【課題】本発明は、光損失および駆動電圧を低減でき、かつ半導体レーザとの集積が容易な光変調器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の光変調器は、光を変調する変調領域と、該変調領域に隣接したパッシブ領域とを有し、該変調領域および該パッシブ領域には、半導体基板と、該半導体基板上のｎ型クラッド層と、該ｎ型クラッド層上のコア層と、該コア層上のｐ型クラッド層と、が形成され、該変調領域には、該ｐ型クラッド層と、該ｐ型クラッド層上のコンタクト層と、該コンタクト層上のＰ側電極と、が形成され、 該パッシブ領域において、該コア層と該ｐ型クラッド層との間にノンドープクラッド層が形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 素子特性の劣化を抑制可能な半導体光素子を提供する。
【解決手段】 マッハツェンダー型光変調素子１Ａは、光導波路１０，２０、入射側分波器３０及び出射側合波器４０を備える。光導波路１０、光導波路２０、入射側分波器３０及び出射側合波器４０の各々は、ｎ型半導体基板２上に順に積層された下部クラッド層、コア層、中間半導体層及び上部クラッド層を有する。光導波路１０の光導波領域１１，１３、光導波路２０の光導波領域２１，２３、入射側分波器３０及び出射側合波器４０の各上部クラッド層は、半絶縁半導体からなる。 （もっと読む）

【課題】小さな寸法を有し、且つ光学性能に優れた光ハイブリッド回路を提供する。
【解決手段】光ハイブリッド回路１０は、２つの入力チャネル１１ａ、１１ｂと、４つの出力チャネル１２と、一方の端部１４に２つの入力チャネル１１ａ、１１ｂが接続され、他方の端部１５に４つの出力チャネル１２が接続される多モード干渉カプラ１３と、を備える。多モード干渉カプラ１３の幅は、対向する一対の側部１３ｅによって規定される。また、多モード干渉カプラ１３の幅は、一方の端部１４から他方の端部１５に向かって漸増している。多モード干渉カプラ１３における一対の側部１３ｅそれぞれの形状は直線である。２つの入力チャネル１１ａ、１１ｂは、一方の端部１４において、幅方向の中心軸ＣＬに対して非対称に接続される。 （もっと読む）

【課題】結合損失が低いとともに値のばらつきが少なく、かつ結晶品質が良好な半導体光導波路素子および半導体光導波路アレイ素子、ならびにその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に形成された埋込型の半導体光導波路素子であって、第１端部から第２端部に向かって幅と厚さとがテーパー状に減少するコア層を有するテーパー導波路を備え、前記コア層は、前記第１端部における層厚と前記第２端部における層厚との層厚比が１．５〜２．５であり、前記第２端部における幅が０．５μｍ以上１．０μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】小さな寸法を有し、且つ光学性能に優れた光ハイブリッド回路を提供する。
【解決手段】光ハイブリッド回路１０は、４つの入力チャネル１１と、４つの出力チャネル１２と、一方の端部に４つの入力チャネル１１が接続され、他方の端部に４つの出力チャネル１２が接続される多モード干渉カプラ１３と、を備える。多モード干渉カプラ１３は、一方の端部から他方の端部に向かって光を伝搬する。多モード干渉カプラ１３は、一方の端部１４から他方の端部１５側に向かって幅が漸減する第１部分１３ａと、この第１部分１３ａと接続され接続部分の幅を保持したまま一方の端部１４側から他方の端部１５側に向かって延びる第２部分１３ｂと、この第２部分１３ｂと接続され一方の端部１４側から他方の端部１５に向かって幅が漸増する第３部分１３ｃと、を有する。 （もっと読む）

【課題】２ＤＰＣ光共振器を用いた光源装置に関して、高い光取り出し効率を有するとともに集積化に適し、光出力の偏波方向を所望の方向に制御することが可能な、光源装置を提供すること。
【解決手段】デバイス基板と、該デバイス基板上にウエハ接合用接着材料を介して形成された、コアに発光体が導入された２次元フォトニック結晶光共振器、水素化アモルファスシリコン光導波路及び該水素化アモルファスシリコン光導波路を伝搬する光を反射するための反射ミラーとを含む光源装置であって、該２次元フォトニック結晶光共振器が、少なくとも１つの鏡映面を有し、該水素化アモルファスシリコン光導波路が、２次元フォトニック結晶光共振器近傍において、少なくとも１つの鏡映面を有するとともに、２次元フォトニック結晶光共振器、水素化アモルファスシリコン光導波路が、互いの鏡映面が重なり合うように配置されていることを特徴とする光源装置。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＣと他の導波路型光素子とが付き合わせ接続されて構成された光素子チップをパッケージに収納する光モジュールにおいて、熱応力による光学的・機械的信頼性の低下を抑制すること。
【解決手段】光モジュール３００は、ＧａＮ系光変調器３１１の両端に第１及び第２のＰＬＣ３１２、３１３が突き合わせ接続された光素子チップ３１０と、ＧａＮ系光変調器３１１が固定された凸部３２０Ａを有するパッケージ３２０とを備える。パッケージ３２０の材料を、熱膨張係数がＧａＮ系光変調器とＰＬＣの両方に合うように選択することが可能であり、そのような場合、ＧａＮ系光変調器３１１に加えて、第１及び第２のＰＬＣ３１２、３１３もパッケージ３２０の凸部３２０Ａに固定することができる。たとえば、パッケージ３２０の材料として、熱膨張係数が５．３×１０^-6／Ｋ程度のコバールを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ＭＺ光変調器を備えた光伝送装置であって、消光比が高く、かつ、チャープが少ない形で光を変調できる光伝送装置を提供する。
【解決手段】光伝送装置は、一方のアーム１１_１に、その光吸収係数が他の部分に比べて大きな、出力光の強度が最小となる電圧を各電極１５に印加した場合におけるアーム１１_１の伝搬損失とアーム１１_２の伝搬損失とが一致するように、その形状が定められた損失調整部１４が設けられている半導体ＭＺ光変調器１０と、半導体ＭＺ光変調器１０の各電極１５に、同時刻における時間変化率の正負が逆の，振幅が等しい変調電圧を印加する駆動回路１８とを、備える。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高品質なｎ−ｉ−ｎ構造の光変調器を提供すること。
【解決手段】光変調器３００は、サファイア基板３０１上に、低温成長ＧａＮバッファ層３０２、第１のｎ−ＧａＮ電極層３０３、第１のｉ−Ａｌ_xＧａ_1-xＮクラッド層３０４、ｉ−ＧａＮ光導波層３０５、第２のｉ−Ａｌ_x'Ｇａ_1-x'Ｎクラッド層３０６、ｉ−Ａｌ_x''Ｇａ_1-x''Ｎ電子ブロック層３０７、第２のｎ−ＧａＮ電極層３０８が順次積層されている。エッチングプロセスにより第１のｎ−ＧａＮ電極層３０３に至るまでエッチングを行い、ハイメサ導波路構造の光導波路３２０を作製している。光導波路３２０は、コア層である光導波層３０５を、屈折率の小さい第１のクラッド層３０４及び第２のクラッド層３０６で挟んで光閉じ込めを行うＡｌＧａＮ／ＧａＮ／ＡｌＧａＮ光導波路であり、当該光導波路に印加される電圧により光の位相変調が実現される。 （もっと読む）

導波路を備える半導体構造であって、前記半導体構造は、複数の層を有し、少なくとも１つは部分的に横方向に酸化し、前記横方向の酸化物質は、前記構造内で導波路を形成するために前記構造とともに前記横方向の有効屈折率を変更し、前記構造は量子ドットをさらに有し、前記量子ドットは、前記導波路内に複数の光子を放出し、前記導波路は単一量子ドットからの出力を導く。 （もっと読む）

【課題】光回路のパターン形状の設計の自由度が広く、寸法精度の高い光路を簡単な方法で形成することができ、耐久性に優れる光導波路を備えた光導波路構造体を提供すること。
【解決手段】光導波路構造体１は、凸部２１および凹部２２が形成された基板２と、基板２の上面に形成された金属層５と、凹部２２内に形成され、コア層９３の両面にクラッド層９１、９２を積層してなる光導波路９と、凸部２１の外周の傾斜面に形成され、伝送光１８を反射する反射面９６１と、基板３と、発光素子１０と、受光素子１１と、電子回路素子１２とを備えている。コア層９３は、コア部９４とクラッド部９５とを有し、コア部９４は、活性放射線の照射と加熱とにより屈折率が変化する材料で構成されたコア層９３に対し活性放射線を選択的に照射して所望形状に形成したものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来技術による光パルスシンセサイザが離散的な透過スペクトルを有する、ある周波数間隔のモードを独立に制御することは可能であるものの、連続したスペクトルを制御することはできないという問題点を解決する導波路型分散補償回路を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の導波路型分散補償回路は、第１のアレイ導波路回折格子と、第２のアレイ導波路回折格子と、上記２つのアレイ導波路回折格子を結合する位相制御導波路アレイとを備える導波路型分散補償回路において、上記位相制御導波路アレイの導波路本数が、第１及び第２のアレイ導波路回折格子のアレイの導波路本数の２倍以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】波長特性が広帯域で可変である波長可変光フィルタ、および広帯域でレーザ光の波長が可変である波長可変レーザを提供すること。
【解決手段】コア部を有するマルチモード干渉型導波路部と、前記マルチモード干渉型導波路部の長さ方向の一端に設けられた第１光入出力部と、前記マルチモード干渉型導波路部の他の一端に設けられた第２光入出力部とを有し、前記マルチモード干渉型導波路部は前記第１光入出力部から入力し第２光入出力部から出力する光に対して損失波長特性を有する光フィルタ部と、前記マルチモード干渉型導波路部のコア部の側部に設けられた、該コア部よりも屈折率または等価屈折率が低い側部クラッド部と、前記側部クラッド部の屈折率または等価屈折率を変化させる屈折率調整機構と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光の反射を利用して基板に対して水平な方向のみならず垂直な方向を含む三次元の光伝送が可能な、新規かつ改良された光導波路を提供する。
【解決手段】光導波路２００は、基板１０上に形成される。光導波路２００は、基板１０に対して水平方向に光路が形成された第１の光導波路と、第１の光導波路と連通し、基板１０に対して斜め方向に光路が形成された第２の光導波路と、第２の光導波路と連通し、第１の光導波路と段違いであって基板１０に対して水平方向に光路が形成された第３の光導波路と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電気通信システムなどで使用される光送信及び受信装置を提供する。
【解決手段】１つ又はそれよりも多くのレーザ４と、この１つ又はそれよりも多くのレーザ４の各々によって出力された放射線を強度変調する変調手段１０と、変調手段によって生成された変調放射線を例えば光ファイバ２２の中に出力するための出力手段とを含む送信装置２。装置は、使用時に１つ又はそれよりも多くのレーザ４から変調手段１０まで及び変調手段１０から出力手段まで放射線を案内する基板に形成された中空コア光導波路２０を含む。また、基板に形成された少なくとも１つの中空コア光導波路により、放射線が１つ又はそれよりも多くの光ファイバから１つ又はそれよりも多くの検出器まで案内されることを特徴とする受信器。組合せ受信器／送信器装置も示される。 （もっと読む）

【課題】小型で低損失な光導波路を含むリッジ光導波路を提供する。
【解決手段】基板上に形成された光導波路にして、前記光導波路の少なくとも一部に所定の曲率半径で変形した曲がり部を有し、前記曲がり部の両側に前記基板の一部が掘り下げられて形成された所定深さの溝部を有するリッジ光導波路であって、前記曲がり部の曲率の外側の一部には、前記溝部が形成され、前記曲がり部の曲率の外側において前記溝部が実質的に形成されている領域と前記溝部が実質的に形成されていない領域とを成しており、前記曲がり部の曲率の外側において前記溝部が実質的に形成されていない領域における前記曲がり部の曲率半径が、前記曲がり部の曲率の外側において前記溝部が形成されている領域における前記曲がり部の曲率半径よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】 負のグース−ヘンシェンシフトを利用して光速度を遅延させる光素子を提供する。
【解決手段】 入射された光をガイドして出射する光導波路と、光導波路の一側に形成されている第１反射層と、光導波路の他側に形成されている第２反射層と、を備え、第１反射層及び第２反射層のうち少なくとも一つは、負のグース−ヘンシェンシフト特性を表す物質からなる光素子。 （もっと読む）

【課題】
モニタ光としてエバネセント波を利用する光導波路デバイス及びその製造方法において、汚染物質の除去が容易であり、あるいは、再汚染を抑制することが可能な光導波路デバイス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】
焦電性又は圧電性を有する材料で構成された基板１と、該基板の一部形成された光導波路２とを有する光導波路デバイスにおいて、該光導波路を跨ぐように配置される受光素子３と、該受光素子と該光導波路との距離を調整するために、該基板上に形成された台座４とを備え、該台座は、膜体で構成され、少なくとも該受光素子に面した表面材料が、光触媒物質、導電性物質又は半導体物質のいずれかで形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

シリコーン組成物は、（Ａ）式：（Ｒ^１Ｒ^２_２ＳｉＯ_１／２）_ｖ（Ｒ^２_２ＳｉＯ_２／２）_ｗ（Ｒ^２ＳｉＯ_３／２）_ｘ（Ｒ^３ＳｉＯ_３／２）_ｙ（ＳｉＯ_４／２）_ｚ［式中、オルガノポリシロキサン樹脂が、ケイ素が結合したエポキシ置換有機基を１分子当たり平均少なくとも２つ有するという条件で、Ｒ^１はＣ_１〜Ｃ_１０ヒドロカルビルであり、Ｒ^２はＲ^１又はエポキシ置換有機基であり、Ｒ^３はＣ_４〜Ｃ_８アルキルであり、ｖは０〜０．３であり、ｗは０〜０．５であり、ｘは０〜０．９であり、ｙは０．１〜０．８であり、ｚは０〜０．５であり、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１である］を有するオルガノポリシロキサン樹脂と、（Ｂ）有機溶媒と、（Ｃ）光開始剤とを含む。シリコーン組成物を含んだ１以上の層を有する平面光導波路組立品、及び、平面光導波路組立品の製造方法が提供される。 （もっと読む）