【課題】電子線を照射する照射系での非点収差を評価する。
【解決手段】基準試料ＷＰの表面に、複数（例えば４つ）の同心円からなる図形パターンを形成し、この基準試料ＷＰを電子線でスキャンすることによって得られる電子信号に基づいて画像（スキャン画像）を形成する。このスキャン画像では、非点収差の方向を長手方向とする領域に像のボケが生じ、また、非点収差の大きさによって、ボケが生じた領域の範囲が変化する。したがって、得られたスキャン画像に基づいて、照射装置１０の照射系での非点収差の方向及び大きさを検出することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】露光装置の小型化を図る。
【解決手段】ＳＬＥＤチップに配列されたＬＥＤを駆動する信号生成回路１００からＳＬＥＤチップ（ＣＨＩＰ１〜ＣＨＩＰ６０）に駆動信号を送信する信号線１０７,１０８,１０９は、基板の配線パターン層各々において、信号生成回路１００の配置位置からＳＬＥＤチップが配置された方向に向かう所定範囲の領域にて、ＳＬＥＤチップの配列方向に延びる所定の境界線により分割された領域のいずれか一方に配線される。 （もっと読む）

【課題】露光の際にパターン形状のばらつきを押さえ込むような露光方式を提供する。
【解決手段】表示装置の製造方法は、基板上に形成される層のうちパターン配置の基準となる層を定め、基準となる層のパターン配置のばらつきから求められる値を用いて、基準となる層より上層のパターン配置を決定する。 （もっと読む）

【課題】
非描画部分の発生を防止することができ、描画像全体からみて描画ムラや筋の形成、ＬＥＲの悪化などという現象の発生を防止することができる電子線描画における描画方法及び矩形領域分割方法を提供する。
【解決手段】本発明は、対象描画領域をスポットビームにて照射を行いながら走査しつつ、対象描画領域を描画するスポットビーム型の電子線描画において、スポットビームのスキャンピッチの一部を、予め定められたスキャンピッチより狭いピッチで照射して重複描画部を有するようにした事を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】露光時に試料や露光対象物を透過した後の反射光を除去し反射光が試料に照射されないようにした反射光除去装置及び露光装置を提供する。
【解決手段】この反射光除去装置１０は、試料を載置する載置部１２が透光性である試料台１１と、試料台が載るステージ１５と、載置部とステージとの間にスペース１６を形成するスペース手段１４と、試料を露光したとき試料及び載置部を透過した透過光を外部に導くようにスペースに配置された光導波手段２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】間便に所望の形状のパターンを得ることのできる多層薄膜パターン及び表示装置の製造方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかる多層薄膜パターンの製造方法は、基板上に金属膜３を形成する工程と、金属膜３上に第２の透明導電性膜４を形成する工程と、第２の透明導電性膜４上にレジストパターン５を形成する工程と、レジストパターン５を介して第２の透明導電性膜４をエッチングする工程と、有機溶媒もしくはＲＥＬＡＣＳ材料を用いてレジストパターン５を変形させ、第２の透明導電性膜４のエッチング後の端面を覆う工程と、第２の透明導電性膜４の端面がレジストパターン５により覆われた状態で、金属膜３をエッチングする工程と、を有するものである。 （もっと読む）

【課題】電子線による微細な描画を可能にするため、より細く、高速で、動的に電子線の露光量を変化させる。
【解決手段】感光層が設けられた基板に電子線を描画方向に移動させながら露光を行う電子線描画方法である。電子線を所定のブランキング周波数でブランキングさせながら基板１に照射するとともに、電子線を前記描画方向に前後に振動させるように相対的に移動させ、かつ、この前後に振動させるような移動は、ブランキング周波数より高い周波数で行う。 （もっと読む）

【課題】マスクの描画後の線幅寸法（ＣＤ）変動を補正する照射量を求める手法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、パターンデータを入力する工程Ｓ１０２と、パターンデータを描画するための総描画時間を予測する工程Ｓ１０４と、描画開始時刻からの時間と総描画時間と基準照射量との関係を用いて、任意時間後での基準照射量を取得する工程Ｓ１０８と、描画開始時刻からの時間と総描画時間とかぶり効果補正係数との関係を用いて、任意時間後でのかぶり効果補正係数を取得する工程Ｓ１０８と、任意時間後での照射量を計算する工程Ｓ１１０と、照射量に合わせて、描画する工程Ｓ１１４と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】複数の光学ヘッドに搭載されるアパーチャの交換作業を自動化し、アパーチャを効率よく交換するとともに、アパーチャの汚染も防止することができるパターン描画装置を提供する。
【解決手段】このパターン描画装置１は、主としてアパーチャ交換部４０とアパーチャユニット３６とを制御部５０からの指令に基づいて動作させることにより、各光学ヘッド３２ａ，３２ｂ，…，３２ｇに搭載されたアパーチャＡＰの交換処理を行う。具体的には、複数の光学ヘッド３２ａ〜３２ｇに沿ってハンド部４１を移動させ、−Ｙ側へ進出させたアパーチャユニットに対してハンド部４１を接近および離間させることにより、アパーチャＡＰの受け渡しを行う。このため、アパーチャＡＰを自動的かつ効率よく交換することができ、アパーチャＡＰの汚染も防止することができる。 （もっと読む）

【課題】新規な微細構造体製造方法の提供を課題とする。
【解決手段】支持基板８０３上に、少なくとも、熱反応層８０１と発熱層８０２とを積層して有し、熱反応層８０１が亜鉛化合物とシリコン酸化物との混合材料により構成され、発熱層８０２が金（Ａｕ）または銅（Ｃｕ）により薄膜状に構成された微細構造体形成用媒体を用い、微細構造体形成用媒体に対して形成すべき微細パターンに対応するパターンをレーザ光によりパターン描画し、発熱層８０２を上記パターンに応じて発熱させて熱反応層８０１に微細パターンに対応して熱反応を生じさせる描画工程と、この描画工程により熱反応を生じた光熱反応層部分２０１を残すようにエッチングを行うエッチング工程と、を少なくとも有し、エッチング工程を、フッ化水素酸によるウエットエッチングにより行い、描画工程における熱反応により、熱反応層８０１のフッ化水素酸に対するエッチング耐性を高める。 （もっと読む）

【課題】指向性のある光源をアレイ状に並べてなる光源とマスクを相対的に回転させてマスク背後に配置したレジストを露光することでマイクロレンズ等の曲面を製造する方法の提供。
【解決手段】透明開口２を設けたマスク１の背後に配置されたフォトレジスト層３に透明開口２を通して照明光を照射し、フォトレジスト層３の露光された部分を硬化させるか分解することで、フォトレジスト層３に曲面構造を作製する曲面製造方法であり、照明光の光源５として光が照射される角度範囲が制限される指向性のある光源をアレイ状に配置してなる光源アレイ６を用い、マスク１とその背後に配置されたフォトレジスト層３とからなる被加工基板４と光源アレイ６とを対向配置し、被加工基板４を光源アレイ６に対して基板面に垂直な軸の周りで相対的に回転させながら、マスク１の透明開口２を通してレジスト３を露光する曲面製造方法。 （もっと読む）

【課題】装置の安定度を考慮した適正な時間間隔で照射位置の較正処理を行うことができ、装置の稼働率と描画品質とを両立させることができるパターン描画装置を提供する。
【解決手段】本実施形態のパターン描画装置１は、各光学ヘッドによるパルス光の照射位置を計測し、その照射位置のずれ量Ｐおよびずれ量の差分ΔＰに応じて較正処理の時間間隔Ｔｓを変更する。このため、光学ヘッドの安定度を考慮した適正な時間間隔Ｔｓで較正処理を行うことができ、装置の稼働率と描画品質とを両立させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、露光用の光学系からの射出光に含まれる非露光波長成分の光量を正確に検出することのできる露光装置を提供することを目的とする。また、本発明は、高スループットなデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の露光装置は、主光学系（６）からの射出光で被露光物を露光する露光装置であって、前記主光学系（６）からの射出光に含まれる非露光波長成分の光量を検出するセンサ（１３‘）と、前記主光学系（６）の露光領域へ露光波長とは異なる波長の光を投光する副光学系（１４）と、少なくとも前記センサ（１３‘）による検出時には前記副光学系（１４）からの射出光が前記センサ（１３‘）へ入射するのを阻止するノイズ防止手段とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は荷電粒子ビーム装置における非点補正・フォーカスの自動調整方法及び装置に関し、非点補正・フォーカスの自動調整を行なう方法及び装置を提供することを目的としている。
【解決手段】Ｘ，Ｙ方向に周期的なパターンを持つ調整用試料からの強度分布信号に対してトリミングを行なって第１のフーリエ級数展開を行ない周期パターンを求める手段２５と、この周期パターンに対してトリミング領域を決定して第２のフーリエ級数展開を行なう手段２５と、前記第１のフーリエ級数展開と第２のフーリエ級数展開の結果の差分を求める演算手段２５と、該演算手段２５により求めた差分と非点補正量及びフォーカス値を記憶する記憶手段２７と、該記憶手段２７に記憶されたものの中から差分が最小となる時の非点補正量とフォーカス値が最適になるものを読み出して荷電粒子ビーム装置の動作を調整する非点補正・フォーカス調整手段２８とを有して構成される。 （もっと読む）

【課題】試料の表面に形成する描画パターンの描画領域が大きい場合でも、描画パターンを正確、かつ容易に描画することができる荷電粒子ビーム描画装置および描画方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置は、描画領域が分割された各分割画素に描画パターンに応じた荷電粒子ビームの照射、非照射が割り当てられたパターンデータを用いて、先頭アドレスと走査開始点を設定Ｓ１０，Ｓ１２し、第１の走査方向に荷電粒子ビームを各分割画素に走査させつつ、荷電粒子ビームの照射、非照射を制御して、描画パターンのうち走査線部分のパターンを形成Ｓ１４し、これを繰返し行うＳ１６。基準分割画素と分割画素とを比較し、分割画素が大きい場合、同じ分割画素内で荷電粒子ビームの走査開始位置を一致させることなく、パターンデータのうち、走査線部分のパターンに相当するデータを用いて、荷電粒子ビームを第１の走査方向に複数回繰り返し走査させる。 （もっと読む）

【課題】入射された光を入力された制御信号に応じて変調するマイクロミラーが多数配列された空間光変調素子を有する露光ヘッドを露光面に沿って走査方向に相対的に移動させて露光を行う露光装置において、空間光変調素子における更新時間をより短縮する。
【解決手段】ＤＭＤ５０の走査方向に沿った７６８列のマイクロミラーのうち１９２列のみを使用し、さらに、その１９２列を５つの領域（領域１〜５）に分割し、領域１から領域５へと順に制御信号を転送するとともに、転送が終了した領域から順次、マイクロミラーのリセットを行う。
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【課題】可変矩形方式の描画において、描画時間を短縮させる。
【解決手段】計画パターンを、矩形により近似して矩形近似パターンを生成する矩形近似工程Ｓ３０と、矩形近似パターンに基いて第１補正パターンを生成する工程Ｓ４０，Ｓ５０と、第１補正パターンを、プロセスバイアスΔだけ拡大させて、照射パターンを生成する工程Ｓ６０と、を具備する。プロセスバイアスΔは、実際に被描画体に形成される形成パターンの前記照射パターンに対する縮小量である。第１補正工程は、矩形近似パターンに基いてΔ移動パターンを生成するΔ移動工程を有し、Δ移動工程においてΔ移動パターンを生成するにあたり、矩形近似パターンの側部を、プロセスバイアスΔの量だけ移動させる。 （もっと読む）

【課題】 ２次元空間変調器の光変調面の横Ｈｘと縦Ｈｙ（ただし、縦方向は露光基板の移動方向）の比Ｈｘ／Ｈｙを例えば１．５以上とする場合であっても、品質に優れる露光ができると共に、作業速度を向上することができる照明装置および露光装置を提供すること。
【解決手段】 インテグレータ１３からの出射光を２次元空間変調器２１に導く第２の光学系１５のｘ方向の焦点距離ｆｘとｙ方向の焦点距離ｆｙを異なる値、例えばｆｘ／ｆｙを１．６とする。このようにすると、ロッドレンズ１３１の横縦比ｄｘ：ｄｙを１に近い１．６：１にして、インテグレータ１３の数を横縦同じ、かつ、Ｈｘ／Ｈｙの値を２．５にすることができる。また、実用上、２次元空間変調器の照射領域の横縦比Ｈｘ／Ｈｙの値を３．５以上にすることもできる。 （もっと読む）

【課題】マスクと基板との相対距離を精度良く測定できる露光装置を提供する。
【解決手段】レーザ測長器２０が、露光動作中にマスクＭが位置する範囲に対向するようにして基板ステージ１１ａの中央に配置され、マスクＭとの相対距離を測定することにより、マスクＭの平坦度を求めることができるので、求めたマスクＭの平坦度と、別個に測定したマスクＭと基板との隙間から、マスクＭと基板との最小相対距離を精度良く測定することができ、両者の接触を回避して高精度な露光を実現できる。 （もっと読む）

【課題】矩形ショットの分割幅を最適な細さに維持しつつ斜めパターンの解像性を維持する可変成形描画装置の図形データ分割方法及び可変成形描画装置を提供すること。
【解決手段】全台形のパターン領域２０２に対して、長さｌで条件付けした短冊状の矩形ショット２０３を重ね合わせた結果を図３に示す。このように、矩形ショットとそれ以外の領域との分割位置をシフトさせることにより、短冊状の矩形ショット２０３の長辺は全てｌ以上となる。その結果、短冊状の矩形ショットの微小さに起因する描画不良を解消することが可能になる。 （もっと読む）