【課題】研磨パッドやスラリーの冷却、及び研磨パッド表面のドレッシングを効率良く行う。
【解決手段】本実施形態によれば、研磨方法は、回転させた研磨パッド１３に、回転させた基板を押し当て、研磨パッド１３上にスラリーを供給する工程と、研磨パッド１３の表面温度を測定する工程と、前記表面温度が所定温度以上になった場合に、研磨パッド１３に向かって、狭窄部を有するノズル１５から過冷却液滴を含むジェット流を噴出させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板の研磨中にノズルにより研磨パッドに気体を吹き付けて研磨パッドの表面の温度を制御することによりディッシングやエロージョン等を防止することができるとともに研磨パッド上の研磨液が飛散してノズルやノズル取付部品等に付着する量を減らすことができる研磨装置および方法を提供する。
【解決手段】研磨テーブル１上の研磨パッド２に基板を押圧して基板の被研磨面を研磨する研磨装置において、研磨パッド２に向けて気体を噴射する少なくとも１つの気体噴射ノズル２４を有し、研磨パッド２に気体を吹き付けて研磨パッド２の温度を調整するパッド温度調整機構２２と、研磨パッド２に向けて液体又は気体と液体の混合流体を噴射する少なくとも１つのノズルを有し、研磨パッド２に液体又は混合流体を吹き付けて研磨パッド上の異物を除去するアトマイザ３０とを備え、パッド温度調整機構２２とアトマイザ３０とは一体のユニットとして形成されている。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドの摩耗に起因する研磨パッドの剛性低下による悪影響を十分に抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨テーブル１上に設けられた研磨パッド２と、前記研磨パッド２に対してウェハ３を接触させた状態で前記ウェハ３を前記研磨パッド２に対して相対的に移動させて前記ウェハ３を研磨する研磨ヘッド４と、前記研磨パッド２の摩耗後の厚さに応じて前記研磨パッド２の温度を制御する温度制御部６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化珪素砥粒を含む研磨剤により酸化珪素膜の平坦化を行う場合に、酸化珪素膜と研磨停止膜としての窒化珪素膜との研磨選択比を確保する。
【解決手段】実施形態に係わるＣＭＰ方法は、酸化珪素砥粒を含む研磨剤を用い、かつ、研磨停止膜として窒化珪素膜を用いて、被研磨膜としての酸化珪素膜の平坦化を行う場合において、研磨剤に、50000以上、5000000以下の重量平均分子量を持つ第１の水溶性高分子と、1000以上、10000以下の重量平均分子量を持つ第２の水溶性高分子とを含ませた状態で、酸化珪素膜の研磨を行う。 （もっと読む）

【課題】化学的機械研磨に際して研磨パッド表面の温度を速やかに且つ省エネルギー効率をもって昇温して適温に維持することができる、新規な構造の研磨パッド用補助板と研磨装置を提供すること。
【解決手段】研磨パッド１６を重ね合わせて固着状態で支持するパッド支持面を表面４０に有していると共に、裏面４２において回転定盤１４に重ね合わされて着脱可能に装着される装着面を有している研磨パッド用補助板１０において、通電により補助板本体３８（パッド支持面４０）を昇温して適温に維持する通電式温度制御手段５０を設けた。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ工程において、生産性の向上、およびＣＭＰ特性の劣化の抑制を図る。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面上に、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜内に、溝を形成する工程と、絶縁膜上に、下地膜を形成する工程と、下地膜上に、溝が埋まるように金属膜を形成する工程と、半導体基板の表面を回転する研磨パッドに当接させ、研磨パッド上に金属イオンを含む第１ＣＭＰスラリーを供給することで、溝外の金属膜を除去する第１研磨を行う工程と、半導体基板の表面を研磨パッドに当接させ、研磨パッド上に有機酸および純水を供給することで、研磨パッドおよび半導体基板の表面を洗浄する工程と、半導体基板の表面を研磨パッドに当接させ、研磨パッド上に第１ＣＭＰスラリーと異なる第２ＣＭＰスラリーを供給することで、溝外の下地膜を除去する第２研磨を行う工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の基板の研磨中に研磨パッドに気体を吹き付けて研磨パッドの表面（研磨面）の温度を制御することにより、ディッシングやエロージョン等を防止して段差特性の向上を図ることができるとともに研磨レートの向上を図ることができる研磨装置および方法を提供する。
【解決手段】研磨パッド２に向けて気体を噴射する少なくとも１つの気体噴射ノズル２２と、少なくとも１つの気体噴射ノズル２２を保持するとともに気体噴射ノズル２２に気体を供給する気体供給部２０とを備え、少なくとも１つの気体噴射ノズル２２の直下の点Ｐ１，Ｐ２を通り、研磨パッド２の回転中心を中心とする同心円Ｃ１，Ｃ２を描き、同心円Ｃ１，Ｃ２上の直下の点Ｐ１，Ｐ２における接線方向を研磨パッド２の回転接線方向と定義すると、少なくとも１つの気体噴射ノズル２２の気体噴射方向は、回転接線方向に対して研磨パッド２の回転中心側に傾いている。 （もっと読む）

【課題】前記研磨パッドを使用してＣＭＰ法の研磨を実施するに際し、前記研磨対象物の外周部の研磨量を抑える技術を提供する。
【解決手段】Chemical Mechanical Polishing（CMP）法においてリテーナリング９の内周側に配置される半導体ウェハ８（研磨対象物）を研磨するための研磨パッド１０は、研磨パッド１０の研磨面１０ａを有する硬質層１２と、硬質層１２を挟んで半導体ウェハ８と反対側に配置され、硬質層１２よりも軟質である軟質層１３と、を有する。研磨面１０ａに異なる荷重を作用させた際の研磨面１０ａの窪み量の差分である特定窪み量差分値ΔTが８６［μｍ］以下である。以上の研磨パッド１０を用いれば、図３及び図４、図６に示すように、研磨パッド１０を使用してＣＭＰ法の研磨を実施するに際し、半導体ウェハ８の外周部の研磨量を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、研磨量を正確に制御することのできるワークの研磨方法及び研磨装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、ワークの両面を研磨するに当たり、排スラリーの温度変化率の変化を捉えることにより、ワークの研磨量を制御するものである。 （もっと読む）

【課題】研磨レートを下げることなく、研磨液の使用量を削減できるようにする。
【解決手段】研磨パッドの表面に研磨液を供給しながら、研磨パッドの表面に基板を摺接させて該基板を研磨する研磨方法において、研磨パッドの表面温度を制御することなく基板を研磨した時の研磨液供給流量と研磨レートとの関係、及び研磨パッドの表面温度を所定温度に制御しながら基板を研磨した時の研磨液供給流量と研磨レートとの関係を予め求めておき、研磨パッドの表面温度を所定温度に制御しながら基板を研磨した時の研磨レートの方が研磨パッドの表面温度を制御することなく基板を研磨した時の研磨レートよりも高くなるように、研磨パッドの表面温度を所定温度に制御しながら、高い研磨レートが得られるように、研磨パッドの表面に研磨液を継続的に供給する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤソーによるワークの切断において、ワイヤの断線等によってワークの切断が途中で中断された場合でも、加工後のウェーハのナノトポグラフィーの悪化を確実に抑制して切断を完了させることができるワイヤソーの運転再開方法及びそのワイヤソーを提供することを目的とする。
【解決手段】
ワークの切断を途中で一旦中断した後、該切断を再開する場合の運転再開方法であって、ワイヤの往復走行の方向及び走行速度を検出して時系列で記録しつつ前記ワークを切断する工程と、ワークの切断を再開する際に、ワイヤの往復サイクルがワークの切断の中断前と再開後で連続的となるように、ワイヤの往復走行の方向及びその方向への走行時間をワークの切断の中断時までに記録されたワイヤの走行履歴に基づいて制御して切断を再開する工程とを有することを特徴とするワイヤソーの運転再開方法。 （もっと読む）

【課題】加工物からウェハをスライスする方法を提供する。
【解決手段】加工物（１２）からウェハをスライスする方法は、切断動作中に、加工物に対して、ワイヤソーのワイヤの、平行に配置されたワイヤセクションを移動させて、ウェハを形成するステップを含み、ワイヤセクションは、特定の厚みを有する、溝を有するコーティング（８）を各々が有する２つのワイヤガイドロール（１）間に張設され、前記方法はさらに、温度変化によって引起される一方のワイヤガイドロールのコーティングの長さにおける変化を、コーティングの端部でコーティングに固定されるリング（９）を用いて、センサ（７）とリングとの間の距離を測定することによって、測定するステップと、測定された距離に応じてワイヤガイドロールを冷却するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】加工物からウェハをスライスする方法を提供する。
【解決手段】加工物（１２）からウェハをスライスする方法は、切断動作中に、加工物に対して、ワイヤソーのワイヤの、平行に配置されたワイヤセクションを移動させて、ウェハを形成するステップを含み、ワイヤセクションは、特定の厚みを有する、溝を有するコーティング（８）を各々が有するワイヤガイドロール（１）間に張設され、前記方法はさらに、ワイヤガイドロールを冷却し、ワイヤガイドロールの固定された軸受（２）を冷却するステップを含み、ワイヤガイドロールおよび固定された軸受は、互いから独立して冷却される。 （もっと読む）

【課題】速やかに研磨パッドの表面温度を目標温度にまで上昇させることができる改良されたパッド接触部材を備えた研磨装置を提供する。
【解決手段】パッド温度調整機構は、研磨パッド３の表面に接触するパッド接触部材１１と、温度調整された液体をパッド接触部材１１に供給する液体供給システム３０とを有する。パッド接触部材１１は、その内部に第１の液体流路２１と第２の液体流路２２を有し、これらは直列に接続されている。第１の液体流路２１と第２の液体流路２２には、研磨テーブル２の半径方向に対して略垂直に延びる複数のバッフル２５がそれぞれ配置される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、平行度などの形状特性に優れる磁気記録媒体用ガラス基板の提供を目的とする。また、平行度などの形状特性に優れる磁気記録媒体用ガラス基板を高い生産性で研磨するガラス基板の研磨方法、及び該研磨方法を用いた研磨工程を有する磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、磁気記録媒体用ガラス基板の上下主平面を研磨する研磨工程において、ガラス基板を研磨する両面研磨装置の上定盤及び下定盤は、内周端と外周端のある円盤形状を有し、該外周端により形成される外径が０．６ｍ〜２ｍであり、下定盤は回転速度３３〜４９ｒｐｍで回転駆動し、上定盤は下定盤と反対方向に回転速度１０〜２１ｒｐｍで回転駆動し、ガラス基板を保持するキャリアは下定盤と同方向に速度２〜１６ｒｐｍで公転し、ガラス基板の両主平面を押圧する上定盤と下定盤の圧力は８．０〜１６．０ＭＰａである研磨方法を有することを特徴とする磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】十分な研磨速度を維持しつつ基板の被研磨面（表面）の研磨を行い、しかも、研磨後の基板表面に研磨残りを生じさせることを防止して、所望の研磨プロファイルを得ることができるようにする。
【解決手段】研磨パッド１４ａに向けてガスを噴射して研磨パッド１４ａの温度を制御しながら研磨する研磨方法において、研磨中、ガス噴射流量又はガス噴射方向をＰＩＤ制御しつつ、被研磨面の研磨状態を監視し、所定の膜厚に到達する前後で、制御する研磨パッド１４ａの温度を切り替えて研磨する。 （もっと読む）

【課題】研磨パッド表面に向けてガスを噴射して研磨パッドの温度を制御しつつ、基板と研磨パッドとの研磨界面への研磨液供給量が不足して研磨レートが低下するのを抑制したり、適正な研磨レートを保つことができるようにする。
【解決手段】研磨パッドに向けてガスを噴射して研磨パッドの温度を制御しながら、研磨液が供給されている研磨パッドの表面に基板を摺接させて該基板を研磨する研磨方法であって、基板の研磨時に研磨パッドに向けて噴射されるガス流量と研磨パッドに供給される研磨液流量とを互いに連動させる。例えば、基板の研磨時に研磨パッドに向けて噴射されるガス流量と研磨パッドに供給される必要研磨液流量との相関を示すデータを基に、基板の研磨時に研磨パッドに供給される研磨液流量を調整する。 （もっと読む）

【課題】軟質材料からなる工作物に対して、簡素な構成で高精度かつ高加工能率で研磨加工を可能とするラッピング工具を備えたラッピング装置及びその加工方法を提供する。
【解決手段】ラッピング装置２は、端子部１１を備えたラッピング工具１と、テーブル２３上に設けられかつラップ剤４を貯留して該ラップ剤中に工作物３を浸漬させるための加工槽２４などを有する。工作物３には軟質材料が用いられ、端子部１１には、熱可塑性樹脂からなる端子本体１２と、端子本体を加熱するための加熱手段１３と、が設けられる。加熱手段の加熱量を制御して端子本体の表面温度を最適温度に調節するための温度制御手段をさらに有する。最適温度は、工作物３の硬度と端子本体表面１２ａの硬度との硬度比が０．４以下になるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の板厚の仕上がり寸法バラツキをバッチ間で抑えることができる、研磨装置の提供。
【解決手段】毎回同じ目標板厚値Ａに従ってガラス基板の研磨処理を行う研磨手段として上定盤４０を備える、研磨装置であって、上定盤４０によって今回の研磨処理で研磨されているガラス基板の研磨中板厚値Ｔｃを測定するために上定盤４０のモーター駆動軸６１に対する相対位置を計測する接触式変位センサ６５と、上定盤４０によって前回以前の研磨処理で研磨されたガラス基板の仕上がり板厚値Ｔと目標板厚値Ａとの仕上がり誤差に基づいて、接触式変位センサ６５の計測結果に基づいて得られた研磨中板厚値Ｔｃの板厚補正値Ｔｐを算出する制御部９０とを備え、上定盤４０は、板厚補正値Ｔｐが目標板厚値Ａに到達するまでガラス基板を研磨する、ことを特徴とする、研磨装置。 （もっと読む）

【課題】ラッピング処理能率を向上することのできる球体のラッピング加工方法および加工装置を提供する。
【解決手段】ラッピング加工方法は、窒化ケイ素セラミックスやサイアロンセラミックスよりなる球状の加工サンプル７の表面を砥石２ａ、３ａによりラッピング加工する球体のラッピング加工方法であって、砥石２ａ、３ａは加工サンプル７よりも高硬度の砥粒を含んでいる。加工サンプル７にトライボケミカル反応を起こさせるような粒子を含む加工液を加工サンプル７と砥石２ａ、３ａとの間に供給してラッピング加工する。 （もっと読む）