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Fターム[3C058BA09]の内容

仕上研磨、刃砥ぎ、特定研削機構による研削 (42,632) | 制御(検知及び設定) (1,968) | その他の事項について検知、設定するもの (308)

Fターム[3C058BA09]に分類される特許

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研削作業中に半導体ウエハ(1)の厚さ寸法をチェックするための装置は、ウエハ(1)の機械加工される表面(2)上に赤外線を伝送して、前記表面、ウエハの反対側の表面(2’)、および/または、ウエハ中の異なる層を分離する表面(2”,2”’)によって反射されるビームを検出する光学プローブ(3)を含む。放射されて反射される放射線のビームは、部分的に空気(15)を通り抜け且つ部分的に略層流を伴って流れる低流量液体のクッション(30)を通り抜ける既知の一定の不連続性を伴う経路(4)に沿って進む。光学プローブのための支持・位置決め要素(7)は、液体クッションを形成する液圧ダクト(22,25)を含む。厚さ寸法をチェックするための方法は、前記経路での液体クッションの形成を伴っており、放射されて反射される放射線のビームが前記経路に沿って進行する。
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【課題】各研磨工程で使用する研磨装置がどのような研磨傾向を有するかを把握することによって、極めて平坦で平滑な表面性状を有する基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】製品として供する基板の研磨工程とは別に試験用基板を研磨する試験工程を含み、試験工程は、前段と後段とで連続する各研磨工程で使用する研磨機でそれぞれ少なくとも1回試験研磨する工程と、試験研磨する工程後のそれぞれの試験用基板の形状により、研磨機の研磨パッドの採用または不採用および後段の工程での基板のセット方向を選択する工程と、からなり、試験工程において、研磨パッドが不採用の場合、研磨パッドが採用となるまで研磨パッドを修正または交換した後に再度新たな試験用基板を用いて試験工程を繰り返し、基板を研磨する際、試験工程において採用された研磨パッドを用い、および選択された基板のセット方向に従って基板を研磨する工程を有することによって達成される。 (もっと読む)


【課題】CMP装置におけるトラブル発生に対して作業現場で迅速にトラブル対策を講じることができるような作業情報管理システムを提供する。
【解決手段】作業情報管理システムは、ホストシステム500と、複数のクライアントシステム700とを通信ネットワーク600により繋いで構成され、ホストシステム500はエンジニアリング部門570と情報交換可能に繋がっている。各クライアントシステム700は、それぞれCMP装置1を有して構成され、そのCMP装置1は、その作動を制御するとともにトラブル監視を行う制御装置400が備えらている。ホストシステム500は、CMP固有運行関連ファイル510と、トラブル対処データベース520と、トラブル分析アプリケーション530と、表示作成装置(図示せず)とを備えて構成される。 (もっと読む)


【課題】研磨パッド等の消耗品にRFタグを取付けてその記憶情報を用いて管理する研磨装置において、消耗品の廃却時に記憶情報の漏洩を防止する。
【解決手段】ウエハWのCMP研磨を行うウエハ研磨装置10が、ウエハ研磨装置において使用される研磨パッド15と、この研磨パッド15が支持プレート13を介して着脱自在に取り付けられる研磨ヘッド12と、研磨パッド15を支持する支持プレート13に設けられたRFタグ421と、研磨ヘッド12に設けられ、RFタグ421に対して非接触で情報の読み書きおよび消去を行うリーダライタ423と、研磨パッド15が研磨ヘッド12に取り付けられている間において、リーダライタ423により所定の情報をRFタグ421に対して読み書きするとともに、研磨パッド15が研磨ヘッド12から取り外されるときにRFタグ421に書き込まれたデータを消去する制御装置400とから構成される。 (もっと読む)


【課題】研磨工程において実際に使用されている状態における研磨パッドの表面形状及び粘弾性特性を示す値の両者が測定可能な測定手段を有した研磨装置を提供する。
【解決手段】ウェハを研磨パッド27の研磨面27sに当接した状態で両者を相対移動させてウェハを研磨するCMP装置であって、研磨パッド27の研磨面27sと基準表面62sとの間の距離を測定するメインセンサ65及びサブセンサ66を有し、研磨パッド27の研磨面27sの表面形状を測定するパッド形状測定装置と、研磨パッド27の研磨面27sに押圧して圧力負荷をかける圧力負荷装置とを備え、圧力負荷装置の圧力負荷によって研磨パッド27の研磨面27sに生じた変形量をメインセンサ65及びサブセンサ66を用いて測定し、測定された変形量が基準範囲内にあるか否かを判断するように構成される。 (もっと読む)


【課題】CMPにおいて、渦電流によるジュール熱損を極小に抑えるとともに、所定の導電性膜が適正に除去されているかを正確に評価する。
【解決手段】導電性膜を研磨し、前記所定の導電性膜に高周波インダクタ型センサにおけるインダクタを近接させ、該インダクタで形成される磁束により前記所定の導電性膜に誘起される渦電流の変化をモニタする方法であって、前記所定の導電性膜の材質を一因子として決まる表皮効果により、研磨除去による前記導電性膜の膜厚減少に伴って前記導電性膜を貫通する磁束が増大して導電性膜に誘起される渦電流が増加するステップと、その後の更なる研磨による膜厚減少に伴って、渦電流を生じうる実質的な導電性膜厚の減少により、前記誘起される渦電流が減少へ転じるステップとを有し、該転じるステップの変化点を検出することを特徴とする、研磨途中時点の検出方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】研磨中にリアルタイムでパッドコンディション条件を設定することにより、基板内全面で均一な膜厚に形成できるようにする。
【解決手段】研磨パッドの中央部から周辺部までの範囲に亘って目立てを行うパッドコンディショニング手段を有し、研磨パッド内の位置に応じて、パッドコンディショニング条件を変化させるコンディショニングコントローラを備えた研磨装置において、予め設定された複数のパッドコンディショニング条件を記憶したデータベース21と、膜厚分布の形状を測定する基板膜厚分布測定手段18と、研磨パッド12の表面の状態を検出するパッド表面検出手段17とが設けられ、研磨前に基板膜厚分布測定手段18で作成された基板膜厚分布情報に基づき前記データベース21から最適のパッドコンディショニング条件を選択して研磨パッド12のパッドプロファイルを作成するパッドプロファイル作成手段22を有していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ウェハ研磨面への光照射時間を必要最小限に抑制して高いフォトコロージョン防止効果を得る。
【解決手段】フォトコロージョン抑制装置36は研磨終点の検出開始時及び検出完了時を検知する検知手段37と、該終点検出開始信号及び終点検出完了信号を入力する制御手段16と、該制御手段16からの指令信号に基づきウェハ研磨面に対する光照射モードを切り替える光照射モード切替え手段38とを備え、光照射モード切替え手段38は終点検出完了時にウェハ研磨面への光照射を停止するモードに切替える。光照射モード切替え手段38は光照射端部40と研磨パッド13間に設けられた遮光板41と、該遮光板41を照射光路Lに対して接近・離反させるエアシリンダ44を有する。 (もっと読む)


本発明は研磨層、下層、及びホットメルト接着剤を含み、ホットメルト接着剤は研磨層及び下層を共に接合する化学-機械研磨向け研磨パッドを提供する。ホットメルト接着剤は2〜18 wt.%のEVAを含み、研磨層が40℃の温度に到達すれば実質的に耐離層性である。この発明はまた基板を前記研磨パッドで研磨する方法、加えてそのような研磨パッドを調製する方法も提供する。 (もっと読む)


【課題】ワークの上下の加工面に均等にスラリーを供給して、ワークの上下各面における加工精度を良好なものとすると共に、ワークの下面における直径方向における加工精度を均等にする。
【解決手段】両面を加工するワーク250を保持して軌道上を自転しながら公転するキャリア200の下側に配置されワーク250の下面を研磨するための研磨面31を有する下定盤30と、下定盤30と対向して配置され、キャリア200に保持された前記ワーク250の上面を研磨するための研磨面51を有すると共に、ワーク250にスラリーを供給するスラリー供給孔52を形成した上定盤50と、を具備する両面研磨装置1において、下定盤30にワーク250に向けて供給されたスラリーを排出するスラリー排出孔34を形成する。 (もっと読む)


【課題】複数の基板監視センサを半導体基板研磨装置に取り付ける。
【解決手段】研磨ステージを洗浄液で研磨・洗浄する基板ローディング/アンローディング/仕上研磨ステージ(ps)と、研磨剤スラリー液で研磨する粗研磨ステージ(ps)を構成するインデックス型研磨装置を用い、前記psステージの研磨パッドを揺動する支持アーム77に半導体基板外周縁破損有無を監視するCCDセンサ120aを取り付けるとともに、前記psを構成する基板ホルダーテーブル70a上方に、ベース20上に起立して設けた回転アーム110に基板厚み測定レーザ変位センサ120bを取り付け、前記psステージを構成する研磨パッド73'を揺動する支持アーム77に分光型光電センサ120cを取り付けた半導体基板の研磨加工監視機器70。 (もっと読む)


研磨シーケンス中に得られたスペクトルを使用して研磨終了点を決定する方法が説明される。特に、望ましいスペクトルだけを使用する技術、高速サーチ方法、より強力な速度の決定方法が説明される。 (もっと読む)


【課題】
少量のスラリであっても研磨パッド上にスラリを均一に供給して高精度なウェーハの研磨を可能とするウェーハ研磨装置及びウェーハ研磨方法を提供すること。
【解決手段】
表面に溝が形成され、ウェーハの研磨を行う研磨パッドの前記表面に研磨液を供給する装置において、上下に延びる複数の糸状の部材を束ねた刷毛状部材と、前記刷毛状部材の下端を前記研磨パッド表面に近接、又は接触させる手段と、前記刷毛状部材との間に働く界面張力によって生じる毛細管現象により前記刷毛状部材を均一に流下する程度の量の研磨液を、前記刷毛状部材の上部へ供給する研磨液供給手段と、前記研磨パッドを前記刷毛状部材に対して相対的に移動させる手段と、を備え、前記研磨パッド表面に近接、又は接触した状態の前記刷毛状部材の上部に供給された前記研磨液を、該刷毛状部材に沿って流下させて前記研磨パッド表面に供給することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】Cu及びCu合金のいずれかからなる配線材料の溶解レートを100nm/min以上にし、ひいてはCu及びCu合金のいずれかからなる配線材料の化学機械的研磨レートを向上することができる半導体装置の製造方法及び研磨装置の提供。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、絶縁膜上にCu及びCu合金のいずれかからなる配線材料を堆積する堆積工程と、前記堆積された配線材料を研磨液を用いて化学機械的研磨する研磨工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記研磨工程において、前記研磨液の酸化還元電位(ORP)を測定し、前記測定された研磨液の酸化還元電位(ORP)が400〜700mV vs Ag/AgClの範囲内となるように制御する。 (もっと読む)


【課題】バニシング加工作業のためのパラメータを決定する方法を提供する。
【解決手段】回転バニシング要素11を使用して材料サンプル13の選択表面12上に共通幅Wを有しかつ事前選択したオーバラップ値だけ互いにオーバラップした少なくとも2つのセグメント14,16をバニシング加工する段階と、表面12の得られた硬度を測定する段階と、測定した硬度に基づいて、ワークピースWP上への後続バニシング加工作業のための加工オーバラップ値を選択する段階とを含む。 (もっと読む)


【課題】回転工具を用いてワーク表面に存在する欠陥を補修する欠陥修正装置を提供する。
【解決手段】本発明による欠陥修正装置は、欠陥修正されるべきワーク(4)を保持するワーク保持ステージ(3)と、ワーク保持ステージと対向するXY面内で移動可能であると共にXY面と直交するZ軸方向に移動可能な3次元ステージと、3次元ステージに装着され、ワークの表面を光ビームにより走査し、ワーク表面に存在する欠陥を検出する欠陥検出ユニット(7)と、3次元ステージに装着され、検出された欠陥を回転研削装置により除去する研削ユニット(8)と、研削ユニットを制御する研削ユニット制御手段と(40)と、ワーク保持ステージに保持されたワークと研削ヘッドとの間の間隔を検出する間隔検出手段(10)とを具える。研削ヘッドのZ軸方向の位置は、ワーク表面と研削ヘッドとの間隔を基準として制御する。 (もっと読む)


【課題】処理の終点検出を容易に行える処理の終点検出方法及び処理の終点検出装置を提供する。
【解決手段】処理対象物の処理に伴って時間とともに変化する少なくとも1つのパラメータを測定し、その処理が終了して処理対象物の状態が安定した定常状態で得られるパラメータと時間とのデータセットから基準空間を作成し、この基準空間を用いて、処理の開始後に測定されるパラメータの時間変化データのマハラノビス距離を計算し、このマハラノビス距離に基づいて処理が終了した終点を検出する。 (もっと読む)


【課題】切削が終了したウエーハの切削状態の検査を行っても生産性が低下することのないウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】第1,第2のチャックテーブルによりチャックテーブルが2個あることを利用して、切削が終了したウエーハの切削溝の幅の状態や欠けの状態等の切削状態を検査する検査工程を他のチャックテーブルに保持されたウエーハが切削されている切削工程の最中に実行させることで、スループットを犠牲にすることなくウエーハの切削状態を検査でき、切削加工されるウエーハの生産性を向上させることができるようにした。 (もっと読む)


【課題】本発明は、スラリーを使用する研磨装置と一緒に使用するための連続スラリー供給システムを提供する。
【解決手段】上記連続スラリー供給システムは、混合チャンバ、スラリー成分タンク、化学的パラメータ・センサ・システム、および制御システムを備える。各スラリー成分タンクは、異なるスラリー成分を含み、混合チャンバに、必要な流量で、異なるスラリー成分を供給するために、混合チャンバと流体で連絡している。化学的パラメータ・センサ・システムは、混合チャンバに接続していて、スラリーの化学的特性を感知するように構成されている。制御システムは、化学的パラメータ・センサ・システムに接続していて、スラリー成分の中の少なくとも一つを混合チャンバに所与の流量で導入するように構成されている。 (もっと読む)


【課題】超音波振動子に印加する交流電力の周波数に対応した超音波振動による切削ブレードの振幅を正確に検出することができる超音波振動切削装置を提供する。
【解決手段】回転スピンドル42に設けられた切削工具43及び超音波振動手段6と、超音波振動手段に交流電力を印加する電力供給手段7と、交流電力の周波数を調整する周波数調整手段93と、交流電力の電力値を調整する電力調整手段92と、周波数調整手段および電力調整手段を制御する制御手段94とを備える超音波振動切削装置であり、切削ブレード45の振幅を検出する振幅検出手段10から出力された振幅信号のうち設定された周波数の振幅信号のみを通過させ制御手段に送る周波数可変フィルター11を備え、制御手段は周波数調整手段に出力する周波数信号と同一の周波数信号を周波数可変フィルターに出力し、周波数可変フィルターから出力された振幅信号に基いて切削ブレードの振幅を求める。 (もっと読む)


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