【課題】研磨後の被研磨物の表面粗さが小さく、ナノスクラッチを顕著に低減し、経済的に研磨をすることが可能な研磨液組成物、該研磨液組成物を調製するのに使用される研磨粒子調製液並びに該研磨液組成物を用いる工程を有する基板の製造方法を提供する。
【解決手段】以下の条件を満たす、研磨材と水とを含有し、ｐＨが０．１〜７である研磨液組成物：（１）０．５６μｍ以上１μｍ未満の研磨粒子が研磨液組成物１ｃｍ^３当り５００,０００個以下、及び（２）１μｍ以上の研磨粒子が研磨液組成物中の全研磨粒子に対して０．００１重量％以下、および前記研磨液組成物を用いて基板を研磨する工程を有する、基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 被研磨物の表面荒れを抑制し、研磨レートを維持する金属研磨用組成物を提供する。
【解決手段】 ベンゾトリアゾール系化合物およびイミダゾール系化合物から選ばれる１種または２種と、リン酸またはリン酸塩とを含み、被研磨物の腐食電流値を、０．０００１μＡ／ｃｍ^２〜０．０５μＡ／ｃｍ^２とし、被研磨物の腐食電位値を、０．１ｍＶ〜０．７ｍＶとする。ベンゾトリアゾール系化合物またはイミダゾール系化合物の含有量を、組成物全量の０．１重量％〜５０重量％とし、リン酸またはリン酸塩の含有量を、組成物全量の０．１重量％〜３．０重量％とすることで所定の腐食電流値および腐食電位値を制御する。 （もっと読む）

レーザー回折粒度分布による平均粒子径（ＤＬ）とＴＥＭ撮影による平均粒子径（ＤＴ）の比（ＤＬ／ＤＴ）が１．３以下であって、平均一次粒子径が０．０８μｍ〜０．８μｍのシリカ粉末を溶媒に分散したシリカ濃度５０ｗｔ％以上、および粘度１０００ｍＰａ・ｓ以下であることを特徴とし、好ましくは、ナトリウムおよびカリウムの不純物濃度が何れも１．０ｐｐｍ以下、アルミニウム量１．０ｐｐｍ以下、硫黄、ニッケル、クロムおよび鉄の各含有量が何れも０．５ｐｐｍ以下であるシリカ粉末を用いたシリカ濃度７０ｗｔ％以上〜８０ｗｔ％以下であってスラリー調製時の粘度８００ｍＰａ・ｓ以下の高濃度シリカスラリー。 （もっと読む）

【課題】 磁気ディスク用基板等を研磨する用途においてより好適に使用可能な研磨用組成物を提供する。
【解決手段】 本発明の研磨用組成物は、ケイ素酸化物を含む研磨材と、特定の化合物群から選ばれる少なくとも一種を含むリン酸化合物と、特定の化合物のナトリウム塩、カリウム塩、及びリチウム塩の少なくともいずれか一種を含むリン酸塩化合物と、酸化剤と、水とを含有し、磁気ディスク用基板の表面を研磨する用途に用いられる。 （もっと読む）

【課題】 長時間の研磨に供しても、研磨レートの低下が最小限に抑制されている。
【解決手段】 水系分散媒に、真球度が０．９以上、１．０以下の範囲にある球状粒子と真球度が０．３以上、０．９未満の範囲にある非球状粒子とが分散してなり、非球状粒子に対する球状粒子の重量比が２／９８〜３５／６５の範囲にある研磨用組成物である。球状粒子と非球状粒子はシリカ粒子からなり、球状粒子の平均粒子径が２０〜１５０ｎｍの範囲にあり、非球状粒子の平均粒子径が５〜１００ｎｍの範囲にある。研磨用組成物のｐＨは８〜１１．５の範囲にあり、研磨用組成物中に含まれる塩基性不純物の量は、ＳｉＯ₂に対して１００ｐｐｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板等の表面を研磨する用途においてより好適に使用可能な研磨用組成物を提供する。
【解決手段】 本発明の研磨用組成物は、研磨材と、アゾール類及び／又はその誘導体と、水とを含有する。この研磨用組成物は、半導体基板の表面を研磨する用途において特に有用である。 （もっと読む）

提供されているのは基体の研磨・平坦化用新規水性スラリー組成物である。該組成物は二酸化珪素研磨粒子を含み、該研磨粒子はアルミン酸アニオン、スズ酸アニオン、亜鉛酸アニオン及び鉛酸アニオンから成る群から選択されるメタレートアニオンでアニオン的に変性・ドープ処理され、それにより該研磨粒子に高い負の表面電荷を提供し該スラリー組成物の安定性を向上させている。
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【課題】研磨処理の時に、半導体基板表面に傷が発生することを低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板表面を研磨パッドに所定の圧力で押しつけ、かつ、半導体基板表面を研磨パッドに対して所定の相対速度で移動させることによって、半導体基板表面を研磨した後に、研磨パッドに対する押しつけ圧力を研磨時以下でかつ６０％以上の範囲に保って、相対速度を研磨時の速度に比較して減少させる緩衝ステップを行ってから、半導体基板を研磨パッドから脱離する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの２次研磨用スラリー組成物を提供する。
【解決手段】半導体ウエハの２次研磨用スラリー組成物であって、平均粒径３０〜８０ｎｍで２〜１０重量％のコロイド状シリカと、０．５〜１．５重量％のアンモニアと、組成物のレオロジを変更するために０．２〜１重量％のヒドロキシアルキルセルロース基のポリマーと、０．０３〜０．５重量％のポリオキシエチレンアルキルアミン基の非イオン性界面活性剤と、０．０１〜１重量％の第４アンモニウムベースと、脱イオン水のバランスとを含むシリコンウエハの２次研磨用スラリー組成物を開示する。 （もっと読む）

【課題】磁性基材、光学基材、半導体基材又はケイ素基材をケミカルメカニカルポリッシングするのに適した研磨組成物を得る。
【解決手段】研磨組成物は、液状媒体中に砥粒を含む。砥粒は粒子コアを有し、粒子コアは、硬度を有し、粒子コアに物理収着され、粒子コアを封入するポリマーシェルを有する。ポリマーシェルは、固体構造を有し、粒子コアの硬度よりも低い硬度を有する。砥粒は、液状媒体中に分散した状態で約２マイクロメートル以下の平均粒度を有する。 （もっと読む）

【課題】化学的機械的研磨方法において、銅配線および銅プラグを確実に形成する。
【解決手段】半導体基板の研磨方法は、第１の研磨テーブルの研磨面にウェハーＷを押し付け、研磨面とウェハーＷとの相対運動によってウェハーＷを研磨する第１の研磨工程（ステップ５２）と、純水と気体との混合流体を第１の研磨テーブルの研磨面に噴射しながら、第１の研磨工程で研磨されたウェハーＷを第１の研磨テーブルの研磨面に１００ｈＰａ以上の面圧で押し付け、研磨面と研磨対象物との相対運動によって研磨対象物を３０秒以上研磨する第１の水研磨工程（ステップ５３）とを有している。 （もっと読む）

本発明は、半導体製造のためにウェハの露出された表面を改質するのに有用であるスラリー系を、加工用スラリー系などを利用する半導体製造のためにウェハの露出された表面を改質する方法およびその半導体ウェハとともに提供する。本発明のスラリーは、液状キャリア；銅を硫化銅に変えうる硫黄含有化合物；任意で、研磨粒子（研磨剤）；任意で、キレート剤；任意で、緩衝剤；任意で、阻止化合物；任意で、他の添加剤；及び任意で、共溶媒、からなる。本発明の方法は、ａ）パターン形成のためにエッチングされた表面を有する第１の材料と、第１の材料の表面をおおって堆積される第２の材料、からなるウェハを提供し、；ｂ）加工用スラリーの存在下で、ウェハの第２の材料と研磨パッドが接触し、；ｃ）ウェハの露出された表面が平坦化され、少なくとも１つの露出された第１の材料の領域と１つの露出された第２の材料の領域とから成るまで、第２の材料を研磨パッドと接触させた状態で相対的にウェハまたは研磨パッドまたはその両方を動かす、工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 研磨砥粒の配合を必要としないのにも拘わらず高い研磨速度を達成するとともに、前記防食剤の悪影響を除外しながらもディッシングなどの不具合を低減できる研磨用組成物、特にＣＭＰ用研磨組成物を提供すること。これらのＣＭＰ用研磨組成物を、特に銅または銅合金配線基板のＣＭＰに適用して、銅または銅合金配線基板を研磨する方法を提供すること。
【解決手段】 水性媒体、酸化剤、研磨促進性と防食機能を併せ持つ研磨促進剤および所望により摩擦低減剤を含有する一方、研磨砥粒を配合せず、更に必ずしも防食剤を配合しないことを特徴とする研磨用組成物。および、上記研磨用組成物を用いる金属（銅）表面の研磨方法。 （もっと読む）

【課題】研磨後の被研磨基板の表面粗さが小さく、且つナノスクラッチを顕著に低減できる研磨液組成物、及び表面粗さが小さく、且つナノスクラッチが顕著に低減された基板を製造する方法を提供すること。
【解決手段】以下の条件を満たす研磨材と水とを含有する研磨液組成物：（１）標準試験Ａにおける孔径０．５μｍのフィルター通液量が３．7ｇ／分・ｃｍ²以上；（２）研磨材の一次平均粒径が５０ｎｍ以下；及び（３）研磨材の含有量が２〜４０重量％；並びに該研磨液組成物を仕上げ研磨工程に用いる基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 効率よくＡｌＮ結晶にモフォロジーの良好な表面を形成するＡｌＮ結晶の表面処理方法を提供する。
【解決手段】 ＡｌＮ結晶１の表面を化学的機械的に研磨するＡｌＮ結晶の表面処理方法であって、化学的機械的研磨に用いられるスラリー１７の砥粒が、ＡｌＮ結晶１よりも硬度の高い高硬度砥粒と、ＡｌＮ結晶１以下に硬度の低い低硬度砥粒とを含むＡｌＮ結晶の表面処理方法。ここで、スラリー１７の砥粒１６における高硬度砥粒と低硬度砥粒との体積比率を、高硬度砥粒：低硬度砥粒＝５：９５〜７０：３０とすることができる。 （もっと読む）

本発明は、磨き組成物、および貴金属を含む基材の化学的で機械的な磨き方法、以下を含む磨き組成物を与える：(a)貴金属を酸化する酸化剤、(b)サルフェート、ボレート、ナイトレート、およびホスフェートからなる群から選択されたアニオン、および(c)液体の担体。本発明は、さらに磨き組成物およびルテニウムを含む基材の化学的で機械的な磨き方法、以下を含む磨き組成物を与える：(a)+４より大きい酸化状態のルテニウムを酸化する酸化剤、(b)金属封鎖ポリマー、金属キレート剤、有機チオール、四酸化ルテニウム減少する化合物、ラクトンをからなる群から選択された磨き追加物、およびヒドロキシカルボニル化合物。 （もっと読む）

【課題】 酸化セリウム研磨粒子及びその製造方法と、ＣＭＰ用スラリー組成物及びその製造方法と、それらを利用した基板研磨方法を提供する。
【解決手段】 酸化セリウム研磨粒子に結晶欠陥を付与するために、まず、セリウム化合物を第１温度で焼成して酸化セリウムを形成した後、インサイチュで酸化セリウムを第１温度より高い温度で焼成して、酸化セリウムに熱的ストレスを印加する。酸化セリウムに熱的ストレスを印加する工程は、酸化セリウムが形成された後、酸化セリウムの温度下降なしに連続的に行われる。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＰ工程に適したスラリー組成物を形成するのに適した向上した酸化セリウム研磨剤を製造する方法を提供する。
【解決手段】 セリウム前駆体化合物と二次金属化合物との混合物を熱処理して得られる酸化セリウム研磨剤は、その機械的強度が減少し、それにより、前記研磨剤を使用するＣＭＰ工程中に基板表面が損傷する可能性が減少する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＰ後における被研磨面のエロージョン（局所的な凹み）を２０ｎｍ以下に低減し得るスラリーを提供する。
【解決手段】 研磨粒子と界面活性剤とを含有するＣＭＰ用スラリーである。前記界面活性剤は、室温でのＨＬＢ値が３〜９の第１のポリエーテル型非イオン界面活性剤と、室温でのＨＬＢ値が１０〜２０の第２のポリエーテル型非イオン界面活性剤とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 磁気ディスク用ガラス基板の中心部の円孔を小径化しても、この円孔の内周端面部分、特に、その面取面を簡易かつ良好に研磨できる方法を提供し、安定した品質の磁気ディスク用ガラス基板を廉価に大量に提供できるようにするとともに、磁気ディスクにおけるサーマルアスペリティ障害やヘッドクラッシュを防止し、磁気ディスクにおける情報記録面密度の高密度化に資する。
【解決手段】 磁気ディスク用ガラス基板２の内周側の端面部分に、母粒子の表面に複数の研磨砥粒を有してなる遊離砥粒を含有する研磨液を供給し、この内周側の端面部分と、研磨ブラシ３、研磨パッド、または、研磨テープとを相対的に移動させることにより、内周側の端面部分を鏡面研磨する。 （もっと読む）