【課題】ケミカルの使用を抑制しつつ、研磨後のウエハの洗浄や排液処理の負荷を減少させ、かつ効率的に研磨を行なう研磨装置を提供する。
【解決手段】被研磨材を保持するトップリング１４と、イオン交換体を有する研磨部材１０，２４と、研磨液を供給するための研磨液供給手段３２，３０，２６と、研磨液中に電界を形成するための電源２０を有する。 （もっと読む）

【課題】ディッシング、エロージョンを抑制し、平坦性を維持したままで、バリア膜、絶縁膜を同時に高速に研磨できる化学的機械的研磨組成物を提供する。
【解決手段】炭素数７〜１３のジカルボン酸、酸化剤、砥粒、及び水を含有する、化学的機械的研磨組成物とする。この研磨組成物は好ましくは、２〜４又は８〜１２のｐＨ値を有する。 （もっと読む）

【課題】 選択比を任意に制御することが可能な金属膜研磨用組成物を提供する。
【解決手段】 砥粒としてヒュームドシリカを含み、このヒュームドシリカの比表面積が５０ｍ^２／ｇ以上１９０ｍ^２／ｇ以下であり、粒度分布における半価幅が０．１μｍ未満である。ヒュームドシリカの比表面積と、粒度分布における半価幅とを所定の範囲に調整することで、金属膜研磨速度と酸化膜研磨速度との比である選択比を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】被研磨物の十分な研磨性を有しながら、得られる被研磨物の平滑性に優れた研磨方法を提供すること。
【解決手段】直径０．１〜０．５μｍの極細繊維からなる立毛を有する繊維質基材と、０．１〜０．００１μｍの直径を有する研磨砥粒を用いて研磨することを特徴とする。さらには、研磨砥粒が極細繊維の直径の１／５以下の直径であること、繊維質基材が弾性高分子を含むこと、研磨砥粒がスラリー中に存在していることや、研磨がテクスチャー加工であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】均一性の高い研磨および高速研磨を可能とする研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨パッド１１は、その研磨面が被研磨材料Ｍにおける被研磨面Ｅ１の表面積より小さく、かつヤング率が１０ＭＰａ以上である。被研磨面Ｅ１には、研磨剤供給部１２から光触媒作用を有する研磨剤１２Ｃが供給される。研磨剤１２Ｃおよび被研磨面Ｅ１には、光照射部１３から、研磨剤１２Ｃおよび被研磨材料Ｍのいずれのバンドギャップよりも大きなエネルギーに相当する波長の光が照射される。研磨面Ｅ２から被研磨面Ｅ１へ押圧力が加わると共に、研磨面Ｅ２と被研磨面Ｅ１とが相対移動することにより被研磨面Ｅ１が研磨される。 （もっと読む）

【課題】 配線部の金属層を研磨する際にスクラッチ、表面荒れを防ぐと共に、ディッシングの防止による高い平坦性の実現、研磨速度を向上させる事で歩留まりを向上出来る化学機械用研磨液、及び、該研磨液を用いた化学的機械的研磨方法を提供する。
【解決手段】 テトラゾール誘導体及びアントラニル酸誘導体から選ばれる少なくとも一種、及び、互いに硬度が異なる少なくとも２種の成分が結合してなる複合研磨粒子を含有することを特徴とする研磨液及び該研磨液を用いた化学的機械的研磨方法。 （もっと読む）

【課題】加工時に高精度かつ高効率性が得られるディスク加工用基布とその製造方法を提供すること。
【解決手段】繊維を含むシート状物であって、表面側からの透水速度が０．５〜５．０ｍｇ／ｃｍ^２・秒で、裏面側からの透水速度が６〜１００ｍｇ／ｃｍ^２・秒であることを特徴とする。さらには、表面の液滴吸水速度が０．０１〜５秒／１５μｌであること、裏面の液滴吸水速度が６００秒／１５μｌ以上であることなどが好ましい。またその製造方法は、繊維を含み、かつ全層が親水性を示すシート状物の一方の表面に撥水剤を含有する溶液を５〜２００ｇ／ｍ^２塗布することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】インゴット切断時のカーフロスを低減させ、またウェーハ面粗さを小さくすることでラッピング量が減少し、ウェーハ表面のナノトポグラフィも低減可能なワイヤソーを用いたインゴット切断方法を提供する。
【解決手段】ワイヤ１１ａを直径１４０μｍとし、砥粒中の遊離砥粒を＃１５００とし、かつ（１）式の０．０５＜ａ／Ｒ＜０．１と、（２）式のｂ／Ｒ＜０．２を満足させるようにしたので、インゴット切断時のカーフロスが低減され、かつシリコンウェーハの面粗さも小さくできる。その結果、後工程のラッピング時に、シリコンウェーハの表裏面のラッピング量を減少できる。しかも、ウェーハ表面のナノトポグラフィも低減できる。 （もっと読む）

【課題】ウエーハの表面粗さ及びウエーハ全体の平坦度の悪化を防止することができるシリコンウエーハの製造方法及びその製造方法で作製されたシリコンウエーハを提供する。
【解決手段】少なくとも遊離砥粒によるラッピング工程、アルカリエッチング液によるエッチング工程を有するシリコンウエーハの製造方法において、前記ラッピング工程において遊離砥粒として砥粒の粒子の最大径が２１μｍ以下で平均粒径が８．５μｍ以下のものを用いてラッピングを行い、その後、前記エッチング工程においてアルカリエッチング液としてアルカリ成分の濃度が５０重量％以上のアルカリ水溶液を用いてエッチングを行うことを特徴とするシリコンウエーハの製造方法、及びその製造方法で作製されたシリコンウエーハ。 （もっと読む）

本発明は、貴金属を有する基材の研磨方法を提供する。この研磨方法は、（ｉ）この基材をＣＭＰ系と接触させること、及び（ｉｉ）この基材の少なくとも一部を削って、この基材を研磨することを含む。ここでこのＣＭＰ系は、研磨材及び／又は研磨パッド、液体キャリヤ、及びスルホン酸化合物を含有している。 （もっと読む）

【課題】欠陥の発生を回避して高い信頼性を有する半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上１２に設けられ凹部を有する絶縁膜上に導電性膜を堆積して、被処理膜を形成する工程、研磨粒子を含む第１の薬液１７と酸化剤を含む第２の薬液１８とを研磨布上１１に供給しつつ、前記被処理膜を前記研磨布に当接させて、前記被処理膜を研磨する工程、および、前記研磨工程に引き続いて、前記第２の薬液の供給を停止する一方で前記第１の薬液を供給して前記被処理膜の表面を洗浄研磨する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

水性スラリーは、半導体基材のケミカルメカニカルプラナリゼーションに有用である。スラリーは、酸化剤０．１〜２５重量％、２００nm未満の平均粒度を有するシリカ粒子０．１〜２０重量％、シリカ粒子を被覆するためのポリビニルピロリドン０．００５〜０．８重量％、インヒビター０．０１〜１０重量％、錯化剤０．００１〜１０重量％及び残余としての水ならびに不可避的な不純物を含み、水性スラリーは少なくとも７のｐＨを有する。
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【課題】 高平坦化、ディッシング量の低減を可能とし、信頼性の高い金属膜の埋め込みパタ−ン形成を可能とする研磨方法を提供する
【解決手段】 少なくとも、2層からなる積層膜において、上層の研磨速度V1と、下層の研磨速度V2の関係が、V1＞V2である研磨方法であり、金属用研磨液を研磨定盤上の研磨布に供給し、2種類以上の形成方法により金属積層膜が形成された半導体チップである基板の被研磨面と接触させ、被研磨面と研磨布を相対的に動かすことにより、基板表面を研磨することを特徴とする研磨方法。 （もっと読む）

本発明は、（ｉ）（ａ）８以上のモース硬さを有する第１の研磨粒子を５〜４５ｗｔ％、（ｂ）より小さな一次粒子の凝集体を含む三次元構造を有する第２の研磨粒子を１〜４５ｗｔ％、及び（ｃ）シリカを含む第３の研磨粒子を１０〜９０ｗｔ％含む研磨材と、（ｉｉ）液体キャリヤーとを含む、研磨用組成物を提供する。本発明はまた、（ｉ）上記の研磨用組成物を用意する工程、（ｉｉ）表面を有する基板を用意する工程、及び（ｉｉｉ）基板表面の少なくとも一部を研磨用組成物で削って基板を研磨する工程を含む、基板の研磨方法を提供する。 （もっと読む）

【解決課題】フッ素濃度が低減されたセリウム系研摩材用原料について、研摩速度を維持しつつ高精度の研摩面を形成することができる研摩材の製造を可能とするものを提供すること。
【解決手段】本発明は、全希土類酸化物（ＴＲＥＯ）に対する酸化セリウム含有量３０質量％以上、ＴＲＥＯに対するフッ素濃度０．５質量％以下であり、且つ、炭酸根を含む希土類化合物を含むセリウム系研摩材用原料であって、ＴＲＥＯ濃度が１２６ｇ／Ｌとなるように純水と混合した原料スラリーを１０分間静置した際の沈降体積が、該原料スラリー１００ｍＬに対して３０ｍＬ以上であるセリウム系研摩材用原料である。また、この研摩材用原料は、１２０℃で１２時間乾燥後の静置法見掛け比容が、１．０〜３．０ｍＬ／ｇであることが好ましく、更に、塩酸に溶解した際に測定されるヘキサン抽出物質の含有量が、ＴＲＥＯ基準で７００質量ｐｐｍ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）有機樹脂微粒子、（Ｂ）アミノ酸、（Ｃ）ベンゾトリアゾール、（Ｄ）界面活性剤、（Ｅ）アミンオキシド、 （Ｆ）過酸化水素、及び、（Ｇ）水を含有する研磨用組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｒ等の金属性不純物がヒュームドシリカ粒子表面及び分散媒中にほとんど存在せず、シリコンウエハ等の研磨に最適な研磨用組成物を得ること、及び低コストでこの研磨用組成物を得る方法を提供すること。
【解決手段】ヒュームドシリカ粒子表面及び分散媒中に存在する金属性不純物として、Ｃｕが１０ｐｐｂ以下、Ｎｉが２０ｐｐｂ以下、Ｚｎが２０ｐｐｂ以下である研磨用組成物。この研磨用組成物は、窒素原子又は燐原子を有するキレート化剤を含有するヒュームドシリカ水分散液を調製し、陰イオン交換体に接触させた高純度ヒュームドシリカ水分散液を用いて製造する。さらに、こうして得られた高純度ヒュームドシリカを使用する電子材料用ウエハの研磨方法。 （もっと読む）

基板を電気処理する方法及び装置が提供される。１つの実施形態では、基板を電気処理する方法は、電極と基板との間に第１の電気処理ゾーンを確立するように第１の電極をバイアスするステップと、基板の半径方向外方に配設された第２の電極を、第１の電極に印加されたバイアスとは反対の極性でもってバイアスするステップとを含む。 （もっと読む）

各種ＳｉＯ_２膜及びＳｉＯ_２−Ｓｉ_３Ｎ_４膜の選択的研磨時に高い研磨速度と微細スクラッチの生じない酸化セリウム粉末研磨材及びその分散スラリーを提供する。
高圧沈殿法で製造された六方晶系の結晶構造を有する六角板状型の炭酸セリウムをセリウムの原料として、結晶質粒子サイズの平均値が５ｎｍ未満である多結晶性酸化セリウムを合成して、研磨時に高い研磨速度と研磨面の微細スクラッチの生じない酸化セリウム粉末研磨材及び研磨用分散スラリーを提供する。
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【課題】ディッシング、エロージョンを抑制し、平坦性を維持したままで、バリア膜、絶縁膜を同時に高速に研磨できる化学的機械的研磨組成物を提供する。
【解決手段】メタンスルホン酸、アルカリ金属イオン、酸化剤、シリカ研磨材、水を含有し、且つｐＨが８〜１２である、化学的機械的研磨組成物とする。 （もっと読む）