【課題】研磨レートのより高い推定精度を得ることができる研磨装置、研磨レート推定手法、プログラム、データ処理装置を提供する。
【解決手段】研磨による発熱量の情報を利用し、研磨レート推定部Ｋが、その検出した情報に基づいて研磨レートを推定する。研磨レート推定部Ｋは、あらかじめ与えられているプログラムに従って、研磨により発生した熱量の情報を利用して研磨レートを推定する構成を有している。このデータ処理装置では、研磨装置の研磨により発生した熱量の情報を取り込み、研磨レート推定部Ｋが、予め与えられているプログラムに従って、その取り込んだ情報に基づいて研磨レートを推定する。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰプロセス中に研磨関連物（被研磨物、研磨パッド、研磨粒子等）材料の表面反応層のヤング率を、ＡＦＭ装置を用いて測定し評価し、更には、その測定結果を用いて事前にＣＭＰ特性を推定し、最適な研磨処理液、研磨パッド、研磨粒子等を選択し、ＣＭＰ技術の開発とＣＭＰプロセスの信頼性の向上に貢献できる化学機械研磨装置の化学機械研磨特性評価方法を提供すること。
【解決手段】スラリー状の研磨剤を研磨パッド表面に供給して、パッドと半導体ウエハ等の薄板状被被研磨物とを相対運動させる科学的及び機械的な研磨における、被研磨物などの研磨関連物の表面のヤング率を、原子間力顕微鏡装置を用いて評価する。 （もっと読む）

【課題】研磨当所にウェーハ表面に導電性膜が存在する場合に対し、研磨中及び研磨によりウェーハ表面に導電性膜が殆ど存在しなくなった場合における高周波伝送線路内の特性インピーダンスの変化を基に研磨終了直前時点もしくは研磨終了時点をその場で高い精度で確実に検出する研磨終了予測・検出方法およびその装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は上記目的を達成するために、加工装置内に高周波伝送路２３を形成し、ウェーハＷ表面の導電性膜８が高周波伝送線路２３の特性インピーダンスを決定するように構成され、導電性膜８の研磨除去前後で高周波伝送線路２３のインピーダンス整合状態が大きく変化するように該高周波伝送路２３を構成し、導電性膜８を研磨除去していく過程で高周波の伝送状態の変化をモニタして導電性膜８の研磨状態をモニタする研磨終了予測・検出方法を提供するものである。 （もっと読む）

【課題】膜の除去などの研磨の変移点を精度よく検知することができ、かつ基板の表面内の局所的な研磨状態を監視することができる研磨装置および研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨装置は、研磨面１ａを有する研磨パッド１が取り付けられる研磨テーブル２と、基板Ｗを研磨面１ａに押圧する基板保持部３とを有し、研磨テーブル２と基板保持部３の相対移動により基板Ｗの表面を研磨する。研磨装置は、基板Ｗの表面に接触するターゲット１０と、ターゲット１０の振動の振幅および周波数の少なくとも一方を測定する振動測定部１１と、振動測定部１１によって測定された振幅および周波数の少なくとも一方に基づいて研磨処理を制御する制御部１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】ワイヤの張力を所定の目標張力に近付けるための張力調節装置を利用して巻取側のワイヤの張力のみを有効に低減しながら効率よくかつ高精度でワークの切断を行う。
【解決手段】ワイヤソーにおいて、ワイヤＷを前進させながらワーク２８を切断する前進駆動切断工程と、ワイヤＷの駆動方向を反転させるための第１の切換工程と、ワイヤＷを後退させながらワーク２８を切断する後退駆動切断工程と、ワイヤＷの駆動方向を反転させて前記前進駆動切断工程に復帰するための第２の切換工程とを順に繰り返す。前記両切断工程では張力操作装置１８Ａ，１８Ｂを用いて巻取り側のワイヤ張力のみ下げる。そのためのワイヤ目標張力の低下は各切換工程においてワイヤＷの減速が終了してから行う。 （もっと読む）

【課題】研磨時の状態に近いパッドの表面状態を精度よく観察できるパッド表面状態観察方法を提供する。
【解決手段】プリズム１０を、接触面１０ｂをパッド１２の研磨面に当接させて配置し、プリズム１０に所定の押圧力を加えてパッド１２の研磨面を接触面１０ｂで押圧し、入光面１０ａに光を入光させて、屈折光を接触面１０ｂで反射させる際、接触面１０ｂに当接しないパッド１２の凹部に対応する接触面１２ｂでは全反射させ、接触面１０ｂに当接するパッド１２の凸部に対応する接触面１０ｂでは光を拡散反射させ、プリズム１０の観察面１０ｃ側から出光する反射光を受光部２２で受光し、この受光光の状態により研磨面の表面状態を観察することを特徴とする。 （もっと読む）

基板からの反射光の現在のスペクトルのシーケンスを受け取ることと、現在のスペクトルのシーケンスに含まれる現在の各スペクトルを参照スペクトルライブラリの複数の参照スペクトルと比較して、最良一致参照スペクトルのシーケンスを生成することと、最良一致参照スペクトルのシーケンスの適合度を求めることと、適合度に基づき、研磨速度を調整すべきかどうか、または研磨速度の調整量のうちの少なくとも１つを決定することとを含む、コンピュータで実施される方法。
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【課題】研磨対象物の表面の薄膜の膜厚分布に対応して研磨を行なうことができ、研磨後の膜厚の均一性を得ることができる研磨方法を提供する。
【解決手段】基板保持装置の底面を基板Ｗを当接させ基板をとりつける面を提供するための弾性パッド４で覆うとともに、弾性パッド４の内側に同心状に少なくとも４つの圧力室を形成し、少なくとも４つの圧力室は、基板の円形状中心部に対応する位置にある第１の圧力室と、基板の円形状中心部の外側の円環部分に対応する位置にある第２の圧力室と、基板の円環部分の外側の円環部分に対応する位置にある第３の圧力室と、基板の周縁部に対応する位置にある第４の圧力室とを含み、基板保持装置により基板を保持しながら、リテーナリング３を研磨パッドに押圧し、第１〜第４の圧力室にそれぞれ制御された圧力の加圧流体を供給して基板を研磨パッド１０１に押圧し、基板を研磨する。 （もっと読む）

【課題】研磨装置と研磨方法において、研磨むらの発生を抑制すること。
【解決手段】研磨パッド２が貼付された研磨定盤１と、研磨パッド２に基板Wを押圧するキャリア４と、研磨パッド２上に研磨砥液を滴下するノズル６と、基板W上に形成された膜の膜厚を測定する膜厚測定部８と、膜厚測定部８により測定された膜厚に基づいて、研磨砥液を滴下することによって基板面内における膜厚分布が一様になると判断される位置に、研磨砥液の滴下位置を変更する制御部９とを有する研磨装置による。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に対して求められる平坦度に応じて、研磨後の基板の外周ダレを可及的に防止して許容範囲内に抑制することができる半導体基板の両面研磨方法を提供する。
【解決手段】互いに接近する方向に加圧された上下一対の研磨パッドの間に半導体基板を保持したキャリアを介装し、このキャリアを研磨砥粒の存在下に前記上下一対の研磨パッドの間で自転及び公転させ、キャリアに保持された半導体基板の表裏両面を上下一対の研磨パッドで同時に研磨する半導体基板の両面研磨方法であって、前記半導体基板の研磨終了時における基板厚さ(T)と前記キャリアの厚さ(t)との間の厚み差（T-t）を5μm以上100μm以下の範囲に管理する、半導体基板の両面研磨方法である。 （もっと読む）

【課題】回路パターンの上に形成される薄膜の膜厚をより正確に予測し得る膜厚予測方法を提供する。
【解決手段】膜厚予測方法にあっては、第２の被処理層の断面形状に関する第１の実測データベース、回路パターンの周辺長と第２の被処理層の厚さとの関係に関する第２の実測データベース、第２の被処理層の平坦化レートに関する第３の実測データベース、第２の被処理層の基準膜厚Ｔ_blkを予め求めておき、基板の上に形成すべき第１の被処理層を所定の大きさの碁盤目状のメッシュに区切り、各メッシュ（ｉ，ｊ）におけるパターン面積率α_ij、回路パターンの周辺長Ｌ_ij、第２の被処理層の初期厚さＴ_{2_INI_ij}、基準膜厚Ｔ_blk、第１の実測データベース、第２の実測データベース及び第３の実測データベースに基づき、第２の被処理層の初期膜厚予測値Ｐｒ_ij及び第２の被処理層の平坦化量Ｈ_ijを求め、第２の被処理層を平坦化した後の第２の被処理層の膜厚を予測する。 （もっと読む）

少なくとも２つの基板を同時に研磨するために十分な大きさを有するパッド上で、基板を研磨するための方法である。この方法は、研磨モジュールの単一の研磨面に対して、第１の基板及び第２の基板を同時に押し付けること、第１の基板を研磨面に押し付けながら、第１の基板の前の第１の流体送出アームから研磨流体を供給すること、第２の基板を研磨面に押し付けながら、第２の基板の前に位置する第２の流体送出アームから研磨流体を供給すること、第１の基板を研磨面に押し付けながら、第１の基板の後ろに位置する第１のコンディショナーで研磨面をコンディショニングすること、及び第２の基板を研磨面に押し付けながら、第２の基板の後ろに位置する第２のコンディショナーで研磨面をコンディショニングすることを含む。
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【課題】 被研磨膜表面の欠陥を抑制するとともに、被研磨膜厚を制御可能な平坦化方法を提供し、かかる平坦化方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子２が形成された半導体基板上１に層間絶縁膜３を成膜する。このとき、成膜された層間絶縁膜３の表面には、周囲より高さ位置が高い凸部４と、凸部４よりも高さ位置の低い非凸部５が存在する。前記層間絶縁膜３に対し、まず、砥粒、高分子添加剤、及び水を含む研磨原料を所定の第１混合比で混合して生成された非プレストニアン特性を有する第１研磨剤を用いて前記被研磨膜の表面に対して第１研磨処理を行う。そしてこの第１研磨処理がオートストップ状態に移行した後、前記研磨原料を前記第１混合比とは異なる第２混合比で混合することで、前記第１研磨剤よりも高分子添加剤の濃度を低下させた第２研磨剤を用いて前記被研磨膜の表面に対して研磨処理を行う第２研磨処理を行う。 （もっと読む）

【課題】研磨中に半導体ウエハ等の基板が破損した場合に、この破損を直ちに検出することができるとともに、研磨中に基板がトップリングから飛び出した場合に、この基板の飛び出しを直ちに検出することができる研磨方法および研磨装置を提供する。
【解決手段】回転する研磨テーブル１００上の研磨面１０１ａに研磨対象の基板を押圧して研磨する研磨方法において、基板の研磨中に、研磨テーブル１００の回転に伴い、該研磨テーブル１００に設置された渦電流センサ５０により基板の被研磨面を走査し、基板の被研磨面の走査により得られた渦電流センサ５０の出力を監視し、該渦電流センサ５０の出力の変化から基板の破損を検出する。 （もっと読む）

【課題】高平坦性・高平滑性のウェーハを高い生産性で、歩留り良く製造することのできるウェーハの研磨方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、回転駆動する平坦な研磨上面を有する下定盤と、前記下定盤に対向して配置され回転駆動する平坦な研磨下面を有する上定盤と、ウェーハを保持するウェーハ保持孔を有するキャリアとによって、前記ウェーハを挟持して押圧摺動することで両面を同時に研磨するウェーハの研磨方法において、前記上定盤または前記下定盤の回転中心と周縁との間に設けた複数の窓から前記ウェーハの厚さを測定しながら研磨を行い、前記ウェーハの研磨途中で研磨速度の異なる研磨スラリーに切り替えることを特徴とするウェーハの研磨方法。 （もっと読む）

【課題】着工ウェハの膜種の切換時にテスト研磨なしで次回に着工するウェハの研磨レートを精度良く予測できるようにする。
【解決手段】研磨パッドの目立てを行うドレッサのトルクと、ドレッサの温度と、ドレッサの圧力と、ドレッサを交換してからの累積使用時間とから構成される装置状態パラメータの全てあるいは一部のパラメータの測定値を、ウェハ研磨毎に連続サンプリング時系列データから全研磨区間もしくは所定の研磨区間だけを切り出す。切り出した連続サンプリング時系列データを用いてウェハ毎に研磨装置基準研磨レートを予測し、予測した研磨装置基準研磨レートと予め設定しておいたウェハ膜種毎の換算パラメータを用いて次回着工ウェハ研磨レート換算値である換算研磨レートを計算する。そして、前記換算研磨レートを用いることにより研磨量を最適にする研磨時間を計算して次回着工ウェハを研磨する。 （もっと読む）

【課題】所定枚数研磨する毎に、砥粒の量の測定結果に応じ研磨条件を変更することで、砥粒の定着の不確実さによる研磨特性の変化を低減させる研磨装置および研磨方法を提供する。
【解決手段】研磨砥粒定着量測定部６２による研磨砥粒の定着分布の測定と、研磨条件計算設定部５３による研磨条件の算出、また、その研磨条件の研磨ユニットへのフィードバックが所定枚数研磨する毎に実施されるため、研磨砥粒を用いた研磨加工において生じる、繰り返し研磨を行った際の研磨砥粒の供給の不確実さによる研磨特性の変化を軽減させ、プレストンの式で表わされる理論との一致性を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】表層のＳｉ層が研磨されるにしたがって短い周期で反射率波形が移動するＳＯＩウェーハの研磨において、該Ｓｉ層の研磨終了点を確実にモニタする研磨終点検出方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は上記目的を達成するために、研磨中、ＳＯＩウェーハの表面から反射された光を解析する解析ステップを有するとともに該解析ステップは、周期性を有する実測分光波形の波長ないしは波数に対し、リアルタイムにフ−リエ変換する第１のステップと、該フ−リエ変換された各周期成分のうち、ＳＯＩウェーハにおけるＳｉ層の膜厚に対応した周期成分を抽出する第２のステップと、該抽出した周期成分からＳｉ層の膜厚量をリアルタイムに換算する第３のステップとを有する研磨終点検出方法を提供するものである。 （もっと読む）

ワイヤスライシングシステムおよびこれを用いる方法は、以下の機構の１つ以上を含む：ワイヤの取扱いに関する装置および／または操作；ワイヤ張設に関する機械および方法；ワークピースを処理する器具および技術；冷却および切屑（細片）の除去のために設計された装置および／または操作；これらの機構と併せて用いることが可能である制御および／または自動化。
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【課題】スラリーを使用する化学機械的研磨工程に、過硫酸塩を含む溶液を供給する方法であって、過硫酸塩の有効成分量を迅速に計測管理する薬液供給方法及び装置を提供する
【解決手段】粉末または固形物の過硫酸塩を溶媒に溶解して所望濃度の過硫酸塩溶液として、スラリーを使用する化学機械的研磨工程に供給する薬液供給装置であって、溶解直後における導電率（Ｅｎ）を測定することによって過硫酸塩溶液の初期濃度（Ｃｎ）を算出し、その後、薬液供給時における導電率（ｅｎ）を測定し、薬液供給時における過硫酸塩溶液の分解変化率（ΔＣｎ）／（ΔＥｎ）を算出することにより、薬液供給時の過硫酸塩溶液の濃度（Ｃ）を計算して、酸化力の低下を管理する薬液供給方法及び装置を構成したことにある。 （もっと読む）