【課題】 活性な被加工物と油剤成分との反応を抑制しうる切断加工用水溶性油剤を提供する。
【解決手段】 酸化剤を含有することを特徴とする切断加工用水溶性油剤とする。 （もっと読む）

ウェハの表面に存在するナノトポグラフィ効果を補償し得る化学機械的研磨用スラリー組成物およびこれを利用した半導体素子の表面平坦化方法が開示される。本発明のスラリー組成物は、ウェハ表面に形成された酸化物層に対する化学機械的研磨の工程時に、ナノトポグラフィの効果を補償するための化学機械的研磨用スラリー組成物において、研磨粒子および添加剤を含み、前記化学機械的研磨の工程後に前記酸化物層の厚み偏差（ＯＴＤ）を一定の水準以下に制御するため、前記研磨粒子のサイズおよび前記添加剤の濃度が一定の範囲に最適化される。
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【課題】金属を選択的且つ比較的ゆっくりと除去して、ディッシングを少なくすることができるＣＭＰプロセス及び生成物を提供する。
【解決手段】粒子幅が５０ｎｍ未満で且つ表面積が少なくとも５０ｍ²／ｇのα−アルミナ粒子を含むアルミナを使用するＣＭＰプロセス及び生成物とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、迅速な化学的機械的研磨速度を有し、ディッシングが少なく平坦性が向上し、銅／タンタル選択性が向上した、ＬＳＩの作製を可能とする金属用研磨液及び該研磨液を用いた研磨方法を提供することにある。
【解決手段】 カルボキシル基を有する特定の有機酸及び酸化剤を含有する金属用研磨液及び該研磨液を用いた研磨方法。 （もっと読む）

より研摩速度が高く、より傷の発生が少ないセリウム系研摩材を提供することを課題とする。本発明に係るセリウム系研摩材は、フッ素ならびに希土類元素として少なくともセリウム、ランタン、プラセオジムおよびネオジムを含有する、希土類酸化物を主成分とするセリウム系研摩材であって、全希土類酸化物（ＴＲＥＯ）の含有量に占める酸化ネオジムの含有量の割合（Ｎｄ_２Ｏ_３／ＴＲＥＯ）が０．００１重量％〜５重量％であるセリウム系研摩材である。当該研摩材を用いてガラス等の研摩対象面を研摩すると、従来のセリウム系研摩材を用いる場合と比べてより短時間で研摩を行うことができる。しかも、研摩によって得られる研摩面での傷発生をより確実に抑制できる。 （もっと読む）

【課題】
フッ化物結晶をはじめとするイオン結合材料を研磨するために用いられ、表面あらさおよび表面欠陥の低減等の優れた研磨特性が得られる研磨スラリーを提供する。
【解決手段】
イオン結合材料Ｒを研磨するために用いられる研磨スラリーに、イオン結合材料Ｒの表面に非イオン性の吸着層を形成する分散剤が含まれていることを特徴とする。このイオン結合材料Ｒの表面に形成された非イオン性の吸着層により、イオン結合材料Ｒと研磨スラリーとの反応を阻止することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロー・トレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、酸化珪素膜と窒化珪素膜の選択比、平坦性を向上させることにより、ＣＭＰプロセスを効率的、高速に、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨法を提供するものである。
【解決手段】酸化セリウム粒子、分散剤、ポリカルボン酸またはその誘導体またはその共重合体、ポリスルホン酸またはその誘導体またはその共重合体、ならびに水を含む半導体絶縁膜用ＣＭＰ研磨剤。 （もっと読む）

ＣＭＰスラリー用の補助剤を提供する。ａ）重量平均分子量が１，０００〜２０，０００であり、主鎖及び側鎖よりなるグラフト型の高分子電解質とｂ）塩基性物質とを含む高分子電解質塩を含有し、正電荷を帯びた材料と負電荷を帯びた材料を同時に研磨するとき、正電荷を帯びた材料に吸着して負電荷を帯びた材料に対する研磨選択性を高める補助剤、及び該補助剤と研磨粒子を含有するＣＭＰスラリー。 （もっと読む）

【課題】液晶ディスプレイに使われるカラーフィルター層のRGB表面を平坦にするため、カラーフィルター層の段差を選択的に研磨して、画素内でのカラーフィルター層の厚みを均一に研磨でき、かつ研磨速度の高い有機材料用ＣＭＰ研磨剤の検討を行う。
【解決手段】酸化セリウム粒子、アクリル酸エステル誘導体、水を含む有機材料用ＣＭＰ研磨剤であり、好ましくは、前記酸化セリウムの平均粒径が０.０１〜２０μｍである。 （もっと読む）

少なくとも７０質量％のＺｒＯ₂含有量を有し、アグリゲートされた一次粒子の形で存在し、内部表面を有しておらずかつ６０±１５ｍ²／ｇの粉末のＢＥＴ表面積を有する二酸化ジルコニウム粉末及び／又はジルコニウム混合酸化物粉末を、分散剤中に、分散液の全量に対して０．１〜５質量％の表面変性剤の存在で、２００ＫＪ／ｍ³未満のエネルギー導入で前分散させ、こうして得られた前分散液を少なくとも２つの部分流に分け、これらの部分流を高エネルギーミル中で少なくとも５００ｂａｒの圧力下におき、これをノズルを介して放圧させ、この部分流をガス又は液体が充填された反応室中で互いに衝突させ、それにより粉砕させ、引き続き場合によりこの分散液を更なる分散剤で所望の含有量に調節することにより得られる、分散液の全量に対して３０〜７５質量％の固体含有量を有し、かつ２００ｎｍより低い分散液中の粒子サイズ分布の中位径を有する二酸化ジルコニウムの分散液。この分散液は、セラミック層、膜及び成形品の製造のために使用することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上の、同一の部材からなる凹凸部に対して速やかに平坦化することができる半導体基板用研磨液組成物を提供する。
【解決手段】研磨液組成物であって、粒子の粒径分布において、小粒径側からの積算粒径分布（体積基準）が５０％となる粒径（Ｄ５０）に対する小粒径側からの積算粒径分布（体積基準）が９０％となる粒径（Ｄ９０）の比（Ｄ９０／Ｄ５０）が１．５〜８であり、小粒径側からの積算粒径分布（体積基準）が９５％となる粒径（Ｄ９５）が５０〜１８００nmである半導体基板用研磨液組成物、該研磨液組成物を、被研磨基板１ｃｍ^２当たり０．０１〜１０ｇ/分で該基板に供給し、５〜１００ｋＰａの研磨荷重で研磨パッドを押し当てて研磨する半導体基板の研磨方法、並びに半導体基板に、５〜１００ｋPaの研磨荷重で研磨パッドを押し当てて研磨する工程を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】バフ目を付ける事なく新車同様の光沢性に再生できる自動車ボディクリヤー塗装表面の鏡面研磨方法を提供する。
【解決手段】ファインセラミック系の研磨塗装剤を塗布した比較的小さめのフェルトバフ４を偏芯回転の押圧摺動板に設けたタブルアクション研磨機で、自動車ボディのクリヤー塗装表面を、必要によっては非イオン水を噴霧しながら、鏡面研磨する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスなど電子機器の製造において、硬いバリア層や層間絶縁膜を研磨する際に、凹部の銅或いは銅合金表面を研磨中に保護することにより、研磨後に平坦性に優れた清浄な基体表面が得られる研磨液、及び前記研磨液を用いて生産性が高く、微細化、薄膜化、寸法精度に優れ、信頼性の高い化学機械研磨を行う研磨方法を提供する。
【解決手段】カルボキシ基とヒドロキシ基をそれぞれ一つ以上有するベンゼン誘導体を０．０１重量％以上５重量％以下含むことを特徴とする研磨液。 （もっと読む）

２種の異なる有機酸を含有する研磨溶液が記載される。第１の有機酸は多官能性アミノ酸である。第２の有機酸は、単純カルボン酸、ヒドロキシ−カルボン酸およびそれらの組み合わせから選択される。単純カルボン酸は一官能性単純カルボン酸または多官能性単純カルボン酸であってもよい。強化された除去速度を提供する２種の異なる有機酸を含有する研磨溶液も記載される。銅を含む金属表面をはじめとする表面を研磨する方法も記載される。 （もっと読む）

【課題】研磨スラリーの供給と排出のバランスに基づく、異常滞留により、研磨パッドの研磨表面において研磨スラリーの保持が著しく不均一な状態となることを防止する。
【解決手段】研磨層を有する研磨パッドであって、この研磨層が多孔質材料から形成され、この研磨層の研磨表面が溝を有し、この溝の内面が少なくとも一部の水に対する接触角が８０度以下である、研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録ディスクの基板の表面に形成した軟磁性層の表面を、平均表面粗さが２．０Å以下の範囲で、スクラッチやパーティクルさらに腐食欠陥がなく、表面うねりが１Å以下の範囲に、平滑且つ平坦に研磨できる研磨スラリー及び方法を提供することである。
【解決手段】水、０．０１〜５重量％の蓚酸アンモニウム、０．０１〜１重量％のグリセリン、０．０５〜２０重量％のカルボン酸誘導体及び０．０１〜４重量％のアルキレングリコールから構成される分散媒に、１〜５０重量％の平均粒径５〜３００ｎｍ、好ましくは５〜１００ｎｍのシリカ粒子を分散させた研磨スラリー。添加剤として、０．０１〜１０重量％のキレート剤、０．０１〜１０重量％の防錆剤、０．０１〜１０重量％の水溶性の有機高分子又はこれら混合物を使用できる。研磨スラリーの液性はｐH８．０〜ｐH１１．０の間の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】非鉄金属からなるパターン付き半導体ウエハの研磨において、研磨作業時間を延ばすことなくトレンチ又はトラフ中の金属のディッシングを低減し、かつ配線金属残渣が生じない研磨用組成物を提供する。
【解決手段】組成物は、酸化剤、非鉄金属のインヒビター、水溶性改質セルロース０〜１５重量％、リン化合物０〜１５重量％、炭素数２〜２５０のイオン親水部分を有する両親媒性ポリマー０．００５〜５重量％及び水を含む。特に両親媒性ポリマーとして５０〜５０００の数平均分子量を有するアルキルメルカプタンで形成されたコポリマーが好ましい。 （もっと読む）

Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒおよびその組合せ物から選択されたアルカリ金属を約３００ｐｐｂまたはそれ未満で有する、化学機械研磨のための複数の超高純度のゾルゲル処理されたコロイド状シリカ粒子と、但し、この場合存在する場合にＮａの濃度は、約２００ｐｐｂ未満であるものとし、粒子を懸濁させるための媒体とを有する基板の表面を化学機械研磨するための組成物が提供される。また、基板と本発明による組成物とを接触させる工程を含む化学機械研磨の方法が提供される。この接触工程は、基板を平坦化するのに十分な温度および時間で実施される。
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【課題】半導体装置をダマシン法で製造するために化学機械研磨工程を行うに際し、バリアメタルをも効率的に除去することができるとともに絶縁体を過度に研磨せず、高度な平坦性を有する被研磨面を効率よく得ることのできる化学機械研磨用水系分散体及びそれを用いた化学機械研磨方法を提供すること。
【解決手段】化学機械研磨用水系分散体は、（Ａ）砥粒、（Ｂ）二価の有機酸、（Ｃ）ヒドロキシル酸及びキノリンカルボン酸からなる群から選択される少なくとも一種並びに（Ｄ）酸化剤を含有する化学機械研磨用水系分散体であって、（Ａ）砥粒の配合量が化学機械研磨用水系分散体全体に対して０．１質量％以上かつ３質量％未満である。化学機械研磨方法は、上記の化学機械研磨用水系分散体を用いて、配線材料である金属１４、バリアメタル１３及び絶縁膜１２からなる群から選択される少なくとも１種を構成材料とする被研磨物１を研磨するものである。 （もっと読む）

【課題】 安定した除去深さ（除去量）を得て、つまり上記プレストンの経験則の比例定数ｋを比較的簡単な手法で安定させることによって、高精度な形状を持つ光学素子成形用金型の加工を可能とし、また、長時間にわたって安定した除去深さの得られる条件を、短時間の研磨で決定する工作物研磨方法及び研磨装置を提供する。
【解決手段】 回転軸に球体または球体の一部からなる形状の部材が固定された研磨工具１と、加工面７ａとの間に荷重を発生させて、工作物７を研磨する工作物研磨方法において、前記加工面７ａと接触する部分を多孔質の材料で形成した前記研磨工具１を使用し、砥粒を含有するペースト及び液体を供給するにあたって、最大除去深さが得られるように液体の動粘度と液体の量を調整して最大除去深さが得られる動粘度と液量を事前に決定し、決定した液体の動粘度と液量を採用して工作物７を研磨する。 （もっと読む）