【課題】 ＣＭＰ後における被研磨面のエロージョン（局所的な凹み）を２０ｎｍ以下に低減し得るスラリーを提供する。
【解決手段】 研磨粒子と界面活性剤とを含有するＣＭＰ用スラリーである。前記界面活性剤は、室温でのＨＬＢ値が３〜９の第１のポリエーテル型非イオン界面活性剤と、室温でのＨＬＢ値が１０〜２０の第２のポリエーテル型非イオン界面活性剤とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 磁気ディスク用ガラス基板の中心部の円孔を小径化しても、この円孔の内周端面部分、特に、その面取面を簡易かつ良好に研磨できる方法を提供し、安定した品質の磁気ディスク用ガラス基板を廉価に大量に提供できるようにするとともに、磁気ディスクにおけるサーマルアスペリティ障害やヘッドクラッシュを防止し、磁気ディスクにおける情報記録面密度の高密度化に資する。
【解決手段】 磁気ディスク用ガラス基板２の内周側の端面部分に、母粒子の表面に複数の研磨砥粒を有してなる遊離砥粒を含有する研磨液を供給し、この内周側の端面部分と、研磨ブラシ３、研磨パッド、または、研磨テープとを相対的に移動させることにより、内周側の端面部分を鏡面研磨する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、酸化珪素膜の研磨を研磨傷なく、高速かつ平坦に行うことができるＣＭＰ研磨剤および研磨方法を提供する。
【解決手段】金属酸化物粒子によって表面が被覆された有機高分子粒子及び水を含有するＣＭＰ研磨剤であって、好ましくは、前記金属酸化物粒子は、酸化セリウム、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化マンガン、酸化ジルコニウムから選ばれ、平均粒径が１ｎｍ以上４００ｎｍ以下であり、さらに好ましくは、前記有機高分子粒子の平均粒径が前記金属酸化物粒子の平均粒径より大きくかつ５０μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、研磨を効率的、高速、均一かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤および研磨方法を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子、分散剤、水溶性高分子および水を含有し、前記水溶性高分子がアニオン性および両性の少なくともいずれかのアゾ化合物およびその塩の少なくとも一方を重合開始剤として用いて、不飽和二重結合を有するカルボン酸およびその塩の少なくとも一方を含む単量体が重合してなる重合体を含むＣＭＰ研磨剤であって、好ましくは、前記水溶性高分子の前記重合体の配合量が、ＣＭＰ研磨剤１００重量部に対して０．０１重量部以上５重量部以下の範囲、前記重合体の重量平均分子量が、２００以上５０，０００以下の範囲で使用する。 （もっと読む）

【課題】 合成樹脂製品等を研磨する用途においてより好適に使用可能な研磨用組成物を提供する。
【解決手段】 本発明の研磨用組成物は、アルミナを含む研磨材と、ポリアルキレンオキサイドアルキルエーテルと、無機酸の金属塩、有機酸の金属塩、無機酸のアンモニウム塩、有機酸のアンモニウム塩よりなる群から選ばれる少なくとも一種の塩を含む研磨促進剤と、水とを含有する。 （もっと読む）

【課題】 非線形光学材料として使用する光学材料の研磨方法において、特にイオン性有機非線形光学材料などの軟脆弱材料の精密研磨方法に関し、被研磨材料であるイオン性有機結晶の特性劣化がなく、平坦性の良好なイオン性有機結晶の研磨方法及び該イオン性有機結晶の研磨方法により研磨したイオン性有機結晶を提供する。
【解決手段】 研磨面を有する研磨パッドと研磨液とによりイオン性有機結晶を被研磨物とする研磨方法において、イオン性有機結晶が溶解しにくい非水溶媒に微粒子を分散させた研磨液を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】商業的に入手可能な研磨スラリーの欠陥を解消し、電解腐食を防止しつつ、一体化されたＷ含有バリアを備えたＣｕ構造物を研磨することを可能にするスラリー組成物を提供する。
【解決手段】タングステンを含んでいるバリア層と一体化された銅を研磨するためのスラリー組成物と、ＣＭＰ法におけるその使用方法とに関するものであり、また、タングステンを含有しているバリア層と一体化された銅を研磨するための方法に関するものである。この方法は、研磨粒子と、タングステンを含有しているバリアメタルの電解腐食を防止する銅エッチング液であるＨＮＯ_３などの無機酸と、銅の腐食を十分に防止するための少なくとも１つの有機化合物とを含んでいるスラリー（水溶液）を用いて行われる。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、研磨を効率的、高速、均一かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤および研磨方法を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子、分散剤、水溶性高分子および水を含有し、前記水溶性高分子が過硫酸およびその塩の少なくともいずれかを重合開始剤として用いて、不飽和二重結合を有するカルボン酸およびその塩の少なくとも一方を含む単量体が重合してなる重合体を含むＣＭＰ研磨剤であって、好ましくは、前記水溶性高分子中の前記重合体を、配合量が、ＣＭＰ研磨剤１００重量部に対して０．０１重量部以上５重量部以下の範囲、重量平均分子量が、２００以上５０，０００以下の範囲で使用する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、研磨を効率的、高速に、研磨傷なく、かつ研磨プロセス管理も容易に、行うことができるＣＭＰ研磨剤および基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子、分散剤、ポリ（メタ）アクリル酸および水を含有し、前記酸化セリウム粒子の平均粒径が１ｎｍ以上４００ｎｍ以下であり、ｐＨが４．５以上６．０以下であるＣＭＰ研磨剤であって、好ましくは、該研磨剤１００重量部当たり、前記酸化セリウム粒子の含有量が０．１重量部以上５重量部以下、特に前記ポリ（メタ）アクリル酸がポリアクリル酸の場合、含有量が０．０１重量部以上２重量部以下、ポリアクリル酸の重量平均分子量が５００以上３０，０００以下の範囲である。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶＬ用反射型マスクなどに使用されるガラス基板のように極めて高い表面平滑性と表面精度が要求されるガラス基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】平均一次粒子径が５０ｎｍ以下のコロイダルシリカ、酸および水を含み、ｐＨが０．５〜４の範囲になるように調整してなる研磨スラリーを用いて、ＳｉＯ_２を主成分とするガラス基板の表面を、原子間力顕微鏡で測定した表面粗さＲｍｓが０．１５ｎｍ以下になるように研磨する。 （もっと読む）

【課題】 銅膜及びタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨すると、銅とタンタル化合物の研磨選択比が充分でなかったり、銅に対する選択比を高めると配線溝や孔の銅膜が削られ過ぎたり、銅膜表面の平滑性が損なわれる等の問題があり、これらの問題点を改善した研磨用組成物を提供する。
【解決手段】 平均粒径４０ｎｍのＰＭＭＡとジビニルベンゼンの共縮合物、グリシン、ベンゾトリアゾール、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸エステルアンモニウム塩及び過酸化水素を特定濃度になるように０．５μｍのカートリッジフィルターで濾過されたイオン交換水に混合し、高速ホモジナイザーで攪拌して均一に分散させた研磨用組成物である。 （もっと読む）

【課題】研磨速度を低下させることなく、研磨傷の発生が抑制された化学機械研磨用水系分散体及び当該水系分散体を用いて微細化素子分離工程における余分の絶縁膜の除去を行う化学機械研磨方法を提供すること。
【解決手段】化学機械研磨用水系分散体は、セリアを含有する砥粒を１．５質量％以下の濃度で含有する水系分散体であって、該砥粒の平均分散粒径が１．０μｍ以上である。
化学機械研磨方法は、上記の化学機械研磨用水系分散体を用いて、絶縁膜を研磨することを特徴とする （もっと読む）

球形の形状を示しながら多様な粒子サイズを有することができる酸化セリウム粉末及びその製造方法を提供する。本発明のセリウム粉末は、セリウム原料に融剤としてアルカリ金属化合物を混合して乾燥させた後、高温処理して製造されることを特徴とする。本発明のセリウム粉末の製造方法は、セリウム原料に融剤としてアルカリ金属化合物を混合して乾燥させた後、高温処理することを特徴とする。前記セリウム原料は、酸化セリウム、水酸化セリウム、及び炭酸セリウムから選ばれることを特徴とする。
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【課題】 化学的機械研磨を用いた半導体装置の製造において、過剰研磨によるディッシング、エロージョンなどの余分な膜減りを極力抑えることを課題とする。
【解決手段】 半導体基板上にパターニングされた第１絶縁膜を形成する工程と、第１絶縁膜をマスクにして溝を形成する工程と、形成した溝を埋め込むように第２絶縁膜を形成する工程と、第１スラリーを用いた第１ＣＭＰにより、第１絶縁膜の表面が露出するまで第２絶縁膜の一部を除去する工程と、第２スラリーを用いた第２ＣＭＰにより、第１ＣＭＰで除去されなかった第１絶縁膜上の第２絶縁膜および第１絶縁膜を除去する工程とを含み、第１スラリーおよび第２スラリーが、特定の関係を満たすことを特徴とする半導体装置の製造方法により、上記の課題を解決する。 （もっと読む）

本発明は、研磨組成物及び工場前加工表面カバーの研磨方法であり、この研磨組成物は、効果量の耐摩耗性粒子、レオロジー変性剤、及び溶媒を含む。本発明は、木質床表面及び工場の前加工木質床表面の研磨方法、及び研磨組成物を使用する工場前加工木質床の再仕上げ方法にさらに関する。 （もっと読む）

【課題】酸化セリウム研磨粒子及び該研磨粒子を含む組成物を提供する。
【解決手段】酸化セリウム一次粒子が結合して構成されたさらに大きい二次研磨粒子を形成する条件下で、セリウム前駆体の混合物を熱処理して酸化セリウム研磨剤を製造するＣＭＰ工程に適したスラリ組成物を形成するのに適した向上した酸化セリウム研磨剤を製造する方法である。これにより、酸化セリウム一次粒子の構造及び／または二次研磨粒子内の不完全に酸化されたセリウムの存在によってその機械的強度が低下し、それにより研磨剤を使用するＣＭＰ工程中に基板表面が損傷される可能性が低下する。 （もっと読む）

本発明は砥材（abrasive)、ハロゲン化物塩、及び水を含む化学−機械研磨組成物を提供する。本発明は基材を化学−機械研磨組成物及び研磨パッドで化学−機械研磨する方法をさらに提供する。 （もっと読む）

【課題】目詰まり防止剤が塗布された表面の微細構造をどのようにすれば、目詰まり防止剤の機能が充分に発揮されるかをつきとめること。
【解決手段】最外側面に目詰まり防止被膜を有する研磨材において、該目詰まり防止被膜は、目詰まり防止剤および結合樹脂を含有し、該結合樹脂はひび割れを伴って膜化されており、該ひび割れによって該目詰まり防止被膜の表面全体に網目状の微細構造が形成されている、研磨材。 （もっと読む）

本発明は、タングステンのエッチング剤、タングステンのエッチング抑制剤及び水を含み、該タングステンのエッチング抑制剤が、少なくとも１つの窒素含有複素環又は三級若しくは四級窒素原子を有する少なくとも１つの反復基を含むポリマー、コポリマー又はポリマー配合物である組成物の使用を介して、タングステンを含む基材を化学機械研磨する方法を提供する。本発明は、タングステン含有基材の研磨において特に有用な化学機械研磨組成物をさらに提供する。 （もっと読む）

【課題】 より精密な表面研磨を行える磁性砥粒、及びその磁性砥粒を用いた磁気研磨法を提供する。
【解決手段】 ガスアトマイズ法で製造された磁性粒子を磁気研磨用の磁性砥粒とすることにより、上記課題を解決した。この磁性砥粒は、ガスアトマイズ法で製造するので、製造時に準備する原料粉末の組成を調整すると共に製造後に任意の熱処理等を施すことにより、極めて容易に所望の硬化相や硬化析出物を有する砥粒となっている


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