【課題】データ処理装置などの機器間又は機器内において、チップ間やボード間で送受信される高速光信号を伝送する際に、安価な作製手段で伝送速度高速化、小型・集積化、および部品実装性に優れるＳｉ集積の光モジュールおよび光電気混載ボードを提供する。
【解決手段】Ｓｉ同一基板１００上に、レーザ光源素子１０１と、Ｓｉ基板１００に直接設けられたＳｉ導波路１０２とを具備し、Ｓｉ導波路１０２が基板水平方向に形成され、Ｓｉ導波路光出射端からの光軸延長線上に、基板平行に対して傾斜角を有する第１のテーパ面１０６と、それと対向する位置に基板平行に対して傾斜角を有する第２のテーパ面１０７がそれぞれ表面に露呈した光路変換部１０６を設け、基板外部との間でやりとりされる光信号が、光路変換部１０４およびＳｉ基板１００内部を介して基板垂直方向に光学的に接続される光モジュールとする。 （もっと読む）

【課題】伝送効率および受発光素子等に対する光結合効率が高く、信頼性の高い光導波路、およびかかる光導波路を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】光導波路１は、その光入射端部１Ａ近傍が、横断面上に線を引いたときその線上における屈折率分布がステップインデックス型になっているＳＩ部で構成され、光入射端部１Ａ近傍以外の部位は、屈折率分布がグレーデッドインデックス型になっているＧＩ部で構成されている。なお、ステップインデックス型の屈折率分布とは、屈折率が階段状に変化した分布を指し、グレーデッドインデックス型の屈折率分布とは、屈折率が高い領域とその両側にそれぞれ隣接する屈折率が低い領域とを有し、かつ屈折率が連続的に変化している分布を指す。 （もっと読む）

【課題】光の挿入損失について改善された光デバイスを提供する。
【解決手段】基板と、基板に形成された光を導波するための光導波路と、光導波路の両側に基板の一部が掘り下げられて形成された所定深さの凹部が形成されてリッジ部を成す光デバイスにおいて、凹部の所定深さが、当該凹部の端に向かって徐々に浅くなって形成され、光が当該凹部の端の方向に導波するにしたがって導波する光のスポットサイズが徐々に大きくなる。これにより、リッジ部と当該リッジ部と連続して形成されるプレーナ部との境界部における光の結合損失を低減する。 （もっと読む）

【課題】グレーテッドインデックス型またはそれに類似した屈折率分布を有する光導波路を効率よく低コストで製造可能な光導波路の製造方法、伝送損失が小さく信頼性の高い光導波路、およびかかる光導波路を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】ポリマー９１５を含有する層９１０を形成する第１の工程と、層９１０に活性放射線のビーム９３０を照射し、ポリマー９１５中の化学構造の一部を変化させ、屈折率を低下させることにより、層９１０中に屈折率分布を形成する第２の工程と、を有する。ここで、第２の工程において、ビーム９３０の焦点を層９１０の厚さ方向に沿って往復移動させつつ、かつ、ビーム９３０を層９１０の面方向に沿って相対的に移動（面内移動）させつつ、ビーム９３０を照射する。これにより、焦点近傍とそれ以外の領域での積算光量の差に基づき、グレーテッドインデックス型の屈折率分布が形成される。 （もっと読む）

【課題】伝送損失およびパルス信号の鈍りが小さく、信頼性の高い光導波路、およびかかる光導波路を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】光導波路１は、コア層１３を有する。コア層１３は、少なくとも２つのクラッド部１５と、２つのクラッド部１５に隣接して設けられ、クラッド部１５の平均屈折率より平均屈折率が高く、かつ屈折率が中心部からクラッド部１５に向かって低くなっており、光を伝送するコア部１４とを備え、（メタ）アクリル系ポリマーと、この（メタ）アクリル系ポリマーと屈折率が異なるモノマーとを含む層に対して活性放射線を照射して、照射領域内において、モノマーの反応を進行させることにより、未照射領域から、未反応のモノマーを照射領域に拡散させ、結果として、照射領域と未照射領域との間に屈折率差を生じさせることにより、照射領域および未照射領域のいずれか一方をコア部１４とし他方をクラッド部１５としてなる。 （もっと読む）

【課題】伝送損失およびパルス信号の鈍りが小さく、信頼性の高い光導波路、およびかかる光導波路を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】光導波路１は、コア層１３を有する。コア層１３は、少なくとも２つのクラッド部１５と、２つのクラッド部１５に隣接して設けられ、クラッド部１５の平均屈折率より平均屈折率が高く、かつ屈折率が中心部からクラッド部１５に向かって低くなっており、光を伝送するコア部１４とを備え、シリコーン系ポリマーと、このシリコーン系ポリマーと屈折率が異なるモノマーとを含む層に対して活性放射線を照射して、照射領域内において、モノマーの反応を進行させることにより、未照射領域から、未反応のモノマーを照射領域に拡散させ、結果として、照射領域と未照射領域との間に屈折率差を生じさせることにより、照射領域および未照射領域のいずれか一方をコア部１４とし、他方をクラッド部１５としてなる。 （もっと読む）

【課題】光変調特性が高性能であるとともに、光の挿入損失について改善された光変調器を提供する。
【解決手段】光導波路と、高周波電気信号を印加するための進行波電極と、光にバイアス電圧を印加するためのバイアス電極と、進行波電極に高周波電気信号を印加することにより光の位相を変調するための高周波電気信号用相互作用部と、バイアス電極にバイアス電圧を印加することにより光の位相を調整するためのバイアス用相互作用部とを具備し、高周波電気信号用相互作用部とバイアス用相互作用部の両方にリッジ部を具備する光変調器において、バイアス用相互作用部に形成されたリッジ部の頂面における相互作用光導波路の端から当該頂面の端までの距離が、高周波電気信号用相互作用部に形成されたリッジ部の頂面における相互作用光導波路の端から当該頂面の端までの距離よりも大きく形成され、バイアス用相互作用部における光の伝搬損失を低減する。 （もっと読む）

【課題】伝送損失およびパルス信号の鈍りが小さく、信頼性の高い光導波路、およびかかる光導波路を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】光導波路１はコア層１３とその各面に設けられたクラッド層１１、１２とを有しており、コア層１３には、並列する２つのコア部１４１、１４２と、並列する３つの側面クラッド部１５１、１５２、１５３とが交互に設けられている。コア層１３は、４つの極小値Ｗｓ１、Ｗｓ２、Ｗｓ３、Ｗｓ４と、５つの極大値Ｗｍ１、Ｗｍ２、Ｗｍ３、Ｗｍ４、Ｗｍ５と、を含む屈折率分布Ｗを有しており、極小値Ｗｓ１と極小値Ｗｓ２との間および極小値Ｗｓ３と極小値Ｗｓ４との間がコア部１４１およびコア部１４２となる。なお、各極小値は、側面クラッド部における平均屈折率ＷＡ未満であり、かつ、屈折率分布Ｗ全体で屈折率が連続的に変化している。 （もっと読む）

【課題】
光素子の駆動回路または増幅回路ＬＳＩと光素子との電気配線を薄膜配線層により短距
離で接続することで、チャネル当たりの伝送速度を高くしかつ消費電力の増大を防ぐ。また、伝送装置への接続方式がコネクタ等簡便であり、ＬＳＩの実装も従来技術によるものであるため、組立が容易でかつ高信頼が実現できる。すなわち、本発明によれば、性能、量産性ともに優れた光電気複合配線モジュールを提供する。
【解決手段】
光素子２ａ、２ｂを、回路基板１に形成された光導波路１１と光結合できるように、回路基板上１に配置し、光素子の上層に電気配線層３を光素子の電極と電気配線層３の配線が電気的に接続されるように積層し、光素子が応力や水分から保護されるよう光素子周辺部を樹脂で封止し、電気配線層３上にＬＳＩを実装して電気的に接続した構造とすることを特徴とする光電気複合配線モジュール。 （もっと読む）

【課題】高速、大容量通信を実現する光電変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】トランシーバモジュール１は、光通信路１７が結合される複数の光コネクタ２ａ、２ｂと、バックプレーンへ結合される電気コネクタ３と、光コネクタ２ａ、２ｂで受信した光信号を電気コネクタ３へ送信する電気信号へ変換し、電気コネクタ３で受信した電気信号を光コネクタ２ａ、２ｂへ送信する光信号へ変換する受発光素子９、１０、１１、１２が搭載された回路基板６と、光コネクタ２ａ、２ｂと受発光素子９、１０、１１、１２とを光学的に結合する導波路を有する導波路アレイ７、８とを備える。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコン光導波路の高い非線形を用いた超高速全光型信号処理デバイスを提供する。
【解決手段】入力ポート１に波長がλ１の信号光が入力され、入力ポート２に波長がλ２の制御光が入力される。上記入力信号光は、３ｄＢカプラ５によってマッハツェンダー干渉計の上部導波路と下部導波路に分配される。下部導波路に分配された入力信号光はそのまま伝搬するのに対し、上部導波路を伝搬する入力信号光は、上記制御光によって相互位相変調を受けながら伝搬する。これによって、上記信号光は、上記制御光の光パワーに依存した非線形位相シフトを受ける。 （もっと読む）

【課題】 小型で、正確にプッシュプル駆動し、低損失な半導体マッハツェンダ型光変調器を提供する。
【解決手段】
分波器１１ａと、合波器１１ｂと、半導体光導波路１３および１４と、信号電極１５と、正バイアス電極１７と、負バイアス電極１８とを有し、
分波器１１ａと合波器１１ｂとは、２本の半導体光導波路１３および１４により連結され、
信号電極１５は、２本の半導体光導波路１３および１４の上部に接続され、かつ、２本の半導体光導波路１３および１４の上部に共通の高周波信号を入力可能であり、
正バイアス電極１７は、半導体光導波路１３の下部に接続され、負バイアス電極１８は、他方の半導体光導波路１４の下部に接続されていることを特徴とする半導体マッハツェンダ型光変調器。 （もっと読む）

【課題】高温での動作に適し、高出力であるとともに波長に対する出力強度の偏差の増大が抑制された集積型半導体レーザ素子、半導体レーザモジュール、光伝送システムを提供すること。
【解決手段】互いに異なる発振波長で単一モード発振する複数の半導体レーザからの出力光を合流させる光合流器と光合流器からの出力光を増幅する半導体光増幅器とを集積し、複数の半導体レーザの各活性層の少なくとも一つと半導体光増幅器の活性層とは、同一厚さと、複数の半導体レーザの発振波長が形成する波長帯域の中央近傍に利得ピーク波長を有するように設定された同一の組成とを有し、半導体光増幅器は、光合流器側に出力光を単一モードで導波する等幅部と、光出力側に等幅部の幅よりも幅広の拡幅部とを有し、動作状態における利得ピーク波長が組成設定による半導体レーザの利得ピーク波長と略一致するように、活性層の各井戸層の厚さ合計に応じて拡幅部幅を設定している。 （もっと読む）

【課題】
性能、量産性ともに優れた光電気複合配線モジュールおよびこれを用いた伝送装置を提供する。
【解決手段】
光素子２ａ、２ｂを、回路基板１に形成された光導波路１１と光結合できるように、回路基板上１に配置し、光素子の側面または／およびその上部に形成されたバンプの側面にフィレット状に樹脂を形成し、その上層から樹脂フィルムを圧着して絶縁層３１を形成し、電気配線層３を光素子２の電極と電気配線層３の配線が電気的に接続されるように積層し、さらにその上に半導体素子４を実装した構造とすることで、チャネル当たりの伝送速度を高しかつ消費電力の増大を防ぐ。また、水分の影響で光素子の劣化を起こさない構造とし、高い信頼性を実現する。さらに、伝送装置への接続方式が簡便で高い生産性を生み出す。 （もっと読む）

【課題】リブ型シリコン細線導波路を利用した可変光減衰器において、無駄な電力を必要とせずに低消費電力で高速動作ができるようにする。
【解決手段】電極１４１および電極１５１に挟まれた領域のコア１０３の上面に、この領域のコア１０３を酸化することで形成した酸化シリコン層１０７を備える。例えば、よく知られた熱酸化法、もしくはプラズマ酸化法により、酸化シリコン層１０７が形成できる。酸化シリコン層１０７は、層厚５ｎｍ程度であればよい。酸化シリコン層１０７を備えることで、電圧印加において、不要な電流の流れが防止でき、低消費電力化を図ることができるようになる。 （もっと読む）

【課題】カップリング損失および伝達損失が、従来の光デバイスと比較して低い光デバイスの提供。
【解決手段】残余の部分よりも高い屈折率ｎ２を有する光回路が形成されたパッシブコア層と、光回路の少なくとも一部を覆うと共に、電気光学的効果を示し、且つ、光回路の屈折率ｎ２よりも高い屈折率ｎ１を有するアクティブコア層と、パッシブコア層がその上に形成されているとともに、光回路の屈折率ｎ２よりも低い屈折率ｎ３を有する下部クラッド層と、アクティブコア層およびパッシブコア層を覆うとともに、アクティブコア層の屈折率ｎ１よりも低い屈折率ｎ５を有する上部クラッド層と、下部クラッド層の下に形成された下部電極と、上部クラッド層の上に形成された上部電極と、を備え、アクティブコア層の入口部と出口部とは夫々テーパ状とされている光デバイス。 （もっと読む）

【課題】暗電流を低減でき、かつ、高速応答が可能な光検出器を提供する。
【解決手段】ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２、ｉ型ｃ−Ｇｅ層３およびｐ^＋型ｃ−Ｇｅ層４が光導波路３０に近接してシリコン基板１上に積層される。光導波路３０は、クラッド２０に接してクラッド２０上に形成されている。ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２の膜厚（０．６μｍ）がクラッド２０の厚み（１．４μｍ）よりも薄く、かつ、ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２の膜厚とｉ型ｃ−Ｇｅ層３の膜厚との合計（２．０μｍ）がクラッド２０の厚みと光導波路３０の厚みとの合計（１．７μｍ）よりも大きい。その結果、光導波路３０中を伝搬する光は、光検出器１０のｉ型ｃ−Ｇｅ層３へ入射され、ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２およびｐ^＋型ｃ−Ｇｅ層４へ入射されない。 （もっと読む）

【課題】小型で、かつ高位相で高速な変調度を持つ光変調器に接続される接続路と、そのような光変調器および接続路で構成された光通信システムと、それらの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の接続路３０は、光変調器の外部に設けられた光導波路と光変調器を接続し、接続路３０の内部には、第１導電型を呈するようにドープ処理された半導体層８の少なくとも一部と、第２導電型を呈するようにドープ処理された半導体層９の少なくとも一部とが誘電体層１１を挟んで重なり合って設けられている。また、第１導電型の半導体層８と、第２導電型の半導体層９と、誘電体層１１とが、光変調器から光導波路に向かってテーパー形状または逆テーパー形状を有するように幅および／または高さが変化している。 （もっと読む）

【課題】複数のコア層がクラッド層を中間層として積層された多層構造を有し、複雑なデザインの光配線を可能とし、情報信号の高速、高容量伝送化を可能とする光導波路を提供すること。
【解決手段】クラッド部１１Ａ及びコア部１１Ｂを有する複数のコア層１１がクラッド層１０を中間層として積層されており、コア層１１及びクラッド層１０がそれぞれ樹脂成分を含有してなる層であり、コア部１１Ｂがクラッド部１１Ａ及びクラッド層１０よりも相対的に高い屈折率を有し、且つ、クラッド層１０が紫外線吸収成分を含有することを特徴とする光導波路。 （もっと読む）

【課題】光損失の少なく、電気配線の絶縁性に優れた光電気混載基板、およびかかる光電気混載基板を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】光電気混載基板１は、上面側に光素子５０を搭載するための光素子搭載部を有し、光素子搭載部に光素子５０を搭載したとき、光素子５０の電極部の位置に貫通孔１０１を備えたフレキシブル基板１０と、貫通孔１０１を充填する導体ポスト３０と、導体ポスト３０に連結され、基板１０の上面から突出するように設けられた、光素子５０との電気的接続に供される突起部３１とからなる突起電極と、基板１０の下面側に設けられ、ミラー２３を備える光導波路２０と、基板１０と光導波路２０との間に設けられた配線パターン４０とを有しており、光導波路２０と光素子５０とが光学的に接続され、かつ配線パターン４０は、突起電極を介して光素子５０と電気的に接続されるよう構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）