【課題】モジュール全体を小型化するために最適化された、それぞれ複数の光導波路を有し、異なる熱膨張係数を有する導波路型光素子が突き合わせ接続された光部品において、温度変化による接続損失を抑制する。
【解決手段】ＰＬＣ等の第１の導波路型光素子４１０と、ＬＮ導波路等の第２の導波路型光素子４２０とが突き合わせ接続され、それぞれの導波路型光素子４１０，４２０とは異なる熱膨張係数を有する材料で形成されている。室温ではない基準温度において、より好ましくは、予め定めた温度範囲の中心温度付近において、第１の導波路型光素子４１０の複数の光導波路４１１、４１２と第２の導波路型光素子４２０の複数の光導波路４２１、４２２との調心を行い位置を一致させる。 （もっと読む）

【課題】マッハ・ツェンダ干渉計のアーム部の光路長差を短くして、光カプラの回路長を短くし、広い波長帯域で結合率の波長依存性の小さい導波型光カプラを提供する。
【解決手段】３つの方向性結合器とこれらを接続する２つのアーム部を有するマッハ・ツェンダ干渉計により導波型光カプラを構成する。光カプラの結合率の波長依存性が小さくなるように、結合率の計算式を与える各項を特徴付けて、方向性結合器の結合位相θ_１、θ_２、θ_３とアーム部の光路長差Ｓ_１２、Ｓ_２３に基本となる関係を与えて調整する。 （もっと読む）

【課題】 リブ型光導波路デバイス及びその製造方法に関し、光導波路における光閉じ込め効果を減少させることなく、単結晶コアの側面ラフネスを低減する。
【解決手段】 ＳｉＯ_２からなる下部クラッド層と、前記下部クラッド上に設けられたＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（但し、０≦ｘ≦０．３）からなる単結晶コアと、前記単結晶コアの側面に拡散防止膜を介して設けられた屈折率緩和層と、前記単結晶コアの上面と前記拡散防止膜及び屈折率緩和層の露出面を覆うＳｉＯ_２からなる下部クラッド層とを有する光導波路を備え、前記屈折率緩和層の屈折率を、前記単結晶コアの屈折率より小さく且つ前記上部クラッド層の屈折率より大きくする。 （もっと読む）

【課題】高精度かつ効率よく光導波路の位置を測定できる検査工程を備えた光電気複合基板及び光電気複合モジュールの製造方法、並びにそれにより得られる光電気複合基板及び光電気複合モジュールを提供すること。
【解決手段】下部クラッドが形成された基板の一方の面上に、コアパターンとともにダミーコアをパターニングする工程（Ａ）と、コアパターン及びダミーコアに反射ミラーを形成する工程（Ｂ）と、基板の他方の面上に、電極パターンとともに、反射ミラーによりダミーコアの反射光が投影される投影領域の近傍に遮光パターンをパターニングする工程（Ｃ）と、遮光されずに通過したダミーコアの反射光の輝度総量に基づき、コアパターンと電極パターンとの位置ずれ量を測定する工程（Ｄ）とを含むことを特徴とする光電気複合基板の製造方法、及び該製造方法による光電気複合モジュールの製造方法、並びに該製造方法により製造される光電気複合基板及び光電気複合モジュール。 （もっと読む）

【課題】コアパターン層の平坦性に優れ、光伝搬損失を低損失化すると共に、光伝搬損失のばらつきが少ない光導波路を有する光電気複合基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１下部クラッド層、そこに埋め込まれた配線パターン、コアパターン及び上部クラッド層を有する光電気複合基板の製造方法であって、（Ａ）支持体上に第１下部クラッド層を形成し、パターニングする工程と、（Ｂ）第１下部クラッド層のパターン形状の開口部に配線パターンを形成する工程と、（Ｃ）第１下部クラッド層上にコアパターンを形成する工程と、（Ｄ）コアパターンを覆うように上部クラッド層を形成する工程と、（Ｅ）支持体を除去して配線パターンを露出させる工程とを有する光電気複合基板の製造方法、並びに該方法によって製造された光電気複合基板。 （もっと読む）

【課題】 導波路型光保護素子及び導波路型光保護回路に関し、導波路自体の屈折率変化の光強度依存性を用いることなく、簡単且つ小型の構成で高感度な光保護機能を実現する。
【解決手段】 入力導波路と、相変化材料膜が積層された導波路と、出力導波路とを直列に接続し、前記相変化材料膜の一部が結晶相とし、残りをアモルファス相とする。 （もっと読む）

【課題】メサ部上の樹脂領域の開口が狭い場合であっても、ＡｕＺｎ膜を含む金属膜をメサ部上に容易に形成することが可能な半導体光変調素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】メサ部３２を保護膜２２によって覆う第１の絶縁膜形成工程と、メサ部３２を樹脂領域２０によって埋め込むとともに、メサ部３２上の該樹脂領域２０の部分に開口２０ｃを形成する工程と、開口２０ｃにおいて露出した保護膜２２、及び樹脂領域２０を保護膜２４によって覆う第２の絶縁膜形成工程と、メサ部３２上の保護膜２２，２４の部分に開口を形成する工程と、Ｔｉ膜を含む金属膜２６ａを、該Ｔｉ膜と保護膜２４とが互いに接触するように開口２０ｃ内を除く樹脂領域２０上に形成する工程と、Ａｕ膜を含む金属膜２６ｂを、該Ａｕ膜とメサ部３２とが互いに接触するようにメサ部３２上から金属膜２６ａ上に亘って形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ギャップ部を有する光導波路を、低損失で外部の光伝送体（光ファイバ等）に接続することができる光導波路素子を提供する。
【解決手段】光を導波する高屈折率領域６と、高屈折率領域６より屈折率が低いギャップ部５とを有するコア部４を備えた光導波路素子１０。ギャップ部５は、光の導波方向に沿って形成され、高屈折率領域６を幅方向に２つの部分領域６ａ、６ｂに分離する。コア部４は、導波方向の先端１２ａに向かって部分領域６ａ、６ｂの幅が狭くなる主テーパ部１２を有する。 （もっと読む）

【課題】ＶＣＳＥＬ等の発光素子の個数が少なくても大きな伝送容量を確保することができるとともに、装置の小型化が容易な光インターコネクション用光送信器を提供する。
【解決手段】光送信器は、波長多重連続光が入力される光導波路１１７と、光導波路１１７の長さ方向に沿って配置され、外部から供給される電気信号に応じて光導波路１１７を通る光に対し、入力ポートからスルーポートへの透過率を変化させて変調を行う複数の変調器１２１と、複数の変調器１２１により変調された光を出力する光信号出力部１１３とを有する。複数の変調器１２１は、変調可能な光の波長がそれぞれ異なる。 （もっと読む）

【課題】少なくともクラット層と該クラット層状にコア層とを積層した光導波路を切削して溝を形成する際に、光導波路の縁に発生するバリを低減し得る、溝付き光導波路の製造方法、及びその製造方法により得られる溝付き光導波路、並びにその溝付き光導波路を備える光電気複合基板を提供すること。
【解決手段】コア層とクラッド層との境界面又は該境界面よりもコア層側の位置まで前記円形回転ブレードの切削刃先端を下ろし、コア層側からコア層を切削する第１の工程と、前記境界面からクラッド層側へ７〜１８μｍ下げた位置まで、前記円形回転ブレードの切削刃先端を下ろし、コア層側からコア層及びクラッド層を切削する第２の工程と、からなる溝付き光導波路の製造方法。 （もっと読む）

【課題】光信号を適切に遮断する。
【解決手段】光送信器は、入力された光を変調することで光信号を出力し、且つ印加されるバイアス電圧に依存して光吸収の程度が変化する光吸収特性であって、第１の特性領域及び第１の特性領域よりも光吸収の程度が大きくなる第２の特性領域を含む光吸収特性を有するマッハツェンダ型光変調器と、マッハツェンダ型光変調器からの光信号の出力を所望量以下に遮断する場合に、第２の特性領域に対応する遮断バイアス電圧をマッハツェンダ型光変調器に形成された２つの干渉用光導波路の夫々に備えられた電極に印加することにより、発生する電界を前記干渉用光導波路に与える印加部とを備える。 （もっと読む）

【課題】加工ばらつきを低減できるようにし、加工ばらつきに起因する過剰損失の値のばらつきを小さくして、歩留まりの向上を図る。
【解決手段】基板２０上に３本以上の光導波路が形成され、それら光導波路は端部が集合連結されて光回路の分岐部もしくは交叉部が構成されている光導波路素子において、光導波路コアの端部が集合連結している連結部２４の光導波路コア厚を、連結部２４以外の光導波路コア厚より薄くし、各光導波路のコア厚を連結部２４において最小となるように各光導波路に沿って連続的に変化させる。連結部２４を薄くした分、シングルモードを保つ最大幅は広くなり、よって連結部２４の光導波路コア幅を従来に比し、広くすることができ、加工が容易となる。 （もっと読む）

【課題】安価で容易に作製可能な光カプラを実現すること。
【解決手段】光カプラ１は、石英基板１０と、石英基板１０の両面にそれぞれ形成されたＡｇからなる金属膜１１、１２と、を有している。金属膜１１は、石英基板１０の一方の表面１０ａに形成され、金属膜１２は、石英基板１０の他方の表面１０ｂの全面に形成されている。金属膜１１には、その金属膜１１を貫通する孔１３が複数形成されている。孔１３の石英基板１０の主面に平行な面での断面は円形である。孔１３の直径は、１５０ｎｍである。孔１３は正方格子状に配列されており、その孔１３の間隔は５００ｎｍである。この光カプラ１では、石英基板１０内の入射光１４の一部を、入射光１４の伝搬方向に対して１１１°の方向に分岐光１５として放射させることができる。 （もっと読む）

【課題】複数の出力導波路と多芯の光ファイバとの間の接続に起因する製造コスト及び損失の増大を抑制した導波路型の光スイッチを提供すること。
【解決手段】従来はＩｎＰ導波路で形成されていた出力側スラブ導波路の一部４４と、同様にＩｎＰ導波路で形成されていた複数の出力導波路４５を、ＰＬＣ導波路で形成している。したがって、入力導波路１１、入力側スラブ導波路１２、アレイ導波路１３、そして、出力側スラブ導波路の一部１４がＩｎＰ導波路により順次接続されて形成されている。ＩｎＰ導波路チップ１０と、ＰＬＣ導波路チップ４０とは、分割されたスラブ導波路の端面において接続されている。複数の出力導波路４５には、既に実用化された技術により多芯の光ファイバ６１が一括接続されている。このように、光スイッチの構成を異種の導波路で得意とする機能を持ち寄って構成することにより、光スイッチ全体での特性を向上させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】検出感度を高めたリング共振型の微小物質検出センサおよびそれを有する微小物質検出装置を提供する。
【解決手段】リング状の第１の導波路からなる光リング共振器と、光リング共振器と近接して配置された第２の導波路とを含む。第１の導波路は、方形状の断面形状を有するコアを含む。光リング共振器は、コアの断面における特定の辺に対応する表面部分で被検出物質と接触するように構成されている。コアの断面形状は、コアから被検出物質へ向かう方向と平行な方向の第１の長さが、コアから被検出物質へ向かう方向と垂直な方向の第２の長さと比較して、より短くなるように構成される。 （もっと読む）

【課題】任意の偏波方向の光入力信号に対するサンプリングを可能とするとともに、光ファイバや光導波路素子との結合効率が良好な光ゲート素子を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、下部クラッド層、活性層１３、および、上部クラッド層が順次積層された導波路構造を備え、該導波路構造は、ハイメサ導波路構造Ｉと、光入射端面１０ａおよび光出射端面１０ｂのうちの少なくとも一方の端面とハイメサ導波路構造Ｉとの間に形成され、ハイメサ導波路構造Ｉと光の導波方向に連続する埋込み導波路構造ＩＩ_a、ＩＩ_bと、を含み、埋込み導波路構造ＩＩ_a、ＩＩ_bは、活性層１３の光の導波方向に直交する幅が、前記少なくとも一方の端面に向かって狭くなる幅減少領域を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】検出感度を高めたリング共振型の微小物質検出センサおよびそれを有する微小物質検出装置を提供する。
【解決手段】微小物質検出センサは、リング状の第１の導波路を有する、光リング共振器と、光リング共振器と近接して配置された第２の導波路とを含む。光リング共振器は、第１の導波路の断面における特定の辺に対応する表面部分で被検出物質と接触するように構成されている。光リング共振器は、コアと、コアに隣接し、かつ、第１の導波路の断面において被検出物質が接触する表面部分に対応する辺とは異なる辺を構成するクラッドと、コアに隣接し、かつ、第１の導波路の断面において被検出物質が接触する表面部分に対応する辺を構成するとともに、その値がクラッドの屈折率より高く、かつ、コアの屈折率より低い屈折率を有する低屈折率層とを含む。 （もっと読む）

【課題】
駆動電圧のより一層の低減が可能な光導波路素子を提供すること。また、駆動電圧の低減により、光導波路素子の小型化や利用する駆動装置の低コスト化を図ること。
【解決手段】
厚みが１０μｍ以下の電気光学効果を有する薄板１と、該薄板に少なくとも一つのリッジ型光導波路が形成された光導波路素子において、該薄板の該リッジ型光導波路が形成された面の反対面上であって、該リッジ型光導波路の下部に該当する部分に、該薄板より屈折率の高い高屈折率膜１０を配置し、該高屈折率膜の幅が、該リッジ型光導波路の幅と同じか、又は当該幅より狭く構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】逆メサ方向で直線状に形成された直線導波路部と、逆メサ方向に対して傾く方向に形成された傾斜導波路部とを具備する光半導体装置であって、埋め込み導波路作製時の異常成長を抑制し、装置自体を小型化して伝搬損失を低減できる光半導体装置を提供することにある。
【解決手段】半導体レーザ１１が、活性層１０２を具備するものであり、導波路部１２が、活性層１０２と同じ高さで形成され、光を導波する導波路層１１５を具有するものであり、半導体レーザ１１がメサ構造で形成され、導波路部１２がメサ構造で形成されると共に、導波路部１２のメサ構造が半導体レーザ１１のメサ構造よりも低く形成され、半導体レーザ１２のメサ構造の側部に半導体層１２２が積層される一方、導波路部１２のメサ構造が半導体層１２２で埋め込まれるようにした。 （もっと読む）

【課題】形態操作による半導体光路の修正を提供する。
【解決手段】光デバイスは、基板と、基板の上に位置付けされた半導体層とを含む。光路は、導波路コア領域をさらに含む半導体層を含む。コア領域は、第１の型の形態および第１の屈折率を有する第１の半導体領域を含む。第１の半導体領域は、第２の型の形態と、第１の屈折率とは異なった第２の屈折率とを有する第２の半導体領域に隣接して位置付けされている。 （もっと読む）