【課題】 迅速なＣＭＰ速度を有し、ウエハー面内均一性を確保し、かつコロージョンやスクラッチ、シニング、ディッシング、エロージョンなどの発生が少ないＬＳＩの作製を可能とする金属用研磨液材料を提供する。
【解決手段】 半導体デバイスの製造における化学的機械的研磨に用いる研磨液材料であって、 酸化剤、砥粒および砥粒へ吸着する界面活性剤を含有することを特徴とする金属用研磨液材料。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、意外にも従来着目されていなかった金属異物に着目し、これを除去することにより傷の発生および金属異物の付着を低減しうる磁気ディスク用基板の製造方法、ならびに磁気ディスクの製造方法、を提供するものである。本発明方法により、磁気ディスク用ガラス基板の検査機歩留まりおよびこれを用いた磁気ディスクの検査機歩留まりを向上しうる。
【解決手段】 研磨スラリータンクから循環供給される研磨スラリーを用いてガラス基板を研磨するに際して、研磨装置と研磨スラリータンクの間に形成される循環経路内にマグネットストレーナーを設けてガラス基板を研磨することを特徴とする磁気ディスク用基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 テクスチャー加工を施すべき基板の表面のスラリーの濡れ性を改善し、テクスチャー加工時に基板の表面に供給するスラリーが基板の表面に均一に広がるようにすることにより、基板表面の均一な加工を可能とし、異常突起の形成を抑制する。
【解決手段】 テクスチャー加工を施すべき基板の表面に砥粒を含むスラリーの濡れ性を改善するための濡れ性改善液をテクスチャー加工を施す前に塗布する濡れ性改善液塗布工程４０と、濡れ性改善液で濡れた状態の基板を回転してその表面にスラリーを供給しながらテクスチャー加工を施すテクスチャー加工工程５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基材からバリヤを除去するのに有用な研磨溶液を得る。
【解決手段】溶液は、酸化剤０．００１〜２５重量％、アニオン性界面活性剤０．０００１〜５重量％、非鉄金属のためのインヒビター０〜１５重量％、砥粒０〜４０重量％、非鉄金属のための錯化剤０〜２０重量％、イミン誘導体化合物、ヒドラジン誘導体化合物及びそれらの混合物から選択されるバリヤ除去剤０．０１〜１２重量％並びに水を含み、酸性ｐＨを有する。 （もっと読む）

【課題】 研磨工程のみで表面粗さを制御し得、表面欠陥を低減し得る磁気ディスク用基板の製造方法、ならびに磁気ディスクの製造方法、を提供する。本発明によれば、磁気ディスクの電磁変換特性のバラツキを低減し得る。
【解決手段】 ガラス基板をポリッシングするに際して、砥粒を含む研磨スラリーでガラス基板を研磨し、ついで該ガラス基板の表面粗さＲaが４〜８Åとなるように、砥粒を含まない水リンス液でさらに研磨する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、半導体デバイスの製造における化学的機械的研磨（ＣＭＰ）に用いる研磨液として好適であり、迅速なＣＭＰ速度を有し、ディッシングの発生が少ない、ＬＳＩの作製を可能とする研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】 １粒子中の中心部と表層部において硬度または弾性率が異なる研磨粒子を含むことを特徴とする研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスの製造における化学的機械的研磨に用いる研磨液として好適な、迅速なＣＭＰ速度を有し、ディッシングの発生が少ないとともに、スクラッチの発生も少ない、化学的機械的研磨を可能とする研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】 テトラゾール類及びその誘導体またはアントラニル酸類及びその誘導体から選ばれる少なくとも１種類の化合物、会合型研磨粒子、及び酸化剤を含有することを特徴とする研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板を砥粒を含む研磨スラリーで研磨する場合に、研磨スラリー中の研磨くず、研磨パッドくずもしくはガラスくずを効率的に除去することにより傷の発生を低減しうる磁気ディスク用基板の製造方法、ならびに磁気ディスクの製造方法、を提供するものである。本発明方法により、ガラス基板の検査機歩留まりおよびこれを用いた磁気ディスクの検査機歩留まりを向上しうる。
【解決手段】 研磨スラリータンクから循環供給される研磨スラリーを用いてガラス基板を研磨するに際して、研磨装置と研磨スラリータンクの間に形成される循環経路内に孔径９０μｍ以下のフィルターを設けてガラス基板を研磨することを特徴とする磁気ディスク用基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 研磨速度が速く、速い研磨速度を長期に渡って維持することができ、且つ製造工程が簡略で、安価なセリウム系研磨材の製造方法を提供する。
【解決手段】 １０００℃の温度で１時間加熱した場合の灼熱減量が乾燥質量基準で０．５質量％以下であり、且つ結晶子径が２００Å以上４００Å以下である、セリウム系研磨材製造のための混合希土類酸化物とする。またこの灼熱減量が乾燥質量基準で３〜１５％である、セリウム系研磨材製造のための混合希土類フッ素化物とする。また更に、これらの混合希土類酸化物又は混合希土類フッ素化物から、セリウム系研磨材を製造する方法、及びそれによって得られるセリウム系研磨材とする。 （もっと読む）

【課題】加工傷、欠けが存在せず、高精度かつ、安定した表面をもつ炭化シリコン基板を研磨加工することのできる方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化シリコン結晶基板研磨方法は、炭化シリコン結晶基板を研磨する方法であって、炭化ボロンからなる研磨砥粒を含む研磨液(7)を用いて、表面粗さＲｚが５０μｍ以下の炭化シリコン結晶基板(2)を研磨する研磨工程を含む。これにより、研磨砥粒を従来から使用されているダイヤモンドから炭化ボロンにすることで、被研磨材である炭化シリコン結晶と研磨定盤表面へのダメージを軽減出来、且つ表面の研磨加工を精密に行うことができる。 （もっと読む）

【解決課題】半導体装置の製造に用いられる銅配線の形成において、銅の表面を傷つけることなく研磨し、平坦化することのできる研磨用組成物を提供する。
【解決手段】２５℃で、水１００ｍｌに対して５ｇ〜２００ｇの範囲で溶解可能な共重合体樹脂、金属と錯体を形成しうる水溶性化合物、酸化剤及び水を含有してなることを特徴とする研磨用組成物。 （もっと読む）

【課題】 金属部材の表面処理において、鏡面研磨が行えるとともに酸化膜のコーチングも同一作業により行える鏡面研磨コーチング方法を提供すること
【解決手段】 研磨対象（試料１）を一方の鉄芯４の先端部に支持して研磨パッド２を他方の鉄芯５の先端部に支持し、試料１と研磨パッド２とを対面させた間に磁気研磨液３を存在させる。鉄心４，５にはコイル８，９を設けて電磁石とし、外側の他端に駆動モータ６，７を連結して回転させる。磁気研磨液３には増粘剤，非磁性の砥粒を混合しておき、駆動モータ６，７により互いを逆回転させ、コイル８，９により磁気研磨液３に所定に磁場を加える。磁気研磨液中では強磁性粒子（鉄粒子）に砥粒，マグネタイト粒子が付着し、当該付着粒体が自転して動くので研削作用し、研磨面に酸素が直ちに結合し、コーチングされる。 （もっと読む）

【課題】 化学的機械的研磨速度の顕著な向上がもたらされ、ディッシングが低減され、優れたＬＳＩの作製を可能とすることができる金属用研磨液の提供。
【解決手段】 砥粒、酸化剤ならびに下記一般式（Ｉ）で表される化合物および一般式（ＩＩ）で表される化合物の少なくとも一方を含有し、該研磨液の砥粒濃度が研磨液全量に対して５質量％以上であることを特徴とするバリアメタル用研磨液およびそれを用いた化学的機械的研磨方法。
【化９】


式（Ｉ）中、Ｒ₁及びＲ₂は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。
式（ＩＩ）中、Ｒ₃〜Ｒ₈は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。Ｍ⁺は陽イオンを表す。 （もっと読む）

【課題】 精密な表面加工を可能にする磁性砥粒及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ダイヤモンド粒子２上に磁性を有する無電解めっき層３が形成されている磁性砥粒１により、上記課題を解決した。この磁性砥粒１は、ダイヤモンド粒子２を、濃Ｈ_２ＳＯ_４／ＨＮＯ_３を用いて親水化処理し、次いで、触媒付与・増感処理を行った後、無電解めっきを行い、ダイヤモンド粒子の表面に磁性を有する無電解めっき層３を形成することにより製造できる。 （もっと読む）

【課題】
再生可能な半導体ウエハの再生方法及びそれらに用いる再生のための装置は化学エッチング、機械的加工、鏡面研磨、研磨材の噴射により薄膜層を除去等の工程を夫々の装置で行われており、一つの作業工程が終了すると次の作業工程の装置に移動させなければ成らず効率の悪いものであった。
【解決手段】
ケーシング１と、送出側カセット２と、送出側ロボット３と、エッチングユニット４と、搬送ユニット５と、４つのチャック機構６ａを備えると共に１／４回転宛の回動停止を繰り返すターンテーブル６と、粗研削加工ユニット７と、鏡面研削加工ユニット８と、ポリシングユニット９と、収納側ロボット１０と、収納側カセット１１とを備えた全自動再生装置において、コロイダルシリカをアルカリ性水溶液に希釈させたスラリーを供給しながらカップホイル砥石を用いて鏡面研削加工する。 （もっと読む）

【課題】１０ｎｍ或いはそれ以下の低浮上量で磁気ヘッドを浮上飛行させる磁気ディスクを製造する場合に特に有益な磁気ディスク用ガラス基板、該ガラス基板を利用した磁気ディスクを提供する。
【解決手段】研磨砥粒を含む研磨液を用いて、ガラス基板の主表面を研磨する研磨工程を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、上記研磨砥粒として、有機ケイ素化合物を加水分解することで生成したコロイダルシリカ砥粒を含む研磨砥粒を用いる。また、上記研磨液として、コロイダルシリカ砥粒を含み、かつ、中性であるものを用いる。また、かかる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法により得られるガラス基板上に少なくとも磁性層を形成することにより、磁気ディスクを得る。 （もっと読む）

本発明は、スルホン酸組成物を使用した銅配線の研磨および／または洗浄方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 迅速なＣＭＰ速度を有し、ディッシング、研磨残りの発生が少ない、ＬＳＩの作製を可能とする、特に研磨対象が銅金属及び銅合金である銅用研磨液及び該銅用研磨液を用いた化学的機械的研磨方法を提供する。
【解決手段】 半導体デバイスの製造などににおける化学的機械的研磨に用いる研磨液であって、特定のアントラニル酸化合物、及び、酸化剤を含有することを特徴とする銅用研磨液及び銅用研磨液を用いた化学的機械的研磨方法。 （もっと読む）

【課題】８０ｇ/ｃｍ^２という超低加圧から１５００ｇ/ｃｍ^２という高加圧を一貫して加圧する乾式研磨装置を実現する。
【解決手段】研磨装置ベース上に研磨プレートを回転させて酸化物粉末を砥粒として、被加工物を研磨する乾式研磨装置であって、被加工物を保持する吸着ヘッド１６と、吸着ヘッド１６を上下移動さすためのボールスプライン１７と、ボールスプライン１７を介して被加工物に加圧するためのエアーシリンダー１８と、ボールスプライン１７とエアーシリンダー１８をフローティング接合するフローティングユニット２３と、ボールスプライン１７にベルトを介して回転駆動力を与えるためのモータと、を備え、当該研磨ベース上に、エアーシリンダー１８を被加工物の中心から鉛直状に配置する。 （もっと読む）

【課題】 配線構造体の製造における研磨工程において、表面段差の発生を抑制することができるとともに良好な研磨速度を得ることができる研磨用組成物と、それを用いた配線構造体の製造法の提供。
【解決手段】 （ａ）二酸化ケイ素、（ｂ）アルカリ性化合物、（ｃ）防食剤、（ｄ）水溶性高分子化合物、および（ｅ）水を含んでなることを特徴とする研磨用組成物と。それを用いて、配線構造体の表面を研磨することを特徴とする配線構造体の製造法。 （もっと読む）