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Fターム[2H097BB10]の内容

Fターム[2H097BB10]に分類される特許

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【課題】露光装置
【解決手段】ベース部に支持されつつパターン面に対して他方の面においてパターン形成基板に接してパターン形成基板を支持する弾性支持部、および、パターン形成基板の互いに異なる領域毎に異なる力を他方の面から加えてパターン面を変形させる駆動部を有する保持部と、保持部に保持されたパターン形成基板のパターン面の表面形状を測定して測定データを生成する測定部と、パターン面の目標形状に関する目標データを格納する格納部と、測定データおよび目標データに基づいて、異なる領域毎の駆動部を個別に制御することにより、パターン面の表面形状を目標形状に近づける制御部と、を備える。 (もっと読む)


【課題】
重力方向に交差する方向に伸びる光軸を有する光学素子を鏡筒内から取り出し、加工を施し、再度、鏡筒内に搭載した場合に、その光学素子の面変形量を低減し、所定の面精度を再現できる光学素子保持装置を提供する。
【解決手段】
重力方向に交差する方向に伸びる光軸を有する光学素子と、前記光学素子の自重を受ける保持面を有する保持台と、前記光学素子の外周縁と前記保持台の前記保持面の間に配置され、前記外周縁側に平面を有し、前記保持面に接触する球面またはシリンドリカル面を有する台座と、前記光学素子の前記外周縁と前記台座の前記平面の間に配置された弾性部材と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、曲面に形成したフォトレジスト層へのレーザ光の走査時間を短縮することができるフォトレジスト層の加工方法および曲面状部材の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】フォトレジスト層の加工方法および曲面状部材の製造方法は、断面視円弧状の曲面61aを有する曲面状素材(シリンドリカルレンズ61)を複数用意する準備工程と、曲面状素材の曲面61aに、フォトレジスト層62を形成するレジスト形成工程と、複数の曲面状素材の各曲面61aが1つの円Cに沿うように、曲面状素材を支持部材2に設置する設置工程と、支持部材2を円Cの中心軸2A回りに回転させるとともに、ヘッド3を中心軸2A方向に移動させながら、ヘッド3からレーザ光を照射する露光工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】チャックの裏面を支持する各点の高さを容易に調整して、チャックの平坦度を向上させる。
【解決手段】基板1を保持するチャック10の周縁部よりも中央部側に開口を設けて、チャック10の裏面の開口周辺に、蓋14を支持する支持プレート40を設ける。チャック10の裏面を複数の点で支持するチャック支持台30に、チャック10の裏面を支持する点の高さを調整する複数の高さ調整機構を設ける。チャック10をチャック支持台30に搭載し、チャック10の周縁部よりも中央部側に近い高さ調整機構を開口から操作し、それ以外の高さ調整機構をチャック10の外側から操作して、チャック10の裏面を支持する点の高さを調整し、チャック10の開口に蓋14を取り付ける。チャック10が大型になっても、チャック10の裏面を支持する各点の高さが容易に調整され、チャック10の平坦度が向上する。 (もっと読む)


【目的】最適なセトリング時間を迅速に見つけるための検査方法を提供することを目的とする。
【構成】偏向アンプのセトリング時間検査方法は、セトリング時間を設定して、設定されたセトリング時間で駆動させる偏向アンプの出力により制御される偏向器により電子ビームを偏向させて、第1と第2の成形アパーチャを通過させることによって成形された異なる2種のパターンを複数回交互にショットする工程と、ショットされたビーム電流を測定する工程と、測定されたビーム電流について、積分電流を演算する工程と、演算された積分電流と基準積分電流との差分を演算し、出力する工程と、を備えたことを特徴とする。本発明の一態様によれば、最適なセトリング時間を迅速に見つけることができる。 (もっと読む)


【課題】帯電効果によるビーム位置ずれ量分布を精度良く算出することが可能な荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】パターン密度分布ρ(x,y)と、このパターン密度分布ρ(x,y)を用いて算出したドーズ量分布D(x,y)とを乗算して照射量分布E(x,y)を算出する(S104)。照射量分布E(x,y)とかぶり広がり分布を記述する関数g(x,y)とを用いてかぶり電子量分布F(x,y,σ)を算出する(S106)。照射量分布E(x,y)とかぶり電子量分布F(x,y,σ)を用いて、照射域及び非照射域の帯電量分布C(x,y)を算出する(S108)。帯電量分布C(x,y)と、帯電量を位置ずれ誤差に変換する応答関数r(x,y)とを用いて、位置ずれ量分布p(x,y)を算出する(S110)。 (もっと読む)


【課題】光学性能を損なうことなく、コンパクトで、かつ、高精度に、像を任意にシフトさせることが可能な機構を提供する。
【解決手段】像面における像をシフトさせる像位置調整装置1に、調整機構11、第1ウエッジプリズム13および第2ウエッジプリズム14を設ける。入射する光が所定の入射角となる姿勢で第1ウエッジプリズム13を固定し、第2ウエッジプリズムを第1ウエッジプリズム13に対向して逆向き配置する。第2ウエッジプリズム14をZ軸方向(光軸方向)に移動させつつ、第1ウエッジプリズム13と第2ウエッジプリズム14との相対距離を変更することにより、像面におけるX軸方向のシフト量を調整する。 (もっと読む)


【課題】複数の図形要素のベクトルデータである入力データからランレングスデータである出力データへの変換に要する時間を短縮して出力データの生成を高速化する。
【解決手段】データ変換装置7では、図形要素比較部72により入力データに含まれる複数の図形要素がそれぞれ同じ形状を有する代表図形要素に関連付けられ、部分ランレングスデータ生成部74により各代表図形要素を表す部分ランレングスデータが生成される。そして、入力データと各代表図形要素の部分ランレングスデータとに基づいて出力データが生成されることにより、入力データおよび各代表図形要素の部分ランレングスデータをメモリ上に保持した状態でデータ変換処理が行われる場合、および、入力データおよび代表図形要素群のデータを中間ファイルとして保持した状態でデータ変換処理が行われる場合の双方において、出力データの生成を高速化することができる。 (もっと読む)


【課題】光学エンジンの使用率を上げることにより、作業能率を高める。
【解決手段】加工領域に対向して設けられ光源からの光を加工対象物に照射する照射手段。照射手段に対向する加工領域と隣接する第1のアライメント撮像領域および加工対象物が載置された第1のXYテーブル。第1のアライメント撮像領域の反対側に隣接する第2のアライメント撮像領域および加工対象物が載置された第2のXYテーブル。第1、および第2のアライメント撮像領域に対向してそれぞれ設けられ、加工対象物上のアライメントマークを撮像する撮像装置と、撮像装置で撮像されたアライメントマークの座標値と設計上のアライメントマークの座標値とに基づき加工対象物における最終的な加工位置の座標値を演算する画像処理装置と、を備え、アライメント作業が終了した第1のXYテーブル上または第2のXYテーブル上の加工対象物のいずれか一方を照射手段によって加工する。 (もっと読む)


【課題】ゲート電極とドレイン電極の間の寄生容量を均一に確保して画面のちらつきを防止する。
【解決手段】基板上にゲート電極を有するゲート線を形成するステップ、基板上にゲート絶縁膜を積層するステップ、ゲート絶縁膜上に半導体層を形成するステップ、半導体層と接するソース電極を有するデータ線及びゲート電極と重畳するドレイン電極を形成するステップ、半導体層を覆う保護膜を形成するステップ、ドレイン電極と接続される画素電極を形成するステップ、を含み、半導体層、データ線及びドレイン電極又は画素電極は、フォトエッチング工程の露光工程で感光膜を露光及び現像した感光膜パターンをエッチングマスクにしてパターニングし、ドレイン電極と重畳するゲート電極の境界線は、露光工程で感光膜を露光するスキャニング方向に対して直交して配置される。 (もっと読む)


【課題】簡便で短時間で描画することができ、且つ、微細で滑らかな3次元形状の反射防止構造体製造方法、反射防止構造体及び光学部材を提供すること。
【解決手段】基板に電子線レジストを塗布する工程と、電子線露光を用いて電子線レジストに第1の方向に沿って互いに平行な複数の第1の線状露光部を露光する工程と、電子線露光を用いて電子線レジストに第1の方向と交差する第2の方向に沿って互いに平行な複数の第2の線状露光部を形成する工程と、線状露光部を現像する工程と、を備えたことを特徴とする反射防止構造体製造方法。 (もっと読む)


【課題】微小パターンの大きさを変えることなく、微小パターンを基板上の任意の位置に描画するためのクロック信号を生成する。
【解決手段】表面に所定の基準点を中心とする等ピッチ同心円トラックが規定され、電子線の照射位置に対して前記同心円トラックに対応する螺旋トラックに沿って相対移動される基板の前記同心円トラック上に入射する電子線をブランキングさせるための、第1クロック信号及び第2クロック信号を形成する。そして、第1クロック信号を用いて複数の微小パターンからなるパターン群を形成した後に、第2クロック信号を用いて電子線のブランキングを行う。これにより、第1クロック信号に基づく微小パターン群の形成を開始する位置の調整を行うことが可能となる。 (もっと読む)


【課題】インライン方式によるカラーフィルタ製造工程では、基板の大型化に伴って、露光処理すべき部分の面積が増大したため、ステップ露光のステップ数が増加し、アライメント及び露光に要する処理時間が増大するという問題がある。
【解決手段】インライン方式で基板上にカラーフィルタを形成する場合の感光性樹脂のステップ露光方法において、ステップ露光装置を複数台直列に配列し、前記基板を複数の領域に区分し、前記領域ごとに前記ステップ露光装置を割り当てて露光していくことを特徴とする感光性樹脂のステップ露光方法である。 (もっと読む)


【課題】 投影像の歪みの非線形な調整が可能な露光装置を提供する。
【解決手段】 マスク11からの光をワーク18に投影する、光学薄板13を含む投影光学系12、13を有し、前記マスク及びワークの走査を行いながら前記マスク及び投影光学系を介して前記ワークを露光する露光装置において、前記走査の方向と直交する方向に配列され前記光学薄板を支持する複数の支持部材20と、前記投影光学系の光軸の方向に前記複数の支持部材を個別に移動する駆動手段とを設ける。 (もっと読む)


【課題】他装置を使用することなく、迅速かつ低コストで光の照射位置を補正することができるパターン描画装置およびパターン描画装置における光の照射位置の補正方法を提供する。
【解決手段】レジスト膜が形成されていない試験用基板91をステージ10上に載置し、光学ヘッド32a,32d,32gからパルス光PLを照射するとともに、その投影像SPIを照射位置計測カメラ51,52,53により撮影する。また、撮影により取得された画像に基づいて、試験用基板91上の枠パターンに対する投影像SPIの相対位置のずれを計測し、そのずれを補正する。これにより、他装置を使用することなく、パターン描画装置単独で、基板に対するパルス光PLの照射位置を迅速に補正することができる。また、1枚の試験用基板91を繰り返し使用することができるため、調整作業に掛かるコストを低減させることができる。 (もっと読む)


【課題】コストを抑えつつ、記録媒体への彫刻を高速化する。
【解決手段】深彫り時には、レーザの出力(パワー)を上げ、まず光ファイバ70A(光ファイバ端部群301A)の光ファイバ端部71Aから射出されたレーザビームLAで深度Y2(第一深度)まで彫刻したのち、同一走査線上を光ファイバ70B(光ファイバ端部群301B)の光ファイバ端部71Bから射出されたレーザビームLBで深度Y3(第二深度、深彫り時における所望する深度Y3)まで彫刻する。 (もっと読む)


【課題】小型化が可能でかつ安定した動作で高精度なマスクレス露光が可能な露光装置を提供する。
【解決手段】この露光装置10は、光源12と、ミラーMを繰り返し傾斜させるMEMS光スキャナと、光源からの光をミラーを介して被露光物A上に露光する露光光学系と、を備え、光源からの光をMEMS光スキャナで傾斜するミラーにより走査して被露光物上に照射する際に、その走査光による被露光物の表面におけるドーズ量が一定となるように走査光の走査速度に基づいて走査光の光強度を変化させて被露光物に対し露光を行う。 (もっと読む)


【課題】広い描画範囲にわたって精細なパターンを精度よく高速に描画することを可能とする。
【解決手段】
移動する基板に入射する電子線の入射位置を、電子線を偏向させることによって基板に対して相対的に停止させて、基板上のセル内の領域を露光してドットを形成する。また、セル内にドットを形成しない場合には、電子線を高速に偏向して、電子線の入射位置を基板に対して高速に移動させる。これにより、電子線をブランキングすることなく、セルに対する電子線のオン及びオフが可能となるため、基板に対して高速にパターンを描画することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】フレキシブル基板のリソグラフィプロセスの制御性を向上させ、フレキシブル基板がキャリジの露光領域の近傍にある場合にもパターンジェネレータを支持するキャリジの精密な走査運動が阻害されないようにする。
【解決手段】放射ビームを形成する照明系と、ビームをパターニングするパターンジェネレータと、フレキシブル基板の目標部分にパターンビームを投影してフレキシブル基板をパターニングする投影系と、フレキシブル基板の運動を制御する運動系とが設けられており、フレキシブル基板の目標部分はパターンビームによる露光中にもほとんど延伸せずにとどまる。 (もっと読む)


本発明の実施形態は、放射線感受性材料をイメージングするために回転式マスクが使用される、大面積の基体のナノパターン形成に有用な方法および装置に関する。典型的には、この回転式マスクは円筒を含む。このナノパターン形成技術は、基体をパターン形成するために使用されるマスクがその基体と動的接触にある、近接場フォトリソグラフィを利用する。この近接場フォトリソグラフィはエラストマーの位相シフトマスクを利用してもよいし、または回転する円筒表面が金属ナノホールまたはナノ粒子を含む表面プラズモン技術を用いてもよい。 (もっと読む)


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