【課題】シリコンブロックまたはシリコンスタックを縦横に効率よく切断することができるようにしたシリコンブロックの切出し方法を提供しようとするものである。
【解決手段】切出すシリコンブロックのサイズに対応して所定数のインゴット搭載台を桝目状に配置するととも、それぞれのインゴット搭載台の上面に磁石を内蔵させておき、該インゴット搭載台上に磁石に吸着可能な切断ガイドを吸着させた上、該切断ガイド上に接着剤を介してシリコンインゴットを搭載し、前記インゴット搭載台を配置した周囲にインゴット搭載台の列ごとに配置したシリコンインゴットを保持する保持ガイドの上部に位置決めガイドを介して保持プレートをそれぞれ着脱可能に取り付け、かつ該保持プレートを接着剤を介してシリコンインゴットに固着し、その後ワイヤカットソーでシリコンブロックを桝目状に切出すことを特徴とするシリコンブロックの切出し方法。 （もっと読む）

【課題】低コストで板形状を制御した基板、当該基板上にエピタキシャル層が形成されたエピタキシャル層付基板およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に従った基板の製造方法は、窒化ガリウム（ＧａＮ）からなるインゴットを準備する工程としてのインゴット成長工程（Ｓ１１０）と、インゴットをスライスして窒化ガリウムからなる基板を得る工程としてのスライス工程（Ｓ１２０）とを備える。スライス工程（Ｓ１２０）では、スライス後の基板の主表面の算術平均粗さＲａが１０ｍｍ線上で０．０５μｍ以上１μｍ以下となっている。 （もっと読む）

【課題】使用済みのソーワイヤをソーワイヤとして再使用可能に再生するソーワイヤ再生方法を提供する。
【解決手段】ワイヤソーによる半導体インゴットのスライス加工に使用された後の使用済みのワイヤ３に、洗浄（Ｅ）および表面研磨（Ｆ）の少なくとも一方の処理を施した後、伸線処理（Ｇ）を施して、偏磨耗したワイヤ３の線径を小さくしつつ、偏磨耗した部分の断面形状を調整して、ソーワイヤを再生する。また、伸線したワイヤを熱処理した後、更に捻回処理（Ｉ）を施すようにしてもよい。そうすることで、偏磨耗部がワイヤ長手方向に螺旋状に延びてポケットとなり、砥粒スラリの持込および送りが良好で、切り粉が効率よく排出される。 （もっと読む）

【課題】切断するインゴットの品質を安定して保つことができ、ブレードの寿命を増加し、かつ生産性を向上することができるバンドソー切断装置、及び切断方法を提供することを目的とする。
【解決手段】切断テーブルにインゴットが水平に載置され、ブレード砥粒部とブレード台金で構成されるエンドレスベルト状のブレードがプーリー間に張設され、前記ブレードに対してクーラントを噴出するクーラント噴出し口を有し、前記プーリーの回転により周回駆動される前記ブレードを相対的に上方から下方に送り出すことによって前記インゴットを切断するバンドソー切断装置であって、前記プーリーはその軸周りに両方向に回転可能に構成され、前記ブレードの周回駆動する方向を変更して前記インゴットを切断することができるものであることを特徴とするバンドソー切断装置。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーソ−を用いて、砥粒を含有する切削液を供給しながら、結晶性インゴットを複数枚の半導体ウェーハにスライスする場合に、スライス条件を適正化することにより、半導体ウェーハの歩留を向上させ、スライス後の半導体ウェーハの反り量を低減して、反り量の少ない半導体ウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】所定間隔をおいて配置したローラー間に、ワイヤーを巻回させて複数本のワイヤー列を形成し、結晶性インゴットに押し当てた状態で、前記ワイヤー列を移動させて、砥粒を含有する切削液を供給しながら、０．０５〜１．０ｍｍｍｉｎ．のスライス速度で結晶性インゴットを複数枚の半導体ウェーハにスライスし、歩留よく、反り量の少ない半導体ウェーハを得る。 （もっと読む）

【課題】インゴットを薄く研削する際に、研削代を非常に小さくできようにするとともに、研削途中にインゴットに欠けを生じさせることなく、一度に多数枚の切り出しを行えるようにしたインゴット研削装置を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコンインゴット８１から薄板状のシリコンウエハ８２を研削するインゴット研削装置１において、研削方向に沿って単一の硬度を有するように形成されたバンドソー２と、このバンドソー２を複数枚平行な状態で保持する保持体３と、この保持体３を用いて前記バンドソー２をシリコンインゴット８１に対して往復運動させる駆動機構４と、当該駆動機構４によってバンドソー２を移動させている際に、砥粒７１を含有させたスラリー７２をシリコンインゴット８１の研削部分に供給する供給機構６とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来と同等以上の機械的強度、耐油性、絶縁性、低硬度、軽量性等の特性を満足するとともに、室温付近の線膨張率が約４×１０^−５／℃の低膨張率を実現し、さらに高いガラス転移点を実現するインゴットスライス台用組成物を提供する。
【解決手段】本発明は、（ａ）ビニルエステル樹脂と、（ｂ）スチレン，ビニルトルエン，ジビニルベンゼン，α−メチルスチレン，クロルスチレン，酢酸ビニル，アジピン酸ジビニルエステル，ジアリルフタレート，メチル（メタ）アクリレート，エチル（メタ）アクリレート，オクチル（メタ）アクリレート，ジ（メタ）アクリロオキシエチル等の反応性モノマーと、（ｃ）シリカ、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、水酸化アルミニウム、ガラスパウダー、タルク等の充填材と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ワークの切り出しをより精度良く行えるようにする。
【解決手段】ワイヤソーは、ワイヤ群１２に供給されることにより飛散したスラリを捕集する加工液捕集装置を有する。この装置は、スラリを捕集するための捕集部材１６ａ，１６ｂと、これら捕集部材１６ａ，１６ｂをワイヤ群１２の上方であってその近傍となる高さ位置に配置しかつワイヤ群１２の走行方向に変位可能に支持するガイド軸２２等と、捕集部材１６ａ，１６ｂを駆動する油圧シリンダ２４と、捕集部材１６ａ，１６ｂがワークＷに対して所定の間隔を隔てた位置に配置されるようにワークＷの切り込み送りの位置に応じて前記油圧シリンダ２４の駆動を制御する制御手段（ＮＣ装置４０）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ブレードのドレッシングを自動で精度良く行い、生産性を向上することができるインゴット切断装置、及び切断方法を提供することを目的とする。
【解決手段】切断テーブルにインゴットが水平に載置され、前記切断テーブルはインゴットを切断するためのブレードが前記切断テーブルに接触しないようにするための隙間を有し、前記ブレードを前記切断テーブルの隙間の位置で相対的に上方から下方に送り出すことによって前記インゴットを切断するインゴット切断装置であって、少なくとも、前記インゴットを前記ブレードで切断する位置にて前記インゴットの切り終わり部分を下方から支持するためのドレッシング材から成るインゴット支え部材を具備し、前記インゴットの切断時に前記インゴット支え部材の上部を切断して溝を形成し前記ブレードのドレッシングを行うものであることを特徴とするインゴット切断装置。 （もっと読む）

【課題】ワイヤの張力を所定の目標張力に近付けるための張力調節装置を利用して巻取側のワイヤの張力のみを有効に低減しながら効率よくかつ高精度でワークの切断を行う。
【解決手段】ワイヤソーにおいて、ワイヤＷを前進させながらワーク２８を切断する前進駆動切断工程と、ワイヤＷの駆動方向を反転させるための第１の切換工程と、ワイヤＷを後退させながらワーク２８を切断する後退駆動切断工程と、ワイヤＷの駆動方向を反転させて前記前進駆動切断工程に復帰するための第２の切換工程とを順に繰り返す。前記両切断工程では張力操作装置１８Ａ，１８Ｂを用いて巻取り側のワイヤ張力のみ下げる。そのためのワイヤ目標張力の低下は各切換工程においてワイヤＷの減速が終了してから行う。 （もっと読む）

【課題】インゴットをスライスするワイヤソー切断装置に装備されるグルーブローラの構造に関し、切断時の磨耗によるワイヤ径の減少の切断性能への影響を低減することができるようにする。
【解決手段】インゴットを挟むように複数平行に配置された多数の溝を有するグルーブローラ間にワイヤを螺旋状に周回させ、往復走行する前記ワイヤにスラリーを供給しながら前記インゴットをスライスするワイヤソー切断装置に装備されるグルーブローラ２１の構造であって、前記多数の溝２２の配置ピッチは、インゴットをスライスする際に摩耗するワイヤの径減少分に対応して、下流側に行くに従って縮小されると共に、多数の溝２２は、下流側に行くに従って深さが小さく形成されるように構成する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤソーによる半導体インゴット等のワークの切断において、ワイヤ断線等によってワークの切断が途中で中断された場合でも、加工後のナノトポグラフィーの悪化を抑制して、製品ウェーハに品質的な問題が発生することなく、切断を再開して完了させることができるワイヤソーの運転再開方法及びそのワイヤソーを提供することを目的とする。
【解決手段】ワークの切断中に溝付きローラの軸方向の変位量、及びワークの温度を測定して記録しつつワークを切断し、ワークの切断を中断した後、ワークの切断を再開する前に、溝付きローラとワークに、それぞれ独立に温度制御した温度調整媒体を供給することによって、溝付きローラの軸方向の変位量とワークの温度を、ワークの切断を中断した時に記録した変位量と温度とそれぞれ同じになるように調整した後、切断を再開することを特徴とするワイヤソーの運転再開方法。 （もっと読む）

【課題】ワイヤの走行位置を変更することなく、加工ローラの溝部に対するワイヤの掛け替えを行うことができるワイヤソーを提供する。
【解決手段】一対の加工軸２２上に加工ローラ２３を複数固定し、それらの加工ローラ２３の外周にはワイヤ２５を張設するための複数の溝部２３ａを設ける。加工軸２２と平行な軸２８上には、ワイヤ２５を案内するための複数の案内ローラ２６を支持する。加工軸２２を一対の軸受３１，３２間に、軸線方向へ移動可能に支持する。加工軸２２を軸線方向の所定位置に位置決めする位置決め機構３３，３４を設ける。位置決め機構３３，３４は、一方の軸受３１を加工軸２２の軸線方向へ移動可能に支持することと、一方の軸受３１を所定の移動位置に調整するための調整ボルト４４と、他方の軸受３２と加工軸２２との間に介在されて加工軸２２を所定の移動位置に保持する介装部材５２とにより構成する。 （もっと読む）

【課題】ソーワイヤーを提供する。
【解決手段】シリコンブロックのような硬質材料の切断に使われるソーワイヤーにおいて、ソーワイヤーの線径が０．０８ｍｍΦないし０．３０ｍｍΦの範囲であり、ソーワイヤーの表面からの深さが５μｍないし１０μｍの範囲である領域で、ソーワイヤーの長手方向の残留応力が４００ＭＰａないし１０００ＭＰａの範囲であるソーワイヤーである。 （もっと読む）

【課題】半導体インゴットのような脆性インゴットから半導体チップのような脆性材料からなるチップを製造するに際して、包埋樹脂で保護された脆性インゴットを用いることにより、歩留が良く安価に半導体チップのような脆性材料からなるチップを製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】包埋樹脂で脆性インゴットを包埋する包埋工程と、包埋された脆性インゴットをスライス切断してウエハを形成するスライシング工程と、前記ウエハをチップ状に切断する切断工程とを備えることを特徴とする脆性材料からなるチップの製造方法による。 （もっと読む）

ワイヤスライシングシステムおよびこれを用いる方法は、以下の機構の１つ以上を含む：ワイヤの取扱いに関する装置および／または操作；ワイヤ張設に関する機械および方法；ワークピースを処理する器具および技術；冷却および切屑（細片）の除去のために設計された装置および／または操作；これらの機構と併せて用いることが可能である制御および／または自動化。
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本発明は、少なくとも１個のワークピース（３０）をソー切断するために用いられる、ワイヤーガイド手段（３、４、５、６）間にクランプ締めされ、かつ互いに等間隔に配置されてソー切断ワイヤー面を形成する１又は２本以上のソー切断ワイヤーを備えるワイヤーソー切断装置に関する。本ワイヤーソー切断装置は少なくとも２つのソー切断面（１０、２０）を有し、各ソー切断面には独立したワイヤー駆動装置（１２、２２）が備えられる。前記ソー切断面は好ましくは一方が他方の上になるように配置される。各ソー切断面（１０，２０）には通常独立したワイヤー格納部（１５、２５）が備えられ、これら格納部を用いて別個のソー切断ワイヤー（１１、２１）を連続して送り込むことが可能である。
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【課題】 ワイヤが長寿命であり、且つ加工精度が高く、信頼性の高いワイヤソー装置を提供すること。
【解決手段】 ワイヤソー装置１は、１本のワイヤ２を巻きつける３個の多溝ローラー３ａ、３ｂ、３ｃを有し、各多溝ローラーに、例えば約１２０ミクロンの直径を有するワイヤ２を巻き付けるワイヤ列を構成し、このワイヤ列のワイヤ２をワイヤ駆動モータ４により駆動されるドライブ側多溝ローラー３ａの駆動により往復運動させるようになっている。またワイヤ２を巻き取り、送り出すボビン５ａ、５ｂを持っている。被切断物９と多溝ローラー３ｂ、３ｃの間のワイヤ２に磁石１２を接合した超音波振動子１３を接触させる。そして超音波振動子１３の振動方向は切断方向と一致させる。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ高生産性で適切な高品質単結晶シリコンシートを製造する。
【解決手段】表面領域１７０２及び所定の深さでの剥離領域１７０６を有する半導体基板１７００の提供により、材料の膜１７２０が形成される。膜の剥離の間、剥離領域のせん断は制御される。例えば、平面方向の剪断成分（ＫＩＩ）はほぼ０に保たれ、張力領域と圧縮領域に挟まれる。例えば、基体表面上のプレートを使用して剥離される。プレートは、膜の剥離の間、膜の動きを拘束し、局所的な熱処理と共に、せん断の広がりを低減させる。例えば、ＫＩＩ成分は、目的を持って高値が維持されて、剥離シーケンスを通じて、破壊伝播を案内して制御する。例えば、電子光線が照射されシリコンが断熱加熱されて高いＫＩＩ成分が提供されて、急峻の熱勾配が生じ、結果として、シリコン内の、正確に定義された深さで応力が生じる。 （もっと読む）

改善された更なる取扱いのために、支持材（１６）上にシリコンブロック（１３）を固定すべく、接着剤（２３）を含侵され且つガラス繊維から成る繊維材料（２２）がシリコンブロックと支持材との間の接着剤接合部（２０）内に導入される。このとき、シリコンブロック（１３）は支持材（１６）上に位置決めされる。繊維材料（２２）は、接着剤接合部（２０）が、共に極端に押圧されず、より安定であることを意味する。
（図１参照）
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