半導体および他の平面基板を必要に応じて研磨材粒子を含むスラリーの存在下で研磨するための改善された研磨用パッドが開示される。この研磨用パッドは、不織繊維成分を含み、この不織繊維成分の一部は必要に応じて二成分系繊維を含み、必要に応じてポリマーマトリクス成分中に包埋される。本発明はまた、上で開示された研磨用パッドを製造する方法に関する。特に、この方法は、少なくとも一部またはその全体が二成分系繊維を含み得るニードルパンチ不織テキスタイルと、ポリマー結合材とを所望のレベルまで合せる工程、および熱および圧力の下で薄いシートを形成し、次いで表面仕上げを行う工程を包含する。
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記憶媒体ディスクをテクスチャリングする部材を形成するための布帛が、かつ、二酸化チタンを実質的に含有しない繊維から形成された不織ポリマー材料から形成される。また、金属記憶媒体ディスクの表面をテクスチャリングするための方法が開示される。
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後のエピタキシャル膜成長またはイオンインプランテーションおよび半導体デバイス製作に適した、ＳｉＣウエハの滑らかで損傷のない表面を作るプロセスが教示される。そのプロセスは、制御されたやり方でウエハ面から材料を除去するために、コロイド状研磨材との組合せで酸素化溶液を使用する。オゾン化水を備えた、あるいは備えない過酸化水素とコロイドシリカまたはアルミナとの組合せ（あるいは酸化物除去に影響するＨＦとの組合せ）が発明の好適実施例である。発明は、さらに表面下損傷深さおよび範囲をモニターする手段を提供するが、それはより高い酸化速度とそれに関連するより高い除去速度であるが、最初にこの損傷を明らかにするからである。
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半導体装置の１つ又はそれ以上の切断刃に亘って流体の流れを向けるためのノズル組立体は、半導体装置を切断するために切断刃に向かって突出するよう構成された１つ又はそれ以上のノズルと、各ノズル内に形成された通路とを含み、流体の流れを切断刃の切断縁部上に並びに切断刃の両側部上に同時に向けるために、通路は切断刃を少なくとも部分的に取り囲むよう構成される。
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本発明は、（ａ）液体キャリア、（ｂ）５０％以上の分岐度を有するポリマー、及び（ｃ）研磨パッド、研磨材又はこれらの組み合わせを含む、研磨システム及びその使用方法を提供する。 （もっと読む）

略平坦な中央部（１２）から延在する複数の一体成形剛毛（１８）を有する成形ブラシセグメント（１０）。ブラシセグメントは、熱可塑性エラストマーなどの成形可能なポリマーから成形され、ブラシセグメントの少なくとも剛毛に存在する複数の研磨粒子を有する。

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本発明は、ランタンを含有するセリウム系研摩材において、研摩粒子表面のＣｅ／Ｌａ元素比（Ｓ）が、研摩粒子全体のＣｅ／Ｌａ元素比（Ｂ）より大きい（Ｓ＞Ｂ）ことを特徴とするセリウム系研摩材である。この研摩材は、通常のセリウム系研摩材の製造方法に、湿式処理後のスラリーからランタンを含む化合物粒子を除去する工程を付加することで製造可能であり、例えば、鉱酸、キレート剤のような、水酸化ランタン又は酸化ランタンを可溶な溶液を添加することでランタンを含む化合物粒子を除去することができる。 （もっと読む）

酸化セリウム粒子及び水を含み、３μｍ以上の粗大酸化セリウム粒子含有量が固体中の５００ｐｐｍ以下（重量比）、好ましくは１００ｐｐｍ以下の研磨剤であって、より好ましくは、酸化セリウム粒子のＤ９９（研磨剤中の粒子全体の９９体積％）が１μｍ以下である半導体平坦化用研磨剤。この研磨剤は、スクラッチの発生を低減し、半導体装置の配線形成工程における半導体基板表面を高速で精密に研磨可能である。 （もっと読む）

半導体産業界において広範に用いることができる化学的機械的平坦化（ＣＭＰ）のための、非高分子有機粒子を含む研磨剤組成物。この研磨剤組成物は好ましくは軟水と、０．００１〜２０重量％の非高分子有機粒子、０．１〜１０重量％の酸化剤、０．０５〜１０重量％のキレート化剤、０．０１〜１０重量％の界面活性剤、および０〜１０重量％の不動態化剤を含み、ｐＨ値が２〜１２の範囲にある（各重量％は該組成物の総重量に対するパーセンテージである）。本発明の研磨剤組成物は、ＣＭＰ用途における新規な研磨剤組成物として使用された際、効率のよい研磨速度、優れた選択性および高い表面品質を提供する。 （もっと読む）

液晶ディスプレー（ＬＣＤ）のための基板に用いられる薄い（例えば０．７ｍｍ）シートのようなガラスシート（１１）のエッジ（２３）の仕上げ加工に回転ベルト（１０）が用いられる。ガラスシート（１１）のエッジ（２３）は、ベルト（１０）の作用ゾーン（１５）に対し１本の線分（１７）に沿って係合し、この接触線分（１７）は、ベルト（１０）の走行方向（１９）に対して１０度未満の角度をなす。作用ゾーン（１５）は、仕上げ加工ステーション（１２）におけるシート（１１）の位置決めの狂いを調整することが可能な、圧力に反応するプラテン（１３）によってエッジ（２３）に接触せしめられる。
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本発明は、（ｉ）貴金属層を含む基材を（ａ）研磨成分、（ｂ）酸化剤及び（ｃ）液体キャリヤーを含む化学機械研磨系と接触させる工程、並びに（ｉｉ）当該貴金属層の少なくとも一部を削って当該基材を研磨する工程を含む、基材の研磨方法を提供する。研磨成分は、研磨剤、研磨パッド又はそれらの組み合わせからなる群より選択され、酸化剤は、臭素酸塩、亜臭素酸塩、次亜臭素酸塩、塩素酸塩、亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、過塩素酸塩、ヨウ素酸塩、次亜ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、ペルオキシ酢酸、有機ハロオキシ化合物、それらの塩、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される。化学機械研磨系は９以下のｐＨを有し、酸化剤は実質的な量の元素ハロゲンを生成しない。本発明はまた、貴金属層及び第２層を含む基材を、阻止化合物をさらに含む上記の研磨系によって研磨する方法を提供する。 （もっと読む）

追加の設備編成、プラテン及び材料ハンドリングを必要としないで、特定作業用スラリーを導入するための孔あきコンディショニングディスクを使用する研磨パッドのコンディショニングを行う方法及び装置。本方法及び装置は、真空機構を利用して、廃棄物をコンディショニングパッドから孔あきコンディショニングディスクを通して引き出し、それにより、装置を出口ポートから排気する。装置はまた、内蔵洗浄手段と、パッドコンディショニング装置を振動させるための圧電デバイスとを備えてもよい。

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【課題】 ダスト等の異物の付着およびスクラッチ傷の発生を効果的に抑制できる研磨パッドを提供する。
【解決手段】 被研磨物の研磨に用いられる研磨パッドにおいて、研磨に用いられる研磨スラリー中の砥粒の研磨後の平均粒径を研磨前の平均粒径の１．５倍以下に調整可能で、かつ表面Ｄ硬度が６５度以上であることを特徴とする研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】 摩擦特性が良く耐久性に優れ、半導体ウェハの被削面に欠陥やスクラッチが生じない低コストのＣＭＰ用研磨パッドを提供すること。
【解決手段】 基材と基材上に設けられた研磨層とを有し、上記研磨層が、規則的に複数配置された所定形状の立体要素で構成された立体構造を有し、上記研磨層が、構成成分としてＣＶＤ法により製造されたアドバンストアルミナ砥粒と結合剤とを含む研磨コンポジットで成る、ＣＭＰ用研磨パッド。 （もっと読む）

【目的】ＩＣ、ＬＳＩあるいは超ＬＳＩ等の半導体デバイスの素材であるシリコンウェーハや化合物半導体のウェーハ等の超薄板状のワークのポリッシング加工を行う工程において使用するポリッシング加工機に係り、更に詳しくは被ポリッシング加工体を把持するためのワックスレス方法の改良に関するものである。
【構成】回転自在なポリッシング用定盤１と、プレッシャープレート５とを具備するポリッシング加工機において、前記ポリッシング用定盤の面に対して被加工体４の面を平行状態で把持し圧接する貼付プレート１１が、高剛性で高密度のセラミックスプレートと、一枚またはそれ以上の通気、通水性を有する多孔質セラミックスプレート１５と、軟質発泡体の層１３とカラー１６からなるバッキングパッド１２とから構成されたことを特徴とする貼付プレートを提供する。 （もっと読む）

【課題】ソーマークの発生を抑えることのできるワイヤソーの切断方法及び装置を提供すること。
【解決手段】制御装置３２は、固定砥粒付ワイヤ１４の走行方向の切り換えの際に、圧電素子８８に電圧を印加し、インゴット２６を所定量変位させる。この変位量は、固定砥粒付ワイヤ１４の走行方向の切り換えの際の固定砥粒付ワイヤ１４変位量に等しく設定される。これにより、固定砥粒付ワイヤ１４とインゴット２６との位置関係は、常に等しくなり、ソーマークの発生が抑制される。 （もっと読む）