【課題】光と熱の作用で液晶相とアモルファス相の間を相変化する有機薄膜材料において、初期状態をポリマーの液晶相（あるいは液晶配向を有する固体相）とすることにより記録の追記、記録の書き換えを可能な光情報記録媒体、その製造方法、及びこれを用いた光情報記録方法、光情報記録読出し方法、光情報記録消去方法を提供する。
【解決手段】側鎖にシアノビフェニル基を有する側鎖型液晶ポリマー（A材）とシアノビフェニル基とアントラセン基を有する低分子化合物（B材）からなり、A材（モノマー単位）とB材の混合比がモル比で３：１〜１０：１であり、その光照射部分はアモルファス相であり、未照射部分は液晶配向を有する固体相であることを特徴とする光情報記録媒体（X材）、その製造方法、及びこれを用いた光情報記録方法、光情報記録読出し方法、光情報記録消去方法。 （もっと読む）

【課題】高い生産性を確保したまま、酸化インジウムを保護層の材料として用いた場合よりも更に優れた保存信頼性を得ることができる追記型光記録媒体を提供する。
【解決手段】光記録媒体は、無機記録層と、無機記録層の少なくとも一方の面に設けられた、酸化インジウムを含む第１の保護層と、第１の保護層に隣接した、酸化チタン、酸化ジルコニウム、または酸化スズを含む第２の保護層とを備える。 （もっと読む）

【課題】単一の光源からの光を利用して記録（書き込み）と再生（読み取り）とを行うことが可能な光記録媒体を提供する。
【解決手段】光記録樹脂層を有し、その光記録樹脂層の内部に記録光を集光させることにより記録を行う光記録媒体において、該光記録樹脂層に成膜樹脂に加えて光酸発生剤と光酸発生促進剤とを含有させる。 （もっと読む）

【課題】記録時のパワーマージン特性や再生時のジッタの良好な光記録媒体を提供する。
【解決手段】光記録媒体１０において、基板１４とカバー層２０の間に、Ｔｉを主成分として含み且つＡｌが添加されるＴｉ記録層１９と、Ｔｉ記録層１９のカバー層２０側に隣接配置されてＳｉを主成分として含む第１のＳｉ記録層１８Ａを積層した。 （もっと読む）

【課題】高線速度記録が可能で、広い線速度範囲で高品質の信号が得られ、かつ信号保存性に優れた情報記録媒体を提供する。
【解決手段】本発明の情報記録媒体は、レーザビームの照射または電流の印加によって、相変化を起こす記録層１５を有する情報記録媒体１である。前記記録層１５は、第１構成層〜第Ｘ構成層（Ｘは２以上の整数）を、前記記録層１５の厚み方向に順に配置することによって形成されている。前記第１構成層〜前記第Ｘ構成層のうち少なくとも何れか１つの構成層である第ｍ構成層（ｍは１≦ｍ≦Ｘを満たす整数）が、Ｇｅ−ＳｂまたはＴｅを含む。 （もっと読む）

【課題】記録特性の優れた光情報記録媒体用記録層、その記録層を備えた光情報記録媒体、および上記記録層の形成に有用なスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】レーザー光の照射により記録が行われる記録層であって、酸素１ｍｏｌに対する酸化物の標準生成自由エネルギーの絶対値がＰｄよりも大きい金属（以下、Ｘ金属という）の酸化物と、酸化Ｐｄとを含み、該酸化Ｐｄが一酸化Ｐｄと二酸化Ｐｄを含むものであり、かつ、記録層に含まれるＸ金属原子とＰｄ原子の合計に対するＰｄ原子の比率が４〜８５原子％であることを特徴とする光情報記録媒体用記録層。 （もっと読む）

【課題】多層型の光記録媒体において、レーザー光の入射側から最も遠い記録再生機能層以外の記録再生機能層における反射率均一性、耐久性、信号強度等に優れた光記録媒体を提供する。
【解決手段】レーザー光の入射側から少なくとも、第１保護層、第２保護層、記録層、第３保護層、反射層、及び第４保護層をこの順に有する半透明な記録再生機能層を有する光記録媒体において、前記第２保護層と前記第４保護層とが同一の構成元素を有する材料からなり、前記第２保護層の屈折率が、前記第１保護層の屈折率よりも０．３以上大きく、前記第２保護層の膜厚をＤ２、前記第４保護層の膜厚をＤ４、前記記録層に該レーザー光をフォーカスした場合の記録前反射率をＲとしたとき、Ｒの膜厚に対する増加率ｄ（Ｒ）／ｄ（Ｄ２）とｄ（Ｒ）／ｄ（Ｄ４）との正負を逆とする。 （もっと読む）

【課題】記録層中の記録材料と非記録材料とが相分離した光記録媒体において、記録材料が未記録状態で偏向能を発現することを防止し、高速書き込みに対応でき、且つ信号変化量が大きい追記型光記録媒体の提供。
【解決手段】 記録及び／又は再生を行う光記録媒体の記録層を構成する材料の少なくとも１つが、光により秩序−無秩序状態を取り得る部位と秩序−無秩序状態を取り得ない部位とを有し、前記秩序−無秩序状態を取り得る部位として、下記一般式（Ｉ）で示される部位を１種類以上含有している高分子材料であることを特徴とする光記録媒体。
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【課題】ＣＶＤにより目標の組成のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を得ることができるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に基板を配置し、気体状のＧｅ原料と、気体状のＳｂ原料と、気体状のＴｅ原料とを前記処理容器内に導入してＣＶＤにより基板上にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を成膜するに際し、成膜に先立ってガスの通流経路および／または反応空間にＴｅ含有材料を形成し、その後前記処理容器内に所定流量の気体状のＧｅ原料、気体状のＳｂ原料および気体状のＴｅ原料、または気体状のＧｅ原料および気体状のＳｂ原料を導入して所定の組成のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】反射率（初期反射率）が高く、かつ記録特性の優れた光情報記録媒体用記録層、その記録層を備えた光情報記録媒体、および上記記録層の形成に有用なスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】レーザー光の照射により記録が行われる記録層であって、酸化Ｉｎと酸化Ｐｄとを含み、該酸化Ｐｄが一酸化Ｐｄと二酸化Ｐｄを含むものであり、かつ、記録層に含まれるＩｎ原子とＰｄ原子の合計に対するＰｄ原子の比率が６〜６０原子％であることを特徴とする光情報記録媒体用記録層。 （もっと読む）

【課題】追記特性に加えて書換え可能特性も有する追記型の光記録媒体を提供すること。
【解決手段】本発明によれば、この目的は、少なくとも第１の記録副層（Ｒ１）および第２の記録副層（Ｒ２）を有する記録層を備え、これらの少なくとも第１の記録層および第２の記録層（Ｒ１、Ｒ２）の材料を合金化することによって情報マークを記録する光記録媒体によって実現される。これらの少なくとも第１の記録層および第２の記録副層（Ｒ１、Ｒ２）の材料は、合金化した材料が、合金化した材料の相変化としてさらなるデータを記録するように適合された相変化材料であるように選択される。 （もっと読む）

相変化記憶材料およびより詳しくは、相変化記憶用途、例えば、光学データおよび電子データの記憶のために有用なテルル化ＧｅＡｓ材料が記載されている。
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【課題】 高速記録消去が可能な書き換え型情報記録媒体に用いる相変化記録材料、及び前記相変化記録材料を用いた書き換え型情報記録媒体を提供する。
【解決手段】 結晶状態を未記録状態とし、非晶質状態を記録状態とする情報記録媒体に用いる相変化記録材料であって、所定のＳｂＳｎＧｅＴｅＭ１組成（Ｍ１はＩｎ等）を主成分とすることを特徴とする相変化記録材料。 （もっと読む）

【課題】本発明は、戻り光の光量を増大することができる。
【解決手段】本発明の光情報記録媒体１００は、記録層１０１において直径が１００［ｎｍ］以下でなるナノ微粒子２が、光としての記録光ビームＬＷに基づく近接場光ＬＷｎの照射に応じて複素誘電率を変化させる媒質３に包囲された状態で配置されている。また光情報記録媒体１００は、記録層１０１において、媒質３の複素誘電率ε_２の変化に応じてナノ微粒子２が生じる局所プラズモン共鳴の度合いを変化させるようにする。 （もっと読む）

【課題】繰り返し記録消去回数及びスイッチング動作速度を向上することが可能な相変化固体メモリの記録材料を提供する。
【解決手段】テルル原子を含むアルカリ金属ヨウ化物相又はテルル原子を含む銀ヨウ化物相と、テルルとアンチモンとからなる合金相との均一混合相から構成されることを特徴とする相変化固体メモリの記録材料。 （もっと読む）

【課題】メモリー点と非メモリー部との界面付近に偏析濃縮し、書き換え回数及び消去率の低下の原因となる不純物、特に結晶化速度に影響を与える不純物元素を極力減少させると共に、目標組成に対するターゲットの組成のずれ及び成分偏析を減少させて、相変化型メモリーの書き換え特性、結晶化速度を向上させることができる相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】３元系以上の元素からなり、アンチモン、テルル又はセレンから選んだ１成分以上を主成分とし、目標組成に対する組成のずれが±１．０ａｔ％以下であることを特徴とする相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜。 （もっと読む）

【課題】より高い記録感度を有し、生産性の高い光記録媒体を提供する。
【解決手段】光記録媒体は、トラック領域を区分する凹凸形状が形成された基板２０、基板２０上に形成された光記録層３３、及び、光記録層３３の上に形成された光透過層４１を有し、光記録層の組成は、（Ｓｂ₂Ｓｅ₃）_wＴｅ_xＯ_yＰｄ_z、但し、ｗ，ｘ，ｙ，ｚはモル％を表し、１０（モル％）≦ｗ≦６０（モル％）、０（モル％）＜ｘ≦６０（モル％）、３０（モル％）≦ｙ≦６０（モル％）、１０（モル％）≦ｚ≦３０（モル％）、ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時にパーティクル発生が少ない相変化膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】原子％でＧｅ：２０．２〜２４．２％、Ｓｂ：２０．２〜２４．２％含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有する相変化膜形成用スパッタリングターゲットであって、その曲げ強度が１１０ＭＰａ以上あるパーティクル発生の少ない相変化膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法であって、このターゲットは合金インゴットを粉砕することにより得れられた合金粉砕粉末を不活性ガスのプラズマ中に曝して合金粉末の表面を活性化し、この表面を活性化した合金粉末を使用して加圧焼結することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時にパーティクル発生が少ない相変化膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】原子％でＧｅ：１５．０〜３０．０％、Ｓｂ：５．０〜３０％を含有し、さらにＦｅ：１〜２０ｐｐｍを含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】記録層と接する界面層に結晶化能を促進する材料を提供し、高線速度での書換えと高信号信頼性を両立した情報記録媒体を提供する。
【解決手段】酸化物Ｄ１（但し、Ｄ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｔｉ、ＣｒおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）および酸化物Ｄ２（但し、Ｄ２はＳｂ、Ｓｎ、ＴｅおよびＢｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）を含む酸化物誘電体層を第２界面層１４および第１界面層１６として備えることを特徴とする情報記録媒体。 （もっと読む）