【課題】半導体ウエハ上に形成された金属膜を平坦化する工程において、低研磨圧力条件下においても金属膜を高速に研磨し、かつスクラッチ、ディッシング等研磨面の欠陥の発生も抑制できる半導体ウエハ上に形成された金属膜の平坦化方法ならびに半導体ウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】ポリオキソ酸、アニオン性界面活性剤および水を含有してなることを特徴とする金属用研磨組成物を用いて半導体ウエハ上に形成された金属膜を、研磨パッドを具備した化学機械研磨装置を用いて化学機械研磨する方法において、前記研磨パッドが前記金属用研磨組成物を前記研磨パッド表面に供給するための穴を具備し、かつ前記化学機械研磨装置が前記研磨パッドの穴を通して前記研磨パッド表面に前記金属研磨用組成物を供給する装置を具備している事を特徴とする半導体ウエハの研磨法。 （もっと読む）

【課題】 より精密な表面研磨を行える磁性砥粒、及びその磁性砥粒を用いた磁気研磨法を提供する。
【解決手段】 ガスアトマイズ法で製造された磁性粒子を磁気研磨用の磁性砥粒とすることにより、上記課題を解決した。この磁性砥粒は、ガスアトマイズ法で製造するので、製造時に準備する原料粉末の組成を調整すると共に製造後に任意の熱処理等を施すことにより、極めて容易に所望の硬化相や硬化析出物を有する砥粒となっている


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【課題】研磨作業の期間を延ばすことなくトレンチまたはトラフ中の金属のディッシングを減らす方法の提供。
【解決手段】金属を含有する半導体ウェーハのＣＭＰに有用な水性組成物であって、酸化剤、非鉄金属のインヒビター、非鉄金属の錯化剤、改質セルロース、第一のコポリマーと第二のコポリマーとのコポリマーブレンド０．００１〜１０重量％及び残余としての水を含む組成物を使って研磨する。 （もっと読む）

【課題】半導体多層構造を形成するためのＳＴＩ(Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ)工程の化学的機械的研磨(Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ)工程に特に有用であり、微細スクラッチの発生を最小化し、酸化膜と窒化膜の研磨選択比が高い化学的機械的研磨スラリー組成物を提供する。
【解決手段】本発明の化学的機械的研磨スラリー組成物は、酸化セリウム研磨剤、カルボン酸またはその塩、アルコール系化合物及び水を含む。 （もっと読む）

【課題】 集積回路を有する半導体装置の製造時に金属膜を高速で研磨することができ、しかも、金属膜のエッチング速度を抑制することができる化学機械研磨（ＣＭＰ）用水系分散体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 金属と錯体を形成しうる官能基及びオレフィン性二重結合を含む単量体に由来する構造単位を含有する重合体粒子を有効成分とする化学機械研磨用水系分散体において、該単量体及び該単量体に由来する加水分解生成物の合計含有量が、該水系分散体１００重量部に対し０．２重量部以下であることを特徴とする化学機械研磨用水系分散体、並びに、金属と錯体を形成しうる官能基及びオレフィン性二重結合を含む単量体に由来する構造単位を含有する重合体粒子を含む水系分散体から、該単量体及び該単量体に由来する加水分解生成物を、膜分離によって除去することを特徴とする化学機械研磨用水系分散体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】研磨中に研磨パッドからの研磨粒子の離脱に起因するスクラッチの発生がない半導体ウエハの化学的−機械的研磨用研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨パッド１０は、本体１１、分子結合リンク３０、および本体全体に実質的に均一に分散した研磨粒子２０を有する。本体１１はポリマー性マトリクス材料１２から作製され、分子結合リンク３０はマトリクス材料１２に共有結合される。実質的に全ての研磨粒子２０は、少なくとも１つの分子結合リンク３０に共有結合される。分子結合リンク３０は、研磨粒子２０をマトリクス材料１２に確実に固定し、パッド全体への研磨粒子２０の分布の均一性を増強し、実質的に研磨粒子２０がパッドから脱離するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】平滑性の高い情報記録媒体用基板の製造方法及びこれを用いた情報記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】情報記録媒体用基板を製造する情報記録媒体用基板の製造方法において、研磨工程における研磨液は１μｍ以上の粒子を除去した水又は超純水と研磨剤とを含む。 （もっと読む）

本発明は、浅いトレンチ素子分離用の化学・機械的な研磨スラリーに係り、さらに詳しくは、脱イオン水、研磨粒子、研磨粒子分散剤により構成された研磨剤水溶液と、カルボン酸ポリマー系の化合物、含窒素有機環状化合物、アミン系の化合物により構成された添加剤水溶液と、からなる浅いトレンチ素子分離用の化学・機械的な研磨スラリーに関する。本発明においては、除去選択比を高めるために、アクリル酸ポリマー系の化合物に含窒素有機環状化合物を加えて窒化膜の研磨速度を格段に遅らせ、しかも、シリコン酸化膜の水化加速剤としてのアミン系の化合物を加えてシリコン酸化膜の除去速度を高めており、これにより、高選択比の化学・機械的な研磨スラリーが得られる。 （もっと読む）

【課題】 基体表面のスクラッチおよびエッチピットを抑制し、基体表面を平坦に研磨することのできる。
【解決手段】 表面がシリカおよびアルミナで処理された球状シリカ微粒子が水系分散媒に分散してなる固形分濃度５〜５０重量％のシリカゾルであって、ａ）球状シリカ微粒子の平均粒子径が２０〜１１０ｎｍ、ｂ）粒子径が８００ｎｍ以上の粗大粒子の個数が該球状シリカ微粒子濃度１重量％当り３０００個／ｍｌ以下、ｃ）ｐHの範囲がｐH１〜４またはｐH８〜１１およびｄ）無機陰イオンの含有量が２０ｐｐｍ以下の各条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】被研磨表面の表面平滑性の向上と両立させながら、被研磨基板の研磨速度を向上させる方法及び該方法用いてなる表面平滑性に優れ、生産性の高い基板の製造方法、並びに表面平滑性に優れたガラスメモリーハードディスク基板を高い研磨速度で得ることができる研磨液組成物を提供すること。
【解決手段】水系媒体とシリカ粒子を含有してなる研磨液組成物中におけるシリカ粒子のゼータ電位を−１５〜４０ｍＶに調整し、該研磨液組成物を用いて被研磨基板の研磨速度を向上させる方法、該方法を用いてなる基板の製造方法、並びに水系媒体とシリカ粒子を含有してなる研磨液組成物であって、該研磨液組成物中のシリカ粒子のゼータ電位が−１５〜４０ｍＶであるガラスメモリーハードディスク基板用研磨液組成物。 （もっと読む）

Ｃ−Ｓｉ結合とＳｉ−Ｏ結合とを有する有機ケイ素材料から構成された絶縁膜を半導体集積回路に使用し、その表面の研磨に、水と、希土類水酸化物、希土類フッ化物、希土類オキシフッ化物、酸化セリウム以外の希土類酸化物およびこれらの複合化合物からなる群から選ばれる１種以上の特定希土類化合物の粒子とを含む研磨剤組成物または、上記組成に更に酸化セリウム粒子を含む研磨剤組成物を使用する。クラック、スクラッチ、膜剥がれ等の欠陥のない、あるいは少ない高品質な研磨表面を与えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】斜板圧縮機用シューの表面に突き刺さって残留する砥粒の数を減少させる。
【解決手段】荒バレル研磨，中間バレル研磨工程等、砥粒を含むが軟質粒子を含まない研磨材による硬バレル研磨工程を経て製造されたシューに、くるみ殻の粒子である軟質粒子，アルミナ微粒子である硬質粒子，油脂類，脂肪酸および界面活性剤等を含む研磨材を使用して、遠心バレル研磨機により軟バレル研磨を行う。この軟バレル研磨により、シューの摺動面部および球面部に突き刺さって残留する砥粒の数が減少するとともに面粗さが改善され、摺動面部と斜板の摺動面との耐焼付き性が向上する。球面部の摩擦係数も減少する。バレル研磨法の代わりにウォータジェット研磨法，超音波研磨法等を採用することも可能である。 （もっと読む）

本発明は、（ａ）砥粒、研磨パッド、基材の酸化手段、又はそれらの任意の組み合わせ、（ｂ）１０^-10Ｓ／ｃｍ〜１０⁶Ｓ／ｃｍの導電率を有する導電性ポリマー、及び（ｃ）液体キャリヤーを含んで成る研磨系を提供する。 （もっと読む）

【課題】被研磨面上での面内分布の悪化を回避して、ＣＭＰ後における被研磨面の高平坦化を可能にしつつ、高い研磨レートを確保して十分な削り込み量をも得られるようにする。
【解決手段】研磨定盤２上に貼付された研磨パッド１と被研磨物の被研磨面とが互いに対向するように当該被研磨物を研磨ヘッド３に装着し、前記研磨パッド１と前記被研磨面とを相対的に摺擦させることによって研磨を行って当該被研磨面を平坦化するのにあたり、磁性体が混入された研磨用スラリーを供給して前記研磨パッド１と前記被研磨物との間に介在させ、前記研磨パッド１と前記被研磨物との間に介在する前記研磨用スラリー中における前記磁性体の分布状態を、磁力を発生させることによって可変させる。 （もっと読む）

（ａ）液体担体及び（ｂ）組成物中の固形物の重量に基づいて、重量で約０．１％から１０％の粘土研磨粒子、重量で約０．１％から約５０％のＣｅＯ₂粒子から成り、粘土及びＣｅＯ₂の研磨粒子が、水中でスラリー状であるとき、粒子の９０％以上が約１０ｎｍから約１０μｍの粒径を持つ表面を平坦化または研磨する組成物。
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エレクトロニック構造素子またはマイクロエレクトロニック構造素子、殊に半導体素子、および／または機械的構造素子、殊にマイクロエレクトロメカニカル構造素子またはマイクロエレクトロメカニカル半導体素子（MEMS）を製造する際の化学機械研磨（ＣＭＰ）のための分散液またはスラリーの形の組成物の場合、高い削磨速度を同時に注意深い研磨挙動で有する材料が準備される。これは、この組成物が近似式ＴｉＯ₂＊ｘＨ₂Ｏ＊ｙＨ₂ＳＯ₄を有する酸化チタン水和物粒子を含有し、この場合この酸化チタン水和物粒子のＨ₂Ｏ含量は、０．４〜２５質量％、有利に２〜１０質量％であり、Ｈ₂ＳＯ₄含量は、０〜１５質量％、有利に０．１〜１０質量％であることによって達成される。 （もっと読む）

高いＣｕ研磨速度で高平坦化を可能とし、かつ研磨後の被研磨面表面に残留する研磨粒子を低減するために、研磨粒子及び化学成分を含有する金属用研磨液であり、該金属用研磨液の研磨対象である被研磨金属に前記化学成分によって形成される反応層又は吸着層又はそれらの混合層の表面電位の電荷と、同符号の表面電位の電荷を有する研磨粒子を含有する金属用研磨液及びこれを用いた研磨方法を提供する。 （もっと読む）

本発明は、（ａ）α−アルミナを含む研磨材、（ｂ）研磨組成物の総質量に対して、カルシウム、ストロンチウム、バリウム及びこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１種の金属のイオン０．０５〜５０ｍｍｏｌ／ｋｇ、及び（ｃ）水を含む液体キャリアを含んでなる、化学機械研磨組成物を提供する。また本発明は、（ａ）α−アルミナ、γ−アルミナ、δ−アルミナ、θ−アルミナ、ダイヤモンド、ボロンカーバイド、シリコンカーバイド、タングステンカーバイド、窒化チタン及びこれらの混合物からなる群から選択される研磨材、（ｂ）研磨組成物の総質量に対して、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、マグネシウム、亜鉛及びこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１種の金属のイオン０．０５〜３．５ｍｍｏｌ／ｋｇ、及び（ｃ）水を含む液体キャリアを含んでなる、化学機械研磨組成物を提供する。さらに本発明は、上述の化学機械研磨組成物のそれぞれを用いた、基板の研磨方法を提供する。 （もっと読む）

後のエピタキシャル膜成長またはイオンインプランテーションおよび半導体デバイス製作に適した、ＳｉＣウエハの滑らかで損傷のない表面を作るプロセスが教示される。そのプロセスは、制御されたやり方でウエハ面から材料を除去するために、コロイド状研磨材との組合せで酸素化溶液を使用する。オゾン化水を備えた、あるいは備えない過酸化水素とコロイドシリカまたはアルミナとの組合せ（あるいは酸化物除去に影響するＨＦとの組合せ）が発明の好適実施例である。発明は、さらに表面下損傷深さおよび範囲をモニターする手段を提供するが、それはより高い酸化速度とそれに関連するより高い除去速度であるが、最初にこの損傷を明らかにするからである。
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１００Åを超える異常突起がなく、ライン密度３０本／μｍのテクスチャ条痕が明確且つ一様に形成されるように磁気ハードディスク用のガラス基板をテクスチャ加工する方法及びこのテクスチャ加工に用いられるスラリーを提供する。回転するガラス基板１５にスラリーを供給し、加工テープ１４を押し付け、走行させる。スラリーが、衝撃法により生成される人工ダイヤモンドからなる砥粒を分散したものである。砥粒として、一次粒子の平均粒径が１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲にある人工ダイヤモンドの粒子、及びこの粒子からなる二次粒子の平均粒径が０．０５μｍ〜０．２０μｍの範囲にあるクラスター粒子が使用される。スラリーに、高級脂肪酸アマイド、及びグリコール化合物、有機リン酸エステル及び界面活性剤から選択される少なくとも二種の剤から構成される添加剤が添加される。 （もっと読む）