【課題】半導体光素子の消費電力または素子長を小さくする。
【解決手段】第１クラッド層４と、第２クラッド層６と、第１クラッド層４と第２クラッド層６に挟まれた光導波層８とを有し、光導波層８は、第１半導体層１０と、第１半導体層１０上に設けられ一方向に延在する第２半導体層１２とを有し、第１半導体層１０は、第２半導体層１２の片側に設けられたｎ型領域１４と、第２半導体層の反対側に設けられたｐ型領域１６と、ｎ型領域１４とｐ型領域１６の間に設けられたｉ型領域１８とを有し、第２半導体層１２は、第１半導体層１０より狭いバンドギャップを有する。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層と基板のＳｉ面とを接合させる構造において、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層と基板とに剥がれが生じることを抑制すること。
【解決手段】本発明は、ＧａＡｓ基板３２の主面上に形成された光を発振する活性層３８を含む積層半導体層４６のうちの最表面の層である、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＧａＡｓからなるコンタクト層４４の表面に、ＩｎＡｓの複数の量子ドットからなる接合層２２を形成する工程と、コンタクト層４４の表面を、接合層２２を介して、基板１０に含まれるＳｉ薄膜層１６のＳｉ面に接合させる工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、偏波依存性のない光干渉回路を有した光導波路回路を有した光導波路デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に形成され、入力用光導波路と出力用光導波路とを有し、少なくとも１つの光干渉回路を内包する光導波路デバイスであって、前記光干渉回路は入力を分岐する光合分岐回路と、分岐された各々の光信号を遅延させる複数の光遅延導波路と、それぞれの前記光遅延導波路からの光を合波する光合分岐回路とを備え、前記複数の光遅延導波路がＴＥ偏光とＴＭ偏光の間にπの位相差を付与する偏光間位相差付与手段を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】サブバンド間遷移素子とシリコン細線によるハイブリット集積化において、シリコン細線との結合効率の向上、及び光路長増大による位相変調効果の増大を実現させ、光ゲートスイッチのＳＮ比改善と低エネルギー動作化等の高性能化を実現する。
【解決手段】ＩｎＧａＡｓやＡｌＡｓＳｂなどの量子井戸構造を形成可能な半導体材料を用い、その量子井戸構造でのサブバンド間遷移によって引き起こされる位相変調効果を有するサブバンド間遷移導波路に、ＴＥ光信号に対する反射構造（Ｒ１）を設けてサブバンド間遷移スイッチ導波路１０を構成する。導波路端面（Ｐ１）から入力された信号光５は、導波路で位相変調効果を受け、光導波路に設けた反射構造（Ｒ１）にて反射され、再び、導波路内で位相変調効果を受けて、導波路端面（Ｐ１）から出力されるので、シリコン細線導波路との入出力端の同一化および光路長増大を実現できる。 （もっと読む）

【課題】モードフィールドが大きく異なる異種光導波路を接続する際に、従来のテーパ構造の光導波路と比べて効率的な光の接合を可能とする光導波路を提供することにある。
【解決手段】構造の異なる２つの導波路４１，４２が所定の長さＬ_taperを有する不連続テーパ構造接合部本体５０を介して接し、一方の導波路４１を導波する光の横方向の広がりが、他方の導波路４２を導波する光の横方向の広がりよりも広い光導波路において、不連続テーパ構造接合部本体５０の幅が前記一方の導波路４１と接する一方の端部５１から他方の導波路４２と接する他方の端部５２に向けて徐々に狭くなり、不連続テーパ構造接合部本体５０における一方の端部５１の幅Ｗ_taperを一方の導波路４１の幅Ｗ_ridgeよりも広くした。 （もっと読む）

【課題】埋め込み素子の導波路とハイメサリッジ素子の導波路がずれるのを防ぐ。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０上に半導体積層構造３０と半導体積層構造３２を横並びに形成する。半導体積層構造３０，３２上にｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６を形成する。ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６をパターニングして、半導体積層構造３０上のｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６を除去する。半導体積層構造３０をエッチングして導波路リッジ４０を形成し、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６及び半導体積層構造３２をエッチングしてハイメサリッジ４２を形成する。導波路リッジ４０の両サイドを埋め込み層４４，４６，４８で埋め込む。導波路リッジ４０及びその近傍の埋め込み層上にｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層５２を形成する。ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６，５２をマスクとして埋め込み層をエッチングして埋め込み素子とハイメサリッジ素子とを形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体光装置において温度が変化しても出力光の変動を抑制する。
【解決手段】半導体光装置１は、半導体光増幅器２と光波長選択素子３とを有し、光波長選択素子３は第１の光導波路２１と、第１の光導波路２１の結合導波路３２に光学的に結合されるリング共振器２２を有する。さらに、リング共振器２２と光学的に結合される結合導波路４１を含む第２の光導波路２３が設けられており、第２の光導波路２３には、波長選択反射鏡２４が形成されている。波長選択反射鏡２４は、垂直回折格子２５からなり、リング共振器２２で選択された共振モードのピークのうち、１つの共振モードのピークの波長を有する光を反射する。 （もっと読む）

【課題】斜め導波路を有する光素子を集積する場合に、素子端面の位置がずれてしまっても、精度良く位置合わせを行なえるようにする。
【解決手段】光集積素子の製造方法を、第１斜め導波路５を有する第１光素子１に、その端面位置を検知しうる複数の端面位置検知マーカ１１Ａ、及び、複数の端面位置検知マーカのそれぞれに対応する複数の第１位置合わせマーカ１２Ａを形成し、第２斜め導波路８を有する第２光素子２に、第１斜め導波路の端面位置と第２斜め導波路の端面位置とが合った場合に複数の第１位置合わせマーカのいずれかにいずれかの位置が合う複数の第２位置合わせマーカ１３Ａを形成し、端面位置を検知した端面位置検知マーカに対応する第１位置合わせマーカとこれに対応する第２位置合わせマーカとを合わせて第１斜め導波路の端面と第２斜め導波路の端面とを位置合わせして、第２光素子上に第１光素子を実装するものとする。 （もっと読む）

【課題】容易かつ精度の高い微細加工が可能である光導波路素子の製造方法を提供する。
【解決手段】先端１２ｃを有するテーパ部１２を有するコア４を備えた光導波路素子を製造する方法であって、コア４の材料からなるコア層１４を形成するコア層形成工程と、コア層１４に接する補助層１８を形成する補助層形成工程と、コア層１４にテーパ部１２を形成しコア４を得るテーパ部形成工程とを含む。コア層形成工程は、テーパ部１２の先端１２ｃを含む第１側面領域１６ａを形成する工程である。補助層形成工程は、第１側面領域１６ａに接して、コア４とは異なる材料からなる補助層１８を形成する工程である。テーパ部形成工程は、コア層１４に対し、補助層１８と同時にエッチングを施すことによって、テーパ部１２の先端１２ｃを含む第２側面領域１２ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上の導波路型光デバイスのコアに蓄積されるキャリア濃度を高くして、その変調効率を高くする。
【解決手段】絶縁性の第１のクラッド層４と、前記第１のクラッド層４の一面に設けられた半導体の光導波層６と、前記光導波層６を覆う絶縁性の第２のクラッド層８とを有し、前記光導波層６は、一方向に延在するコア１４と、前記コア１４の一方の側面に接し前記コア１４より薄い第１のスラブ部１８と、前記コア１４の他方の側面に接し前記コア１４より薄い第２のスラブ部２２とを有し、前記第１のスラブ部１８は、前記コア１４に沿うｎ型領域１６を有し、前記第２のスラブ部２２は、前記コア１４に沿うｐ型領域２０を有し、前記ｎ型領域１６と前記ｐ型領域２０の間の領域には、バンドギャップが前記ｎ型領域１６及び前記ｐ型領域２０より狭くなるように、ｎ型不純物及びｐ型不純物がドーピングされている。 （もっと読む）

【課題】損失を小さくして光の伝送ロスを小さくすることができるとともに、コア材の流出を防止して歩留まりを向上させることができる光導波路付き配線基板を提供すること。
【解決手段】光導波路付き配線基板１０は、配線層４２と絶縁層３３，３４とを積層してなり、基板厚さ方向に沿って延びる孔８０内に光導波路８２を備える。光導波路８２は、光信号が伝搬する光路となるコア８３及びコア８３を取り囲むクラッド８４を有する。なお、クラッド８４の屈折率はコア８３の屈折率よりも小さく、コア８３及びクラッド８４の比屈折率差は１．４％以上である。また、コア８３を形成するためのコア材及びクラッド８４を形成するためのクラッド材は、クラッド材の硬化物からなるシート上にコア材を未硬化状態で滴下したときの接触角が３５°以上となるような組み合わせとされている。 （もっと読む）

【課題】光回路のパターン形状の設計の自由度が広く、寸法精度の高いコア部を容易に形成でき、電気素子との位置決めが容易な光導波路を備えた光導波路構造体および前記光導波路構造体を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】光導波路構造体１は、基板２と、光導波路９と、光路変換部９６と、電気素子と、電気素子の位置決めを行う位置決め手段３３、３４と、導体層５とを有する。光導波路９は、コア部９４とクラッド部９５とを有し、コア部９４は、（Ａ）環状オレフィン樹脂と、（Ｂ）前記（Ａ）とは屈折率が異なり、かつ、環状エーテル基を有するモノマーおよび環状エーテル基を有するオリゴマーのうちの少なくとも一方と、（Ｃ）光酸発生剤と、を含む組成物で構成されたコア層に対し活性放射線を選択的に照射することにより所望の形状に形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】パターン形状の設計の自由度が広く、寸法精度の高いコア部（光路）を簡単な方法で形成することができ、また、発光素子や受光素子との光結合効率および耐久性に優れる光導波路を備えた光導波路構造体および電子機器を提供すること。
【解決手段】光導波路構造体は、コア層９３とクラッド層９１、９２とを積層してなる光導波路９を有している。コア層９３は、コア部９４とクラッド部９５とを有し、コア部９４は、一方の端部に向かって幅が連続的に大きくなる拡幅部分９４１と、他方の端部に向かって幅が連続的に小さくなる減幅部分９４２とを有している。また、コア部９４は、（Ａ）環状オレフィン樹脂と、（Ｂ）前記（Ａ）とは屈折率が異なり、かつ環状エーテル基を有するモノマーおよびオリゴマーのうちの少なくとも一方と、（Ｃ）光酸発生剤と、を含む組成物で構成されたコア層に対し光を選択的に照射することにより形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】半導体ＭＺＭ位相光変調器においても、環境温度の変化に対して、同一変調電圧での駆動を可能とし、ペルチェ素子等を用いた温度調整機構を省略し、消費電力を低減することができる光送信機を提供する。
【解決手段】ｎｐｉｎ構造を有する変調領域を有する半導体ＭＺ変調器１と、前記半導体ＭＺ変調器１の温度を監視する温度センサ４３と、前記半導体ＭＺ変調器１の変調電極にバイアス電圧を印加するバイアス回路４１とを備え、前記バイアス回路４１は、前記温度センサ４３からの入力が変化すると、前記バイアス電圧を変化させて変調振幅電圧を一定として前記半導体ＭＺ変調器１を駆動する。 （もっと読む）

【課題】電気回路と光回路のそれぞれにおいてパターン形状の設計の自由度が広く、寸法精度の高い光路を簡単な方法で形成することができ、また、耐久性に優れる光導波路を備えた光導波路構造体を提供すること。
【解決手段】本発明の光導波路構造体は、互いに屈折率が異なるコア部とクラッド部とを有する光導波路と、導体層とを有する積層構造体で構成され、厚さ方向に延在し、前記コア部に光学的に接続される導光路と、厚さ方向に延在し、前記導体層に電気的に接続される導体部とを有する。前記コア部は、（Ａ）環状オレフィン樹脂と、（Ｂ）前記（Ａ）とは屈折率が異なり、かつ、環状エーテル基を有するモノマーおよび環状エーテル基を有するオリゴマーのうちの少なくとも一方と、（Ｃ）光酸発生剤と、を含む組成物で構成されたコア層に対し活性放射線を選択的に照射することにより所望の形状に形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】長波長用の可変光モジュールに用いることができる電気光学特性に優れた光学素子を提供する。
【解決手段】シリコンを含有する単結晶基板１１０と、単結晶基板１１０上にエピタキシャル成長により形成された第１の電極１３０と、第１の電極１３０上にエピタキシャル成長により形成された電気光学効果を有する電気光学膜１６０と、電気光学膜１６０上に形成された第２の電極１８０とを備え、第１及び第２の電極１３０及び１８０は、電気光学膜１６０の膜厚方向に電圧を印加するためのものであり、電気光学膜１６０は、単一配向を有しない結晶化膜である光学素子。 （もっと読む）

【課題】曲率半径が導波路方向に変化する任意曲線形状の導波路パターンをＥＢ描画等により滑らかに描画する。
【解決手段】設計データの最小の曲率半径から所定の長さΛを決定し、光導波路パターンを前記光導波路パターンの露光開始位置の曲率半径とΛで決定される長さＬ_１′だけ、サブ露光量ｄでレジストを露光する第１回目の一次サブ露光工程と、光導波路パターンのＬ_１′の終点位置において、終点位置の曲率半径とΛで決定される長さＬ_２′だけ、サブ露光量ｄでレジストを露光する第１回目の２次サブ露光工程と、第１回目のサブ露光工程を光導波路パターンの終点まで２次サブ露光工程と同じ手順で順次繰り返す第１回目のサブ露光工程と、光導波路パターンの露光開始位置から長さＬ_１′に対する曲率中心からの見込み角の1／Ｎだけ移動した位置を露光開始点として、１回目のサブ露光工程と同じ手順で第２回目以降のサブ露光工程を繰り返して行う。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減できる光変調器を得る。
【解決手段】マッハツェンダ型光変調器３は、入力光の強度又は位相を変調させる。マッハツェンダ型光変調器３の出力に出力光導波路４が接続されている。マッハツェンダ型光変調器３から出力された変調光は出力光導波路４を伝播する。出力光導波路４に近接して受光部５，６が配置されている。受光部５，６は、出力光導波路４からの漏洩光を検知する。これらのマッハツェンダ型光変調器３、出力光導波路４、及び受光部５，６は、１つのｎ型ＩｎＰ基板１上にモノリシックに集積されている。 （もっと読む）

【課題】光の吸収損や電気信号の導波損を低減し得る半導体光素子及びマッハツェンダー型光変調素子を提供する。
【解決手段】マッハツェンダー型光変調素子１Ａの位相制御部１０は、ｎ型下部クラッド層１３、コア層１４ａ及び１４ｂ、並びに上部クラッド層１５ａ及び１５ｂをそれぞれ含むメサ構造部１９ａ及び１９ｂを有する。メサ構造部１９ａの上部クラッド層１５ａは、コア層１４ａ上に配置された第一領域１５１ａと、第一領域１５１ａ上に並んで配置された第二領域１５２ａ及び第三領域１５３ａとを含む。メサ構造部１９ｂの上部クラッド層１５ｂは、コア層１４ｂ上に配置された第四領域１５１ｂと、第四領域１５１ｂ上に並んで配置された第五領域１５２ｂ及び第六領域１５３ｂとを含む。領域１５１ａ，１５２ａ，１５１ｂ，及び１５２ｂはｐ型半導体からなり、領域１５３ａ，１５３ｂはアンドープ半導体からなる。 （もっと読む）