後のエピタキシャル膜成長またはイオンインプランテーションおよび半導体デバイス製作に適した、ＳｉＣウエハの滑らかで損傷のない表面を作るプロセスが教示される。そのプロセスは、制御されたやり方でウエハ面から材料を除去するために、コロイド状研磨材との組合せで酸素化溶液を使用する。オゾン化水を備えた、あるいは備えない過酸化水素とコロイドシリカまたはアルミナとの組合せ（あるいは酸化物除去に影響するＨＦとの組合せ）が発明の好適実施例である。発明は、さらに表面下損傷深さおよび範囲をモニターする手段を提供するが、それはより高い酸化速度とそれに関連するより高い除去速度であるが、最初にこの損傷を明らかにするからである。
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超小型加工物から材料を除去するための方法および装置が開示されている。一実施形態では、超小型加工物を研磨媒体の研磨面に接触させ、第１および第２の電極の少なくとも一方を加工物から離間させ、第１および第２の電極と電気的な連絡状態にする。研磨液を、研磨面と加工物との間に配置し、加工物と研磨面の少なくとも一方を、他方に対して移動させる。材料が超小型加工物から除去され、研磨液の少なくとも一部を研磨面の少なくとも一つの凹部に流し、これにより超小型加工物と超小型加工物に面する凹部の面との間には研磨液に空隙が配置される。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】
単段化学機械的平坦化（ＣＭＰ）装置でマルチステップ研磨プロセスを実施するための装置は、インサイチュウでの調節操作を使用して、研磨パッドの表面からデブリス及び使用済み研磨スラリを連続的にクリーンにし、排出する。各平坦化サイクルの開始時に、クリーンで実質的に「新しい」研磨パッドを提供することによって、ウエハを移動して研磨源を換えたり、又はウエハを他のＣＭＰ研磨ステーションに移送する必要なく、様々な化学物質、形態、温度等の研磨剤を用いることが出来る。多位置弁を使用して、様々な異なる研磨スラリ及び調節／フラッシング剤を含む様々なプロセス流体の導入を制御することが出来る。様々な調節物質の使用によって、異なるプロセス条件（例えば、先の研磨化学剤を中和すること、研磨速度を制御するためにパッドの表面温度を変更すること、パッドの表面に引き付けられた状態にある粒子を取り除くための界面活性剤の使用等）用に研磨パッドの表面を変更することが出来る。 （もっと読む）

【課題】 セリウム酸化物を主成分とする酸化物固溶体粉末であって研摩材として用いることができるものであり、研摩材として用いたときに高い研摩面精度の被研摩面を得ることができるものを提供すること。【解決手段】 酸化セリウムを主成分とする希土類酸化物にカルシウム酸化物が固溶している酸化物固溶体粉末は、これを用いてガラス基板等のガラス材を研摩したときに高い研摩面精度の被研摩面を得ることができるものであり、研摩材として好適である。酸化セリウムを主成分とする希土類酸化物にカルシウム元素を固溶させると、化学研摩力が高くなり、より高い研摩面精度が得られると考えられる。 （もっと読む）

本発明は、酸化型の金属を含む基板を研磨するための方法を提供し、該方法は、（ａ）酸化型の金属を含む基板を提供し、（ｂ）該基板の一部を化学機械研磨システムと接触させ、該化学機械研磨システムは、（ｉ）研磨構成要素、（ｉｉ）還元剤、及び（ｉｉｉ）液体キャリアを含み、並びに（ｃ）該基板を研磨するために酸化型の該金属の少なくとも一部を薄く削る段階を含む。該還元剤は、３−ヒドロキシ−４−ピロン類、α−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン類、アスコルビン酸、ボラン、水素化ホウ素類、ジアルキルアミンボラン、ホルムアルデヒド、ギ酸、水素、ヒドロキノン類、ヒドロキシルアミン、次亜リン酸、亜リン酸、酸化型の該金属の標準酸化還元電位よりも低い標準酸化還元電位を有する金属又は酸化状態の金属イオン、トリヒドロキシベンゼン類、溶媒和電子、亜硫酸及びこれらの塩、並びにこれらの混合物からなる群から選択することができる。 （もっと読む）

火炎加水分解により製造され、かつ１００〜２５０ｍ^２／ｇのＢＥＴ表面積を有する一次粒子の凝集体からなり、５０〜４５０ｇ／酸化アルミニウム粉末１００ｇのフタル酸ジブチル吸収を有する酸化アルミニウム粉末であって、その粉末は結晶性一次粒子のみが高解像度ＴＥＭ写真で示される。これは、塩化アルミニウムを気化させ、その蒸気をキャリヤーガスにより混合室に移動させかつ、それとは別個に、水素、場合により酸素を用いて富化され、かつ／または場合により予熱されてよい空気（一次空気）を混合室に供給し、次いで塩化アルミニウム蒸気、水素、空気の混合物を燃焼装置中で点火し、かつ火炎を周囲空気から分離された反応室中へと燃焼させ、その後、固体物質をガス状物質から分離し、次いで、固体物質を蒸気、および場合により空気を用いて処理することにより製造し、その際、混合室から反応室中への反応混合物の吐出し量が少なくとも１０ｍ／ｓであり、かつラムダ値は１〜１０でありかつ、ガンマ値は１〜１５である。該粉末はインクジェットメディアにおけるインク吸収物質として使用することができる。 （もっと読む）

より高いダウンフォースを用いて得られる材料除去レートとほぼ同等の材料除去レートを維持しつつ、同時にバリア材料の上に形成された主材料に関するプロセス選択性を改善しながら、約２．５ｐｓｉより小さいダウンフォースを用いて材料層を化学機械平坦化するための材料及び方法を提供する。ここに開示されている材料及び方法は、半導体デバイス製造の中の金属化工程、特に主材料が銅のようなより軟質な金属であり、バリア材料が金属窒化物のようなより硬質な材料である工程において使用するのに適している。
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本発明は、ランタンを含有するセリウム系研摩材において、研摩粒子表面のＣｅ／Ｌａ元素比（Ｓ）が、研摩粒子全体のＣｅ／Ｌａ元素比（Ｂ）より大きい（Ｓ＞Ｂ）ことを特徴とするセリウム系研摩材である。この研摩材は、通常のセリウム系研摩材の製造方法に、湿式処理後のスラリーからランタンを含む化合物粒子を除去する工程を付加することで製造可能であり、例えば、鉱酸、キレート剤のような、水酸化ランタン又は酸化ランタンを可溶な溶液を添加することでランタンを含む化合物粒子を除去することができる。 （もっと読む）

高耐熱性低誘電率膜として知られるポーラス構造ダイヤモンド微粒子膜は、熱伝導性も高く、半導体集積回路素子の多層配線用絶縁膜として期待されているが、膜原料となるダイヤモンド微粒子液状組成物はコロイド安定性が悪く、膜製造において再現性、歩留まりが乏しかった。ダイヤモンド微粒子のコロイド状液状組成物に、少量のアミンを存在させると極めて低粘度且つ高い安定性を持たせることが可能となった。必要に応じて増粘剤で所望の粘度に調整すると、各種塗布装置が利用可能となる。これにより比誘電率２．５程度の低誘電率膜が得られた。また、この液状組成物は仕上げ用研磨材としても利用できる。 （もっと読む）

一般に集積回路の製造に有用な、金属を取り除くための、及び、特に貴金属の化学的機械的研磨用の、スラリーは、過ヨウ素酸、研磨剤、及び緩衝系を組み合わせることによって、形成されてもよく、ここでそのスラリーのｐＨは、約（４）と約（８）との間にある。

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本発明は、シリコンウエハの表面または外周部、または表面を酸化膜や窒化膜等で被覆した表面または外周部の研磨加工を行なう研磨用組成物に関し、高速研磨ができ且つ非加工部位のエッチングによるシミの発生を防止できる研磨用組成物の提供および該研磨用組成物を用いた研磨方法に関する。 本発明の研磨用組成物は、水、酸化珪素粒子および界面活性剤を含有し、かつアルカリ性化合物によってｐＨ８．７〜１２．０の間に調整されてなることを特徴とするシリコンウエハ用研磨用組成物であり、この研磨用組成物は加工速度が速いだけではなく非加工部位に対してエッチングを起こさず、特にウエハを保持するための吸引治具周辺部で研磨剤が接触している局所で発生するシミを防止する。 （もっと読む）

本発明は、（ａ）シリカ粒子、（ｂ）研磨組成物の全重量に対し、約５×１０^-3から約１０ミリモル／ｋｇの、カルシウム、ストロンチウム、バリウムおよびそれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１種のアルカリ土類金属、（ｃ）約０．１から約１５ｗｔ％の酸化剤、および（ｄ）水を含んでなる液体キャリア、を含んでなる化学的機械的研磨組成物を提供する。本発明はまた、酸化剤を随意に含み、約５×１０^-3から約１０ミリモル／ｋｇの、カルシウム、ストロンチウムおよびそれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１種のアルカリ土類金属を含む研磨組成物を提供する。本発明はさらに、上述の研磨組成物を用いて基板を研磨する方法を提供する。 （もっと読む）

酸化セリウム粒子及び水を含み、３μｍ以上の粗大酸化セリウム粒子含有量が固体中の５００ｐｐｍ以下（重量比）、好ましくは１００ｐｐｍ以下の研磨剤であって、より好ましくは、酸化セリウム粒子のＤ９９（研磨剤中の粒子全体の９９体積％）が１μｍ以下である半導体平坦化用研磨剤。この研磨剤は、スクラッチの発生を低減し、半導体装置の配線形成工程における半導体基板表面を高速で精密に研磨可能である。 （もっと読む）

半導体産業界において広範に用いることができる化学的機械的平坦化（ＣＭＰ）のための、非高分子有機粒子を含む研磨剤組成物。この研磨剤組成物は好ましくは軟水と、０．００１〜２０重量％の非高分子有機粒子、０．１〜１０重量％の酸化剤、０．０５〜１０重量％のキレート化剤、０．０１〜１０重量％の界面活性剤、および０〜１０重量％の不動態化剤を含み、ｐＨ値が２〜１２の範囲にある（各重量％は該組成物の総重量に対するパーセンテージである）。本発明の研磨剤組成物は、ＣＭＰ用途における新規な研磨剤組成物として使用された際、効率のよい研磨速度、優れた選択性および高い表面品質を提供する。 （もっと読む）

特許請求する本発明は、高研磨速度で銅を研磨するのに有効な化学的機械的平滑化のための新規水性スラリーを含む。本発明に従う水性スラリーは、MoO₂またはMoO₃の粒子と酸化剤とを含む。化学的機械的平滑化による銅を研磨するための方法は、MoO₂またはMoO₃の粒子と酸化剤とを含む水性スラリーおよび研磨パッドと銅を接触させる工程を含む。 （もっと読む）

体積中央粒径が約２０ナノメートルから約１００ナノメートルで体積スパン値が約２０ナノメートルに等しいか或はそれ以上で約１００ナノメートルより大きい粒子の分率が研磨剤粒子の約２０体積％に等しいか或はそれ以下である多分散粒径分布を示す多数の研磨剤粒子を含有する基質研磨用研磨剤組成物。
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本発明は、（ｉ）貴金属層を含む基材を（ａ）研磨成分、（ｂ）酸化剤及び（ｃ）液体キャリヤーを含む化学機械研磨系と接触させる工程、並びに（ｉｉ）当該貴金属層の少なくとも一部を削って当該基材を研磨する工程を含む、基材の研磨方法を提供する。研磨成分は、研磨剤、研磨パッド又はそれらの組み合わせからなる群より選択され、酸化剤は、臭素酸塩、亜臭素酸塩、次亜臭素酸塩、塩素酸塩、亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、過塩素酸塩、ヨウ素酸塩、次亜ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、ペルオキシ酢酸、有機ハロオキシ化合物、それらの塩、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される。化学機械研磨系は９以下のｐＨを有し、酸化剤は実質的な量の元素ハロゲンを生成しない。本発明はまた、貴金属層及び第２層を含む基材を、阻止化合物をさらに含む上記の研磨系によって研磨する方法を提供する。 （もっと読む）

本発明の実施形態は概して、電気化学機械的研磨システムにおいて基板を処理するための方法および装置を提供する。一実施形態において、基板を研磨するためのセルは、プラテンアセンブリの最上面に配置された研磨パッドを含む。複数の導電素子が上部研磨表面にわたって間隔をあけて配列されており、また該パッドと該プラテンアセンブリ間に配置された電極に対して該基板をバイアスするように適合される。複数の通路が、該最上面と該プラテンアセンブリ内に画成されたプレナムとの間に該プラテンアセンブリを介して形成される。別の実施形態において、バルク研磨セルおよび残渣研磨セルを有するシステムが提供される。該残渣研磨セルはバイアスされた導電性研磨表面を含む。更なる実施形態において、該導電素子はプロセス化学による攻撃から保護される。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドの上の膜の厚さを制御するための装置および方法
【解決手段】化学機械平坦化システム（１００）で用いるための装置が提供される。該装置は、流体駆逐デバイスおよび流体送出デバイスを含む。流体駆逐デバイスは、研磨パッド（１０１）の上方の近接位置に配置することができ、研磨パッド（１０１）の一領域から第１の流体の少なくとも一部を駆逐するように構成される。流体送出デバイス（１０３）は、研磨パッドの上記領域において、駆逐された第１の流体を、第１の流体と異なる第２の流体に置き換えることができる。研磨パッド（１０１）の表面の上に存在する膜の特性を制御する方法も提供される。更には、研磨パッド表面の上方の近接位置において、研磨パッドの上に流体を送出することができる装置も提供される。該装置は、更に、研磨パッド表面の上から上記の流体の少なくとも一部を除去できることが望ましい。この除去は、研磨パッド表面の上方の近接位置において、流体の送出に隣接して生じるように構成される。 （もっと読む）

基板の研磨を監視するための技術を実施する方法及び装置。２つ以上のデータ点が取得され、各データ点は、センサの感知領域内の特徴部により影響される値を有すると共に、感知領域が基板を横断していくときに基板(10)とセンサとの相対的位置に対応する。基準点のセットを使用して、取得したデータ点を変更する。この変更は、基板を横断する感知領域により生じる取得したデータ点の歪を補償する。変更されたデータ点に基づき、基板の局部的特性を評価して、研磨を監視する。 （もっと読む）