２種の異なる有機酸を含有する研磨溶液が記載される。第１の有機酸は多官能性アミノ酸である。第２の有機酸は、単純カルボン酸、ヒドロキシ−カルボン酸およびそれらの組み合わせから選択される。単純カルボン酸は一官能性単純カルボン酸または多官能性単純カルボン酸であってもよい。強化された除去速度を提供する２種の異なる有機酸を含有する研磨溶液も記載される。銅を含む金属表面をはじめとする表面を研磨する方法も記載される。 （もっと読む）

【課題】研磨で生じる砥粒や研磨カスの研磨終了後の研磨基板上における残留が少なく、且つ、高い研磨速度を持ち、基板の平滑性も保つことができる研磨液組成物、及び該研磨液組成物を用いる基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】アミノ基及び／又はイミノ基を分子内に２つ以上有する有機窒素化合物、有機多塩基酸、研磨材、及び水を含有してなる研磨液組成物、該研磨液組成物を被研磨基板１ｃｍ^２当たり、０．０１〜０．５ｍＬ／分で基板に供給し、研磨パッドを用い基板を研磨する工程を有する基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】添加剤濃度への依存性が改善され、且つ被研磨面の凹凸パターンの密度や凹凸サイズの影響を受けにくい研磨を、少ない研磨量で速やかに達成できる半導体基板用研磨液組成物およびこの研磨液組成物を用いた基板の製造方法並びに研磨方法を提供する。
【解決手段】セリン、システイン及びジヒドロキシエチルグリシンからなる群より選ばれる少なくとも１種類のアミノカルボン酸、セリア粒子、並びに水系媒体を含有してなる半導体基板用研磨液組成物、該研磨液組成物を、被研磨基板１ｃｍ２当たり０．０１〜１０ｇ/分で該基板に供給し、表面にケイ素を含み凹凸形状を有する膜が形成された半導体基板に５〜１００ｋＰａの研磨荷重で研磨パッドを押し当てて研磨する。 （もっと読む）

【課題】 スクラッチ発生を効率的に低減させる研磨剤組成物、およびスクラッチ発生を減らし経済的な研磨工程を実現させる研磨方法の提供。
【解決手段】 金属酸化物粒子と少なくとも１種の水溶性有機高分子と水とを含む半導体基板研磨用の研磨剤組成物であって、一定研磨圧下、研磨装置に備えられたポリッシングパッドの速度を変えて金属膜、素子分離膜または絶縁膜を有する試験基板を研磨した場合に、最大の研磨速度を呈することを特徴とする研磨剤組成物により、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】非鉄配線金属の存在下で絶縁材のエロージョンを抑制しながらバリヤ材料を優先的に除去するのに有用な研磨溶液である。
【解決手段】研磨溶液は、酸化剤０〜２０重量％と、非鉄配線金属の除去速度を低下させるためのインヒビターと、アンモニウム塩と、ナトリウム０．００１〜１ppm及びカリウム０．００１〜１ppmを含有するシリカ０．１〜５０重量％と、残余としての水とを含み、滴定剤として使用される無機酸によって３未満のｐＨを有する。 （もっと読む）

【課題】性質が安定していて、つねに酸化珪素絶縁膜等の被研磨面を、高速に、平坦に研磨することが可能な酸化セリウム研磨剤及びこの酸化セリウム研磨剤を使用した半導体素子基板の研磨法を提供する。
【解決手段】アクリル酸アンモニウム塩とアクリル酸メチルの共重合体と、酸化セリウムとを含み、酸化セリウム粒子分に対する硫酸イオン濃度が５，０００ｍｇ／ｋｇ以下であるスラリーからなる半導体基板研磨用ないしは酸化珪素絶縁膜研磨用酸化セリウム研磨剤、およびこれらの酸化セリウム研磨剤により半導体基板ないし酸化珪素絶縁膜を研磨する研磨法。 （もっと読む）

【課題】 微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼性が高く、低コストの半導体デバイス等の製造におけるＣＭＰ用研磨液及び研磨方法を提供する。
【解決手段】 表面を２種以上の異なる有機官能基で変性した砥粒を含有することを特徴とするＣＭＰ用研磨液、及び表面が凹部および凸部からなる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を表面に沿って被覆するバリア導体層と、前記凹部を充填してバリア導体層を被覆する導電性物質層とを有する基板の、導電性物質層を研磨して前記凸部のバリア導体層を露出させる第１の研磨工程と、少なくともバリア導体層および凹部の導電性物質層を請求項１〜７のいずれか記載のＣＭＰ用研磨液を供給しながら化学機械研磨して凸部の層間絶縁膜を露出させる第２の研磨工程とを含むことを特徴とする研磨方法。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研磨する酸化セリウム研磨剤を提供する。
【解決手段】５００ｎｍ以上の粒子径の含有量が３〜４０体積％の酸化セリウム粒子、水、及び分散剤を含む半導体基板研磨用またはＳｉＯ_２絶縁膜研磨用酸化セリウム研磨剤、およびこれらの酸化セリウム研磨剤を用いて半導体基板研磨用やＳｉＯ_２絶縁膜を研磨する研磨法。 （もっと読む）

砥粒として優れた繭型形状と優れた性能を維持しながら、耐アルカリ性に優れたコロイダルシリカ及びその製造方法を提供する。 アルコキシシランの縮合体をアンモニア又はアンモニウム塩触媒の存在下に加水分解させることによって得られる繭型コロイダルシリカである。また、アルコキシシランの縮合体又はそれらの水性溶媒溶液をアンモニア若しくはアンモニウム塩の水溶液又はアンモニア若しくはアンモニウム塩と水性溶媒を含む水溶液中に滴下しながらアルコキシシランを加水分解し、更に、加圧下に加熱して得られる繭型コロイダルシリカである。前記コロイダルシリカを加圧下に加熱する温度は１０５〜３７４．１℃が好ましく、前記アルコキシシランの縮合体は、平均縮合度が２〜８が好ましい。 （もっと読む）

【課題】被研磨面を高平坦に研磨することができ、特に半導体デバイスの層間絶縁膜や素子分離工程における絶縁膜の平坦化に好適な半導体基板研磨組成物、半導体基板の研磨方法、及び半導体基板を提供する。
【解決手段】Ｎ−ビニルカルボン酸アミド由来の下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する重合体（Ａ）、ビニルカルボン酸及びその誘導体からなる群から選ばれる繰り返し単位を有する重合体（Ｂ）、研磨粒子、及び水を含む：


（式中、Ｒ¹及びＲ²はそれぞれ独立に、水素またはアルキル基を示す）。 （もっと読む）

酸化セリウム粒子、分散剤、水溶性高分子および水を含有し、前記水溶性高分子がアクリルアミド、メタアクリルアミドおよびそれらのα−置換体からなる群のいずれかの、Ｎ−モノ置換体およびＮ，Ｎ−ジ置換体のいずれかの骨格を有する化合物であるＣＭＰ研磨剤であり、好ましくは、該研磨剤１００重量部に対して前記水溶性高分子が０．０１重量部以上１０重量部以下である。これにより、層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロー・トレンチ分離用絶縁膜等を平坦化するＣＭＰ技術において、研磨を効率的、高速にし、かつプロセス管理も容易に行える研磨剤および研磨方法を提供できる。 （もっと読む）

本発明は、カチオン性研磨材、カチオン性ポリマー、カルボン酸及び水を含む化学機械研磨組成物を提供する。本発明はさらに、この研磨組成物を用いて基材を化学機械研磨する方法を提供する。この研磨組成物は、酸化ケイ素の除去と比べて、窒化ケイ素を選択的に除去する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、基板上に成膜されたフルオロカーボン膜に付着した微小汚染物粒子の除去性能およびドライエッチング後の剥離性に優れ、金属を腐食せず、かつ該フルオロカーボン膜の物性を変化させることのない洗浄剤組成物、および、該洗浄剤組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 誘電率が５〜３０である有機溶剤を５０重量％以上含有し、基板上に成膜されたフルオロカーボン膜に対して２５°以下の接触角を有することを特徴とする、フルオロカーボン膜用洗浄剤組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】 フッ素を含有しないセリウム系研摩材において、研摩力に加え研摩精度がより改善されたものを提供する。
【解決手段】 本発明は、酸化セリウムを全希土類酸化物（ＴＲＥＯ）に対して３０重量％以上含有し、ＴＲＥＯに対するフッ素濃度が０．５重量％以下であるセリウム系研摩材において、ナトリウム、カリウム、リチウムからなる群から選択される少なくとも1種のアルカリ金属をＴＲＥＯに対して合計で０．０１〜３．０重量％含み、更に、ＴＲＥＯに対する塩素濃度が０．３重量％以下であることを特徴とするセリウム系研摩材である。このナトリウム、カリウム、リチウムからなる群から選択される少なくとも1種のアルカリ金属濃度（ＴＲＥＯ基準）は、好ましくは０．０２〜１．０重量％であり、このときの塩素濃度は０．１重量％以下であるものが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 被研磨面が複数の物質からなっていても平坦性が高い被研磨面が得られ、さらに研磨後の金属残渣や研磨キズを抑制できるＣＭＰ用研磨液、及びそれを用いて化学機械研磨する方法を提供する。また、低誘電材料研磨に対応する為の低圧研磨時でも高速な研磨速度を保持できる化学機械研磨する方法を提供する。
【解決手段】 下記一般式（I）または一般式（II）に示す化合物を含有することにより研磨面が複数の物質からなっていても平坦性が高い被研磨面が得られ、さらに研磨後の金属残渣や研磨キズを抑制できるＣＭＰ用研磨液、及びそれを用いて化学機械研磨する方法。
【化１】
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【課題】ＳｉＯ_２層に対しては高い研磨速度で、ＳｉＮ層に対しては低い研磨速度となり、ＳｉＯ_２層に対して高い研磨選択性を有する研磨剤を提供する。
【解決手段】可溶性マンガン化合物の対イオンからなる不純物濃度が０．５重量％以下のマンガン酸化物を砥粒とする研磨剤であり、特に金属マンガンの加水分解反応により生成する水酸化マンガンを酸化して得た四三酸化マンガンを焼成した酸化マンガンを砥粒とする研磨剤を用いる。得られた酸化マンガンは粉砕、解砕することが好ましい。これらの研磨剤を用いた研磨方法では、ＳｉＯ_２に対して高い研磨選択性（対ＳｉＮ）を有するため、半導体基板上の層間絶縁膜の研磨に優れる。 （もっと読む）

表面に機能的特性を付与するための、またはかかる表面上に備えられた機能的被覆に機能的特性を再生するための、基板表面処理組成物、製品、および方法。組成物は液状媒体、溶液、またはゲルに分散させた研磨粒子として提供されてもよい。ガラス表面などの基板表面を処理するための製品には、かかる組成物を含浸させた布、組成物とそれを含浸できる布とからなるキットなどがある。処理方法では、表面を有する基板が準備される。基板の表面は機能的被覆を有していてもよい。基板表面を、または表面上に備えられた機能的被覆を前記組成物で洗浄したり、前記組成物をこすりつけたり、またはその他の塗布方法を適用したりすることによって、前記表面が処理される。
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【課題】研磨速度に優れ、研磨キズが残らず、研磨後の仕上がりが良い研磨材として有用である研磨用α−アルミナ組成物及びその製造方法を提供する。
【解決手段】50％平均粒子径が２〜８μｍ、90％粒子径が20μｍ以下である水酸化アルミニウムを1050〜1250℃で焼成することによって、研磨粒子として水や有機溶剤に分散した研磨組成物に用いるα−アルミナであって、α結晶粒子径が1μｍ以下であり、かつ、吸油量が50ｍｌ/100g以上であり、かつ、50％平均粒子径が２〜８μｍ、90％粒子径が20μｍ以下であることを特徴とする研磨用α−アルミナ組成物を得る。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板を研磨する用途において好適に使用可能な研磨用組成物を提供する。
【解決手段】 本発明の研磨用組成物は、コロイダルシリカと水酸化カリウムと炭酸水素カリウムとを含有する。研磨用組成物中のコロイダルシリカの含有量は２質量％以上である。コロイダルシリカの二次粒子の平均粒子径は好ましくは６０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】ウェハエッジからの膜剥がれ及びパーティクルの発生を防止する。
【解決手段】基板上に窒化膜を形成する工程と、窒化膜上に絶縁膜、及び金属膜を堆積することにより配線構造を形成する工程を実施する。続いて、基板の端部に対して研磨を行い、基板の端部において窒化膜が露出した際に研磨を終了する。その結果、ウェハとの密着性がよい窒化膜が露出した時点でウェハ端部、つまりベベル部分の研磨を止めることが出来る。したがって、ベベル部分からの膜剥がれが抑制され、パーティクルの発生を低減することが出来る。 （もっと読む）