジストパターン形成用表面処理剤。 （もっと読む）

【課題】液浸露光による微細パターン形成プロセスにおける現像工程で、良好なレジストパターン形状を与える液浸露光フォトレジスト膜の保護層用塗布組成物、並びにパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】式（１）で示される化合物を５０質量％以上含む溶剤系に、フルオロアルコール基を側鎖に有する水不溶性、かつアルカリ可溶性ビニルポリマーを溶かしてなることを特徴とする液浸露光フォトレジスト膜の保護層用塗布組成物、並びにパターン形成方法。式（１）において、Ｒ₁及びＲ₂は、それぞれ独立に炭素数３〜５のアルキル基である。
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【課題】レジストパターンの線幅を含んだパターン情報を求めるにあたり、そのパターン情報の精度を向上させることができる塗布、現像装置を提供すること。
【解決手段】下地膜を形成するときの処理パラメータに応じて基板面内の下地膜の膜厚分布を求める手段と、光照射部の照射領域から反射された光を受光する受光部が受光した光についてその波長と光強度との関係を示す光強度分布を取得する手段と、レジストパターンのパターン情報と、下地膜の膜厚と、前記光強度分布とを対応付けたデータが記憶された記憶部と、前記光照射部の光の照射位置における下地膜の膜厚を前記膜厚分布から求め、その下地膜の膜厚と取得した光強度分布とに対応するパターン情報を前記データに基づいて求める手段と、を備えるように塗布、現像装置を構成し、膜厚分布によるパターン形状の測定誤差を抑える。 （もっと読む）

【課題】微細ピッチのパターンを実現可能であってパターニング精度の安定性を向上できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上の一部の領域に第１のホトレジストパターンを形成する第１の工程と、２種以上の原料ガスを交互に基板へ供給して、少なくとも第１のホトレジストパターンの表面に薄膜を堆積する第２の工程と、第１のホトレジストパターンが形成されていない領域の一部に第２のホトレジストパターンを形成する第３の工程と、
を有する。 （もっと読む）

【課題】難エッチング材を含む部材であっても、簡便に、かつ、良好な形状にパターニングすることができるドライエッチングによるパターニング方法及びインクジェットヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】被エッチング部材のドライエッチングを施す面に感光性樹脂のマスク２４ａを形成した後、撥水処理２８を施す。撥水処理後、感光性樹脂のマスクをポストベークする。次いで、感光性樹脂のマスクを介してドライエッチングを施すことにより被エッチング部材をパターニングする。被エッチング部材としては、磁性体材料、強誘電体材料、及び貴金属の少なくとも一種を含む膜を有するものを好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】光照射手段の照度分布の悪化に影響を受けずに基板上の積算照度を均一にでき、かつ、光照射手段の寿命の増大及び生産性の向上を図れるようにした基板処理方法及び基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷと紫外線照射手段７０とを相対的に平行移動及び水平回転させて紫外線照射手段から照射される紫外線によってウエハの表面を露光処理する基板処理方法（装置）において、紫外線照射手段は、該紫外線照射手段とウエハとの相対移動方向に沿う紫外線ランプ７１を具備し、ウエハと紫外線照射手段の平行移動に伴って移動する光センサ６３によって紫外線照射手段の紫外線ランプが照射する紫外線の照度分布を測定し、その測定された情報に基づいてウエハの紫外線ランプの照射領域に対する移動量及び水平回転を制御する。これにより、ウエハ上に照射される紫外線の照度分布を均一にすることができる。 （もっと読む）