【課題】Ｓｉベースのフォトニクスプラットフォーム上で、フォトニックデバイス、Ｇｅ導波路一体型光検出器、およびハイブリッドＩＩＩ−Ｖ／Ｓｉレーザの共集積化のための方法を提供する。
【解決手段】パターン化したＳｉ導波路構造を含むＳｉデバイスを備えたＳｉベースのフォトニクス基板を用意する工程、誘電体層、例えば、ＳｉＯ_２層を、平坦化したＳｉベースのフォトニクス基板の上部に堆積する工程、適切なエッチング深さで溝を誘電体層にエッチング形成して、フォトニクス基板のパターン化したＳｉ導波路構造を露出させる工程、露出した導波路を選択エッチングして、Ｇｅ成長用のテンプレートを作成し、薄いＳｉ層をＧｅ成長用のシード層として残す工程、意図的なＧｅ過成長を伴って、シード層からＧｅを選択成長させる工程、Ｇｅ表面を平坦化し、１００ｎｍ〜５００ｎｍの減少した厚さを持つＧｅ層を残す工程を含む。 （もっと読む）

【課題】可変光バッファ回路の回路全体のサイズを小さくし、簡単な製造工程と製造設備を使用でき、経路間の損失のばらつきも解消する。
【解決手段】可変光バッファ回路は、半導体基板上に形成した光スイッチ回路と合波回路とを接続して構成され、光導波路で形成された遅延線を含め一体形成される。合波回路は光導波路で形成された遅延線と光結合器で構成される。同一遅延線を用いる場合、光結合器と、その一方の入力端に接続された遅延線とからなる組が、遅延線および光結合器が交互に縦続してＮ個の経路を構成するよう接続される。光結合器の各々の結合率は、各経路の各々に対し、光結合器の結合率に基づいた損失を除いた損失を最小としたときの最小損失値の測定値に基づき設定される。 （もっと読む）

【課題】光導波路干渉計回路の位相を、高精度かつ恒久的に調整する。
【解決手段】上側・下側アーム導波路３１，３２に沿い形成した溝４１，４２，４３，４４のうち、埋戻し用樹脂５１で埋めていない特定区間を、位相調整溝４１ａ，４２ａ，４３ａ，４４ａとする。位相調整をするため、例えば下側アーム３２に沿う位相調整溝４３ａ，４４ａに位相調整用樹脂５２を充填することで光導波路干渉計回路１０の位相調整をすることができる。 （もっと読む）

【課題】熱分布の発生を抑制して、ビーム品質を高めることができるようにする。
【解決手段】入射面２ａから励起光６を導入して、その励起光６を伝搬させる平板状の励起光導入部２と、励起光導入部２より高い屈折率を有しており、その励起光導入部２により伝搬された励起光６を導入する入射面が、その励起光導入部２の下面２ｃに接合され、その入射面から導入した励起光６を吸収して利得を発生する平板状のレーザ媒質１とを備え、その励起光導入部２における励起光６の入射方向の長さがレーザ媒質１より長く、その励起光導入部２の入射面２ａ付近にはレーザ媒質１が接合されていないように構成する。 （もっと読む）

【課題】精度の高い複屈折率調整が可能な半導体基板上の位相シフタを提供すること。
【解決手段】ＰＢＳ１００は、第１の光カプラ１１０と、第１の複屈折率調整部１２０と、第２の複屈折率調整部１３０と、第２の光カプラ１４０とを閃亜鉛鉱型構造を有する半導体基板１０１上に備える。第１の複屈折率調整部１２０及び第２の複屈折率調整部１３０が位相シフタとして機能する。第１の複屈折率調整部１２０は、第１の幅の第１の導波路部１０２Ａと、第２の幅の第２の導波路部１０３Ａと、第１の電極１０２Ｂと、第２の電極１０３Ｂとで構成され、ここで、第１の幅は第２の幅よりも大きい。第２の複屈折率調整部１３０は、第１の導波路部１０２Ａから傾斜して配置された第３の導波路部１０２Ｃと、第２の導波路部１０３Ｂから傾斜して第３の導波路部１０２Ｃと平行に配置された第４の導波路部１０３Ｃと、第３の電極１０２Ｄと、第４の電極１０３Ｄとで構成される。 （もっと読む）

【課題】精度の高い複屈折率調整が可能な半導体基板上の位相シフタを提供すること。
【解決手段】ＰＢＳ１００は、第１の光カプラ１１０と、複屈折率付与部１２０と、た複屈折率調整部１３０と、第２の光カプラ１４０とを、閃亜鉛鉱型構造を有する１０１半導体基板上に備える。複屈折率付与部１２０及び複屈折率調整部１３０が位相シフタとして機能する。第１のアーム導波路１０２の第５の導波路部１０２Ｃの上に、第１の電極１０２Ｄが配置され、第２のアーム導波路１０３の第４の導波路部１０３Ｂが有する第２の傾斜部分の上に第２の電極１０３Ｄが配置されている。第１の電極１０２Ｄが配置された第１の方向と、第２の電極１０３Ｄが配置された第２の方向は、複屈折率調整部１３０において、両電極に単位電圧を印加したときに、ＴＭ偏光に対する上下アーム導波路間の位相差が抑制され、ＴＥ偏光に対する上下アーム導波路間の位相差が増大される方向である。 （もっと読む）

【課題】 例えば集積化された小型の光合分波器において、サイズが大きくなってしまうことなく、外部の光学素子との光学的な結合効率の向上を可能とし、位置ずれに対する結合効率のトレランスを改善することを目的とする。
【解決手段】 光合分波器において、互いに異なる波長をもつ複数の光が波長多重光に合波されるか又は波長多重光が互いに異なる波長をもつ複数の光に分波される光合分波部と、複数の光学素子と前記光合分波部との間にそれぞれ光学的に接続され前記互いに異なる波長それぞれに対応する長さをもち前記複数の光がそれぞれマルチモードで導波される複数のマルチモード光導波路と、１つの光学素子と前記光合分波部との間に光学的に接続され前記互いに異なる波長に対応する長さをもち前記波長多重光がマルチモードで導波される１つのマルチモード光導波路と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】リッジ形状やメサ形状といった凸状部分上の樹脂若しくはレジストのエッチングの停止タイミングを容易に且つ精度良く判断することが可能な光半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】この光半導体デバイスの製造方法は、一対の溝に挟まれた光導波路において光の導波を行う光変調器を製造する方法であって、ウエハ１６上に設定された評価用領域（ＴＥＧ領域）に、複数対の評価用溝３１ａ，３１ｂを形成する工程と、ウエハ１６上に樹脂層１３を塗布する工程と、樹脂層１３に対してエッチングを行い、光導波路の頂部を露出させる露出工程と、光導波路上に電極を形成する工程とを備え、評価用領域における複数対の評価用溝３１ａ，３１ｂの幅が各対毎に異なっており、露出工程の際に、エッチングによって評価用領域における少なくとも一対の評価用溝３１ａ，３１ｂに挟まれた領域３３の頂部を露出させる。 （もっと読む）

【課題】半導体からのＶ族原子の脱離を抑制しつつ同一面内でエッチング深さが異なる形状を簡易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】酸素プラズマの所定の濃度に対して、開口部幅の異なる領域毎に、半導体表面にて酸素プラズマによりポリマーの生成を抑制しつつ半導体表面のエッチングが進行する状態のみが発現するように前記開口部幅１９０５が設定された開口部１９０１を有するマスク１９００を半導体表面に形成する第１の工程と、マスク１９００が形成された前記半導体表面に前記炭化水素系プラズマおよび前記酸素プラズマを照射し、前記酸素プラズマを前記マスクの開口部幅方向にて前記開口部に拡散させることによりポリマーの生成を抑制するとともにエッチングに寄与する炭化水素系プラズマの濃度を制御する第２の工程を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】安定した特性を得ることが可能であるとともに設計の自由度を高めることが可能な光ハイブリッド回路および光受信器ならびに、その光ハイブリッド回路に好適に用いられうる光カプラを提供する。
【解決手段】光ハイブリッド回路１００は、平行四辺形形状の２：２光カプラ１と、平行四辺形形状の４：４多モード干渉カプラ２と、長方形形状の出力側２：２光カプラ３とを備える。これらを従属接続することにより、出力チャンネルを構成する２つの出力導波路１９，２０が隣接した構造を有する光９０°ハイブリッド回路を実現できる。平行四辺形の傾斜角度に応じて２つの出力光の間の相対的位相差を変更できる。したがって複数段の光カプラからなる複合カプラの特性を所望の特性に容易に設計できる。 （もっと読む）

【課題】一方の光回路要素から他方の光回路要素への位置合わせを容易にする。
【解決手段】第１主光導波路１８に設けられた第１光回路要素２０と、第１主光導波路の一端に接続され、第１主光導波路を伝搬する光を第１副光導波路２４及び第２副光導波路２６に等分配する第１光カプラ２２と、第１副光導波路及び第２副光導波路の間に設けられた第１戻し構造部とを含む第１サブ光回路１６、及び、第２主光導波路３２に設けられた第２光回路要素３４と、第２主光導波路の一端に接続され、第３副光導波路３８及び第４副光導波路４０を伝搬する光を合成して第２主光導波路に送る第２光カプラ３６と、第３副光導波路及び第４副光導波路の間に設けられた第２戻し構造部とを含む第２サブ光回路３０、を備え、第１戻し構造部及び第２戻し構造部が近接配置されて、光結合部Ｃとして機能する。 （もっと読む）

【課題】光通信システムに用いられる光導波路素子に関し、製造誤差による導波路幅のずれやモード揺らぎによる特性劣化の小さい光導波路素子を提供する。
【解決手段】入力光を分岐して第１の信号光及び第２の信号光を出力する第１の光カプラと、互いに光路長が異なる第１及び第２の光導波路を有し、第１の信号光と第２の信号光との間に位相差を与える光位相シフタと、第１の光導波路から出力される第１の信号光と第２の光導波路から出力される第２の信号光とを結合する第２の光カプラとを有する。第１の光導波路及び第２の光導波路は、実質的に等しい曲率半径で屈曲する曲げ光導波路を有している。 （もっと読む）

【課題】 入射光の強度が大きくなっても、光強度のピーク値の上昇を抑制する技術が望まれている。
【解決手段】 テーパ導波路が、入力導波路とフォトダイオードとを接続する。入力導波路に接続された入力端から、フォトダイオードに接続された出力端に向かって、テーパ導波路の幅が広がる。テーパ導波路の広がり半角は、入力導波路から信号光が入力されると、高次モードを励振する大きさである。フォトダイオードの幅は一定であるか、またはテーパ導波路の出力端から遠ざかる向きに広がっており、その広がり半角は、テーパ導波路の広がり半角以下である。 （もっと読む）

【課題】光吸収効率を向上させること、特に導波路部と光検出部の間に光閉じ込め作用の弱いスラブ領域が形成された場合でも、光吸収効率を向上させる。
【解決手段】導波路コア層を含む導波路７１１と、前記導波路の幅より広い幅を有し、前記導波路コアからの出射光が入射される多モード干渉導波路７３１と、少なくとも１つの層からなり、前記多モード干渉導波路からの出射光が入射される第１半導体層７０２と、前記第１半導体層の上に設けられ、前記第１半導体層に入射された出射光を吸収する吸収層７０３を含む光検出部７０１とを有し、前記導波路７１１からの出射光が入射される前記多モード干渉導波路７３１の端部から、前記多モード干渉導波路からの出射光が入射される前記光検出部７０１の端部までの長さが、前記多モード導波路において自己結像が起こる長さの７０％から１００％までの長さである。 （もっと読む）

【課題】 半導体光集積回路装置及びその製造方法に関し、吸収効率の向上と素子抵抗の低減を両立する。
【解決手段】 半導体基板上に形成された少なくともメサ状部を有する導波路コア層からなる導波路部と、前記導波路コア層の延長部上に順次積層された第１導電型スペーサ層、吸収層及び前記第１導電型と反対の第２導電型上部クラッド層を少なくとも有するフォトダイオード部とを少なくとも設け、前記第１導電型スペーサ層の少なくとも一部がメサ状であり、前記メサ状の第１導電型スペーサ層の側面に接するように、前記第１導電型スペーサ層の屈折率より小さな屈折率の第１導電型半導体層を設ける。 （もっと読む）

【課題】製造上の制限に縛られることなくフォトニック結晶層への光閉じ込め係数を向上させることが可能となるフォトニック結晶面発光レーザを提供する。
【解決手段】活性層と、活性層の面に平行な方向に共振モードを有するフォトニック結晶層とを含み構成された導波路を備え、波長λで発振するフォトニック結晶面発光レーザであって、
前記導波路は、活性層の面に平行な方向に導波する波長λの光に対して高次の横モードを示す高次導波モードを少なくとも１つ有し、
前記活性層と前記フォトニック結晶層の間に、隣接する層より屈折率の低い低屈折率層が配置された構成を備え、
前記高次導波モードの光強度分布のピークのうち少なくとも１つを、前記フォトニック結晶層と前記低屈折率層との間に位置させる。 （もっと読む）

【課題】入射光の利用効率を向上する光電変換装置を提供する。
【解決手段】光路部材２２０は、中心部分２２２と、中心部分２２２の屈折率よりも低い屈折率を有する周辺部分２２１と、を含んでおり、光電変換部１１０の受光面１１１に平行な第５平面１００５内、および受光面１１１に平行で第５平面１００５よりも受光面１１１に近い第６平面１００６内において、周辺部分２２１が中心部分２２２に連続して中心部分２２２を囲み、かつ、周辺部分２２１の屈折率が絶縁膜２００の屈折率よりも高く、第５平面１００５内における周辺部分２２１の厚みＴＨ２よりも、第６平面１００６内における周辺部分２２１の厚みＴＨ４が小さい。 （もっと読む）

【課題】 非透過波長帯域の迷光が多モード光干渉導波路の出力ポートから射出されることを抑制して、透過波長帯域の信号光に対する非透過波長帯域の迷光によるクロストークを改善することができる光フィルタを提供するものである。
【解決手段】 光フィルタ１００は、コア層１２を有する多モード光干渉導波路５と、多モード光干渉導波路５の導波方向に対して垂直なコア層１２における信号光が結像する結像点８ａを含む仮想面８のうち当該結像点８ａを除く非結像領域８ｂに、コア層１２の屈折率と異なる屈折率の媒質を介在させてなる迷光除去部７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】導波路コア層の幅のばらつきが光の伝播に及ぼす影響を抑制する。
【解決手段】光半導体素子１は、クラッド層２上に設けられた、導波路コア層３ａ、及びその両側のスラブ層３ｂを有する第１半導体層３を備える。光半導体素子１は、その導波路コア層３ａの側面、及びスラブ層３ｂの上面を被覆する絶縁層４を備え、更に、導波路コア層３ａの側方で、スラブ層３ｂの上方に、絶縁層４を介して設けられた第２半導体層５を備える。第２半導体層５と導波路コア層３ａとは、絶縁層４によって電気的に分離される一方、光学的には接続される。 （もっと読む）

【課題】光合分波器の小型化を実現する。
【解決手段】光合分波器は、スラブ１と、前記スラブ１に接続された入力導波路２と、前記スラブ１に接続された出力導波路３と、前記スラブ１の端面に形成された凹面回折格子４と、前記入力導波路２から前記凹面回折格子４に入射する光の主光線の軌跡１０１上に配置され、前記入力導波路２から入射する光を前記凹面回折格子４に反射する第１の反射面５と、前記凹面回折格子４から前記出力導波路３に進行する光の主光線の軌跡１０１上に配置され、前記凹面回折格子４から進行する光を前記出力導波路３に反射する第２の反射面６と、を備える。 （もっと読む）