【課題】波長の制御をより簡単にし、かつ、従来技術よりも、より小型な光共振器及び波長可変レーザを提供すること。
【解決手段】第１、第２及び第３光導波路１２，１４及び１６が交差点Ｐで接続されたＹ分岐光導波路１８を用いた光共振器１０であって、第１光導波路の終端部１２ａに高反射膜２４が設けられていて、第２及び第３光導波路の双方又はいずれか一方に、波長選択手段１９，２０及び２１を備えており、第２光導波路及び第３光導波路の終端部１４ａ及び１６ａの間を光結合可能に接続する光結合導波路２２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】光モジュールにおいて、低結合損失の状態で、より高い強度の光信号を安定して出力できるようにする。
【解決手段】導波路ユニット１０１には、シリコンコアよりなるよく知られた高屈折率差導波路から構成された平面光回路 (ＰＬＣ)が形成され、この上には、シリコンコアよりなる導波路として、入力導波路１１１，円形導波路より構成されたリング共振器１０３，出力導波路１１２，および分岐導波路１１３を備えている。このように構成された各導波路において、まず、入力導波路１１１の入力ポートの側には、半導体レーザ１０２が接続されている。一方、リング共振器１０３を介した出力導波路１１２の出力側（ドロップポート）には、半導体マッハツェンダー型変調器１０６が接続されている。 （もっと読む）

【課題】屈折率が小さい領域との屈折率の差が大きく、電磁波の減衰による効率低下が小さい単結晶インジウムアンチモン導波路を提供すること。
【解決手段】半導体基板１の上部に設けられた単結晶インジウムアンチモン薄膜２に、電磁波が透過するコア領域５と電磁波が透過しないクラッド領域４が設けられた構造を備える。クラッド領域４は、低誘電率物質からなる円柱３が一定の周期ａで設けられたフォトニック結晶構造になっている。また低誘電率物質からなる円柱３の直径ｂは、周期ａより十分小さければよい。コア領域５は、屈折率が大きく、かつ電磁波の吸収が小さい単結晶インジウムアンチモン薄膜２に、円柱３が存在しない領域である。 （もっと読む）

【課題】パターン変換誤差が生じた場合でも、反射光が入力導波路に戻らないような多モード干渉型光導波路を提供する。
【解決手段】入力導波路501,502と、出力導波路504,505と、入力導波路501,502が一方の端部に接続されると共に、出力導波路504,505が一方の端部に対向する他方の端部に接続され、導波路幅が入力導波路501,502及び出力導波路504,505より広い多モード干渉領域503とを有し、入力導波路501,502、出力導波路504,505及び多モード干渉領域503からなる光導波領域の両側に、光導波領域の幅の１〜９倍の幅を有する光閉じ込めするための溝506,507を形成した多モード干渉型光導波路。 （もっと読む）

【課題】製造工程が簡略で生産性に優れ、薄型化でき、光損失が少ない光電気複合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基材上に形成されたクラッド層形成用樹脂を硬化して下部クラッド層を形成する工程、該下部クラッド層上にコア層形成用樹脂を積層してコア層を形成する工程、該コア層を露光現像してコアパターンを形成する工程、該コアパターンを埋め込むように上部クラッド層形成用樹脂を積層する工程、及び該上部クラッド層形成用樹脂が未硬化又は半硬化の状態で該上部クラッド層形成用樹脂に電気配線板を接合し、その後、該上部クラッド層形成用樹脂を硬化して上部クラッド層を形成する工程を有することを特徴とする光電気複合基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、導波路の狭メサ化及び側壁円滑化が図れる導波路の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】スラブ導波路層を有する第１の基板を用意する工程と、該第１の基板の上にシリコン酸化膜を堆積する工程と、その上に所定のパターン開口を有するマスク層を形成する工程と、該マスク層をマスクとして開口部のシリコン酸化膜及びこれに隣接するマスク層下のシリコン酸化膜の一部を除去する工程と、マスク層及びスラブ導波路層上に第１の金属及びスラブ導波路層よりエッチング選択性の小さい第２の金属との積層構造を形成する工程と、該マスク層及びシリコン酸化膜を除去する工程と、第２の金属をマスクにスラブ導波路層をパターニングしてメサ導波路とする工程と、第１の金属とともに第２の金属をリフトオフする工程とを含む導波路の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】 埋込導波路とハイメサ導波路との接続箇所で反射が生じるため、結合効率が低下する。
【解決手段】 基板上に、コアの両側が第１の媒質で埋め込まれている埋込導波路が形成されている。さらに、基板の上に、コアの両側に、第１の媒質よりも屈折率の小さな第２の媒質が配置されているハイメサ導波路が形成されている。さらに、基板の上に、埋込導波路とハイメサ導波路とを光学的に接続する接続導波路が形成されている。接続導波路は、接続導波路のコアの少なくとも一方の側に配置され、導波方向に並ぶ複数のフィンを含む。 （もっと読む）

【課題】耐屈曲性が良好で、かつ光学特性の良好な光導波路を、ドライフィルムを用いて効率的に製造し得る光導波路の製造方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）下部クラッド層形成用樹脂フィルムを硬化して下部クラッド層１０を形成する工程、（Ｂ）該下部クラッド層上にコア層形成用樹脂フィルムを積層し、コア層５３を形成する工程、（Ｃ）該コア層を露光現像し、光導波路のコアパターン５０を形成する工程、（Ｄ）上部クラッド層形成用樹脂フィルムをコアパターン及び下部クラッド層に積層する工程、及び（Ｅ）上部クラッド層形成用樹脂フィルムを硬化して上部クラッド層６０を形成する工程を有する光導波路の製造方法であって、上部クラッド層形成用樹脂フィルムが、クラッド層形成用フィルム１２と低弾性層形成用フィルム２２を積層した複合樹脂フィルムであるとする光導波路の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】複数の波長の光信号を取り扱うときに、フィルタの数の減少を図ることのできる光デバイスおよび光信号選択方法を得ること。
【解決手段】光導波路層１０２には、入射導波路１０５₀と、第１および第２の出射導波路１０５₁、１０５₂が形成されている。入射導波路１０５₀の傾斜導波路部分１１２₀が多層膜フィルタ板１０４の面となす入射角と、第１および第２の出射導波路１０５₁、１０５₂の傾斜導波路部分１１２₁、１１２₂が多層膜フィルタ板１０４の面となす反射角は等しくなっている。また、傾斜導波路部分１１２₀〜１１２₂が多層膜フィルタ板１０４と接する位置がそれぞれ相違している。これにより、第１および第２の出射導波路１０５₁、１０５₂はそれぞれ異なる波長の光信号を入射する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶成長技術以外の方法を用いて、量子ドット集合体のスペクトル幅の狭帯化を実現することを課題とする。
【解決手段】量子ドット集合体を有する第１の基板を用意する工程と、第１の基板とウエハ接合を行うための第２の基板を用意する工程と、第１及び第２の基板の少なくとも一方の基板上面にＳＯＤを塗布する工程と、第１の基板の量子ドット集合体が形成された側と第２の基板とを接合する工程と、接合した基板を加熱する工程と、第１の基板の薄膜化を行う工程とを含む光デバイスの製造方法である。 （もっと読む）

ＤＣバイアス変動を低減するためのニオブ酸リチウム変調器構造体（３０）が提供されており、前記ニオブ酸リチウム変調器構造体（３０）は、一又は複数のＤＣセクション（３８、４０）とＲＦセクション（４２）を有する光導波管（３４）の上にパターン化された高ドープ半導体層（４４、５４）を含み、金属層又は金属接合（５０）は、半導体層（４４、５４）の一部と接触し、緩衝層（４６）はＲＦセクション（４２）に形成される。また、上述した構造体を有するニオブ酸リチウム電気光学変調器を作製する方法も提供されている。
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【課題】化合物半導体とマスクとの間の選択比を向上させ得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この製造方法は、インジウムを必須の構成元素とする化合物半導体からなる被加工物１０の上にエッチングマスクを形成する工程と、被加工物１０の上にヨウ化水素ガスおよび四塩化ケイ素ガスの２成分からなる混合ガスを導入するとともに混合ガスをプラズマ化する工程と、当該プラズマ化された混合ガスを被加工物に入射させて被加工物を選択的にエッチングする工程と、を含む。混合ガスの総流量に対するヨウ化水素ガスの流量の配合比は、６０％以上８５％以下である。 （もっと読む）

【課題】高速の時間／波長領域光ラベル信号用光パルス列を、能動素子（光ゲート素子）を用いることなしに認識可能な光信号処理回路を提供する。
【解決手段】光信号処理回路は、時間／波長領域光ラベル信号用光パルス列を等分配する光強度分流器（１１）と、等分配された複数の光信号をそれぞれ異なる遅延時間分遅延させる遅延線および遅延した光信号の光強度または光電界を遅延量に応じた異なる係数でそれぞれ重み付けする重み付け素子（１２）を含む複数の光導波路（１０）と、重み付けされた複数の光信号を合波する光波長合波器（１３）とを備え、光波長合波器の複数の出力部のうち、各波長成分がすべて出力されるポートを、時間／波長領域光ラベル信号用光パルス列を認識するための出力部として用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エルビウムイオンが高濃度で添加され、且つ適量のイッテルビウムイオンを増感剤として含むフッ素化ポリイミド前駆体のワニスの製造方法、及びこれより得られた光導波路アンプを提供することを目的とする。
【解決手段】下記（ａ）及び（ｂ）工程を含む、光ドーピング用材料含有ワニスの製造方法とする。
（ａ）エルビウム（Ｅｒ）の塩とイッテルビウム（Ｙｂ）の塩とカルボン酸化合物とを、有機溶媒中にて混合し、光ドーピング用材料を得る光ドーピング用材料生成工程、
（ｂ）前記光ドーピング用材料とフッ素化ポリイミド前駆体ワニスとを混合して、光ドーピング用材料含有ワニスを得るワニス合成工程。 （もっと読む）

【課題】波長の選択が可能でかつ変換効率が可及的に高いカップリング機構を有するとともに、光の伝搬方向に指向性を持たせることができる光導波路システムを提供することを可能にする。
【解決手段】内部に中空構造を有する三次元フォトニック結晶構造２と、誘電体中５に複数の金属ナノ粒子６が分散された構造を有し、端部４ａが三次元フォトニック結晶構造の結晶柱間に挿入され、かつ金属ナノ粒子に隣接して配置されて励起光を受光すると近接場光を発生する半導体量子ドット８を含む光導波路４と、半導体量子ドットを励起するための励起光を発生する励起用光源１０と、を備え、金属ナノ粒子は前記近接場光を受光すると表面プラズモンが励起される。 （もっと読む）

【課題】平面導波技術を利用した波長選択スイッチを提供する。
【解決手段】本発明による波長選択スイッチは、Ｍ個の波長チャンネルの光信号の入力を受けて各波長チャンネル別に分離して光伝送線路に出力する第１波長分割多重化器と、前記第１波長分割多重化器から前記Ｍ個の波長チャンネル別に出力された光信号の経路をＮ個の出力ポートのうち何れか一つの出力ポートに変更する前記Ｍ個の光スイッチと、前記光スイッチの前記Ｎ個の出力ポートのうち一つずつ連結され、前記Ｎ個の入力された光信号を結合して出力する（Ｍ＋Ｎ−１）個の光結合器と、前記（Ｍ＋Ｎ−１）個の入力ポート及び前記Ｎ個の出力ポートを有し、前記（Ｍ＋Ｎ−１）個の前記光結合器の出力信号が各々前記入力ポートに連結され、前記入力された信号を多重化させて前記Ｎ個の出力ポートに出力する第２波長分割多重化器とを含む。 （もっと読む）

【課題】任意に選択されたベース基板上に光ファイバ固定溝と光導波路とを寸法精度よく形成することができ、光ファイバのコアと光導波路のコア層との精密な位置合わせを行う必要がない光ファイバ固定溝付き光導波路基板などを提供すること。
【解決手段】光ファイバ固定溝付き光導波路基板は、ベース基板上に、光ファイバ固定溝とコア溝とを有する下部クラッド層であって、光ファイバ固定溝とコア溝との間に堰が設けられている下部クラッド層を含む光導波路が形成されている。光ファイバ固定溝付き光導波路基板は、凹型から作製された凸型を用いて、ベース基板上に下部クラッド層を形成した後、コア層および上部クラッド層を順次形成することにより製造される。製造方法に用いる型は、光ファイバ固定溝とコア溝とに対応する各凹部または各凸部、および、堰に対応する凸部または凹部を有する。光電気混載モジュールは、光ファイバ固定溝付き光導波路基板を含む。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＯＳ適合の集積型誘電体光導波路カプラ及びその製造法を提供する。
【解決手段】 光電子回路製造方法、及び、それによる集積回路製造装置を提供する。集積回路は、光ファイバからの光エネルギーを集積回路上の集積型光導波路に効率的に結合させる集積型光結合移行部を有するように製造される。特定の材料の層を半導体回路上に堆積させて、光ファイバと、移行チャネル内に途中まで延びる回路上の光導波路との間の適切なインピーダンス整合を行う光カプラを収容するトレンチのエッチング形成をサポートする。エッチング形成されたトレンチ内に、光ファイバの一区域と実質的に等しい屈折率を有する少なくとも一部分を含むシリコン・ベースの誘電体を堆積させて、光カプラを形成する。段階的屈折率を有するシリコン・ベースの誘電体を用いることも可能である。光移行部と集積回路の調製を仕上げるために化学機械研磨を用いる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は光学的同報通信システム(100,140,160,180)を対象とする。システムのノードは、コア、キャッシュ、入力／出力装置、及びメモリの任意の組合せ、或いは任意の他の情報処理、送信または格納装置とすることができる。光学的同報通信システムは、光同報通信バス(142,162,182)を含む。同報通信バスと光学的に連絡するシステムの任意のノードは、同報通信バスと光学的に連絡する全ての他のノードに光信号で情報を同報通信することができる。 （もっと読む）

【課題】製造の際の形状ばらつきに対するスペクトル特性変動を小さくできる構造のリング共振器を提供する。
【解決手段】リング共振器１１ａは、コア領域１３及びクラッド領域１５を備える。コア領域１３の材料は、クラッド領域１５よりも大きな屈折率を有する材料からなる。リング共振器１１ａは、光導波路１７に光学的に結合されている。コア領域１３は、所定の平面上において規定された閉曲線ＣＬに沿って延びる。コア領域１３は、第１の部分１９ａ及び第２の部分１９ｂを有しており、第１及び第２の部分１９ａ、１９ｂは閉曲線ＣＬに沿って配列されている。リング共振器１１ａは、コア領域１３の側面１３ａから突出する突起２１を更に備える。突起２１は所定の平面に沿ってコア領域１３の第１の部分１３ａに位置している。突起２１は閉曲線ＣＬの外側及び内側のいずれかに向けて突出する。 （もっと読む）