【課題】
ハーフショットでの重ね合わせ精度を改善する。
【解決手段】
照明手段を制御して原版の第１領域を有効領域として基板の第１ショット領域を露光させ、前記第１領域における前記第１ショット領域との重畳領域が前記第１領域の半分となるように前記基板ステージを移動させ、前記照明手段を制御してアライメントマークを含む前記重畳領域内の一部の領域を有効領域として前記第１ショット領域を露光させ、前記照明手段を制御して前記第１領域のうち前記重畳領域以外の領域を有効領域として前記基板の第２ショット領域を露光させる制御手段、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 アライメント工程の簡略化と、基準辺に平行な周辺露光領域を正確に確保することのできる周辺露光方法を提供する。
【解決手段】 紫外光を照射する紫外線照射ユニット（３１）を有し、矩形基板（ＳＷ）に形成される回路パターン領域の周囲に形成される周辺領域(ＥＡ)を紫外光で露光する周辺露光方法である。この方法は、矩形基板をステージに保持する保持工程（Ｓ１１）と、紫外線照射ユニットに設けられた検出部（５１）で矩形基板（ＳＷ）の一辺のエッジ（ＳＮ１）を検出して第１方向からの基板の傾きを算出する傾き検出工程（Ｓ１３）と、傾き検出結果に基づいて矩形基板又は紫外線照射ユニットを回転させる回転工程（Ｓ１４）と、紫外線照射ユニットとステージとを相対的に第１方向に駆動する駆動工程（Ｓ１７）と、傾き検出部（５１）でエッジを検出して周辺領域（ＥＡ）を特定しながら、紫外線照射ユニットから紫外光を照射する照射工程（Ｓ１８）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】データ量の多い高密度の描画パターンに対しても、データ処理スピードを落とすことなく高精度のパターンを形成する。
【解決手段】描画パターンＰＷから描画パターンに繰り返し現れる定形パターンＣＰを抽出し、一連の露光用定形ラスタデータを貼付番号と関連づけながらメモリに格納する。露光動作のとき、露光エリアの相対位置に応じて固有パターンＰＢのベクタデータをラスタデータに変換するとともに、露光エリアの相対位置に応じた露光用定形ラスタデータをメモリから読み出す。そして、読み出された露光用定形ラスタデータと固有ラスタデータとを合成し、全体の露光ラスタデータを生成する。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィを用いて製作されるデバイスの性能、効率及び／又は機能を改善するためのリソグラフィ装置及び方法を提供すること。
【解決手段】特にリソグラフィ方法を提供する。この方法は、少なくともデバイスの構成部分の望ましい形状又はサイズを示す情報を用いてデバイスの構成部分の望ましい形状又はサイズを実施するステップを含む。望ましい形状又はサイズは、デバイスの構成部分が作成される材料の層の測定された特性に関連し、実施工程の少なくとも一部は、デバイスの構成部分を作成する時にデバイスの構成部分の望ましい形状又はサイズを実施するのに十分なものであるパターンを放射ビーム内に形成するのに必要な複数の個別に制御可能な素子の構成を決定するステップを含む。 （もっと読む）

【目的】実際の観測誤差に、より追従可能な描画装置を提供することを目的とする。
【構成】描画装置１００は、ビームドリフトによる電子ビーム２００の位置誤差を観測し、観測された誤差観測値を用いて、電子ビーム２００の位置誤差を補正する第１の補正量を算出する観測補正量算出部１２０と、電子ビーム２００の位置誤差と時間との相関関係から得られる予測関数を用いて、電子ビーム２００の位置誤差を予測し、予測された誤差予測値を用いて、荷電粒子ビームの位置誤差を補正する第２の補正量を算出する予測補正量算出部１３０と、第１と第２の補正量を加算して第３の補正量を算出する加算部１３８と、第３の補正量で位置が補正された電子ビーム２００を用いて、試料にパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、実際の観測誤差に、より追従することができる。そのため、より高精度なビーム位置に照射することができる。 （もっと読む）

【課題】ショットデータの生成時間を短縮でき、描画スループットを向上させることが可能な荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】描画データに定義されている図形パターンをショット単位の図形に分割する（Ｓ２０）。分割された図形は、メモリに一時的に格納される。描画データに圧縮された状態で定義された位置情報を展開しながら、Ｓ２０で分割された図形をサブフィールド領域に振り分ける（Ｓ３０）。多重描画でパターンを描画する場合、１パス目に分割された図形を、２パス目以降のサブフィールド領域への振り分けに用いる。 （もっと読む）

【課題】ビット数を削減し、データサイズを低減する描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、複数のパターンの図形コードとアレイフラグとアレイ個数とアレイピッチの少なくとも１つを含むパターン情報を取得するパターン分割部４６と、所定の領域毎に、各パターン情報と各パターン情報の使用回数とを関連させた累積テーブル作成部５０と、ハフマンツリーを作成するハフマンツリー作成部５２と、各パターン情報と使用回数の多いパターン情報ほど小さい値となるように暗号化した２進数の可変長コードとを関連させたハフマンテーブルを作成するハフマンテーブル作成部５４と、可変長コードを用いた所定のフォーマットで、描画データに定義される所定の領域内のデータを変換するフォーマット変換部５６と、変換された所定の領域内のデータに基づいて、試料に複数のパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】ある実施形態では、所望のパターンに従って変調された複数のビームに基板の露光領域をさらすように構成された変調装置と、変調されたビームを基板上に投影するように構成された投影システムとを含むリソグラフィ装置が開示される。変調装置は、露光領域に対して移動可能で、及び／又は投影システムは複数のビームを受光する露光領域に対して移動可能なレンズのアレイを有していてもよい。 （もっと読む）

【課題】基板を保持するチャックをステージにより移動して、光ビームによる基板の走査を行う際に、ステージの走行誤差による描画品質の低下を防止する。
【解決手段】基板１を保持するチャック１０をＸステージ５により移動しながら、チャック１０の位置を検出し、チャック１０の位置の検出結果に基づき、Ｘステージ５の走行誤差を検出する。そして、Ｘステージ５の走行誤差の検出結果に基づき、光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給する描画データの座標を補正し、補正した座標の描画データを、光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給する。Ｘステージ５に横揺れやヨーイング等の走行誤差が発生しても、パターンの描画が精度良く行われる。 （もっと読む）

【課題】基板に照射される電子線の照射位置を補正することにより、精度よく基板にパターンを描画する。
【解決手段】位置コントローラ７４から出力される偏差情報から、まず回転テーブルユニット３０を構成する回転機構３２の駆動に起因する回転同期振動成分と、スライドユニット３３によって移動ステージが移動されることに起因する振動成分とを除去し、次に、偏差情報と、電子線の電流値（ｎＡ）に対する電子線の偏向感度（ｍＶ／ｎｍ）を示す特性曲線に基づいて走査電極１６に印加する電圧値を決定する。そして、決定された電圧値の電圧を走査電極１６に印加して、電子線の入射位置の補正を行う。これにより、電子線の照射位置の変動分が効率的に補正される。 （もっと読む）

【課題】光学素子の波面収差を好適に維持できる光学素子位置調整装置、光学系、露光装置及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】光学素子位置調整装置は、ミラー３３，３５を保持し、且つ鏡筒２９に対してミラー３３，３５を６自由度方向に移動させるべく駆動する駆動部を有するミラー保持装置と、第６ミラー３５のＺ軸方向における位置を計測するための第６軸方向計測器６１Ｆと、第４ミラー３３のＹ軸方向における位置を計測するための鏡筒半径計測器６２及び間隔計測器６３と、各計測器６１Ｆ，６２，６３からの計測結果に基づきミラー保持装置を制御する制御装置とを備えている。 （もっと読む）

【課題】光ビームによる基板の走査を複数回行って、基板にパターンを描画する際に、パターンに走査領域の境界線が発生するのを抑制又は防止する。
【解決手段】光ビーム照射装置２０の駆動回路へ供給する描画データの座標の範囲を決定して、光ビーム照射装置２０の照射光学系から照射される光ビームのバンド幅を設定し、決定した座標の範囲の描画データを、光ビーム照射装置２０の駆動回路へ供給する。１回の走査毎に、ステージ７の移動を制御して、チャック１０を、光ビーム照射装置２０からの光ビームによる基板の走査方向と直交する方向へ、光ビーム照射装置２０の照射光学系から照射される光ビームのバンド幅より短い距離だけ移動し、基板１の同じ領域を、複数回重ねて走査する。 （もっと読む）

【課題】 基板に塗布されたレジストが異常に反応しない露光装置を提供する。
【解決手段】 基板の露光方法は、露光用マスクに表示されたパターンを感光材が塗布された基板に転写する。この方法は、基板（ＳＷ）とマスク（２０）を近接又は接触させ、基板及びマスクの外周で基板及びマスクとに接する側壁（３７）を形成し、密閉空間を形成させる工程（Ｓ１４）と、密閉空間のガスを排気する工程（Ｓ１５）と、ガスが排気された密閉空間に不活性ガスを所定の期間投入する工程（Ｓ１６）と、不活性ガスの投入を停止させる工程後にマスクのパターンを基板に転写する転写工程（Ｓ２０）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】地震に関する情報に対し、より柔軟な処理を行うことが可能な露光装置、露光システム、露光方法及びデバイス製造方法を提供すること。
【解決手段】基板を用いて露光に関する処理を行う露光装置であって、地震に関する情報に基づいて、装置の処理状態を制御する第１の処理及び前記第１の処理とは異なる第２の処理のうち少なくとも一方の処理を選択して行わせる制御装置を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パターンの縁部の描画精度が向上された描画方法および描画装置を提供する。
【解決手段】ストライプパターンＬ１のＸ方向の長さは、ストライプパターンＬ２のＸ方向の長さよりも大きい。この場合、レーザ光の照準位置ＰＴが移動する領域（照準移動領域）ＲがストライプパターンＬ１，Ｌ２間にあるとき、および照準移動領域ＲがストライプパターンＬ１に重なるときには、レーザ光を出射するヘッド部の移動速度が相対的に低く設定される。照準移動領域ＲがストライプパターンＬ２に重なるときには、ヘッド部の移動速度が相対的に高く設定される。 （もっと読む）

【課題】複数の円周トラックに沿って、連続的に精度よくパターンを描画する。
【解決手段】円周トラックＣＴｒ_１上の描画開始位置ＳＰ_１から円周トラックＣＴｒ_１に沿ってパターンの描画を開始してから、基板が２π−Δθｔｅ_１回転した位置で、電子線をＸ軸へ偏向することで電子線の入射位置を円周トラックＣＴｒ_２上へ位置決めする。そして、円周トラックＣＴｒ_２上の描画開始位置ＳＰ_２から円周トラックＣＴｒ_２に沿ってパターンの描画を開始してから、基板が２π＋Δθｔｅ_１＋Δθｔｅ_２回転（（４π＋Δθｔｅ_２）−（２π−Δθｔｅ_１））した位置で、電子線をＸ軸へ偏向することで電子線の入射位置を円周トラックＣＴｒ_３上へ位置決めする。 （もっと読む）

【課題】２つの直交する方向における倍率補正を個別に行うことを可能にする。
【解決手段】投影光学系ＰＯは、物体面Ｏから像面Ｉに至る光路に第１凹反射面Ｍ１、凸反射面Ｍ２、第２凹反射面Ｍ３が順に配置され、物体面Ｏに配置された物体の像を像面Ｉに投影する。投影光学系ＰＯは、前記光路に配置された第１屈折光学ユニットＡおよび第２屈折光学ユニットＢを備える。第１屈折光学ユニットＡおよび第２屈折光学ユニットＢは、それぞれ、２以上のシリンドリカル面を有する。第１屈折光学ユニットＡは、第１方向における投影光学系ＰＯの投影倍率を調整可能に構成され、第２屈折光学ユニットは、前記第１方向に直交する第２方向における前記投影光学系の投影倍率を調整可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】凸部間のばらつきを抑制したモールド構造体用原盤の製造方法等の提供。
【解決手段】原盤用基板の表面にレジスト層を形成し、該レジスト層を露光及び現像して、該原盤用基板の表面に、前記原盤凹凸パターンを形成するための略同心円弧状の原盤レジストパターンを形成する原盤レジストパターン形成工程と、前記略同心円弧状の原盤レジストパターンのうち、内周側のレジストパターンが外周側のレジストパターンよりも多く削られる条件で、又は外周側のレジストパターンが内周側のレジストパターンよりも多く削られる条件で、前記原盤レジストパターンを選択的にエッチングする選択的エッチング工程と、前記選択的エッチング工程後の原盤レジストパターンをマスクとして、前記原盤用基板をエッチングし原盤凹凸パターンを形成する原盤凹凸パターン形成工程とを含むモールド構造体用原盤の製造方法である。 （もっと読む）

【目的】チップ間でのショット位置の誤差のずれを低減させる描画装置を提供することを目的とする。
【構成】描画装置１００は、電子ビーム２００を放出する電子銃２０１と、試料１０１を載置するＸＹステージ１０５と、試料１０１上へ電子ビーム２００を偏向する偏向器２０８と、偏向器２０８よりもＸＹステージ１０５側に配置され、電子ビーム２００を遮へいするＢＬＫアパーチャ２１８と、偏向器２０８よりもステージ側に配置され、偏向器２０８を通過した電子ビーム２００をＢＬＫアパーチャ２１８上へと偏向するＢＬＫ偏向器２１６と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、チップ間でのショット位置の誤差のずれを低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】露光対象の基板上の種々の配列の複数のパターン転写領域に効率的にパターンを露光する。
【解決手段】マスクＭＡ，ＭＢのパターンを介してプレートＰＴを露光する露光装置において、マスクＭＡ，ＭＢのパターンの像をプレートＰＴ上の複数のパターン転写領域に投影する複数の投影光学系ＰＬＡ，ＰＬＢと、マスクＭＡ，ＭＢ及びプレートＰＴを走査方向に同期して移動するステージ系と、複数のパターン転写領域の配置に応じて、投影光学系ＰＬＡ，ＰＬＢの非走査方向の間隔を制御する光学系ステージ３６Ａ，３６Ｂとを備える。 （もっと読む）