ガラス基板の研磨方法及び製造方法、並びに研磨装置
【課題】ガラス基板の板厚の仕上がり寸法バラツキをバッチ間で抑えることができる、研磨装置の提供。
【解決手段】毎回同じ目標板厚値Ａに従ってガラス基板の研磨処理を行う研磨手段として上定盤４０を備える、研磨装置であって、上定盤４０によって今回の研磨処理で研磨されているガラス基板の研磨中板厚値Ｔｃを測定するために上定盤４０のモーター駆動軸６１に対する相対位置を計測する接触式変位センサ６５と、上定盤４０によって前回以前の研磨処理で研磨されたガラス基板の仕上がり板厚値Ｔと目標板厚値Ａとの仕上がり誤差に基づいて、接触式変位センサ６５の計測結果に基づいて得られた研磨中板厚値Ｔｃの板厚補正値Ｔｐを算出する制御部９０とを備え、上定盤４０は、板厚補正値Ｔｐが目標板厚値Ａに到達するまでガラス基板を研磨する、ことを特徴とする、研磨装置。
【解決手段】毎回同じ目標板厚値Ａに従ってガラス基板の研磨処理を行う研磨手段として上定盤４０を備える、研磨装置であって、上定盤４０によって今回の研磨処理で研磨されているガラス基板の研磨中板厚値Ｔｃを測定するために上定盤４０のモーター駆動軸６１に対する相対位置を計測する接触式変位センサ６５と、上定盤４０によって前回以前の研磨処理で研磨されたガラス基板の仕上がり板厚値Ｔと目標板厚値Ａとの仕上がり誤差に基づいて、接触式変位センサ６５の計測結果に基づいて得られた研磨中板厚値Ｔｃの板厚補正値Ｔｐを算出する制御部９０とを備え、上定盤４０は、板厚補正値Ｔｐが目標板厚値Ａに到達するまでガラス基板を研磨する、ことを特徴とする、研磨装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス基板の研磨加工を精度高く制御する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガラス基板の研磨加工を行う際、研磨加工中の研磨装置や被研磨体の状態を的確に捉え、得られた情報に基づきガラス基板の研磨加工を制御して、精度高く研磨加工を行うことが、従来から検討されている。
【０００３】
その中でも、ガラス基板の研磨量を精度高く制御しながら研磨する方法は、ガラス基板製品に求められる、重要な品質特性である板厚に大きく影響を及ぼすことから、さまざまな方法が検討されている。
【０００４】
例えば、磁気記録媒体用ガラス基板においては、近年の高記録密度化に伴い、磁気記録媒体に使用するガラス基板の加工精度に対する要求が高くなってきており、ガラス基板の板厚の寸法バラツキが小さいガラス基板が求められている。
【０００５】
ガラス基板の研磨量を制御する従来方法として、接触式または非接触式変位センサを用いて上定盤の相対的な上下位置を特定して被加工物の板厚を制御する方法が知られている（例えば、特許文献１の第１乃至第３図，並びに特許文献２の図３等参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特公昭６４−４１２６号公報
【特許文献２】特開２００４−３４５０１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来技術では、ガラス基板の板厚の仕上がり寸法バラツキがバッチ（ロット）間で大きいため、近年の加工精度に対する厳しい要求基準によっては、歩留まりが低下する場合がある。
【０００８】
そこで、本発明は、ガラス基板の板厚の仕上がり寸法バラツキをバッチ間で抑えることができる、ガラス基板の研磨方法及び製造方法、並びに研磨装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明に係る研磨装置は、
毎回同じ目標板厚値に従ってガラス基板の研磨処理を行う研磨手段を備える、研磨装置であって、
前記研磨手段によって今回の研磨処理で研磨されているガラス基板の研磨中板厚値を測定する測定手段と、
前記研磨手段によって前回以前の研磨処理で研磨されたガラス基板の仕上がり板厚値と前記目標板厚値との仕上がり誤差に基づいて、前記測定手段によって測定される研磨中板厚値の板厚補正値を算出する算出手段とを備え、
前記研磨手段は、前記板厚補正値が前記目標板厚値に到達するまでガラス基板を研磨する、ことを特徴とするものである。
【００１０】
また、上記目的を達成するため、本発明に係るガラス基板の研磨方法は、
毎回同じ目標板厚値に従ってガラス基板の研磨処理を研磨手段によって行う、ガラス基板の研磨方法であって、
前記研磨手段によって今回の研磨処理で研磨されているガラス基板の研磨中板厚値を測定手段によって測定し、
前記研磨手段によって前回以前の研磨処理で研磨されたガラス基板の仕上がり板厚値と前記目標板厚値との仕上がり誤差に基づいて、前記測定手段によって測定される研磨中板厚値の板厚補正値を算出手段によって算出し、
前記板厚補正値が前記目標板厚値に到達するまで前記研磨手段によってガラス基板を研磨する、ことを特徴とするものである。
【００１１】
また、上記目的を達成するため、本発明に係るガラス基板の製造方法は、
本発明に係るガラス基板の研磨方法によってガラス基板を研磨する研磨工程を含むことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、ガラス基板の板厚の仕上がり寸法バラツキをバッチ間で抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態である両面研磨装置１１の模式的な縦断面図である。
【図２Ａ】上定盤を上昇させた状態を模式的に示す縦断面図である。
【図２Ｂ】上定盤を降下させた状態を模式的に示す縦断面図である。
【図３】下定盤に載置されたキャリヤの取付状態を示す平面図である。
【図４】図３中Ａ−Ａ線に沿う断面を模式的に拡大して示す縦断面図である。
【図５】基台２０に収容された駆動部の一部分を断面で示した、駆動部の構成図である。
【図６】制御部により制御される各機器を示す制御系のブロック図である。
【図７】接触式変位センサ６５の取り付け状態を示した模式的な断面図である。
【図８】接触式変位センサ６５の測定子６５ａの先端が接触するモーター駆動軸６１の上端部を示した部分断面斜視図である。
【図９Ａ】制御部９０が実行する研磨工程の制御処理及び作業者が行なう作業の手順を説明するためのフローチャートである。
【図９Ｂ】図９Ａの制御処理に続いて実行される制御処理及び作業者が行なう作業の手順を説明するためのフローチャートである。
【図１０】前回のバッチでの仕上がり誤差（Ｔｎ−１−Ａ）と温度変化量Δｔと相関関係を示した図である。
【図１１】磁気記録媒体用ガラス基板及び磁気ディスクの製造工程を示したフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明を実施するための形態について説明するが、本発明は以下に記載される実施形態に限られない。
【００１５】
図１は、本発明の一実施形態である両面研磨装置１１の模式的な縦断面図である。図１に示されるように、両面研磨装置１１は、複数のガラス基板の上面及び下面を同時に研磨するように構成されており、基台２０と、下定盤３０と、上定盤４０と、昇降機構５０と、回転伝達機構６０とを有する。基台２０の上部には、下定盤３０が回転可能に支持されており、基台２０の内部には、後述する駆動部としての上定盤４０等を回転駆動する駆動モーターが取り付けられている。
【００１６】
下定盤３０は、後述するようにキャリヤに保持された複数のガラス基板の下面を研磨する下側研磨パッドを有する。また、上定盤４０は、下定盤３０の上方に対向配置され複数のガラス基板の上面を研磨する上側研磨パッドを有する。
【００１７】
昇降機構５０は、基台２０の上方に起立する門型のフレーム７０により支持されており、キャリヤ交換時に上定盤４０を昇降させる昇降用シリンダ装置５２を有する。昇降用シリンダ装置５２は、フレーム７０の梁７２の中央に垂下方向に伸縮動作するように取り付けられている。昇降用シリンダ装置５２のピストンロッド５４は、下方に延在している。
【００１８】
ピストンロッド５４の下側先端部には、吊下部材８０の中央部が結合されている。吊下部材８０は、上定盤４０を吊下するように取り付けられている。吊下部材８０は、上下方向に延在する複数の支柱８０ａと、支柱８０ａの下端部に固定された円環状取付部材８０ｂと、支柱８０ａの上端部に固定された板状取付部材８０ｃとを備える。円環状取付部材８０ｂの下面に、上定盤４０の上面が固定されている。したがって、昇降用シリンダ装置５２のピストンロッド５４が上方向または下方向に駆動されると、ピストンロッド５４と吊下部材８０を介して連結された上定盤４０も同時に駆動されて上昇または降下する。
【００１９】
両面研磨装置１１は、上定盤４０、昇降機構５０、回転伝達機構６０を制御する制御部９０を有する。
【００２０】
図２Ａは上定盤を上昇させた状態を模式的に示す縦断面図である。上定盤４０は、キャリヤ交換時またはパッド交換時に昇降用シリンダ装置５２によって上昇して下定盤３０の上方（Ｚａ方向）に移動する。この上昇状態では、下定盤３０の上面に載置された研磨工程が終了した複数のガラス基板及びキャリヤ１６０（後述。図３参照）を取り出して次の研磨工程で使用するキャリヤ１６０及び未研磨のガラス基板を下定盤３０の上面に装着できる。
【００２１】
また、回転伝達機構６０は、上定盤４０の駆動モーターのモーター駆動軸６１の上端に円筒形状に形成された結合部６２を有する。
【００２２】
図１に示されるように、回転伝達機構６０は、上定盤４０の中心孔を貫通する結合部６２の上側側面に形成されたキー溝（凹部）６２ａに嵌合可能なキー（爪）８１を有する。上定盤４０の内周側に突出するキー８１は、支軸８２を揺動中心として、支軸８２によって円環状取付部材８０ｂに揺動可能に取り付けられている。
【００２３】
上定盤４０が降下した状態では、キー８１はキー溝６２ａに嵌合し（図１，２Ｂ参照）、上定盤４０が上昇した状態では、キー８１はキー溝６２ａから離れる（図２Ａ参照）。キー８１とキー溝６２ａが嵌合した状態で、上定盤４０の駆動モーターの駆動トルクが上定盤４０に伝達され、上定盤４０は結合部６２とともに回転する。
【００２４】
図２Ｂは上定盤を降下させた状態を模式的に示す縦断面図である。図２Ｂに示されるように、昇降用シリンダ装置５２の下室に対する圧縮空気の供給圧力Ｐ１を低くすることにより（このとき、昇降用シリンダ装置５２の上室は大気開放、Ｐ２は大気圧）、昇降用シリンダ装置５２のピストンロッド５４が上定盤４０の自重により下方（Ｚｂ方向）に駆動されると、吊下部材８０と共に上定盤４０が降下する。
【００２５】
尚、図２Ｂにおいて、上定盤４０が自重により又は所定の圧力下で下定盤３０に載置された複数のガラス基板の上面に当接した状態になっている。
【００２６】
図３は下定盤に載置されたキャリヤを示す平面図である。図３に示されるように、下定盤３０の上面３１には、複数のキャリヤ１６０が載置される。キャリヤ１６０は、ガラス基板２００よりも薄い樹脂材により円盤状に形成されており、ガラス基板２００が収納される多数の収納孔１６１が同心円状に設けられている。多数の収納孔１６１は、夫々収納された各ガラス基板２００の外周をガタツキなく保持する寸法に形成されている。尚、本実施例では、キャリヤ１６０が５個配された構成を一例として示すが、これに限らず、下定盤３０とキャリヤ１６０との大きさ（直径）に応じて５個以上又は５個未満配置しても良い。
【００２７】
また、下定盤３０の上面３１の回転中心孔には、サンギア３２が下方から挿通され、下定盤３０の上面３１の外周の外側には、キャリヤ１６０のギア１６２と噛み合う位置に、インターナルギア３３が設けられている。キャリヤ１６０は、外周に形成されたギア１６２がサンギア３２及びインターナルギア３３に噛合している。そのため、キャリヤ１６０は、下定盤３０が基台２０に設けられた駆動モーターによって回転駆動するのに伴ってインターナルギア３３がサンギア３２に対して周方向に相対回転（すなわち、インターナルギア３３がサンギア３２に対して周方向で反対方向に回転）すると共に、自転しながらサンギア３２の周方向に公転する。また、サンギア３２及びインターナルギア３３も、それぞれを駆動するための駆動モーターによって自転する。これにより、各キャリヤ１６０の各収納孔１６１に収納された各ガラス基板２００の研磨量の片寄りを防止して研磨後のガラス基板の板厚を均一化できる。
【００２８】
図４は図３中Ａ−Ａ線に沿う断面を模式的に拡大して示す縦断面図である。図４に示されるように、研磨時は、下定盤３０の上面３１に保持された下側研磨パッド２１０が各ガラス基板２００の下面に接しており、且つ昇降機構５０により研磨位置に降下した上定盤４０に保持された上側研磨パッド２２０が各ガラス基板２００の上面に接している。そのため、両面研磨装置１１においては、上定盤４０及び下定盤３０が相対回転（すなわち、上定盤４０が下定盤３０に対して周方向で反対方向に回転）することで、上定盤４０と下定盤３０との間でキャリヤ１６０に保持された各ガラス基板２００の上面及び下面を同時に研磨することが可能になる。尚、各ガラス基板２００に接する下側研磨パッド２１０、上側研磨パッド２２０の表面が研磨面となる。
【００２９】
ここで、基台２０に設けられた駆動部の構成について説明する。
【００３０】
図５は、基台２０に収容された駆動部の一部分を断面で示した、駆動部の構成図である。上定盤４０、下定盤３０、サンギア３２及びインターナルギア３３は、基台２０の内側下面に設けられた台上に同一の軸線の周りに回転可能に支持されている。特に、上定盤４０の回転駆動軸であるモーター駆動軸６１の下端は、ベアリング２１を介して、基台２０内のギアボックス２３に固定されたスタッド２２に回転自在に支持されている。上定盤４０の回転軸であるモーター駆動軸６１、下定盤３０、サンギア３２及びインターナルギア３３には、それぞれ、第１モーターＭ１、第２モーターＭ２、第３モーターＭ３及び第４モーターＭ４からの回転動力が駆動ギアを介して伝達される。上定盤４０を回転駆動するモーター駆動軸６１は、駆動ギア６１ａを介してモーターＭ１に連結され、下定盤３０は、駆動ギア３０ａを介してモーターＭ２に連結され、サンギア３２は、駆動ギア３２ａを介してモーターＭ３に連結され、インターナルギア３３は、駆動ギア３３ａを介してモーターＭ４に連結される。これらの各駆動ギアは、潤滑油で満たされたギアボックス２３に収容されている。図５では、駆動モーターとして、４つのモーターの場合が示されている。しかしながら、これらの駆動モーターを一つ又は二つ以上のモーターとしてもよい。一つ又は二つ以上のモーターから歯車装置を介して動力を分岐させて各ギアを駆動して、モーター駆動軸６１、下定盤３０、サンギア３２及びインターナルギア３３のそれぞれを回転させてもよい。
【００３１】
上定盤４０は、モーターＭ１の駆動力に対応した回転速度で回転し、下定盤３０が、モーターＭ２の駆動力に対応した回転速度で回転する。下定盤３０は、上定盤４０に対して逆方向に回転する。また、サンギア３２は、モーターＭ３の駆動力に対応した回転速度で回転し、インターナルギア３３は、モーターＭ４の駆動力に対応した回転速度で回転する。
【００３２】
また、上定盤４０等を回転駆動する駆動モーターは、基台２０の内部に配置されており、フレーム７０（図１参照）には設けられていないので、装置全体の重心を低くして研磨動作時の振動を抑制すると共に、研磨動作時の安定性がより高められている。
【００３３】
図６は、制御部９０により制御される各機器を示す制御系のブロック図である。図６に示されるように、制御部９０は、昇降用シリンダ装置５２、基台２０の内部に設けられたモーターＭ１〜Ｍ４、モニタやスピーカ等の報知手段３１０、作業者や他の制御部からの入力情報を受け付ける入力装置３３０、所定の基準位置に対する上定盤４０の上下変位方向での相対位置を計測する接触式変位センサ６５、ギアボックス２３の温度を例えば熱電対によって検出する温度センサ６６などと電気的に接続されており、各機器を制御するための制御信号を生成する。制御部９０は、ＣＰＵ等の演算処理装置を備え、演算処理装置により処理される所定のプログラムに従って、上記制御信号を生成する。
【００３４】
制御部９０は、接触式変位センサ６５及び温度センサ６６の検出値に応じた出力信号に従って、ガラス基板の研磨量（板厚）を算出する。また、制御部９０は、接触式変位センサ６５等からの出力信号に従って、上定盤４０による、下定盤３０に載置された複数のガラス基板の上面に対する圧力を増減させる加減圧動作と、上定盤４０等を回転駆動するためのモーターＭ１〜Ｍ４の回転とを制御することによって、ガラス基板の研磨量（板厚）を調整する。
【００３５】
入力装置３３０は、制御部９０外部からの情報を受け付けて制御部９０に伝達するインターフェイス装置である。入力装置３３０は、例えば、作業者が入力情報を入力するための操作部（例えば、タッチパネル、ボタン、レバー、キーボードなど）や、パソコンなどの外部のコンピュータとの接続を可能にする通信インターフェイス装置である。
【００３６】
図７は、接触式変位センサ６５の取り付け状態を示した模式的な断面図である。接触式変位センサ６５は、上定盤４０の上下変位方向の相対位置を計測することによって、ガラス基板の板厚を検出する装置である。接触式変位センサ６５は、上定盤４０又は上定盤４０と一体に変位する部材に取り付けられている。図７は、ピストンロッド５４に接続され上定盤４０と一体に動く板状取付部材８０ｃに取り付けられた例を示している。接触式変位センサ６５は、測定子６５ａと、検出部６５ｂと、コード６５ｃとを備える。検出部６５ｂは、板状取付部材８０ｃに固定され、測定子６５ａを上下方向にストローク可能に支持する。検出部６５ｂは、測定子６５ａのストローク量を検出し、その検出値に応じた出力信号を、コード６５ｃを介して上述の制御部９０に出力する。
【００３７】
図８は、接触式変位センサ６５の測定子６５ａの先端が接触するモーター駆動軸６１の上端部を示した部分断面斜視図である。図８は、下定盤３０の上面に接触している上定盤４０の一部が切り取られた状態を示している。測定子６５ａの下側先端部は、上定盤４０を回転駆動するモーター駆動軸６１と共に回転する結合部６２の上面に形成された超硬チップ６４に接触する。測定子６５ａの下側先端部が超硬チップ６４を介してモーター駆動軸６１の上端部に接触するので、モーター駆動軸６１が回転しても、測定子６５ａの下側先端部が磨耗することを抑えることができる。超硬チップ６４は、モーター回転軸６１と共に回転する構成でもよいが、モーター回転軸６１の回転に対してフリーに支持される構成であれば、測定子６５ａの下側先端部の磨耗を更に抑制できる。
【００３８】
モーター駆動軸６１に回転駆動される上定盤４０がガラス基板の研磨量に応じて下降すると、モーター駆動軸６１の上端部に下側先端部が接触する測定部６５ａは、その下降量に応じて検出部６５ｂ内に押し込まれる。つまり、接触式変位センサ６５は、上定盤４０の上下方向の変位量を、ガラス基板の板厚変化量として検出できる。
【００３９】
ここで、制御部９０が実行する研磨工程の制御処理及び作業者が行う作業の手順について図９Ａ、図９Ｂのフローチャートを参照して説明する。
【００４０】
図９ＡのＳ１１で制御部９０は、両面研磨装置１１の電源スイッチがオンに操作されたか否かをチェックしており、電源スイッチがオンなると、Ｓ１５に進む。Ｓ１５では、昇降用シリンダ装置５２の下室への供給圧力Ｐ１を高くすることにより（このとき、昇降用シリンダ装置５２の上室は大気開放、Ｐ２は大気圧）、ピストンロッド５２を上方に駆動して吊下部材８０と共に上定盤４０を上昇させる（図２Ａ参照）。これにより、上定盤４０は、下定盤３０の上方に離間する。
【００４１】
次のＳ１７では、作業者が下定盤３０の上面にキャリヤ１６０をセットする。続いて、Ｓ１９では、作業者がキャリヤ１６０の各収納孔１６１にガラス基板２００をセットする。
【００４２】
Ｓ２１では、制御部９０が昇降用シリンダ装置５２の下室への供給圧力Ｐ１を低くすることにより（このとき、昇降用シリンダ装置５２の上室は大気開放、Ｐ２は大気圧）、ピストンロッド５２を上定盤４０の自重で下方（Ｚｂ方向）に駆動させる（図２Ｂ参照）。これにより、吊下部材８０と共に上定盤４０がシリンダ５２のストロークエンドまで降下し、上定盤４０に連結されたキー８１が結合部６２のキー溝６２ａに嵌合すると（図１参照）、上定盤４０の下面に配された上側研磨パッド２２０がキャリヤ１６０に保持された各ガラス基板２００の上面に当接する。この上側研磨パッド２２０がガラス基板２００に当接した状態では、上定盤４０の質量によって又は所定の圧力によって、各ガラス基板２００の上面に圧力が作用している。
【００４３】
Ｓ２３では、制御部９０は、入力装置３３０から入力された入力値を、今回のバッチの研磨条件として設定する。入力値として、例えば、ガラス基板の枚数Ｎ、前回のバッチでの仕上がり板厚値Ｔ、目標板厚値Ａが入力される。ガラス基板の枚数Ｎは、１バッチ（１研磨処理）のガラス基板の枚数（すなわち、一研磨装置の全キャリヤ１６０上に配置されて研磨されるガラス基板の枚数）に相当する。
【００４４】
Ｓ２５では、制御部９０がクーラント液又はスラリーを上定盤４０側から（例えば、上定盤４０に空けた複数の孔から）供給する。さらに、Ｓ２７に進み、モーターＭ１〜Ｍ４を起動させて、モーター駆動力を下定盤３０及び上定盤４０に伝達する。
【００４５】
Ｓ２９では、研磨開始直後に制御部９０が加圧制御をすることにより、上定盤４０の下面に装着された上側研磨パッド２２０は、キャリヤ１６０に保持された各ガラス基板２００の上面に所定の圧力で押圧する。
【００４６】
次のＳ３１では、制御部９０は、後述の方法で、ガラス基板の研磨中に実際に測定して得られた研磨中板厚値Ｔｃを補正した値である板厚補正値Ｔｐを算出する。Ｓ３３で、制御部９０は、研磨中に逐次算出される板厚補正値Ｔｐが目標板厚値Ａに到達したか否かを判断する。到達していなければ、Ｓ３１を継続する。
【００４７】
Ｓ３３において、研磨の進行に伴い減少する板厚補正値Ｔｐが目標板厚値Ａに達したときは、図９ＢのＳ３５に進み、ガラス基板の研磨を終了させるため、制御部９０は減圧制御をする。減圧制御による加圧の解除により、ガラス基板の研磨は終了する。
【００４８】
Ｓ３３において板厚補正値Ｔｐが目標板厚値Ａに到達した時点で、加圧を解除することによってガラス基板の研磨を停止させてもよいし、加圧圧力を段階的に下げてからガラス基板の研磨を停止させてもよいし、モーターの回転を停止させることによってガラス基板の研磨を停止させてもよい。
【００４９】
次のＳ３７では、駆動モーターＭ１〜Ｍ４への通電を停止して回転トルクをゼロにする。続いて、Ｓ３９では、クーラント液又はスラリー供給を停止する。
【００５０】
次のＳ４１では、研磨完了したことを報知手段３１０により音声ガイドまたはモニタ表示で報知する。
【００５１】
続いて、Ｓ４３に進み、昇降用シリンダ装置５２の下室への供給圧力Ｐ１を高くすることにより（このとき、昇降用シリンダ装置５２の上室は大気開放、Ｐ２は大気圧）、ピストンロッド５４を上昇動作させて上定盤４０を下定盤３０の上方（Ｚａ方向）に移動する（図２Ａ参照）。このような上定盤４０の上昇動作により、研磨が完了した複数のガラス基板２００及びキャリヤ１６０を取り出すことが可能になる。
【００５２】
次のＳ４５では、作業者が下定盤３０からキャリヤ１６０を取り出す。続いて、Ｓ４７では、作業者が下定盤３０上から研磨完了したガラス基板２００を全て取り出す。Ｓ５３において、引き続き研磨を継続する場合は、前述したＳ１５に戻り、Ｓ１５以降の手順を繰り返す。
【００５３】
次に、Ｓ３１とＳ３３での動作について詳細説明する。本発明の一実施形態である両面研磨装置１１は、毎回同じ目標板厚値Ａに従ってガラス基板の研磨処理を行う研磨手段Ｌ１として、上定盤４０及び下定盤３０を備えている。また、両面研磨装置１１は、研磨手段Ｌ１によって今回のバッチで研磨されているガラス基板の研磨中板厚値Ｔｃを現時点の板厚値として研磨中逐次測定する測定手段Ｌ２として、接触式変位センサ６５及び制御部９０を備えている。また、両面研磨装置１１は、研磨手段Ｌ１によって前回以前のバッチで研磨されたガラス基板の仕上がり板厚値Ｔと目標板厚値Ａとの仕上がり誤差（Ｔ−Ａ）に基づいて、測定手段Ｌ２による測定によって得られた研磨中板厚値Ｔｃの補正値として板厚補正値Ｔｐを研磨中逐次算出する算出手段Ｌ３として、制御部９０を備えている。そして、研磨手段Ｌ１は、算出手段Ｌ３によって算出された板厚補正値Ｔｐが目標板厚値Ａに到達するまでガラス基板を研磨するものである。
【００５４】
このような構成を有する両面研磨装置１１によれば、板厚補正値Ｔｐは前回以前のバッチでの仕上がり誤差（Ｔ−Ａ）を加味した補正値であるので、測定手段Ｌ２による測定によって得られた研磨中板厚値Ｔｃが目標板厚値Ａに到達するまでガラス基板を研磨する場合に比べて（すなわち、仕上がり誤差（Ｔ−Ａ）を加味しない場合に比べて）、ガラス基板の板厚の仕上がり寸法バラツキをバッチ間で抑えることができる。
【００５５】
特に、ガラス基板の板厚の仕上がり寸法バラツキをバッチ間で抑えるという点で、板厚補正値Ｔｐは、少なくとも前回のバッチでの仕上がり誤差を加味した補正値であるのが好ましく、前回及び前回よりも前の一又は二以上の回のバッチでの仕上がり誤差を加味した補正値であるのがより好ましい。
【００５６】
例えば、板厚補正値Ｔｐは、測定手段Ｌ２によって測定される研磨中板厚値Ｔｃに、仕上がり誤差（Ｔ−Ａ）に基づいて今回のバッチの初期補正値として算出される第１の補正値Ｘｎを加算した値である。この場合、今回のバッチでの補正値Ｘｎが、研磨手段Ｌ１によって前回のバッチで研磨されたガラス基板の仕上がり板厚値をＴｎ−１，係数ｋ１を０．５≦ｋ１≦０．８，係数ｋ２をｋ２＝１−ｋ１とするとき、漸化式
Ｘｎ＝ｋ１×（Ｔｎ−１−Ａ）＋ｋ２×Ｘｎ−１ ・・・（１）
に基づいて算出されると、ガラス基板の板厚の仕上がり寸法バラツキをバッチ間で抑えるという点で、好適である。係数ｋ１が０．６≦ｋ１≦０．７を満たす値であれば、更に好適である。後述の実施例では、ｋ１＝２／３，ｋ２＝１／３とした。また、ｎは２以上の整数であって、ｎが今回のバッチを表すラベルとしたとき、ｎ−１は前回のバッチを表すラベルであり、ｎ−２は前々回のバッチを表すラベルである。
【００５７】
なお、仕上がり板厚値Ｔは、ガラス基板の板厚の仕上がり寸法バラツキをバッチ間で抑えるという点で、精密電子天秤等を用いて、研磨加工前後の質量変化量を実測することによって求めるとよい（質量法）。研磨加工前後の質量変化量を、ガラス基板の比重と両主平面の面積（主平面の面積×２）で除することにより、ガラス基板の片側主平面の研磨量を算出でき、研磨加工後の質量をガラス基板の比重と主平面の面積（主平面の面積）で除することにより、ガラス基板の仕上がり板厚値を算出できる。
【００５８】
また、研磨中板厚値Ｔｃは、目標板厚値Ａに残研磨量ΔＤｐを加算した値として表すことができる。すなわち、
Ｔｃ＝Ａ＋ΔＤｐ ・・・（２）
という関係式が成り立つ。残研磨量ΔＤｐとは、今回のバッチにおいて現時点で研磨されるべき残りの板厚値を意味する。
【００５９】
また、両面研磨装置１１は、ガラス基板の板厚を検出する板厚検出手段Ｌ４として、接触式変位センサ６５を備えている。したがって、研磨手段Ｌ１によって今回のバッチで研磨されているガラス基板の研磨中板厚を板厚検出手段Ｌ４が検出することにより得られる研磨中板厚検出値をＤｐ、研磨手段Ｌ１によって前回のバッチでの研磨が終了した時点でのガラス基板の仕上がり板厚を板厚検出手段Ｌ４が検出することにより得られる仕上がり板厚検出値をＤｎ−１とおくと、残研磨量ΔＤｐは、演算式
ΔＤｐ＝Ｄｐ−Ｄｎ−１ ・・・（３）
によって算出可能である。研磨中板厚検出値Ｄｐは、今回のバッチの研磨が開始されてから所定時間毎（例えば、１秒毎）に検出される値であるため、残研磨量ΔＤｐも、その所定時間毎に算出され得る。
【００６０】
つまり、測定手段Ｌ２は、演算式（３）に従って算出した残研磨量ΔＤｐを関係式（２）に代入することによって、研磨中板厚値Ｔｃを逐次測定できる。そして、算出手段Ｌ３は、測定手段Ｌ２によって得られた研磨中板厚値Ｔｃの今回のバッチでの補正値として板厚補正値Ｔｐを算出する。
【００６１】
例えば、板厚補正値Ｔｐの算出例として、研磨中板厚値Ｔｃを今回のバッチでの補正値Ｘｎによって補正した値を、板厚補正値Ｔｐとして算出する方法が挙げられる。具体的には、算出手段Ｌ３は、演算式
Ｔｐ＝Ｔｃ＋Ｘｎ ・・・（４）
に基づいて、板厚補正値Ｔｐを算出する。板厚補正値Ｔｐは、今回のバッチの研磨が開始されてから所定時間毎（例えば、１秒毎）に算出される。
【００６２】
研磨中板厚値Ｔｃは、ガラス基板の研磨が進むにつれて残研磨量ΔＤｐと共に減少するので、演算式（４）に基づいて逐次算出される板厚補正値Ｔｐは、目標板厚値Ａに次第に近づくことになる。そして、板厚補正値Ｔｐが目標板厚値Ａに達した段階で、研磨手段Ｌ１によるガラス基板の研磨を終了させる。なお、今回のバッチでの研磨が終了した時点での研磨中板厚検出値Ｄｐが、今回のバッチでの研磨が終了した時点での仕上がり板厚検出値Ｄｎに相当する。
【００６３】
このように、演算式（４）に基づいて算出した板厚補正値Ｔｐに従って、ガラス基板の研磨を制御することによって、ガラス基板の板厚の仕上がり寸法バラツキをバッチ間で抑えることができる。
【００６４】
また、両面研磨装置１１は、研磨手段Ｌ１の回転駆動軸に連結したギアを収容するギアボックスの温度を検出する温度検出手段Ｌ５として、図６に示した温度センサ６６を備えている。温度センサ６６は、図５に示したギアボックス２３の温度を検出する。ギアボックス２３の温度は、駆動ギア６１ａ等が回転すると、上昇する。このギアボックス２３の温度変化により、ギアボックス２３自体が膨張又は収縮すると、ギアボックス２３に固定されたスタッド２２によって支持されるモーター駆動軸６１が変位してしまう。このモーター駆動軸６１の変位は、測定手段Ｌ２の測定誤差を生む要因のため、ガラス基板の加工精度に影響を与える。例えば、モーター駆動軸６１が下方に変位すると、測定手段Ｌ２はガラス基板の板厚を研磨されていない側に誤って測定してしまうため、研磨手段Ｌ１は必要以上にガラス基板を研磨してしまう。
【００６５】
そこで、上記の板厚補正値Ｔｐが、研磨中板厚値Ｔｃを、温度検出手段Ｌ５によって検出される温度に基づいて今回のバッチの研磨中補正値として算出される第２の補正値Ｙｐによって補正される値であれば、ギアボックス２３の温度変化に伴うモーター駆動軸６１の変位量を逐次補正しながら研磨できるので、ガラス基板の板厚の仕上がり寸法バラツキをバッチ間で抑えることができる。
【００６６】
例えば、第２の補正値Ｙｐは、ギアボックス２３の温度変化により測定手段Ｌ２によって得られる研磨中板厚値Ｔｃが変化することから、ギアボックス２３の温度変化量Δｔに基づいて算出されるとよい。具体的には、温度変化量Δｔは、前回のバッチの終了時点におけるギアボックス２３の前回温度ｔ１から、今回のバッチにおける現時点でのギアボックス２３の研磨中温度ｔ２を、差し引いた値であればよい。前回温度ｔ１及び研磨中温度ｔ２は、温度検出手段Ｌ５によって検出される。研磨中温度ｔ２は、今回のバッチの研磨が開始されてから所定時間毎（例えば、１秒毎）に検出される値であるため、第２の補正値Ｙｐも、その所定時間毎に算出され得る。
【００６７】
図１０は、前回のバッチでの仕上がり誤差（Ｔｎ−１−Ａ）と温度変化量Δｔと相関関係を示した図である。図１０には、両面研磨装置１１を実際に動作させることによって得られた複数のサンプルデータがプロットされている。図１０に示されるように、前回のバッチでの仕上がり誤差（Ｔｎ−１−Ａ）と温度変化量Δｔとの間には直線的な相関関係がある。そこで、算出手段Ｌ３は、ｂを係数として、演算式
Ｙｐ＝ｂ×Δｔ ・・・（５）
に基づいて、第２の補正値Ｙｐを算出する。係数ｂを求めるためには、仕上がり誤差（Ｔｎ−１−Ａ）の実データと温度変化量Δｔの実データとの関係を一次式で回帰分析することによって算出できる。係数ｂは、研磨装置間でバラツキがあるため、研磨装置毎に求められるとよい。
【００６８】
したがって、算出手段Ｌ３は、逐次算出される研磨中板厚値Ｔｃを、係数ｂの値が特定された演算式（５）に基づいて逐次算出される第２の補正値Ｙｐによって補正した値を、板厚補正値Ｔｐとして算出できる。
【００６９】
具体的には、算出手段Ｌ３は、演算式
Ｔｐ＝Ｔｃ＋Ｙｐ ・・・（６）
に基づいて、板厚補正値Ｔｐを算出する。板厚補正値Ｔｐは、今回のバッチの研磨が開始されてから所定時間毎（例えば、１秒毎）に算出される。
【００７０】
研磨中板厚値Ｔｃは、ガラス基板の研磨が進むにつれて残研磨量ΔＤｐと共に減少するので、演算式（６）に基づいて逐次算出される板厚補正値Ｔｐは、目標板厚値Ａに次第に近づくことになる。そして、板厚補正値Ｔｐが目標板厚値Ａに達した段階で、研磨手段Ｌ１によるガラス基板の研磨を終了させる。なお、今回のバッチでの研磨が終了した時点での研磨中板厚検出値Ｄｐが、今回のバッチでの研磨が終了した時点での仕上がり板厚検出値Ｄｎに相当する。
【００７１】
このように、演算式（６）に基づいて算出した板厚補正値Ｔｐに従って、ガラス基板の研磨を制御することによって、ガラス基板の板厚の仕上がり寸法バラツキをバッチ間で抑えることができる。
【００７２】
また、算出手段Ｌ３は、演算式（４）と（６）を組み合わせた演算式
Ｔｐ＝Ｔｃ＋Ｘｎ＋Ｙｐ ・・・（７）
に基づいて算出された板厚補正値Ｔｐに従って、ガラス基板の研磨を制御することによって、ガラス基板の板厚の仕上がり寸法バラツキをバッチ間で更に抑えることができる。
【００７３】
このように、上述の実施形態によれば、手間や高いコストを掛けることなく、精度高くガラス基板の研磨加工を制御することができ、品質安定性に優れるガラス基板を、生産性高く提供できる。
【００７４】
なお、上述の実施形態は両面研磨装置であったが、本発明の実施形態は、片面研磨装置でもよいし、基板側面（端面）の研磨装置でもよい。また、本発明の実施形態は、研磨速度の速い研磨工程（例えば、遊離砥粒を用いた遊離砥粒ラッピング工程、固定砥粒工具を用いた固定砥粒ラッピング工程など）に、特に好適に使用される。
【００７５】
本発明の実施形態のガラス基板は、磁気記録媒体用ガラス基板でもよいし、フォトマスク用ガラス基板でもよい。また、液晶や有機ＥＬ等のディスプレイ用ガラス基板でもよいし、レンズ、光学フィルター、光ピックアップ素子などの光学部品用ガラス基板でもよい。また、半導体用の基板（シリコン基板、炭化ケイ素基板など）でもよい。
【００７６】
本発明の実施形態のガラス基板は、アモルファスガラスでもよいし、結晶化ガラスでもよく、化学強化ガラスでもよい。また、本発明の実施形態のガラス基板のガラス素基板は、フロート法で造られたものでも良く、プレス成形法で造られたものでもよく、フュージョン法で造られたものでもよい。
【００７７】
本発明の実施形態である両面研磨装置は、４個のモーターの回転による駆動力によってガラスを研磨する４ウェイ方式であるが、１個のモーターの回転による駆動力によってガラスを研磨する１ウェイ方式でもよいし、２個のモーターの回転による駆動力によってガラスを研磨する２ウェイ方式でもよいし、３個のモーターの回転による駆動力によってガラスを研磨する３ウェイ方式でもよい。また、４個以上のモーターの回転による駆動力によってガラスを研磨する研磨装置でもよい。
【００７８】
２ウェイ方式の両面研磨装置は、上下定盤が回転することなく固定されていて、工作物はモーターの回転駆動によって回転するインターナルギアとサンギアの双方と噛み合うキャリヤ内に保持されて運動し、上下定盤に挟み付けられる研磨圧のもとで研磨される形式のものである。３ウェイ方式の両面研磨装置は、インターナルギアとサンギアに加えて下定盤もモーターの回転駆動によって回転する形式のものである。
【００７９】
また、ガラス基板の研磨は、モーターの駆動により発生する駆動力によって行われるが、本発明に係る研磨装置は、モーターの回転動作によって研磨定盤を回転させてガラス基板を研磨するものでもよいし、モーターの駆動動作によって研磨定盤を往復運動させることによってガラス基板を研磨するものでもよい。
【実施例】
【００８０】
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明を更に説明するが、本発明はこれにより何ら制限されるものではない。本実施例では、図１に示したキー構造の両面研磨装置１１を用いている。
【００８１】
図１１は、磁気記録媒体用ガラス基板及び磁気ディスクの製造工程を示したフローチャートである。磁気記録用ガラス基板の製造工程は、Ｐ１からＰ９までの工程を含む。工程Ｐ９の終了段階で、第１の最終製品である磁気記録媒体用ガラス基板が製造される。そして、磁気記録媒体用ガラス基板に対して、磁気ディスク製造工程Ｐ１０を経ることによって、第２の最終製品である磁気ディスクが製造される。
【００８２】
（形状加工工程Ｐ１）
フロート法で成形されたシリケートガラス板を、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、板厚０．６３５ｍｍの磁気ディスク用ガラス基板が得られるような、ドーナツ状円形ガラス板（中央部に円孔を有する円盤状ガラス板）に加工した。このドーナツ状円形ガラス板の内周側面と外周側面を、面取り幅０．１５ｍｍ、面取り角度４５°となるように面取り加工を行った。
【００８３】
（ラッピング工程Ｐ２）
その後、ガラス板上下面のラッピングを、酸化アルミニウム砥粒を用いて行い、砥粒を洗浄除去した。図１の両面研磨装置１１をラッピング工程Ｐ２で使用し、ラップ研磨を行った。
【００８４】
【表１】
表１は、ラッピング工程Ｐ２の終了段階でのガラス基板の仕上がり板厚値の測定結果である。実施例１は、演算式（４）に基づいて算出した板厚補正値Ｔｐに従って、ガラス基板の研磨を制御した場合を示す。実施例２は、演算式（７）に基づいて算出した板厚補正値Ｔｐに従って、ガラス基板の研磨を制御した場合を示す。比較例は、本発明の補正がされていない研磨中板厚値Ｔｃに従って、ガラス基板の研磨を制御した場合（従来方法）を示す。目標板厚値Ａは、いずれも６７１μｍである。
【００８５】
比較例（従来方法）と実施例とを比較するため、仕上がり板厚値の測定は、精密電子天秤（株式会社エー・アンド・デイ 型式ＦＸ−１２０ｉ）を用い、研磨加工前後の質量変化量を測定することにより行った（質量法）。研磨加工後の質量を、ガラス基板の比重と主平面の面積で除することにより、仕上がり板厚値を算出した。
【００８６】
表１に示されるように、目標板厚値６７１μｍに対して研磨しすぎている板厚値（６６６μｍ以下の仕上がり板厚値）が測定されたバッチ数の総バッチ数に対する割合は、実施例１、２共に比較例よりも減少している（実施例１：３．２％、実施例２：２．０％、比較例：４．７％）。また、各バッチの平均仕上がり板厚値の標準偏差も、実施例１、２共に比較例よりも減少している（実施例１：２．４８μｍ、実施例２：２．３７μｍ、比較例：２．７０μｍ）。このように、本発明を適用することにより、ガラス基板の板厚の仕上がり寸法バラツキをバッチ間で抑えることができる。
【００８７】
（端面研磨工程Ｐ３）
内周側面と内周面取り部を研磨ブラシと酸化セリウム砥粒を用いて研磨し、内周側面と内周面取り部のキズを除去し、鏡面となるように加工した。次に、内周端面研磨を行ったガラス基板を、外周側面と外周面取り部を研磨ブラシと酸化セリウム砥粒を用いて研磨し、外周側面と外周面取り部のキズを除去し、鏡面となるように加工した。内周端面研磨と外周端面研磨を行ったガラス基板は、アルカリ洗剤を用いたスクラブ洗浄と、アルカリ洗剤溶液への浸漬した状態での超音波洗浄により、砥粒を洗浄除去される。
【００８８】
（１次研磨工程Ｐ４）
その後、研磨具として硬質ウレタンパッドと酸化セリウム砥粒を含有した研磨液（平均粒子径約１．４μｍの酸化セリウムを主成分とした研磨液組成物）を用いて、両面研磨装置により上下主平面を研磨加工した。
【００８９】
（２次研磨工程Ｐ５）
研磨加工を行ったガラス基板は、研磨具として軟質ウレタンパッドと上記の酸化セリウム砥粒よりも平均粒子径が小さい酸化セリウム砥粒を含有した研磨液（平均粒子径約０．５μｍの酸化セリウムを主成分とする研磨液組成物）を用いて、両面研磨装置により上下主平面の研磨加工を行い、酸化セリウムを洗浄除去した。
【００９０】
（３次研磨工程Ｐ７）
更に、仕上げ研磨の研磨具として軟質ウレタンパッドとコロイダルシリカを含有する研磨液（一次粒子の平均粒子径２０〜３０ｎｍのコロイダルシリカを主成分とする研磨液組成物）を用いて、両面研磨装置により上下主平面を研磨加工した。
【００９１】
（洗浄工程Ｐ９）
仕上げ研磨後のドーナツ状円形ガラス板を、アルカリ洗剤によるスクラブ洗浄、アルカリ洗剤溶液への浸漬した状態での超音波洗浄、純水へ浸漬した状態での超音波洗浄、を順次行い、ＩＰＡ蒸気にて乾燥した。
【００９２】
その結果、ラッピング工程Ｐ２で本発明を適用することにより、最終製品である磁気記録媒体用ガラス基板（成膜前の磁気ディスクガラス基板）の板厚バラツキも抑えられ、板厚が高精度に制御できているガラス基板を得ることができた。
【００９３】
また、ガラス基板の両主平面を研磨加工する段階において、同一バッチ内の板厚バラツキが小さく抑えられているため、同一バッチ内のガラス基板の主平面を均一に研磨でき、ガラス基板主平面の特性（例えば、表面粗さ、表面うねりなど。）が向上したガラス基板製品を得ることができた。
【００９４】
なお、本実施例は本発明をラッピング工程に適用した場合を示したが、１次研磨工程、２次研磨工程、３次研磨工程に本発明を適用してもよい。
【符号の説明】
【００９５】
１１ 両面研磨装置
２０ 基台
２１ ベアリング
２２ スタッド
２３ ギアボックス
３０ 下定盤
３０ａ，３２ａ，３３ａ，６１ａ 駆動ギア
３１ 上面
３２ サンギア
３３ インターナルギア
４０ 上定盤
５０ 昇降機構
５２ 昇降用シリンダ装置
５４ ピストンロッド
６０ 回転伝達機構
６１ モーター駆動軸
６２ 結合部
６２ａ キー溝
６４ 超硬チップ
６５ 接触式変位センサ
６５ａ 測定子
６５ｂ 検出部
６５ｃ コード
６６ 温度センサ
７０ フレーム
７２ 梁
８０ 吊下部材
８０ａ 支柱
８０ｂ 円環状取付部材
８０ｃ 板状取付部材
８１ キー
８２ 支軸
９０ 制御部
１６０ キャリヤ
１６１ 収納孔
１６２ ギア
２００ ガラス基板
２１０ 下側研磨パッド
２２０ 上側研磨パッド
３１０ 報知手段
３３０ 入力装置
Ｍ１〜Ｍ４ モーター
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス基板の研磨加工を精度高く制御する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガラス基板の研磨加工を行う際、研磨加工中の研磨装置や被研磨体の状態を的確に捉え、得られた情報に基づきガラス基板の研磨加工を制御して、精度高く研磨加工を行うことが、従来から検討されている。
【０００３】
その中でも、ガラス基板の研磨量を精度高く制御しながら研磨する方法は、ガラス基板製品に求められる、重要な品質特性である板厚に大きく影響を及ぼすことから、さまざまな方法が検討されている。
【０００４】
例えば、磁気記録媒体用ガラス基板においては、近年の高記録密度化に伴い、磁気記録媒体に使用するガラス基板の加工精度に対する要求が高くなってきており、ガラス基板の板厚の寸法バラツキが小さいガラス基板が求められている。
【０００５】
ガラス基板の研磨量を制御する従来方法として、接触式または非接触式変位センサを用いて上定盤の相対的な上下位置を特定して被加工物の板厚を制御する方法が知られている（例えば、特許文献１の第１乃至第３図，並びに特許文献２の図３等参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特公昭６４−４１２６号公報
【特許文献２】特開２００４−３４５０１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来技術では、ガラス基板の板厚の仕上がり寸法バラツキがバッチ（ロット）間で大きいため、近年の加工精度に対する厳しい要求基準によっては、歩留まりが低下する場合がある。
【０００８】
そこで、本発明は、ガラス基板の板厚の仕上がり寸法バラツキをバッチ間で抑えることができる、ガラス基板の研磨方法及び製造方法、並びに研磨装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明に係る研磨装置は、
毎回同じ目標板厚値に従ってガラス基板の研磨処理を行う研磨手段を備える、研磨装置であって、
前記研磨手段によって今回の研磨処理で研磨されているガラス基板の研磨中板厚値を測定する測定手段と、
前記研磨手段によって前回以前の研磨処理で研磨されたガラス基板の仕上がり板厚値と前記目標板厚値との仕上がり誤差に基づいて、前記測定手段によって測定される研磨中板厚値の板厚補正値を算出する算出手段とを備え、
前記研磨手段は、前記板厚補正値が前記目標板厚値に到達するまでガラス基板を研磨する、ことを特徴とするものである。
【００１０】
また、上記目的を達成するため、本発明に係るガラス基板の研磨方法は、
毎回同じ目標板厚値に従ってガラス基板の研磨処理を研磨手段によって行う、ガラス基板の研磨方法であって、
前記研磨手段によって今回の研磨処理で研磨されているガラス基板の研磨中板厚値を測定手段によって測定し、
前記研磨手段によって前回以前の研磨処理で研磨されたガラス基板の仕上がり板厚値と前記目標板厚値との仕上がり誤差に基づいて、前記測定手段によって測定される研磨中板厚値の板厚補正値を算出手段によって算出し、
前記板厚補正値が前記目標板厚値に到達するまで前記研磨手段によってガラス基板を研磨する、ことを特徴とするものである。
【００１１】
また、上記目的を達成するため、本発明に係るガラス基板の製造方法は、
本発明に係るガラス基板の研磨方法によってガラス基板を研磨する研磨工程を含むことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、ガラス基板の板厚の仕上がり寸法バラツキをバッチ間で抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態である両面研磨装置１１の模式的な縦断面図である。
【図２Ａ】上定盤を上昇させた状態を模式的に示す縦断面図である。
【図２Ｂ】上定盤を降下させた状態を模式的に示す縦断面図である。
【図３】下定盤に載置されたキャリヤの取付状態を示す平面図である。
【図４】図３中Ａ−Ａ線に沿う断面を模式的に拡大して示す縦断面図である。
【図５】基台２０に収容された駆動部の一部分を断面で示した、駆動部の構成図である。
【図６】制御部により制御される各機器を示す制御系のブロック図である。
【図７】接触式変位センサ６５の取り付け状態を示した模式的な断面図である。
【図８】接触式変位センサ６５の測定子６５ａの先端が接触するモーター駆動軸６１の上端部を示した部分断面斜視図である。
【図９Ａ】制御部９０が実行する研磨工程の制御処理及び作業者が行なう作業の手順を説明するためのフローチャートである。
【図９Ｂ】図９Ａの制御処理に続いて実行される制御処理及び作業者が行なう作業の手順を説明するためのフローチャートである。
【図１０】前回のバッチでの仕上がり誤差（Ｔｎ−１−Ａ）と温度変化量Δｔと相関関係を示した図である。
【図１１】磁気記録媒体用ガラス基板及び磁気ディスクの製造工程を示したフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明を実施するための形態について説明するが、本発明は以下に記載される実施形態に限られない。
【００１５】
図１は、本発明の一実施形態である両面研磨装置１１の模式的な縦断面図である。図１に示されるように、両面研磨装置１１は、複数のガラス基板の上面及び下面を同時に研磨するように構成されており、基台２０と、下定盤３０と、上定盤４０と、昇降機構５０と、回転伝達機構６０とを有する。基台２０の上部には、下定盤３０が回転可能に支持されており、基台２０の内部には、後述する駆動部としての上定盤４０等を回転駆動する駆動モーターが取り付けられている。
【００１６】
下定盤３０は、後述するようにキャリヤに保持された複数のガラス基板の下面を研磨する下側研磨パッドを有する。また、上定盤４０は、下定盤３０の上方に対向配置され複数のガラス基板の上面を研磨する上側研磨パッドを有する。
【００１７】
昇降機構５０は、基台２０の上方に起立する門型のフレーム７０により支持されており、キャリヤ交換時に上定盤４０を昇降させる昇降用シリンダ装置５２を有する。昇降用シリンダ装置５２は、フレーム７０の梁７２の中央に垂下方向に伸縮動作するように取り付けられている。昇降用シリンダ装置５２のピストンロッド５４は、下方に延在している。
【００１８】
ピストンロッド５４の下側先端部には、吊下部材８０の中央部が結合されている。吊下部材８０は、上定盤４０を吊下するように取り付けられている。吊下部材８０は、上下方向に延在する複数の支柱８０ａと、支柱８０ａの下端部に固定された円環状取付部材８０ｂと、支柱８０ａの上端部に固定された板状取付部材８０ｃとを備える。円環状取付部材８０ｂの下面に、上定盤４０の上面が固定されている。したがって、昇降用シリンダ装置５２のピストンロッド５４が上方向または下方向に駆動されると、ピストンロッド５４と吊下部材８０を介して連結された上定盤４０も同時に駆動されて上昇または降下する。
【００１９】
両面研磨装置１１は、上定盤４０、昇降機構５０、回転伝達機構６０を制御する制御部９０を有する。
【００２０】
図２Ａは上定盤を上昇させた状態を模式的に示す縦断面図である。上定盤４０は、キャリヤ交換時またはパッド交換時に昇降用シリンダ装置５２によって上昇して下定盤３０の上方（Ｚａ方向）に移動する。この上昇状態では、下定盤３０の上面に載置された研磨工程が終了した複数のガラス基板及びキャリヤ１６０（後述。図３参照）を取り出して次の研磨工程で使用するキャリヤ１６０及び未研磨のガラス基板を下定盤３０の上面に装着できる。
【００２１】
また、回転伝達機構６０は、上定盤４０の駆動モーターのモーター駆動軸６１の上端に円筒形状に形成された結合部６２を有する。
【００２２】
図１に示されるように、回転伝達機構６０は、上定盤４０の中心孔を貫通する結合部６２の上側側面に形成されたキー溝（凹部）６２ａに嵌合可能なキー（爪）８１を有する。上定盤４０の内周側に突出するキー８１は、支軸８２を揺動中心として、支軸８２によって円環状取付部材８０ｂに揺動可能に取り付けられている。
【００２３】
上定盤４０が降下した状態では、キー８１はキー溝６２ａに嵌合し（図１，２Ｂ参照）、上定盤４０が上昇した状態では、キー８１はキー溝６２ａから離れる（図２Ａ参照）。キー８１とキー溝６２ａが嵌合した状態で、上定盤４０の駆動モーターの駆動トルクが上定盤４０に伝達され、上定盤４０は結合部６２とともに回転する。
【００２４】
図２Ｂは上定盤を降下させた状態を模式的に示す縦断面図である。図２Ｂに示されるように、昇降用シリンダ装置５２の下室に対する圧縮空気の供給圧力Ｐ１を低くすることにより（このとき、昇降用シリンダ装置５２の上室は大気開放、Ｐ２は大気圧）、昇降用シリンダ装置５２のピストンロッド５４が上定盤４０の自重により下方（Ｚｂ方向）に駆動されると、吊下部材８０と共に上定盤４０が降下する。
【００２５】
尚、図２Ｂにおいて、上定盤４０が自重により又は所定の圧力下で下定盤３０に載置された複数のガラス基板の上面に当接した状態になっている。
【００２６】
図３は下定盤に載置されたキャリヤを示す平面図である。図３に示されるように、下定盤３０の上面３１には、複数のキャリヤ１６０が載置される。キャリヤ１６０は、ガラス基板２００よりも薄い樹脂材により円盤状に形成されており、ガラス基板２００が収納される多数の収納孔１６１が同心円状に設けられている。多数の収納孔１６１は、夫々収納された各ガラス基板２００の外周をガタツキなく保持する寸法に形成されている。尚、本実施例では、キャリヤ１６０が５個配された構成を一例として示すが、これに限らず、下定盤３０とキャリヤ１６０との大きさ（直径）に応じて５個以上又は５個未満配置しても良い。
【００２７】
また、下定盤３０の上面３１の回転中心孔には、サンギア３２が下方から挿通され、下定盤３０の上面３１の外周の外側には、キャリヤ１６０のギア１６２と噛み合う位置に、インターナルギア３３が設けられている。キャリヤ１６０は、外周に形成されたギア１６２がサンギア３２及びインターナルギア３３に噛合している。そのため、キャリヤ１６０は、下定盤３０が基台２０に設けられた駆動モーターによって回転駆動するのに伴ってインターナルギア３３がサンギア３２に対して周方向に相対回転（すなわち、インターナルギア３３がサンギア３２に対して周方向で反対方向に回転）すると共に、自転しながらサンギア３２の周方向に公転する。また、サンギア３２及びインターナルギア３３も、それぞれを駆動するための駆動モーターによって自転する。これにより、各キャリヤ１６０の各収納孔１６１に収納された各ガラス基板２００の研磨量の片寄りを防止して研磨後のガラス基板の板厚を均一化できる。
【００２８】
図４は図３中Ａ−Ａ線に沿う断面を模式的に拡大して示す縦断面図である。図４に示されるように、研磨時は、下定盤３０の上面３１に保持された下側研磨パッド２１０が各ガラス基板２００の下面に接しており、且つ昇降機構５０により研磨位置に降下した上定盤４０に保持された上側研磨パッド２２０が各ガラス基板２００の上面に接している。そのため、両面研磨装置１１においては、上定盤４０及び下定盤３０が相対回転（すなわち、上定盤４０が下定盤３０に対して周方向で反対方向に回転）することで、上定盤４０と下定盤３０との間でキャリヤ１６０に保持された各ガラス基板２００の上面及び下面を同時に研磨することが可能になる。尚、各ガラス基板２００に接する下側研磨パッド２１０、上側研磨パッド２２０の表面が研磨面となる。
【００２９】
ここで、基台２０に設けられた駆動部の構成について説明する。
【００３０】
図５は、基台２０に収容された駆動部の一部分を断面で示した、駆動部の構成図である。上定盤４０、下定盤３０、サンギア３２及びインターナルギア３３は、基台２０の内側下面に設けられた台上に同一の軸線の周りに回転可能に支持されている。特に、上定盤４０の回転駆動軸であるモーター駆動軸６１の下端は、ベアリング２１を介して、基台２０内のギアボックス２３に固定されたスタッド２２に回転自在に支持されている。上定盤４０の回転軸であるモーター駆動軸６１、下定盤３０、サンギア３２及びインターナルギア３３には、それぞれ、第１モーターＭ１、第２モーターＭ２、第３モーターＭ３及び第４モーターＭ４からの回転動力が駆動ギアを介して伝達される。上定盤４０を回転駆動するモーター駆動軸６１は、駆動ギア６１ａを介してモーターＭ１に連結され、下定盤３０は、駆動ギア３０ａを介してモーターＭ２に連結され、サンギア３２は、駆動ギア３２ａを介してモーターＭ３に連結され、インターナルギア３３は、駆動ギア３３ａを介してモーターＭ４に連結される。これらの各駆動ギアは、潤滑油で満たされたギアボックス２３に収容されている。図５では、駆動モーターとして、４つのモーターの場合が示されている。しかしながら、これらの駆動モーターを一つ又は二つ以上のモーターとしてもよい。一つ又は二つ以上のモーターから歯車装置を介して動力を分岐させて各ギアを駆動して、モーター駆動軸６１、下定盤３０、サンギア３２及びインターナルギア３３のそれぞれを回転させてもよい。
【００３１】
上定盤４０は、モーターＭ１の駆動力に対応した回転速度で回転し、下定盤３０が、モーターＭ２の駆動力に対応した回転速度で回転する。下定盤３０は、上定盤４０に対して逆方向に回転する。また、サンギア３２は、モーターＭ３の駆動力に対応した回転速度で回転し、インターナルギア３３は、モーターＭ４の駆動力に対応した回転速度で回転する。
【００３２】
また、上定盤４０等を回転駆動する駆動モーターは、基台２０の内部に配置されており、フレーム７０（図１参照）には設けられていないので、装置全体の重心を低くして研磨動作時の振動を抑制すると共に、研磨動作時の安定性がより高められている。
【００３３】
図６は、制御部９０により制御される各機器を示す制御系のブロック図である。図６に示されるように、制御部９０は、昇降用シリンダ装置５２、基台２０の内部に設けられたモーターＭ１〜Ｍ４、モニタやスピーカ等の報知手段３１０、作業者や他の制御部からの入力情報を受け付ける入力装置３３０、所定の基準位置に対する上定盤４０の上下変位方向での相対位置を計測する接触式変位センサ６５、ギアボックス２３の温度を例えば熱電対によって検出する温度センサ６６などと電気的に接続されており、各機器を制御するための制御信号を生成する。制御部９０は、ＣＰＵ等の演算処理装置を備え、演算処理装置により処理される所定のプログラムに従って、上記制御信号を生成する。
【００３４】
制御部９０は、接触式変位センサ６５及び温度センサ６６の検出値に応じた出力信号に従って、ガラス基板の研磨量（板厚）を算出する。また、制御部９０は、接触式変位センサ６５等からの出力信号に従って、上定盤４０による、下定盤３０に載置された複数のガラス基板の上面に対する圧力を増減させる加減圧動作と、上定盤４０等を回転駆動するためのモーターＭ１〜Ｍ４の回転とを制御することによって、ガラス基板の研磨量（板厚）を調整する。
【００３５】
入力装置３３０は、制御部９０外部からの情報を受け付けて制御部９０に伝達するインターフェイス装置である。入力装置３３０は、例えば、作業者が入力情報を入力するための操作部（例えば、タッチパネル、ボタン、レバー、キーボードなど）や、パソコンなどの外部のコンピュータとの接続を可能にする通信インターフェイス装置である。
【００３６】
図７は、接触式変位センサ６５の取り付け状態を示した模式的な断面図である。接触式変位センサ６５は、上定盤４０の上下変位方向の相対位置を計測することによって、ガラス基板の板厚を検出する装置である。接触式変位センサ６５は、上定盤４０又は上定盤４０と一体に変位する部材に取り付けられている。図７は、ピストンロッド５４に接続され上定盤４０と一体に動く板状取付部材８０ｃに取り付けられた例を示している。接触式変位センサ６５は、測定子６５ａと、検出部６５ｂと、コード６５ｃとを備える。検出部６５ｂは、板状取付部材８０ｃに固定され、測定子６５ａを上下方向にストローク可能に支持する。検出部６５ｂは、測定子６５ａのストローク量を検出し、その検出値に応じた出力信号を、コード６５ｃを介して上述の制御部９０に出力する。
【００３７】
図８は、接触式変位センサ６５の測定子６５ａの先端が接触するモーター駆動軸６１の上端部を示した部分断面斜視図である。図８は、下定盤３０の上面に接触している上定盤４０の一部が切り取られた状態を示している。測定子６５ａの下側先端部は、上定盤４０を回転駆動するモーター駆動軸６１と共に回転する結合部６２の上面に形成された超硬チップ６４に接触する。測定子６５ａの下側先端部が超硬チップ６４を介してモーター駆動軸６１の上端部に接触するので、モーター駆動軸６１が回転しても、測定子６５ａの下側先端部が磨耗することを抑えることができる。超硬チップ６４は、モーター回転軸６１と共に回転する構成でもよいが、モーター回転軸６１の回転に対してフリーに支持される構成であれば、測定子６５ａの下側先端部の磨耗を更に抑制できる。
【００３８】
モーター駆動軸６１に回転駆動される上定盤４０がガラス基板の研磨量に応じて下降すると、モーター駆動軸６１の上端部に下側先端部が接触する測定部６５ａは、その下降量に応じて検出部６５ｂ内に押し込まれる。つまり、接触式変位センサ６５は、上定盤４０の上下方向の変位量を、ガラス基板の板厚変化量として検出できる。
【００３９】
ここで、制御部９０が実行する研磨工程の制御処理及び作業者が行う作業の手順について図９Ａ、図９Ｂのフローチャートを参照して説明する。
【００４０】
図９ＡのＳ１１で制御部９０は、両面研磨装置１１の電源スイッチがオンに操作されたか否かをチェックしており、電源スイッチがオンなると、Ｓ１５に進む。Ｓ１５では、昇降用シリンダ装置５２の下室への供給圧力Ｐ１を高くすることにより（このとき、昇降用シリンダ装置５２の上室は大気開放、Ｐ２は大気圧）、ピストンロッド５２を上方に駆動して吊下部材８０と共に上定盤４０を上昇させる（図２Ａ参照）。これにより、上定盤４０は、下定盤３０の上方に離間する。
【００４１】
次のＳ１７では、作業者が下定盤３０の上面にキャリヤ１６０をセットする。続いて、Ｓ１９では、作業者がキャリヤ１６０の各収納孔１６１にガラス基板２００をセットする。
【００４２】
Ｓ２１では、制御部９０が昇降用シリンダ装置５２の下室への供給圧力Ｐ１を低くすることにより（このとき、昇降用シリンダ装置５２の上室は大気開放、Ｐ２は大気圧）、ピストンロッド５２を上定盤４０の自重で下方（Ｚｂ方向）に駆動させる（図２Ｂ参照）。これにより、吊下部材８０と共に上定盤４０がシリンダ５２のストロークエンドまで降下し、上定盤４０に連結されたキー８１が結合部６２のキー溝６２ａに嵌合すると（図１参照）、上定盤４０の下面に配された上側研磨パッド２２０がキャリヤ１６０に保持された各ガラス基板２００の上面に当接する。この上側研磨パッド２２０がガラス基板２００に当接した状態では、上定盤４０の質量によって又は所定の圧力によって、各ガラス基板２００の上面に圧力が作用している。
【００４３】
Ｓ２３では、制御部９０は、入力装置３３０から入力された入力値を、今回のバッチの研磨条件として設定する。入力値として、例えば、ガラス基板の枚数Ｎ、前回のバッチでの仕上がり板厚値Ｔ、目標板厚値Ａが入力される。ガラス基板の枚数Ｎは、１バッチ（１研磨処理）のガラス基板の枚数（すなわち、一研磨装置の全キャリヤ１６０上に配置されて研磨されるガラス基板の枚数）に相当する。
【００４４】
Ｓ２５では、制御部９０がクーラント液又はスラリーを上定盤４０側から（例えば、上定盤４０に空けた複数の孔から）供給する。さらに、Ｓ２７に進み、モーターＭ１〜Ｍ４を起動させて、モーター駆動力を下定盤３０及び上定盤４０に伝達する。
【００４５】
Ｓ２９では、研磨開始直後に制御部９０が加圧制御をすることにより、上定盤４０の下面に装着された上側研磨パッド２２０は、キャリヤ１６０に保持された各ガラス基板２００の上面に所定の圧力で押圧する。
【００４６】
次のＳ３１では、制御部９０は、後述の方法で、ガラス基板の研磨中に実際に測定して得られた研磨中板厚値Ｔｃを補正した値である板厚補正値Ｔｐを算出する。Ｓ３３で、制御部９０は、研磨中に逐次算出される板厚補正値Ｔｐが目標板厚値Ａに到達したか否かを判断する。到達していなければ、Ｓ３１を継続する。
【００４７】
Ｓ３３において、研磨の進行に伴い減少する板厚補正値Ｔｐが目標板厚値Ａに達したときは、図９ＢのＳ３５に進み、ガラス基板の研磨を終了させるため、制御部９０は減圧制御をする。減圧制御による加圧の解除により、ガラス基板の研磨は終了する。
【００４８】
Ｓ３３において板厚補正値Ｔｐが目標板厚値Ａに到達した時点で、加圧を解除することによってガラス基板の研磨を停止させてもよいし、加圧圧力を段階的に下げてからガラス基板の研磨を停止させてもよいし、モーターの回転を停止させることによってガラス基板の研磨を停止させてもよい。
【００４９】
次のＳ３７では、駆動モーターＭ１〜Ｍ４への通電を停止して回転トルクをゼロにする。続いて、Ｓ３９では、クーラント液又はスラリー供給を停止する。
【００５０】
次のＳ４１では、研磨完了したことを報知手段３１０により音声ガイドまたはモニタ表示で報知する。
【００５１】
続いて、Ｓ４３に進み、昇降用シリンダ装置５２の下室への供給圧力Ｐ１を高くすることにより（このとき、昇降用シリンダ装置５２の上室は大気開放、Ｐ２は大気圧）、ピストンロッド５４を上昇動作させて上定盤４０を下定盤３０の上方（Ｚａ方向）に移動する（図２Ａ参照）。このような上定盤４０の上昇動作により、研磨が完了した複数のガラス基板２００及びキャリヤ１６０を取り出すことが可能になる。
【００５２】
次のＳ４５では、作業者が下定盤３０からキャリヤ１６０を取り出す。続いて、Ｓ４７では、作業者が下定盤３０上から研磨完了したガラス基板２００を全て取り出す。Ｓ５３において、引き続き研磨を継続する場合は、前述したＳ１５に戻り、Ｓ１５以降の手順を繰り返す。
【００５３】
次に、Ｓ３１とＳ３３での動作について詳細説明する。本発明の一実施形態である両面研磨装置１１は、毎回同じ目標板厚値Ａに従ってガラス基板の研磨処理を行う研磨手段Ｌ１として、上定盤４０及び下定盤３０を備えている。また、両面研磨装置１１は、研磨手段Ｌ１によって今回のバッチで研磨されているガラス基板の研磨中板厚値Ｔｃを現時点の板厚値として研磨中逐次測定する測定手段Ｌ２として、接触式変位センサ６５及び制御部９０を備えている。また、両面研磨装置１１は、研磨手段Ｌ１によって前回以前のバッチで研磨されたガラス基板の仕上がり板厚値Ｔと目標板厚値Ａとの仕上がり誤差（Ｔ−Ａ）に基づいて、測定手段Ｌ２による測定によって得られた研磨中板厚値Ｔｃの補正値として板厚補正値Ｔｐを研磨中逐次算出する算出手段Ｌ３として、制御部９０を備えている。そして、研磨手段Ｌ１は、算出手段Ｌ３によって算出された板厚補正値Ｔｐが目標板厚値Ａに到達するまでガラス基板を研磨するものである。
【００５４】
このような構成を有する両面研磨装置１１によれば、板厚補正値Ｔｐは前回以前のバッチでの仕上がり誤差（Ｔ−Ａ）を加味した補正値であるので、測定手段Ｌ２による測定によって得られた研磨中板厚値Ｔｃが目標板厚値Ａに到達するまでガラス基板を研磨する場合に比べて（すなわち、仕上がり誤差（Ｔ−Ａ）を加味しない場合に比べて）、ガラス基板の板厚の仕上がり寸法バラツキをバッチ間で抑えることができる。
【００５５】
特に、ガラス基板の板厚の仕上がり寸法バラツキをバッチ間で抑えるという点で、板厚補正値Ｔｐは、少なくとも前回のバッチでの仕上がり誤差を加味した補正値であるのが好ましく、前回及び前回よりも前の一又は二以上の回のバッチでの仕上がり誤差を加味した補正値であるのがより好ましい。
【００５６】
例えば、板厚補正値Ｔｐは、測定手段Ｌ２によって測定される研磨中板厚値Ｔｃに、仕上がり誤差（Ｔ−Ａ）に基づいて今回のバッチの初期補正値として算出される第１の補正値Ｘｎを加算した値である。この場合、今回のバッチでの補正値Ｘｎが、研磨手段Ｌ１によって前回のバッチで研磨されたガラス基板の仕上がり板厚値をＴｎ−１，係数ｋ１を０．５≦ｋ１≦０．８，係数ｋ２をｋ２＝１−ｋ１とするとき、漸化式
Ｘｎ＝ｋ１×（Ｔｎ−１−Ａ）＋ｋ２×Ｘｎ−１ ・・・（１）
に基づいて算出されると、ガラス基板の板厚の仕上がり寸法バラツキをバッチ間で抑えるという点で、好適である。係数ｋ１が０．６≦ｋ１≦０．７を満たす値であれば、更に好適である。後述の実施例では、ｋ１＝２／３，ｋ２＝１／３とした。また、ｎは２以上の整数であって、ｎが今回のバッチを表すラベルとしたとき、ｎ−１は前回のバッチを表すラベルであり、ｎ−２は前々回のバッチを表すラベルである。
【００５７】
なお、仕上がり板厚値Ｔは、ガラス基板の板厚の仕上がり寸法バラツキをバッチ間で抑えるという点で、精密電子天秤等を用いて、研磨加工前後の質量変化量を実測することによって求めるとよい（質量法）。研磨加工前後の質量変化量を、ガラス基板の比重と両主平面の面積（主平面の面積×２）で除することにより、ガラス基板の片側主平面の研磨量を算出でき、研磨加工後の質量をガラス基板の比重と主平面の面積（主平面の面積）で除することにより、ガラス基板の仕上がり板厚値を算出できる。
【００５８】
また、研磨中板厚値Ｔｃは、目標板厚値Ａに残研磨量ΔＤｐを加算した値として表すことができる。すなわち、
Ｔｃ＝Ａ＋ΔＤｐ ・・・（２）
という関係式が成り立つ。残研磨量ΔＤｐとは、今回のバッチにおいて現時点で研磨されるべき残りの板厚値を意味する。
【００５９】
また、両面研磨装置１１は、ガラス基板の板厚を検出する板厚検出手段Ｌ４として、接触式変位センサ６５を備えている。したがって、研磨手段Ｌ１によって今回のバッチで研磨されているガラス基板の研磨中板厚を板厚検出手段Ｌ４が検出することにより得られる研磨中板厚検出値をＤｐ、研磨手段Ｌ１によって前回のバッチでの研磨が終了した時点でのガラス基板の仕上がり板厚を板厚検出手段Ｌ４が検出することにより得られる仕上がり板厚検出値をＤｎ−１とおくと、残研磨量ΔＤｐは、演算式
ΔＤｐ＝Ｄｐ−Ｄｎ−１ ・・・（３）
によって算出可能である。研磨中板厚検出値Ｄｐは、今回のバッチの研磨が開始されてから所定時間毎（例えば、１秒毎）に検出される値であるため、残研磨量ΔＤｐも、その所定時間毎に算出され得る。
【００６０】
つまり、測定手段Ｌ２は、演算式（３）に従って算出した残研磨量ΔＤｐを関係式（２）に代入することによって、研磨中板厚値Ｔｃを逐次測定できる。そして、算出手段Ｌ３は、測定手段Ｌ２によって得られた研磨中板厚値Ｔｃの今回のバッチでの補正値として板厚補正値Ｔｐを算出する。
【００６１】
例えば、板厚補正値Ｔｐの算出例として、研磨中板厚値Ｔｃを今回のバッチでの補正値Ｘｎによって補正した値を、板厚補正値Ｔｐとして算出する方法が挙げられる。具体的には、算出手段Ｌ３は、演算式
Ｔｐ＝Ｔｃ＋Ｘｎ ・・・（４）
に基づいて、板厚補正値Ｔｐを算出する。板厚補正値Ｔｐは、今回のバッチの研磨が開始されてから所定時間毎（例えば、１秒毎）に算出される。
【００６２】
研磨中板厚値Ｔｃは、ガラス基板の研磨が進むにつれて残研磨量ΔＤｐと共に減少するので、演算式（４）に基づいて逐次算出される板厚補正値Ｔｐは、目標板厚値Ａに次第に近づくことになる。そして、板厚補正値Ｔｐが目標板厚値Ａに達した段階で、研磨手段Ｌ１によるガラス基板の研磨を終了させる。なお、今回のバッチでの研磨が終了した時点での研磨中板厚検出値Ｄｐが、今回のバッチでの研磨が終了した時点での仕上がり板厚検出値Ｄｎに相当する。
【００６３】
このように、演算式（４）に基づいて算出した板厚補正値Ｔｐに従って、ガラス基板の研磨を制御することによって、ガラス基板の板厚の仕上がり寸法バラツキをバッチ間で抑えることができる。
【００６４】
また、両面研磨装置１１は、研磨手段Ｌ１の回転駆動軸に連結したギアを収容するギアボックスの温度を検出する温度検出手段Ｌ５として、図６に示した温度センサ６６を備えている。温度センサ６６は、図５に示したギアボックス２３の温度を検出する。ギアボックス２３の温度は、駆動ギア６１ａ等が回転すると、上昇する。このギアボックス２３の温度変化により、ギアボックス２３自体が膨張又は収縮すると、ギアボックス２３に固定されたスタッド２２によって支持されるモーター駆動軸６１が変位してしまう。このモーター駆動軸６１の変位は、測定手段Ｌ２の測定誤差を生む要因のため、ガラス基板の加工精度に影響を与える。例えば、モーター駆動軸６１が下方に変位すると、測定手段Ｌ２はガラス基板の板厚を研磨されていない側に誤って測定してしまうため、研磨手段Ｌ１は必要以上にガラス基板を研磨してしまう。
【００６５】
そこで、上記の板厚補正値Ｔｐが、研磨中板厚値Ｔｃを、温度検出手段Ｌ５によって検出される温度に基づいて今回のバッチの研磨中補正値として算出される第２の補正値Ｙｐによって補正される値であれば、ギアボックス２３の温度変化に伴うモーター駆動軸６１の変位量を逐次補正しながら研磨できるので、ガラス基板の板厚の仕上がり寸法バラツキをバッチ間で抑えることができる。
【００６６】
例えば、第２の補正値Ｙｐは、ギアボックス２３の温度変化により測定手段Ｌ２によって得られる研磨中板厚値Ｔｃが変化することから、ギアボックス２３の温度変化量Δｔに基づいて算出されるとよい。具体的には、温度変化量Δｔは、前回のバッチの終了時点におけるギアボックス２３の前回温度ｔ１から、今回のバッチにおける現時点でのギアボックス２３の研磨中温度ｔ２を、差し引いた値であればよい。前回温度ｔ１及び研磨中温度ｔ２は、温度検出手段Ｌ５によって検出される。研磨中温度ｔ２は、今回のバッチの研磨が開始されてから所定時間毎（例えば、１秒毎）に検出される値であるため、第２の補正値Ｙｐも、その所定時間毎に算出され得る。
【００６７】
図１０は、前回のバッチでの仕上がり誤差（Ｔｎ−１−Ａ）と温度変化量Δｔと相関関係を示した図である。図１０には、両面研磨装置１１を実際に動作させることによって得られた複数のサンプルデータがプロットされている。図１０に示されるように、前回のバッチでの仕上がり誤差（Ｔｎ−１−Ａ）と温度変化量Δｔとの間には直線的な相関関係がある。そこで、算出手段Ｌ３は、ｂを係数として、演算式
Ｙｐ＝ｂ×Δｔ ・・・（５）
に基づいて、第２の補正値Ｙｐを算出する。係数ｂを求めるためには、仕上がり誤差（Ｔｎ−１−Ａ）の実データと温度変化量Δｔの実データとの関係を一次式で回帰分析することによって算出できる。係数ｂは、研磨装置間でバラツキがあるため、研磨装置毎に求められるとよい。
【００６８】
したがって、算出手段Ｌ３は、逐次算出される研磨中板厚値Ｔｃを、係数ｂの値が特定された演算式（５）に基づいて逐次算出される第２の補正値Ｙｐによって補正した値を、板厚補正値Ｔｐとして算出できる。
【００６９】
具体的には、算出手段Ｌ３は、演算式
Ｔｐ＝Ｔｃ＋Ｙｐ ・・・（６）
に基づいて、板厚補正値Ｔｐを算出する。板厚補正値Ｔｐは、今回のバッチの研磨が開始されてから所定時間毎（例えば、１秒毎）に算出される。
【００７０】
研磨中板厚値Ｔｃは、ガラス基板の研磨が進むにつれて残研磨量ΔＤｐと共に減少するので、演算式（６）に基づいて逐次算出される板厚補正値Ｔｐは、目標板厚値Ａに次第に近づくことになる。そして、板厚補正値Ｔｐが目標板厚値Ａに達した段階で、研磨手段Ｌ１によるガラス基板の研磨を終了させる。なお、今回のバッチでの研磨が終了した時点での研磨中板厚検出値Ｄｐが、今回のバッチでの研磨が終了した時点での仕上がり板厚検出値Ｄｎに相当する。
【００７１】
このように、演算式（６）に基づいて算出した板厚補正値Ｔｐに従って、ガラス基板の研磨を制御することによって、ガラス基板の板厚の仕上がり寸法バラツキをバッチ間で抑えることができる。
【００７２】
また、算出手段Ｌ３は、演算式（４）と（６）を組み合わせた演算式
Ｔｐ＝Ｔｃ＋Ｘｎ＋Ｙｐ ・・・（７）
に基づいて算出された板厚補正値Ｔｐに従って、ガラス基板の研磨を制御することによって、ガラス基板の板厚の仕上がり寸法バラツキをバッチ間で更に抑えることができる。
【００７３】
このように、上述の実施形態によれば、手間や高いコストを掛けることなく、精度高くガラス基板の研磨加工を制御することができ、品質安定性に優れるガラス基板を、生産性高く提供できる。
【００７４】
なお、上述の実施形態は両面研磨装置であったが、本発明の実施形態は、片面研磨装置でもよいし、基板側面（端面）の研磨装置でもよい。また、本発明の実施形態は、研磨速度の速い研磨工程（例えば、遊離砥粒を用いた遊離砥粒ラッピング工程、固定砥粒工具を用いた固定砥粒ラッピング工程など）に、特に好適に使用される。
【００７５】
本発明の実施形態のガラス基板は、磁気記録媒体用ガラス基板でもよいし、フォトマスク用ガラス基板でもよい。また、液晶や有機ＥＬ等のディスプレイ用ガラス基板でもよいし、レンズ、光学フィルター、光ピックアップ素子などの光学部品用ガラス基板でもよい。また、半導体用の基板（シリコン基板、炭化ケイ素基板など）でもよい。
【００７６】
本発明の実施形態のガラス基板は、アモルファスガラスでもよいし、結晶化ガラスでもよく、化学強化ガラスでもよい。また、本発明の実施形態のガラス基板のガラス素基板は、フロート法で造られたものでも良く、プレス成形法で造られたものでもよく、フュージョン法で造られたものでもよい。
【００７７】
本発明の実施形態である両面研磨装置は、４個のモーターの回転による駆動力によってガラスを研磨する４ウェイ方式であるが、１個のモーターの回転による駆動力によってガラスを研磨する１ウェイ方式でもよいし、２個のモーターの回転による駆動力によってガラスを研磨する２ウェイ方式でもよいし、３個のモーターの回転による駆動力によってガラスを研磨する３ウェイ方式でもよい。また、４個以上のモーターの回転による駆動力によってガラスを研磨する研磨装置でもよい。
【００７８】
２ウェイ方式の両面研磨装置は、上下定盤が回転することなく固定されていて、工作物はモーターの回転駆動によって回転するインターナルギアとサンギアの双方と噛み合うキャリヤ内に保持されて運動し、上下定盤に挟み付けられる研磨圧のもとで研磨される形式のものである。３ウェイ方式の両面研磨装置は、インターナルギアとサンギアに加えて下定盤もモーターの回転駆動によって回転する形式のものである。
【００７９】
また、ガラス基板の研磨は、モーターの駆動により発生する駆動力によって行われるが、本発明に係る研磨装置は、モーターの回転動作によって研磨定盤を回転させてガラス基板を研磨するものでもよいし、モーターの駆動動作によって研磨定盤を往復運動させることによってガラス基板を研磨するものでもよい。
【実施例】
【００８０】
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明を更に説明するが、本発明はこれにより何ら制限されるものではない。本実施例では、図１に示したキー構造の両面研磨装置１１を用いている。
【００８１】
図１１は、磁気記録媒体用ガラス基板及び磁気ディスクの製造工程を示したフローチャートである。磁気記録用ガラス基板の製造工程は、Ｐ１からＰ９までの工程を含む。工程Ｐ９の終了段階で、第１の最終製品である磁気記録媒体用ガラス基板が製造される。そして、磁気記録媒体用ガラス基板に対して、磁気ディスク製造工程Ｐ１０を経ることによって、第２の最終製品である磁気ディスクが製造される。
【００８２】
（形状加工工程Ｐ１）
フロート法で成形されたシリケートガラス板を、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、板厚０．６３５ｍｍの磁気ディスク用ガラス基板が得られるような、ドーナツ状円形ガラス板（中央部に円孔を有する円盤状ガラス板）に加工した。このドーナツ状円形ガラス板の内周側面と外周側面を、面取り幅０．１５ｍｍ、面取り角度４５°となるように面取り加工を行った。
【００８３】
（ラッピング工程Ｐ２）
その後、ガラス板上下面のラッピングを、酸化アルミニウム砥粒を用いて行い、砥粒を洗浄除去した。図１の両面研磨装置１１をラッピング工程Ｐ２で使用し、ラップ研磨を行った。
【００８４】
【表１】
表１は、ラッピング工程Ｐ２の終了段階でのガラス基板の仕上がり板厚値の測定結果である。実施例１は、演算式（４）に基づいて算出した板厚補正値Ｔｐに従って、ガラス基板の研磨を制御した場合を示す。実施例２は、演算式（７）に基づいて算出した板厚補正値Ｔｐに従って、ガラス基板の研磨を制御した場合を示す。比較例は、本発明の補正がされていない研磨中板厚値Ｔｃに従って、ガラス基板の研磨を制御した場合（従来方法）を示す。目標板厚値Ａは、いずれも６７１μｍである。
【００８５】
比較例（従来方法）と実施例とを比較するため、仕上がり板厚値の測定は、精密電子天秤（株式会社エー・アンド・デイ 型式ＦＸ−１２０ｉ）を用い、研磨加工前後の質量変化量を測定することにより行った（質量法）。研磨加工後の質量を、ガラス基板の比重と主平面の面積で除することにより、仕上がり板厚値を算出した。
【００８６】
表１に示されるように、目標板厚値６７１μｍに対して研磨しすぎている板厚値（６６６μｍ以下の仕上がり板厚値）が測定されたバッチ数の総バッチ数に対する割合は、実施例１、２共に比較例よりも減少している（実施例１：３．２％、実施例２：２．０％、比較例：４．７％）。また、各バッチの平均仕上がり板厚値の標準偏差も、実施例１、２共に比較例よりも減少している（実施例１：２．４８μｍ、実施例２：２．３７μｍ、比較例：２．７０μｍ）。このように、本発明を適用することにより、ガラス基板の板厚の仕上がり寸法バラツキをバッチ間で抑えることができる。
【００８７】
（端面研磨工程Ｐ３）
内周側面と内周面取り部を研磨ブラシと酸化セリウム砥粒を用いて研磨し、内周側面と内周面取り部のキズを除去し、鏡面となるように加工した。次に、内周端面研磨を行ったガラス基板を、外周側面と外周面取り部を研磨ブラシと酸化セリウム砥粒を用いて研磨し、外周側面と外周面取り部のキズを除去し、鏡面となるように加工した。内周端面研磨と外周端面研磨を行ったガラス基板は、アルカリ洗剤を用いたスクラブ洗浄と、アルカリ洗剤溶液への浸漬した状態での超音波洗浄により、砥粒を洗浄除去される。
【００８８】
（１次研磨工程Ｐ４）
その後、研磨具として硬質ウレタンパッドと酸化セリウム砥粒を含有した研磨液（平均粒子径約１．４μｍの酸化セリウムを主成分とした研磨液組成物）を用いて、両面研磨装置により上下主平面を研磨加工した。
【００８９】
（２次研磨工程Ｐ５）
研磨加工を行ったガラス基板は、研磨具として軟質ウレタンパッドと上記の酸化セリウム砥粒よりも平均粒子径が小さい酸化セリウム砥粒を含有した研磨液（平均粒子径約０．５μｍの酸化セリウムを主成分とする研磨液組成物）を用いて、両面研磨装置により上下主平面の研磨加工を行い、酸化セリウムを洗浄除去した。
【００９０】
（３次研磨工程Ｐ７）
更に、仕上げ研磨の研磨具として軟質ウレタンパッドとコロイダルシリカを含有する研磨液（一次粒子の平均粒子径２０〜３０ｎｍのコロイダルシリカを主成分とする研磨液組成物）を用いて、両面研磨装置により上下主平面を研磨加工した。
【００９１】
（洗浄工程Ｐ９）
仕上げ研磨後のドーナツ状円形ガラス板を、アルカリ洗剤によるスクラブ洗浄、アルカリ洗剤溶液への浸漬した状態での超音波洗浄、純水へ浸漬した状態での超音波洗浄、を順次行い、ＩＰＡ蒸気にて乾燥した。
【００９２】
その結果、ラッピング工程Ｐ２で本発明を適用することにより、最終製品である磁気記録媒体用ガラス基板（成膜前の磁気ディスクガラス基板）の板厚バラツキも抑えられ、板厚が高精度に制御できているガラス基板を得ることができた。
【００９３】
また、ガラス基板の両主平面を研磨加工する段階において、同一バッチ内の板厚バラツキが小さく抑えられているため、同一バッチ内のガラス基板の主平面を均一に研磨でき、ガラス基板主平面の特性（例えば、表面粗さ、表面うねりなど。）が向上したガラス基板製品を得ることができた。
【００９４】
なお、本実施例は本発明をラッピング工程に適用した場合を示したが、１次研磨工程、２次研磨工程、３次研磨工程に本発明を適用してもよい。
【符号の説明】
【００９５】
１１ 両面研磨装置
２０ 基台
２１ ベアリング
２２ スタッド
２３ ギアボックス
３０ 下定盤
３０ａ，３２ａ，３３ａ，６１ａ 駆動ギア
３１ 上面
３２ サンギア
３３ インターナルギア
４０ 上定盤
５０ 昇降機構
５２ 昇降用シリンダ装置
５４ ピストンロッド
６０ 回転伝達機構
６１ モーター駆動軸
６２ 結合部
６２ａ キー溝
６４ 超硬チップ
６５ 接触式変位センサ
６５ａ 測定子
６５ｂ 検出部
６５ｃ コード
６６ 温度センサ
７０ フレーム
７２ 梁
８０ 吊下部材
８０ａ 支柱
８０ｂ 円環状取付部材
８０ｃ 板状取付部材
８１ キー
８２ 支軸
９０ 制御部
１６０ キャリヤ
１６１ 収納孔
１６２ ギア
２００ ガラス基板
２１０ 下側研磨パッド
２２０ 上側研磨パッド
３１０ 報知手段
３３０ 入力装置
Ｍ１〜Ｍ４ モーター
【特許請求の範囲】
【請求項１】
毎回同じ目標板厚値に従ってガラス基板の研磨処理を行う研磨手段を備える、研磨装置であって、
前記研磨手段によって今回の研磨処理で研磨されているガラス基板の研磨中板厚値を測定する測定手段と、
前記研磨手段によって前回以前の研磨処理で研磨されたガラス基板の仕上がり板厚値と前記目標板厚値との仕上がり誤差に基づいて、前記測定手段によって測定される研磨中板厚値の板厚補正値を算出する算出手段とを備え、
前記研磨手段は、前記板厚補正値が前記目標板厚値に到達するまでガラス基板を研磨する、ことを特徴とする、研磨装置。
【請求項２】
前記板厚補正値が、前記測定手段によって測定される研磨中板厚値を、前記仕上がり誤差に基づいて今回の研磨処理の補正値として算出される第１の補正値Ｘｎによって補正される値であって、
前記第１の補正値Ｘｎが、前記目標板厚値をＡ，前記研磨手段によって前回の研磨処理で研磨されたガラス基板の仕上がり板厚値をＴｎ−１，係数ｋ１を０．５≦ｋ１≦０．８，係数ｋ２をｋ２＝１−ｋ１とするとき、漸化式
Ｘｎ＝ｋ１×（Ｔｎ−１−Ａ）＋ｋ２×Ｘｎ−１
に基づいて算出される、請求項１に記載の研磨装置。
【請求項３】
ガラス基板の板厚を検出する板厚検出手段を備え、
前記測定手段によって測定される研磨中板厚値が、前記目標板厚値に、前記研磨手段によって今回の研磨処理で研磨されているガラス基板の研磨中板厚を前記板厚検出手段が検出することにより得られる研磨中板厚検出値と前記研磨手段によって前回の研磨処理で研磨されたガラス基板の仕上がり板厚を前記板厚検出手段が検出することにより得られる仕上がり板厚検出値との差分値を加算した値である、請求項１又は２に記載の研磨装置。
【請求項４】
前記板厚検出手段が、前記研磨手段の上下変位方向での位置を計測することによって、ガラス基板の板厚を検出する、請求項３に記載の研磨装置。
【請求項５】
前記板厚検出手段が、前記研磨手段の回転駆動軸を計測基準位置として、前記位置を計測する、請求項４に記載の研磨装置。
【請求項６】
前記研磨手段の回転駆動軸に連結したギアを収容するギアボックスの温度を検出する温度検出手段を備え、
前記板厚補正値が、前記測定手段によって測定される研磨中板厚値を、前記温度検出手段によって検出される温度に基づいて算出される第２の補正値によって補正される値である、請求項１から５のいずれか一項に記載の研磨装置。
【請求項７】
前記第２の補正値が、前記ギアボックスの前回の研磨処理終了時点温度と前記温度検出手段によって今回の研磨処理で検出されている前記ギアボックスの研磨中温度との温度変化量に基づいて算出される、請求項６に記載の研磨装置。
【請求項８】
前記第２の補正値が、前記仕上がり誤差と前記温度変化量との予め求められた相関関係に基づいて算出された、今回の研磨処理で実際に算出された温度変化量に対応する仕上がり誤差である、請求項７に記載の研磨装置。
【請求項９】
前記相関関係が、一次関数で特定される、請求項８に記載の研磨装置。
【請求項１０】
前記研磨手段が、ラッピング工程用研磨手段である、請求項１から９のいずれか一項に記載の研磨装置。
【請求項１１】
前記ガラス基板が、磁気記録媒体用ガラス基板である、請求項１から１０のいずれか一項に記載の研磨装置。
【請求項１２】
毎回同じ目標板厚値に従ってガラス基板の研磨処理を研磨手段によって行う、ガラス基板の研磨方法であって、
前記研磨手段によって今回の研磨処理で研磨されているガラス基板の研磨中板厚値を測定手段によって測定し、
前記研磨手段によって前回以前の研磨処理で研磨されたガラス基板の仕上がり板厚値と前記目標板厚値との仕上がり誤差に基づいて、前記測定手段によって測定される研磨中板厚値の板厚補正値を算出手段によって算出し、
前記板厚補正値が前記目標板厚値に到達するまで前記研磨手段によってガラス基板を研磨する、ことを特徴とする、ガラス基板の研磨方法。
【請求項１３】
前記研磨手段が、ラッピング工程用研磨手段である、請求項１２に記載のガラス基板の研磨方法。
【請求項１４】
前記ガラス基板が、磁気記録媒体用ガラス基板である、請求項１２又は１３に記載のガラス基板の研磨方法。
【請求項１５】
請求項１２から１４のいずれか一項に記載のガラス基板の研磨方法によってガラス基板を研磨する研磨工程を含む、ガラス基板の製造方法。
【請求項１】
毎回同じ目標板厚値に従ってガラス基板の研磨処理を行う研磨手段を備える、研磨装置であって、
前記研磨手段によって今回の研磨処理で研磨されているガラス基板の研磨中板厚値を測定する測定手段と、
前記研磨手段によって前回以前の研磨処理で研磨されたガラス基板の仕上がり板厚値と前記目標板厚値との仕上がり誤差に基づいて、前記測定手段によって測定される研磨中板厚値の板厚補正値を算出する算出手段とを備え、
前記研磨手段は、前記板厚補正値が前記目標板厚値に到達するまでガラス基板を研磨する、ことを特徴とする、研磨装置。
【請求項２】
前記板厚補正値が、前記測定手段によって測定される研磨中板厚値を、前記仕上がり誤差に基づいて今回の研磨処理の補正値として算出される第１の補正値Ｘｎによって補正される値であって、
前記第１の補正値Ｘｎが、前記目標板厚値をＡ，前記研磨手段によって前回の研磨処理で研磨されたガラス基板の仕上がり板厚値をＴｎ−１，係数ｋ１を０．５≦ｋ１≦０．８，係数ｋ２をｋ２＝１−ｋ１とするとき、漸化式
Ｘｎ＝ｋ１×（Ｔｎ−１−Ａ）＋ｋ２×Ｘｎ−１
に基づいて算出される、請求項１に記載の研磨装置。
【請求項３】
ガラス基板の板厚を検出する板厚検出手段を備え、
前記測定手段によって測定される研磨中板厚値が、前記目標板厚値に、前記研磨手段によって今回の研磨処理で研磨されているガラス基板の研磨中板厚を前記板厚検出手段が検出することにより得られる研磨中板厚検出値と前記研磨手段によって前回の研磨処理で研磨されたガラス基板の仕上がり板厚を前記板厚検出手段が検出することにより得られる仕上がり板厚検出値との差分値を加算した値である、請求項１又は２に記載の研磨装置。
【請求項４】
前記板厚検出手段が、前記研磨手段の上下変位方向での位置を計測することによって、ガラス基板の板厚を検出する、請求項３に記載の研磨装置。
【請求項５】
前記板厚検出手段が、前記研磨手段の回転駆動軸を計測基準位置として、前記位置を計測する、請求項４に記載の研磨装置。
【請求項６】
前記研磨手段の回転駆動軸に連結したギアを収容するギアボックスの温度を検出する温度検出手段を備え、
前記板厚補正値が、前記測定手段によって測定される研磨中板厚値を、前記温度検出手段によって検出される温度に基づいて算出される第２の補正値によって補正される値である、請求項１から５のいずれか一項に記載の研磨装置。
【請求項７】
前記第２の補正値が、前記ギアボックスの前回の研磨処理終了時点温度と前記温度検出手段によって今回の研磨処理で検出されている前記ギアボックスの研磨中温度との温度変化量に基づいて算出される、請求項６に記載の研磨装置。
【請求項８】
前記第２の補正値が、前記仕上がり誤差と前記温度変化量との予め求められた相関関係に基づいて算出された、今回の研磨処理で実際に算出された温度変化量に対応する仕上がり誤差である、請求項７に記載の研磨装置。
【請求項９】
前記相関関係が、一次関数で特定される、請求項８に記載の研磨装置。
【請求項１０】
前記研磨手段が、ラッピング工程用研磨手段である、請求項１から９のいずれか一項に記載の研磨装置。
【請求項１１】
前記ガラス基板が、磁気記録媒体用ガラス基板である、請求項１から１０のいずれか一項に記載の研磨装置。
【請求項１２】
毎回同じ目標板厚値に従ってガラス基板の研磨処理を研磨手段によって行う、ガラス基板の研磨方法であって、
前記研磨手段によって今回の研磨処理で研磨されているガラス基板の研磨中板厚値を測定手段によって測定し、
前記研磨手段によって前回以前の研磨処理で研磨されたガラス基板の仕上がり板厚値と前記目標板厚値との仕上がり誤差に基づいて、前記測定手段によって測定される研磨中板厚値の板厚補正値を算出手段によって算出し、
前記板厚補正値が前記目標板厚値に到達するまで前記研磨手段によってガラス基板を研磨する、ことを特徴とする、ガラス基板の研磨方法。
【請求項１３】
前記研磨手段が、ラッピング工程用研磨手段である、請求項１２に記載のガラス基板の研磨方法。
【請求項１４】
前記ガラス基板が、磁気記録媒体用ガラス基板である、請求項１２又は１３に記載のガラス基板の研磨方法。
【請求項１５】
請求項１２から１４のいずれか一項に記載のガラス基板の研磨方法によってガラス基板を研磨する研磨工程を含む、ガラス基板の製造方法。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図１０】
【図１１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１２−８１５５３（Ｐ２０１２−８１５５３Ａ）
【公開日】平成２４年４月２６日（２０１２．４．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２２９７１２（Ｐ２０１０−２２９７１２）
【出願日】平成２２年１０月１２日（２０１０．１０．１２）
【出願人】（０００００００４４）旭硝子株式会社 (2,665)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月２６日（２０１２．４．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１０月１２日（２０１０．１０．１２）
【出願人】（０００００００４４）旭硝子株式会社 (2,665)
【Ｆターム（参考）】
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