【課題】被照射体を傾ける必要がなく、通常の密着露光装置または近接露光装置に被照射体と平行に設置して、１度の露光で複数の異なる角度の斜め露光を、被照射体に対して行うことができるフォトマスクを提供すること。
【解決手段】露光装置より照射されたフォトマスクに垂直な平行光を、被照射体に傾斜させて出射するフォトマスクであって、透明基板の照射面側に、回折光学素子が形成され、透明基板の出射面側に、回折光学素子からの回折光を選択的に透過する光透過部のパターンが形成される。 （もっと読む）

【課題】大型の被露光材を露光するために、複雑且つ高コストの露光機構を要することなく、露光に使用するマスクのコストを抑えることである。
【解決手段】本発明に係る露光装置は、光源からの照射光を遮断する遮光領域と照射光を透過させる透光領域とを金属板に形成した複数のメタルマスクと、光源と搬送された被露光材との間に、複数のメタルマスクを保持するマスク保持部とを備える。マスク保持部は、同一平面上に並置された複数のメタルマスクを、隣り合うメタルマスクの各端部が互いに接触するように、連結して保持するものであり、複数のメタルマスクは、並置且つ連結されることによって全体として１個のメタルマスクを構成すると共に、マスク保持部に対して、それぞれ個別に着脱できるものである。 （もっと読む）

【課題】高精細な薄膜パターンの形成を可能にする。
【解決手段】基板上に一定形状の薄膜パターンを形成するためのマスク１であって、可視光を透過する樹脂製のフィルム２と、前記基板上に予め定められた薄膜パターン形成領域に対応して前記薄膜パターンよりも形状の大きい貫通する開口部５を形成した板体で構成され、前記フィルム２を保持する保持部材３と、備え、前記フィルム２は、前記基板上の前記薄膜パターン形成領域に対応して前記保持部材３の前記開口部５内に前記薄膜パターンと同形状の開口パターン４を備えている。 （もっと読む）

【課題】製品の精度向上と製作時間の短縮が可能な、位相シフトマスクを用いた非対称パターンの形成技術、さらには回折格子、半導体装置の製造技術を提供する。
【解決手段】位相シフトマスク３０（遮光部と透過部（位相シフトがない第１の透過部、位相シフトがある第２の透過部）が周期的に配置）を用いた回折格子の製造方法において、照明光源１０から放出された光を、位相シフトマスク３０を透過させ、この位相シフトマスク３０を透過させることにより生じる０次光と＋１次光とをＳｉウエハ５０の表面で干渉させて、このＳｉウエハ５０の表面のフォトレジスト６０を露光し、Ｓｉウエハ５０上にブレーズド状の断面形状を有する回折格子を形成する。 （もっと読む）

【課題】ステージの移動に伴って生じる振動に起因する処理精度の低下を適切に抑制できる技術を提供する。
【解決手段】描画装置１は、基板Ｗを水平姿勢で保持するステージ１０と、ステージ１０に保持された基板Ｗに対して光を照射して基板Ｗにパターンを描画する光学ユニット４０と、ステージ１０を光学ユニット４０に対して相対移動させるステージ駆動部２０と、移動されるステージ１０の位置の変動を計測して位置変動情報を取得する位置変動情報取得部３０１と、ステージ１０が移動される際に生じる振動成分のうち振動数が既知である対象振動成分の位相情報を、位置変動情報から特定する位相情報特定部３０２と、対象振動成分の位相情報に基づいてステージ１０の振動状況を予測する振動予測部３０３と、予測された振動状況に基づいて、光学ユニット４０による光の照射位置を補正する描画位置補正部３０４とを備える。 （もっと読む）

【課題】パターンのムラ欠陥の生じない描画条件を導出し、製品の歩留まりを向上する。
【解決手段】基板上に描画するパターンのムラ欠陥が発生しない描画条件を導出する方法であって、基板上に形成するパターンを生成するパターン情報生成工程Ｓ１と、パターンに対して、複数の描画項目の組み合わせによる、２通り以上の描画条件を設定する描画条件設定工程Ｓ２と、前記生成されたパターンを抜き取り、補助基板上に、前記各描画条件のもとに、矩形領域をなす補助パターンを形成する補助パターン描画工程Ｓ３と、補助基板に対して照明光を入射し、補助パターンから生じる回折光を光電変換素子にて画像として取得し、ムラ欠陥に関するムラ評価値とムラ発生周期とを求めことにより、複数の描画条件の中からムラ欠陥が生じない描画条件を導出する描画条件判定工程Ｓ４とを含むパターンの描画条件導出方法である。 （もっと読む）

【課題】グレートーンマスクを使用するプロセスに有利な技術を提供する。
【解決手段】露光装置ＥＸは、第１方向に沿った第１グレートーンパターンおよびそれと直交する第２方向に沿った第２グレートーンパターンを含むマスクＭを位置決めするマスク位置決め機構２と、基板Ｓを位置決めする基板位置決め機構４と、前記パターンの像を前記基板に形成する投影光学系３と、前記第１及び第２グレートーンパターンによって露光および現像を通して形成される第１及びだ２レジストパターンの厚さと当該露光におけるデフォーカス量との関係である第１及び第２デフォーカス特性とに基づいて、前記第１及び第２レジストパターンの厚さの差が許容範囲に収まるデフォーカス量を決定し、該デフォーカス量で前記基板に前記パターンの像が形成されるように前記基板の露光処理を制御する制御部５とを備える。 （もっと読む）

【課題】放射が調整される少なくとも３つの光路を備える放射ビーム調整システムを提供する。
【解決手段】パルス放射ビームを調整する放射ビーム調整システムは、少なくとも第１、第２及び第３の光路に沿ってパルス放射ビームを分割する放射ビーム分割器と、単一の出力パルス放射ビームを形成するために、少なくとも第１、第２及び第３の光路からの放射パルスを再結合する放射ビームコンバイナと、第１の光路に沿って伝搬する放射パルスに合わせて構成された放射パルストリマと、を備え、放射パルストリマが、単一の出力パルス放射ビームの総エネルギー量が実質的に所定のレベルになるように、第１の光路内で前記放射パルスをトリミング処理し、第１、第２及び第３の光路の光路長は、放射ビーム分割器と放射ビームコンバイナとで異なっている。 （もっと読む）

【課題】基板に対する微細パターンを容易に形成可能とする露光方法。
【解決手段】照明光でマスクＭ１を照明し、マスクＭ１のマスクパターンを用いて基板Ｐを露光する露光方法は、マスクＭ１に対して基板Ｐを基板Ｐの面内方向である走査方向に移動させること、走査方向への移動中に基板Ｐを露光することを含む。移動中に基板Ｐを露光することは、マスクＭ１の第１領域に形成された微細周期マスクパターンを用いる微細周期露光と、マスクＭ１の第２領域に形成された中密度マスクパターンを用いる中密度露光とを、第１および第２領域が形成されたマスクを静止した状態で行うことを含む。第１領域と第２領域とは、走査方向に隣接して配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明によれば、露光マスクに基板ステージを接近させプロキシミティ露光を行う場合に、露光マスクの膨らみを制限することにより、露光マスクと被露光基板との隙間が均一な状態を短時間で達成することができる。
【解決手段】本発明の露光方法は、ガラス基板の片面にマスクパターンが形成され、前記マスクパターンの遮光部に該当する任意の位置に前記ガラス基板を貫通する通気孔が単数または複数個形成された露光マスクと、前記露光マスクにより露光される被露光基板との間隙を調整する前後いずれかにて、前記通気孔から前記間隙の気体を真空手段により排出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フィルム状の被露光体にマスクパターンを露光する露光装置において、露光面上に生じる皺を抑制することで、露光面上に精度の高いマスクパターンを形成する。
【解決手段】フィルム露光装置１は、フィルム搬送部２と、フォトマスク３と、マスク保持部４と、光照射部５とを備える。フォトマスク３は、被露光体Ｆの搬送方向に沿って配置される第１のマスクパターン３１と第２のマスクパターン３２を備える。マスク保持部４は、第１のマスクパターン３１と第２のマスクパターン３２の間に被露光体Ｆの搬送方向に交差して延設し且つ露光面ａに対して立設した遮光板４１を備え、遮光板４１の延設方向に沿ってエアが吹き出され、開口４ａを介してフォトマスク３を冷却するエア吹き出し口４２（４２Ａ，４２Ｂ）を備える。 （もっと読む）

【課題】フィルム状の被露光体にマスクパターンを露光する装置において、露光面上に生じる皺を抑制し、精度の高いパターンを形成する。アライメントカメラを配置するためのスペースを確保する。
【解決手段】フィルム露光装置１は、フィルム搬送部２と、フォトマスク３と、フォトマスク３を被露光体Ｆの露光面ａ上に保持するマスク保持部４と、フォトマスク３のマスクパターンに光を照射する光照射部５とを備える。フォトマスク３は、被露光体Ｆの搬送方向に沿って第１のマスクパターン３１と第２のマスクパターン３２を備える。フィルム搬送部２は、第１のマスクパターン３１と第２のマスクパターン３２の位置に対応して配置した一対のバックロール２１，２２を備え、一対のバックロール２１，２２で露光面ａの逆側の面を支持している。一対のバックロール２１，２２の間にアライメントカメラ６を配置するスペースを確保する。 （もっと読む）

【課題】
被露光基板の搬送方向の手前側と奥側の端部に２つの観察窓を形成し、それぞれの観察窓にアライメントマークを設けることによって、被露光パターンをそれぞれ二方向に配向して露光することができるフォトマスクを提供する。
【解決手段】
被露光基板の搬送方向Ａと垂直な方向に一定の配列ピッチで形成されたマスクパターン１１と、搬送方向Ａの手前側端部に形成された第１観察窓１２と、奥側端部に形成された第２観察窓１３と、第１観察窓１２及び第２観察窓１３にそれぞれマスクパターン１１の配列ピッチの整数倍に等しい間隔を有して前記垂直な方向に設けられた第１アライメントマーク１４及び第２アライメントマーク１５と、を含んで構成され、第２アライメントマーク１５は、第１アライメントマーク１４に対して前記垂直方向にマスクパターン１１の配列ピッチの整数倍の寸法だけずらして形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】 グレイトーンマスクを用いたＴＦＴ基板の製造工程において、高画質かつ低価格の液晶パネルを高い歩留まりで生産し続けることが可能な露光装置および露光方法を提供すること。
【解決手段】 照明光学系と投影光学系を有する露光装置において、照明光学系内部に有効光源形状を変化させる有効光源形状調整手段と、投影光学系内部に静止ディストーションのばらつきを変化させる静止ディストーションばらつき調整手段と、プレートステージ上にあってマスク上のパターンを結像する２次元センサと、２次元センサが撮像した結果に基づき前記有効光源形状調整手段もしくは前記静止ディストーションばらつき調整手段のうち、少なくとも一つを調整する調整部を持つ。調整部は同一パターン内の光強度分布を調整することにより有効光源形状調整手段もしくは静止ディストーションばらつき調整手段を調整する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光リソグラフィ用マスクの位相欠陥を簡便に救済する技術を提供する。
【解決手段】ＥＵＶリソグラフィ用マスクの製造に用いるマスクブランクの位相欠陥検査工程で位相欠陥が検出された場合、前記位相欠陥が凹欠陥か凸欠陥かを判定し、前記位相欠陥の凹凸に応じて、前記ＥＵＶリソグラフィ用マスクの前記位相欠陥を含む部位を局所的にデフォーカスさせて露光を行うことにより、ＥＵＶリソグラフィ用マスクの位相欠陥を修正することなく、半導体ウエハへの回路パターンの異常転写を抑制する。 （もっと読む）

【課題】ロールモールドを作製するロールモールド製作装置に関し、ロールモールド表面に回転方向に連続あるいは断続したパターンを作製する。
【解決手段】レジストを表面に塗布した円筒あるいは円柱状の回転体であるロールモールドを、ロールモールドの回転対称軸の周りに回転可能に保持するロールステージと、電子ビームが透過する１つあるいは複数の開口パターンを有するマスクと、マスクをロールモールドの表面に近接して配置して保持するマスクステージと、電子ビームを発生してマスクを通してロールモールドに照射する電子源と、ロールモールドを一定速度で連続回転させながら電子源から電子ビームをマスクに照射し、マスクを透過した電子ビームをロールモールドのレジストを塗布した円筒あるいは円柱状の表面に照射してロールモールド表面に回転方向に連続あるいは断続したパターンを作製する手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】露光装置より照射された平行光７を、被照射体６に傾斜させて出射するフォトマスク１であって、被照射体６を傾ける必要がなく、通常の密着露光装置で、１度の露光で多角度の斜め露光を、被写体６に対して行うことができるフォトマスク１を提供する。
【解決手段】透明基板の照射面側に、光透過部３１のパターンが形成され、透明基板の出射面側の、パターンに対応した部位に斜面２１、２２が形成され、あるいは、さらに光透過部に、グレースケール膜が形成されていることを特徴とするフォトマスク。 （もっと読む）

【課題】露光装置より照射された平行光７を、被照射体６に傾斜させて出射するフォトマスク１であって、被照射体６を傾ける必要がなく、通常の密着露光装置で、１度の露光で多角度の斜め露光を、被写体６に対して行うことができるフォトマスク１を提供する。
【解決手段】透明基板の出射面側に、光透過部３１のパターンが形成され、照射面の前記パターンに対応した透明基板部位に斜面２１、２２が形成され、あるいは、さらに光透過部に、グレースケール膜が形成されていることを特徴とするフォトマスク。 （もっと読む）

【課題】被加工体に微細なピッチ幅のライン・アンド・スペース・パターンを形成する場合であっても、追加投資を殆ど必要とせずにパターニングを行う。
【解決手段】被加工体をエッチングする際のエッチング条件に基づくサイドエッチング幅αを決定し、サイドエッチング幅αと、膜パターンのライン幅Ｗ_Ｌ、スペース幅Ｗ_Ｓとに基づき、転写用パターンのライン幅Ｍ_Ｌ、スペース幅Ｍ_Ｓを決定し、更に、決定したライン幅Ｍ_Ｌ、スペース幅Ｍ_Ｓの転写用パターンをもつフォトマスクを用いた露光と、エッチングとによって、被加工体に、ライン幅Ｗ_Ｌ、スペース幅Ｗ_Ｓのライン・アンド・スペースの膜パターンが形成されるように、露光時に適用する露光条件と、半透光膜の光透過率とを決定する。 （もっと読む）

【課題】描画対象物におけるパターンの形成位置の制御を簡便な構成で可能として、コストの低減を図る。
【解決手段】基板Ｗを支持するステージ１０に固定的に形成された複数の基準線Ｌrが副走査方向Ｘに並んでいる。また、光学ヘッド４２、４３との相対位置関係が固定された状態で基準線Ｌrに対向するラインカメラ５０が設けられており、このラインカメラ５０によって基準線Ｌrを撮像する。このように、副走査方向Ｘに並んで形成された基準線Ｌrをラインカメラ５０で撮像するといった構成を備えることで、エンコーダを用いた従来技術と比較してより簡便な構成によって、基板Ｗに形成されるパターンの副走査方向Ｘへの位置を制御することができる。その結果、コストの低減を図ることが可能となる。 （もっと読む）