【課題】演色性や色再現性を向上する導光板、バックライト、ディスプレイ装置、照明装置および導光板の製造方法を提供する。
【解決手段】導光板１は、第１の部分４ａと、第２の部分４ｂとを備え、６１１ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長の光の強度を選択的に高めることが可能であることを特徴とする。第１の部分４ａは、主面４ａ１を有し、かつ第１の屈折率を有する。第２の部分４ｂは、第１の部分４ａに主面４ａ１側から見て周期的に形成され、かつ第１の屈折率と異なる第２の屈折率を有する。 （もっと読む）

【課題】複雑な構造を必要とせずに安価に導波路型磁気光学デバイスが形成できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に形成され、自発磁化を有する磁気光学材料から構成されたリング型光導波路１０２と、リング型光導波路１０２と入出力結合器１０４で光結合する導波路１０３とを少なくとも備える。導波路１０３は、例えば直線導波路である。また、入出力結合器１０４は、例えば、方向性結合器である。加えて、リング型光導波路１０２を構成している磁気光学材料は、リング型光導波路１０２の導波方向に磁化されている。 （もっと読む）

集積フォトニック・デバイスに対する側壁光検出器及びそれらの製造の方法。実施形態は、マルチモード・ファイバーのスポット・サイズを適合するように十分に大きい領域を有する基板半導体機能の側壁に形成されたp-i-n積層膜を含む。実施形態は、第2側壁光検出器に導波路によって結合された第1側壁光検出器を含み、その第1側壁光検出器は、第1側壁に入射する光の第1波長を吸収し、第2波長を吸収するように調節されたi層を有する第2側壁光検出器に第2波長の光を通過させるように調節されたi層を有する。
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【課題】微細なシリコン細線による光回路にも対応可能な光ヒューズを提供する。
【解決手段】光ヒューズは、対象とする光に対し、線形吸収の光吸収量より２光子吸収による光吸収の方が大きい材料から構成されたコア１０１と、クラッド１０２とからなる光導波路より構成されたものである。例えば、コア１０１は、シリコンから構成され、クラッド１０２は、酸化シリコンから構成されている。このように構成された光ヒューズによれば、光ヒューズを透過できる光強度が制限できるようになる。光ヒューズの長さをＬとし、コア１０１における２光子吸収における吸収係数をβとすると、光ヒューズを透過できる光強度は、１／（βＬ）より大きくなることはない。従って、対象とする光の波長に適合するように、光ヒューズの長さを設定すれば、光ヒューズを透過できる光強度を、所望の状態に制限できるようになる。 （もっと読む）

【課題】差動信号駆動ができる差動信号駆動用レーザアレイを実現する。
【解決手段】ＤＦＢレーザアレイ１０２は、複数のＤＦＢレーザを備えており、ＤＦＢレーザアレイ１０２内において各レーザ間は電気的に分離されている。ＭＭＩカプラ１０３は、各レーザから出力された光出力を合波する。ＤＦＢレーザアレイ１０２とＭＭＩカプラ１０３との間には、電気的絶縁部１０４が形成されている。このため、ＤＦＢレーザアレイ１０２の各レーザは、導波路部を介して電気的につながってしまうことが阻止され、各レーザが電気的に分離される。この結果、差動信号により各レーザを駆動することができる、差動信号駆動用ＤＦＢレーザアレイ１０１が実現できる。 （もっと読む）

【課題】導波光の波長より短い微細加工を用いることなく、導波光の高次導波モードを除去することが可能な光フィルタを得ること。
【解決手段】基板１０上に光導波路Ｆ１１、Ｆ１２を交互に配置し、基本導波モードとの結合効率が、高次導波モードまたは高次導波モードの線形結合との結合効率よりも高くなるように光導波路Ｆ１１、Ｆ１２を接続する。 （もっと読む）

ディジタル平面ホログラフィに基づくホログラムパターンを有する集積平面光学装置が提供される。該装置は、複数の平面光学要素を支持する半導体基板と下部クラッド層とからなる。該下部クラッド層は光伝搬／配光層を支持する。ホログラムパターンに従って前記平面光学要素へ伝搬される光線およびそこから伝搬される光線の性質および方向を制御するため、ホログラムパターンからなる相互接続した複数のパターン要素が、該光伝搬／配光層に埋め込まれている。これは、かかる要素を含む層の素材とは異なる屈折率を持った、特定の位置、形状および屈折率のパターン要素を提供することにより、達成される。前記パターンの設計および製造方法が、本明細書に記載される。 （もっと読む）

【課題】スポットサイズ変換導波路と細線導波路との幅および高さをより一致させて連結することにより、素子内の光の伝播損失を低減することができる、平面導波路素子を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に積層された第１積層部と、第１積層部上に積層され、第１積層部より高い屈折率を有する第２積層部４とを備えている。第２積層部４は、光が入射する入射側端面１２Ａ，１２Ｂおよび出射する出射側端面１４Ａ，１４Ｂを有する、略平行に並ぶように形成された複数の細線導波路５、および、１本以上の細線導波路５の入射側端面１２Ａに連結された出射側端面１１を有するスポットサイズ変換導波路６を含む。スポットサイズ変換導波路６と連結されている細線導波路５の入射側端面１２Ａの位置が、スポットサイズ変換導波路６と連結されていない細線導波路５の入射側端面１２Ｂの位置に対して、細線導波路５の中央部側に形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板上に配置される光デバイスと基板に形成される光導波路とをインタフェース接続する光接続構造を提供すること。
【解決手段】本発明の製造方法では、ダイシング・テープ１４０上に、無機固体材料で形成されるウエハ１３０を準備するステップと、先端角を有するダイシングブレード１４２により、ウエハ１３０の裏面を略山形形状に切削するステップと、ダイシング・テープ１４０をウエハ１３０から剥離し、かつ略山形形状の谷で分離して、光接続要素として、ウエハ１３０の表面Ｍにあたる鏡面を有する３次元多面体の光反射部材１１４を得るステップとを含む。得られた光接続要素（１１４）は、光伝送基板１００が備える光導波路１０６ａに略直交して光伝送基板１００の基板主面に開口するトレンチ内に挿入されて、外部との光接続構造を与える。 （もっと読む）

【課題】それぞれの位相変調領域が電気的に分離され、かつ高い光透過率を有する半導体マッハツェンダー光変調器及びその製造方法並びに半導体光集積素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板１１上にコア層１３と上部クラッド層１５とが積層されている。その上には、光導波路１ａ及び１ｂ、ＭＭＩ分波器２ａ、ＭＭＩ合波器２ｂを備える。光導波路１ａ及び１ｂには、位相変調領域が設けられている。ＭＭＩ分波器２ａから出射された光は、光導波路１ａ及び１ｂで位相変調され、ＭＭＩ合波器２ｂへ出射する。なお、光導波路１ａ及び１ｂは、位相変調領域とＭＭＩ分波器２ａ及び位相変調領域とＭＭＩ合波器２ｂとの間で、長さＬｇａｐの分離溝Ｇａｐで分離され、分離溝Ｇａｐに向かって連続的に幅が細くなる。 （もっと読む）

【課題】光導波路フィルムの無機基板に対する接着性に優れると共に、無機基板の種類に関係なく、有機材料を用いて同じ条件で製造することが可能な光導波路およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】光導波路は、シリコン基板を除く無機基板上に各々有機材料からなる下部クラッド層、光導波路コアおよび上部クラッド層が順次形成されており、無機基板と下部クラッド層との間に酸化シリコンまたはスピンオングラスからなるバッファー層が設けられている。この光導波路は、シリコン基板を除く無機基板上に酸化シリコンまたはスピンオングラスからなるバッファー層を設けた後、各々有機材料からなる下部クラッド層、光導波路コアおよび上部クラッド層を順次形成することより製造される。 （もっと読む）

【課題】それぞれの位相変調領域が電気的に分離され、かつ高い光透過率を有する半導体マッハツェンダー光変調器及びその製造方法並びに半導体光集積素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板１１上にコア層１３と上部クラッド層１５とが積層されている。その上には、光導波路１ａ及び１ｂ、ＭＭＩ分波器２ａ、ＭＭＩ合波器２ｂを備える。光導波路１ａ及び１ｂには位相変調領域が設けられている。ＭＭＩ分波器２ａから出射された光は、光導波路１ａ及び１ｂで位相変調され、ＭＭＩ合波器２ｂへ出射する。また、光導波路１ａ及び１ｂの両側にコア層１３を貫通して形成された２本のトレンチ５に挟まれたメサ部１９が形成されている。なお、光導波路１ａ及び１ｂは、位相変調領域とＭＭＩ分波器２ａ及び位相変調領域とＭＭＩ合波器２ｂとの間で長さＬｇａｐの分離溝Ｇａｐで分離されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェットエッチングを行いメサ構造を形成する半導体光素子とその製造方法において、メサ構造の角部で異常エッチングが起こることを回避できる半導体光素子とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ウェットエッチングによりメサ構造が形成された半導体光素子であって、半導体基板上に形成されたリッジ型またはハイメサ型の該メサ構造と、該半導体基板上に形成され、かつ、該メサ構造の角部に接続された該メサ構造と同一材料である延伸メサと、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 接合強度が強い３次元フォトニック結晶を少ない工程で製造する。
【解決手段】 周期構造を持つ層を積層することにより３次元フォトニック結晶を製造する方法であって、１以上の前記周期構造を持つ層を備える第１の構造体と第２の構造体をそれぞれ形成する構造体形成工程と、第１の構造体と第２の構造体を接合する接合工程とを含む。第１の構造体の第１の接合層と第２の構造体の第２の接合層は３次元フォトニック結晶の１つの層を分割したときの一方の層と他方の層とする。 （もっと読む）

【課題】 伝搬光の曲率を増大でき、低エネルギーで屈折率を調整可能なディスク共振器およびこれを用いた光フィルタを提供する。
【解決手段】 本発明のディスク共振器は、第１のクラッド層１１の上に、ほぼ円形状またはほぼ長円形状のディスク状のコア層１２が、メサ形状となるように形成され、コア層１２の上に、ほぼ円形状またはほぼ長円形状のディスク状の第２のクラッド層１３が、リブ形状となるように形成され、第１のクラッド層１１および第２のクラッド層１３の双方の屈折率が、コア層１２の屈折率よりも低いことを特徴とする。 （もっと読む）

集積光素子用の狭小表面波形格子、およびその製造方法である。実施例は、上部に構成が形成される導波管の幅よりも狭い幅を有する格子を含む。本発明のある実施例では、マスク化フォトリソグラフィ法を用いて、所望の格子強度を有する狭小格子が形成される。ある実施例では、レーザの光キャビティは、導波管の幅よりも狭い幅を有する反射器格子を有するように構成される。別の実施例では、集積光通信システムは、1または2以上の狭小表面波形格子を含む。
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【課題】光変調部において厚さ１０μｍ以下の薄板を採用して速度整合を図った光変調器において、光変調器と外側の光ファイバとの間の結合損失および光変調器内部での結合損失を抑制することである。
【解決手段】光変調器１０Ａは、支持基板１、電気光学材料からなる変調用基板３、この変調用基板３の一方の主面側３ａに設けられている光導波路４、変調用基板３の他方の主面３ｂ側に設けられており、光導波路を伝搬する光を変調するための電圧を印加する電極、および変調用基板３の一方の主面３ａを支持基板１へと接着する接着層２を備える。変調用基板３が、少なくとも光導波路４を伝搬する光の変調を行うための厚さ１０μｍ以下の変調部７と、変調部７よりも厚い光ファイバ結合部６とを備える。 （もっと読む）

【課題】作製歩留まりが高く、良好な特性を有する光集積回路を提供すること。
【解決手段】半導体基板上に、幅方向における第１の比屈折率差と第１のコア幅とを有する第１の光導波路素子と、幅方向における第２の比屈折率差と第２のコア幅とを有する第２の光導波路素子が形成されており、前記第１の光導波路素子と前記第２の光導波路素子とが光学的に結合する接合部分を少なくとも１箇所以上有する光集積回路において、前記第２の比屈折率差は前記第１の比屈折率差よりも大きく、前記接合部分において第２のコア幅は前記第１のコア幅よりも広い。 （もっと読む）

【課題】製造工程で光導波路に生じる歪みが低減され、寸法安定化が図れる光導波路と複合してなる配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、第一の基板に回路を形成する工程Ａ、前記第一の基板の回路形成面に、第一の離型層を介して第一の支持体を積層する工程Ｂ、第一の基板の回路形成面の反対面に第二の基板又は回路を形成する工程Ｃを有する配線板の製造方法である。 （もっと読む）

犠牲光学試験構造は、未劈開の光チップ（１０）の光学機能を試験するように、未劈開の光チップ（１０）のウェーハ（１００）上に構築される。チップ（１０）がウェーハ（１００）から劈開されると、前記犠牲光学構造が無効化され、劈開された光チップ（１０）をその所望の最終機能に併せて用いることができる。前記試験構造は、劈開された光チップ（１０）上に残っていてもよいし、廃棄してもよい。 （もっと読む）