【課題】 窒化シリコン膜に対する研磨速度が酸化シリコン膜に対する研磨速度に対して大きく、研磨平坦性阻害が殆ど発現せず、さらに十分な窒化シリコン膜研磨速度が得られる研磨用組成物とそれを用いた研磨方法の提供。
【解決手段】 酸化シリコン砥粒と、酸性添加剤と、水とを含んでなる研磨用組成物であって、前記酸性添加剤が８５重量％水溶液としたときに窒化シリコン膜に対する化学的エッチング速度が８０℃環境下で０．１ｎｍ/ｈｒ以下である研磨用組成物。特に酸化シリコン砥粒の平均粒子径が１〜５０ｎｍ、組成物のｐＨが３．５〜６．５であるものが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、砥材、３ｋｃａｌ／モルに等しいか又はそれより大きいＭ−Ｏ−Ｓｉ結合エネルギーを有する金属イオン（Ｍ）及び水を含む、化学機械研磨組成物を提供する。本発明はさらに全一つの化学機械研磨組成物を使用して基材を研磨する方法を提供する。 （もっと読む）

本発明はフュームドアルミナ、アルファアルミナ、シリカ、非イオン性界面活性剤、金属キレート有機酸、及び液体キャリアを含んでなる、研磨組成物を提供する。本発明はさらに基材を化学機械研磨する方法を提供し、この方法は基材を研磨パッド及び化学機械研磨組成物を動かすこと、並びに基材を研磨するために基材の少なくとも一部を磨り減らすこと、を含む。 （もっと読む）

【課題】第１の金属層及び第２の層を有する多層基体の１又は複数の層を研磨する系を提供する。
【解決手段】本発明の系は、（ｉ）液体キャリア、（ｉｉ）少なくとも１種の酸化剤、（ｉｉｉ）系が基体の少なくとも１つの層を研磨する速度を増加させる少なくとも１種の研磨添加剤、並びに（ｖ）研磨パッド及び／又は研磨材を含み、研磨添加剤が、ピロリン酸塩、縮合リン酸塩、ホスホン酸及びそれらの塩、アミン、アミノアルコール、アミド、イミン、イミノ酸、ニトリル、ニトロ、チオール、チオエステル、チオエーテル、カルボチオール酸、チオカルボキシル酸、チオサリチル酸、及びそれらの混合からなる群より選択される。また本発明は、系を基体の表面に接触させること、及びこの系によって基体の少なくとも一部を研磨することを含む、基体の研磨方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 バリアメタル研磨に使用する研磨剤（スラリー）、及び研磨条件を制御することにより、終点検出の精度を向上させる。
【解決手段】 ウエハに形成された絶縁膜５内に凹部を形成する工程と、凹部に第１の導電膜４を形成する工程と、第１の導電膜４上に凹部を埋め込むように第２の導電膜を堆積する工程と、凹部からはみ出した第２の導電膜および第１の導電膜を研磨により除去する工程とを含み、第１の導電膜４を除去する際に、光源からウエハに照射される入射光１０１に対するウエハからの反射光１０４の強度の変化により研磨の終点を検出するとともに、波長５００ｎｍ〜７００ｎｍの入射光１０１が２０％以上透過する研磨剤１０２を用いて行う。これにより半導体集積回路の高集積化に伴う、バリアメタルの薄膜化の影響を受けることなく、バリアメタル除去終了時を光学的に高い精度で検出することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 シリコンウエハの過研磨時に生じるエロージョンやディッシング等の凹形状の拡大を抑制する。
【解決手段】 シリコンウエハ上にキャパシタ・ホール部を有するシリコンナイトライド膜を介して形成されたポリシリコン膜をＣＭＰ装置によって研磨する研磨方法において、ＣＭＰ装置によってポリシリコン膜の研磨を行ってシリコンナイトライド膜が露出した時点で、被研磨面に導電水を供給しながら研磨を行うことによって、シリコンナイトライド膜上に残存するポリシリコン膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】 粒度の分布幅が広い研磨剤から簡単な方法で分級を行い、分級後の研磨剤を効率よくウェーハのラッピング工程に供給することが可能なシリコンウェーハ用研磨剤の供給方法およびシリコンウェーハ用研磨剤の供給装置を提供する。
【解決手段】 分離タンク２に分散液と研磨剤とを投入して攪拌混合し、攪拌速度を制御しつつ前記分散液中に分散させた前記研磨剤を沈降させ、分離タンク２の深さ方向に沿って間隔を空けて設けた複数の取液口１４ａ，１４ｂ，１４ｃからそれぞれ、沈降してきた研磨剤を分散液とともに採取して分級済みスラリーとし、該分級済みスラリーをシリコンウェーハのラッピング工程に供給することを特徴とするシリコンウェーハ用研磨剤の供給方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣなどの硬質材料を低い加工圧力でも効率よく研磨することができるメカノケミカル研磨方法及びメカノケミカル研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨定盤１には研磨布２が貼り付けられている。研磨定盤１の上方においてウェハ保持用テーブル３が配置され、ウェハ保持用テーブル３にＳｉＣウェハ４が保持される。研磨定盤１の上方において注液器５が設置され、注液器５から薬液（過酸化水素水に酸化クロム砥粒を分散させたもの）６が研磨布２上に滴下される。ＳｉＣウェハ４の研磨する面を、研磨定盤１に貼り付けられた研磨布２に所定の加工圧力で押し付け、ウェハ保持用テーブル３と研磨定盤１を回転させ、研磨布２上に薬液６を滴下しながら研磨が行われる。 （もっと読む）

摺動部材７は、フランジ部８にネジ止めされており、フランジ部８にはオリフィス状のプレート９と砥石ホルダ１０と砥石押さえがネジ止めされている。これとは別のネジにより、砥石ホルダ１０と砥石押さえ１１がネジ止めされ、これら砥石ホルダ１０と砥石押さえ１１の間にアルミナセラミックス製の砥石１２が挟み込まれている。ホルダ４とピンチャック５面が離れている状態では、砥石１２は最大限にホルダ４から突出した状態になっているが、チャック洗浄装置１を下降させ、砥石１２とピンチャック５面を接触させた状態では、砥石１２がピンチャック面に倣って引っ込み、ピンチャック５面にうねり（凹凸）があった場合でも、各砥石１２がその凹凸に倣って表面に接触するようになる。これにより、研磨対象物保持部表面から微小異物を効果的に除去することが可能となる。
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【課題】 製造工程にＣＭＲ層のＣＭＰを含むＣＭＯＳ集積回路中のＣＭＲ層の製造方法であって、商業的に実現可能な方法でＣＭＯＳ集積回路のＣＭＲ層を提供する。
【解決手段】 ＣＭＲ層をパターニングするためにＣＭＰ（化学機械研磨）を用いてＣＭＯＳデバイスにおけるＣＭＲ層を形成する形成方法であって、シリコン基板中に下部電極を形成することを含む前記シリコン基板を準備する工程と、前記シリコン基板上にＳｉＮ_Ｘ層を堆積する工程と、前記下部電極上にダマシントレンチを形成するために前記ＳｉＮ_Ｘ層をパターニングしエッチングする工程と、前記ＳｉＮ_Ｘ層及び前記ダマシントレンチ上にＣＭＲ物質層を堆積する工程と、ＣＭＰによって前記ＳｉＮ_Ｘ層を覆う前記ＣＭＲ物質層を除去し、前記ダマシントレンチ中に前記ＣＭＲ物質層を残す工程と、ＣＭＯＳ構造を完成させる工程とから構成される。 （もっと読む）

【課題】
ワイヤソー用切削油剤において、砥粒等の研磨材の沈降を抑制し、沈降した場合でも再分散を容易にし、しかもハードケーキの生成を防止すると共に砥粒を含有するスラリーが刃物となるワイヤー細線に均一にからみつくことにより、切断性の効率と精度を向上させ、切断後のウエハーの洗浄も容易にする。
【解決手段】
本発明に関わるワイヤソー用切削油剤は、低分子量ポリアルキレングリコール（ａ）、低分子量グリコール、その二量体又は三量体（ｂ）、ポリエーテル化合物（ｃ）の中から選ばれる一種又は二種以上よりなる基材と、グラフト共重合体（ｄ）とを必須成分として含有するものである。特に効果的なグラフト共重合体としては、アリルアルコール、無水マレイン酸およびスチレンの共重合体にポリオキシアルキレンモノアルキルエーテルをグラフト重合したものが挙げられる。 （もっと読む）

セラミック粒子を製造するための方法。本発明によって製造されたセラミック粒子の実施形態は、研磨粒子として特に有用であることができる。
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本発明は基材を研磨（polish)する方法を提供し、該方法は基材の表面に貴金属を含む基材を化学機械研磨系と接触させること（該系は（ａ）砥材、研磨パッド、及びそれらの組合せからなる群から選択した研磨成分、（ｂ）酸化剤、（ｃ）エチレン酸化物含有ポリマー、及び（ｄ）液体キャリア（liquid carrier）を含む）、及び該基剤を研磨するための化学機械研磨系で該貴金属の少なくとも一部を磨り減らす（abrade)こと、を含む。 （もっと読む）

情報記録媒体用ガラス基板は、ガラス素板の表面を研磨することによって製造される。ガラス素板の研磨は、ガラス素板の表面を平滑に粗研磨するための１次研磨処理を施す工程と、粗研磨されたガラス素板の表面をさらに平滑に精密研磨するための２次研磨処理を施す工程との２工程に分けて行われる。２次研磨処理では、発泡体よりなる研磨パッドが使用され、酸化セリウムの砥粒を含む研磨剤を用いる前研磨と、酸化ケイ素の砥粒を含む研磨剤を用いる後研磨とが２段階に分けて行われる。前研磨及び後研磨の間で、洗浄液を用いて前研磨の後のガラス素板を濯ぐためのリンス処理が施され、前研磨の際に研磨パッド内に留まっていた砥粒がリンス処理の際に洗い流される。
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本発明は、切開器具の刃先を研磨パッド並びに研磨剤の粒子及び液体キャリヤーを含み、該研磨剤が該液体キャリヤー中に懸濁している化学機械研磨組成物と接触させる工程、並びに前記刃先の少なくとも一部を削って該刃先を研磨する工程を含む、切開器具の刃先を研磨するための方法に向けられる。本発明は、非常に均一なエッジを有する切開器具をさらに提供する。
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【課題】磁性基材、光学基材、半導体基材又はケイ素基材をケミカルメカニカルポリッシングするのに有用であるポリマー被覆粒子を製造する。
【解決手段】まず、非水溶媒中の粒子コアの分散系を用意する。次に、ポリマー前駆体を分散系に導入してポリマー前駆体を反応させてポリマーを形成させる。そのポリマーが粒子コアの表面の少なくとも一部を被覆し、固体の外側のポリマーシェルを有するポリマー被覆粒子を形成する。非水溶媒を水と交換して、ポリマー被覆粒子を含む水性混合物を形成する。そして、ポリマー被覆粒子を乾燥させることなく、ポリマー被覆粒子を用いて水性ケミカルメカニカルポリッシング配合物を形成する。 （もっと読む）

【課題】開口部内壁の平滑度を高めてハンダペーストの塗布量を安定させるメタルマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】金属板１０にレーザ光を照射して印刷用のパターン開口部を形成し、前記開口部内に微細な砥粒を含む研磨剤溶液を封入し金属板１０に振動を加えて該開口部の内壁を研磨するとともに、次いで、開口部内壁１２に前記研磨剤溶液３０と極細繊維５０よりなる研磨材を接触させて内壁１２を研磨する。前記研磨剤溶液３０は、アルミナの微細な砥粒３１を含む硝酸塩と水との混合液である。 （もっと読む）

【課題】 ＬＳＩの如きの最終目的製品を用意せずとも、研磨液の選択が可能となり、簡単、かつ、低コストにて好適な研磨液を見出せる技術を提供することである。
【解決手段】 バリア材Ｙと導体配線材Ｘ（Ｙ≠Ｘ）とが積層された基板を研磨して配線パターンを形成するのに適した研磨剤を選定する方法であって、
研磨剤Wを用いて導体配線材Ｘを研磨し、導体配線材Ｘに対する研磨特性を測定するステップAと、
研磨剤Wを用いてバリア材Ｙを研磨し、バリア材Ｙに対する研磨特性を測定するステップＢと、
研磨剤Wを用いて導体配線材Ｘ及びバリア材Ｙを共に研磨し、導体配線材Ｘに対する研磨特性を測定すると共にバリア材Ｙに対する研磨特性を測定するステップＣ
とを具備する研磨剤選定方法。 （もっと読む）

【解決課題】Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｒ等の金属性不純物がコロイダルシリカ粒子表面及び分散媒中にほとんど存在せず、シリコンウエハ等の研磨に最適な研磨用組成物を低コストで得ること、及び金属性不純物のきわめて少ない研磨用組成物を用いてシリコンウエハの研磨を行う方法を提供すること。
【解決手段】コロイダルシリカ粒子表面及び分散媒中に存在する金属性不純物として、Ｃｕが１０ｐｐｂ以下、Ｎｉが２０ｐｐｂ以下、Ｚｎが２０ｐｐｂ以下である研磨用組成物。この研磨用組成物は、活性珪酸水溶液またはコロイダルシリカに窒素原子又は燐原子を有するキレート化剤を接触させ、その後該活性珪酸水溶液またはコロイダルシリカを陰イオン交換体に接触させる工程を有する方法によって製造される。 （もっと読む）

【課題】 テクスチャー加工を施すべき基板の表面のスラリーの濡れ性を改善し、テクスチャー加工時に基板の表面に供給するスラリーが基板の表面に均一に広がるようにすることにより、基板表面の均一な加工を可能とし、異常突起の形成を抑制する。
【解決手段】 テクスチャー加工を施すべき基板の表面に砥粒を含むスラリーの濡れ性を改善するための濡れ性改善液をテクスチャー加工を施す前に塗布する濡れ性改善液塗布工程４０と、濡れ性改善液で濡れた状態の基板を回転してその表面にスラリーを供給しながらテクスチャー加工を施すテクスチャー加工工程５０とを備える。 （もっと読む）