【課題】表面に多数の突起を有する突起版胴を容易かつ簡易に製造する。
【解決手段】突起版胴の製造方法は、表面に銅層２を有するブランク版胴３５Ａを準備する工程と、ブランク版胴３５Ａの表面の銅層２全域に感光材３を塗布する工程と、感光材３を露光しかつ現像して突起３５ａに対応する部分にレジスト４を形成する工程とを備えている。ブランク版胴３５Ａの表面の銅層２に対して第１のエッチングを施して銅層２に突起３５ａを形成し、その後突起３５ａ上からレジスト４を除去する。突起３５ａに対して再度第２のエッチングを施して、突起３５ａの先端部３５ｂの垂直断面形状を湾曲させる。その後銅層全域にクロムメッキを施してクロムメッキ層５を形成する。 （もっと読む）

【課題】
優れたレジスト剥離性を示し、銅及びモリブデンの腐食を抑制し、更にこれらの異種金属間のガルバニック腐食も抑制するレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】
２−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−アミノエトキシ）エタノール、尿素及び水を含んでなるレジスト剥離剤では、優れたレジスト剥離性を示し、銅及びモリブデンの腐食を抑制し、さらに銅−モリブデン間のガルバニック腐食も抑制できる。２−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−アミノエトキシ）エタノールは０．１重量％以上８０重量％以下、尿素は０．１重量％以上３０重量％以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 低温成膜が可能で簡便なフィルムの転写により導電性を容易に安価に得ることのできる導電性転写フィルム及びそれを用いた導電性パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 仮支持体上に、導電性層、及びネガ型感光性樹脂層を順次積層してなる導電性転写フィルム。仮支持体上に、ポジ型感光性樹脂層、導電性層、及びネガ型感光性樹脂層を順次積層してなる導電性転写フィルム。導電性層が、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化すず、金、銀、銅、アルミニウムのいずれかを主成分とする導電性膜であると好ましい。前記の導電性転写フィルムを用いて、ネガ型感光性樹脂層側を支持体に貼りつける工程、所定部を露光する工程と、を含む導電性パターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明は、ネガティブフォトレジストを用いたガラスまたは金属エッチング方法およびこれを用いたクリシェの製造方法に関する。本発明に係るガラスまたは金属エッチング方法は、ネガティブフォトレジストと金属または金属酸化物との接着力が優れているので金属または金属酸化物エッチング液によってフォトレジスト層が腐食されないだけでなく、逆型のフォトマスクを製作する必要がないので製造工程が簡単であり、混合波長などの低分解能光源を用いることができて経済的である。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークの検出が可能であるとともに、チャージアップしにくいハードマスクおよびこのハードマスクを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイスが形成された半導体基板上に被加工膜１０２を形成し、この被加工膜上にハードマスク１１０を形成してから前記被加工膜をパターニングする工程を含む半導体装置の製造方法において、前記ハードマスクとして、前記被加工膜上に順次積層された導電性カーボン膜１０３及び透光性カーボン膜からなる透明積層膜１０４を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子における有機機能層のような非常に高い印刷精度を必要とされる印刷パターンを、インキの混色やパターンずれなどの印刷不良なく凸版印刷法で形成するための新規な高精細印刷用凸版及びその製造方法。
【解決手段】基材上の金属からなる凸状パターンと、その金属凸状パターンの凸部表面に平滑性のある感光性樹脂膜を供え、凸部と高さと幅の比が1以上であり、さらには版深が３０μｍ以上ある凸版を用いて印刷物の製造を行う。 （もっと読む）

【課題】複雑な工程を行うことなく、簡単に製造することができ、かつレジストパターン形成において露光後の加熱が必要なく、優れた性能を有するポジ型感光性樹脂組成物を得る。
【解決手段】（Ａ）アルカリ可溶性樹脂及び（Ｂ）α−アミノ置換型アセトフェノン誘導体である光ラジカル発生剤を含有することを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物、この組成物を用いたレジストパターンの形成方法、及びこの組成物を用いた導体パターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】印刷版、特に、クッション性を有することにより、硬質な被印刷物に対してブランケットロールを用いないダイレクトなグラビア印刷が可能であり、段ボール印刷等、粗面に対するグラビア印刷が良好に行えて、液晶パネル用ガラスへカラーフィルタを構成するためのマトリックス画像をカラー印刷したり、あるいはコンパクトディスク等に画像をカラー印刷するのに好適であるクッション性を有するグラビア版の製造方法を提供する。
【解決手段】ゴム又はクッション性を有する樹脂からなるクッション層１１ｂを表面に設けた中空ロール１１ａと、該クッション層１１ｂの表面に設けられかつ表面に多数のグラビアセル１４が形成された銅メッキ層１２と、該銅メッキ層１２の表面に設けられた金属層１６と、該金属層１６の表面に設けられた当該金属の炭化金属層１８と、該炭化金属層１８の表面を被覆するダイヤモンドライクカーボン被膜２０とを含むようにした。 （もっと読む）

【課題】
エッチャントとして特定のガスを使用して、その添加量を厳密に制御することなく、膜の加工両端部を基板から離間するにつれて両端部間の距離が短くなるようなテーパー形状とし、当該テーパーの角度を所望の角度とすることが可能な膜のパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】
本発明に係る一の態様の膜のパターン形成方法は、基板上に膜４、５を形成し、膜４、５の上層に、第１マスキング層１０とその上層の第２マスキング層１１とを、当該第２マスキング層１１が第１マスキング層１０端から突出する庇部を有するようにパターン形成し、膜４、５の上層に第１マスキング層１０及び第２マスキング層１１のパターンが形成されている状態において、膜４、５をエッチングしてパターニングする。
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【課題】基板上に形成された金属膜のウェットエッチング時において、孔食の発生を抑制し得るレジストパターンを与える感光性レジスト組成物、及び該感光性レジスト組成物を用いた品質の良好なパターン化金属膜を有する基板の製造方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）アルカリ可溶性樹脂、（Ｂ）感光剤、（Ｃ）イオノホア化合物及び（Ｄ）溶剤を含む、酸水溶液によるウェットエッチング用感光性レジスト組成物、並びに（ａ）基板上に形成された金属膜に前記感光性レジスト組成物を塗布して感光層を形成する工程、（ｂ）前記感光層にパターン露光したのち、現像してレジストパターンを形成する工程、及び（ｃ）前記レジストパターンをマスクとして、金属膜を酸水溶液によりウェットエッチングする工程を含む、パターン化金属膜を有する基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 金属配線と無機材料層（ポリシリコン膜等）の両者を形成してなる基板上に設けたホトレジスト層の剥離性に優れるとともに、無機材料層（ポリシリコン膜等）の防食性に優れ、剥離液の変色がなく管理が容易で、基板への付着物を生じることがないホトリソグラフィ用洗浄液、およびこれを用いた基板の処理方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）フッ素基を含有するニトロ化合物（例えば、ｐ−フルオロニトロベンゼン等）、（ｂ）水溶性アルカリ化合物（例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシド等）、（ｃ）水、および（ｄ）水溶性有機溶媒（例えばジメチルスルホキシド等）を含有してなるホトリソグラフィ用洗浄液、およびこれを用いた基板の処理方法。 （もっと読む）

【解決すべき課題】 半導体回路素子の製造工程においてドライエッチング後に残留するフォトレジスト及びフォトレジスト変質層等の剥離性に優れ、かつ新しい配線材料や層間絶縁膜材料等に対してもアタックがないフォトレジスト剥離液組成物及びフォトレジスト及びフォトレジスト変質層剥離方法を提供する。
【解決手段】 アセチレンアルコール化合物及び有機スルホン酸化合物のうちの少なくとも１種と、多価アルコール及びその誘導体のうちの少なくとも１種とを含有する、フォトレジスト剥離液組成物を用いる。 （もっと読む）

部分的に形成された第１の層（３ｍ）が多層体（１００）の製造方法および、その製造方法によって製造された多層体（１００）が記載されている。
その製造方法では、回折性を示す第１の凹凸構造部（４）が前記多層体の複製層（３）の第１の領域の中に形成され、複製層（３）の中で凹凸構造部が形成されていない第１の領域および第２の領域中の複製層（３）に、第１の層（３ｍ）を付与し、感光層を第１の層（３ｍ）に付与するか、または、第１の層（３ｍ）に複製層として感光性の洗浄マスクを付与し、前記感光層または前記洗浄マスクを第１の層（３ｍ）を通して露光するので、前記感光層または前記洗浄マスクは、第１および第２の領域中の第１の凹凸構造部により異なる露光がなされ、第１の層（３ｍ）が、第２の領域中には無いが第１の領域中にはあるか、あるいは、第１の領域中には無いが第２の領域中にあるマスク層としての前記露光された感光層または洗浄マスクを使って取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】層が存在しない領域を有する層が、高いレベルの精度と安い費用で正確な重なり関係で適用される、多層体及び多層体の製造プロセスを提供する。
【解決手段】部分的に形成された第一の層（３ｍ）を有する多層体（１００、１００´）の製造プロセスであって、特定の構造エレメントの高い深さ幅比、特に０．３を超える高い深さ幅比を有する回折性の第一の凹凸構造（４）が前記多層体（１００、１００´）の複製層（３）の第一の領域（５）に形成され、第一の層（３ｍ）が、前記第一の領域（５）と、前記複製層（３）に凹凸構造が形成されていない第二の領域（４、６）の前記複製層（３）に、前記複製層（３）により規定される平面に対して均一な表面密度で適用され、前記第一の凹凸構造により確定する方法で、前記第一の層（３ｍ）が前記第一の領域（５）または前記第二の領域（４、６）で除去されるとともにそれぞれに対して前記第二の領域（４、６）または前記第一の領域が除去されないように、前記第一の層（３ｍ）が部分的に除去される。 （もっと読む）

【課題】 フォトレジスト溶解性能及び剥離性が優れていて、フォトレジスト膜の下部に位置した金属配線の腐蝕を起こさないフォトレジスト用剥離剤及びその剥離剤を利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、５〜２０重量％のアルコールアミン、４０〜７０重量％のグリコールエーテル、２０〜４０重量％のＮ−メチルピロリドン及び０．２〜６重量％のキレート剤を含むフォトレジスト用剥離剤を利用してフォトレジスト剥離工程を行うことにより、フォトレジスト剥離工程で発生する金属層内のアンダーカットまたはオーバーハングのような配線のプロファイルを変形させる問題点を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線を初めとした金属配線への腐食およびＣｕ／ｌｏｗ−ｋ基板における低誘電体膜への損傷を発生せず、かつ、アッシング後の残渣膜の剥離性に優れた特性を有するホトレジスト用剥離液を提供する。
【解決手段】本発明のホトレジスト用剥離液を、（ａ）フッ化水素酸と金属イオンを含まない塩基との塩、および（ｂ）水溶性有機溶媒を含有してなり、前記（ａ）成分の含有率が０．００１〜０．１質量％であるのホトレジスト用剥離液とする。前記（ａ）成分の含有率は０．００１〜０．０６質量％であることが好ましく、前記水溶性有機溶媒がγ−ブチロラクトンおよび／またはプロピレングリコールであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜に低誘電率絶縁膜を用いた半導体作製の時、ハードマスクを用いて微細加工を行う製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体に低誘電率絶縁膜１３を適用して低誘電率絶縁膜１３とその下層のエッチングストッパー膜１２を加工する時、まずレジスト１５ａをマスクとしたハードマスク膜１４のエッチングを行い、続いてレジスト１５ａをＨ_２とＨｅの混合ガスで２００℃より高い高温、１Ｔｏｒｒ付近の圧力の条件でアッシングを行う。このようにすればレジスト除去においてハードマスク膜１４ａにダメージを与えることなく続く低誘電率絶縁膜１３のエッチングにおいてファセットの少ないハードマスクによる微細加工が可能となる。 （もっと読む）