【課題】薄い半導体ウェハを比較的短時間で容易に製造することができ、かつ製品率を向上させることのできる基板スライス方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に非接触にレーザ集光手段１６を配置する工程と、レーザ集光手段１６により、基板１０表面にレーザ光を照射し、基板１０内部にレーザ光２６を集光する工程と、レーザ集光手段１６と基板１０を相対的に移動させて、基板１０内部に改質層１２を形成する工程と、基板１０側壁に改質層１２を露出させる工程と、改質層１２をエッチングする工程とを有する基板スライス方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、定砥粒ワイヤーを用いて、確実にシリコンインゴットを切断でき、さらに、固定砥粒ワイヤーに要するコストを低減できるシリコンインゴットの切断方法を提供することにある。
【解決手段】直径が150mm以上の複数本のシリコンインゴット２０を切断する第１切断工程と、その後、第１切断工程に用いた使用済みのワイヤー１１を再利用し、該ワイヤー１１の送り出し速度を第１切断工程の送り出し量よりも大きくして、第１切断工程のシリコンインゴット２０よりも直径Ｌ２が小さい複数本のシリコンインゴット２１を切断する第２切断工程とを具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スラリのワーク上面への飛散を有効に防止し、ナノトポグラフィ及びＷａｒｐの増大が有効に抑制されたワイヤソー装置を安価にて提供する。
【解決手段】ワイヤソー装置１は、離間する複数のローラ２間を、ワイヤ３をローラ軸方向に対し直交する方向に走行可能かつ並列に張り渡した多条ワイヤ群４と、ワークＷを保持し、多条ワイヤ群４に対しワークＷを押し込む方向に移動するワーク保持部５と、ワイヤ３のワークＷを押し込む側よりも少なくとも走行方向上流側から、多条ワイヤ群４にスラリを供給するノズル６とを具える。また、多条ワイヤ群４の並列方向に延びる遮蔽板７を、少なくともノズル６を設けた側であって、多条ワイヤ群４の上方にて、多条ワイヤ群側を基点としてワークＷの押し込み経路側に倒れ込み可能に設置している。 （もっと読む）

【課題】円錐状端部の先端を切断して得られる円錐台状のワークを短時間で円柱形状に加工し、その円柱形状以外の部分を研削粉としてロスすることなく加工できるワークの加工装置及び加工方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、円錐台状のワークを載置するテーブルと、該テーブルに載置されたワークの上方に配置され、円筒状で先端に砥石を有した中心軸周りに回転可能なコアビットと、該コアビットに駆動力を伝達して回転させる駆動モータと、前記コアビットを前記ワークに対して相対的に上下方向に移動させる送り機構とを具備し、前記コアビットを駆動モータによって回転させながら前記送り機構によって相対的に下方に切り込み送りし、前記コアビットの砥石を前記テーブルに載置されたワークに当接させて該ワークを円柱形状にくり貫き加工するものであることを特徴とするワークの加工装置。 （もっと読む）

【課題】目的部分と残余部分とを完全に切り離した後でも、残余部分がすぐに切り落とされることがないようにし、残余部分を割れや欠けが無い状態で再生工程に送る。
【解決手段】切断刃１８を用いて対象物１２を切断して目的部分１４と残余部分１６とに切り分けるために、対象物１２を仮固定面２２上に固定するベース２０を備え、ベース２０の仮固定面２２には、対象物１２の被支持面２４に密着し吸気孔２６を有する複数の吸着口２８と、切断刃１８が目的部分１４と残余部分１６とを完全に切り離した直後に仮固定面２２まで食い込むように形成された逃し溝が設けられ、吸着口２８は、目的部分１４の支持面に密着するもの及び残余部分１６の支持面に密着するものを含む。 （もっと読む）

【課題】ワイヤ外周面に対して効率良くブラシめっきを施すめっき方法、及び、めっきが施されたワイヤ外周面に対して砥粒を効率良く供給して電着させることにより、電着ワイヤ工具の生産性を向上させる電着ワイヤ工具製造方法を提供する。
【解決手段】 ワイヤをめっき液内で擦過する擦過部材により当該めっき液を流動させながら前記ワイヤ表面にめっきを施す。また、前記ワイヤと前記擦過部材の擦過部分が前記めっき液に覆われるようにする。 （もっと読む）

【課題】シリコンインゴットを所定形状に切断するバンドソー装置を小型化できるようにする。
【解決手段】２つの並設されたブレードホイール６と、これら２つのブレードホイール６に掛け回された環状のバンドソー７と、ブレードホイール６を介してバンドソー７を回転駆動する駆動源としてのモータ８と、回転駆動されているバンドソー７に対してシリコンインゴット２を上昇させる昇降装置１０とを備え、柱フレーム４と梁フレーム５とからなる門型の保持フレームの空間部Ｓに、バンドソー７及びこのバンドソー７の掛け回される２つのブレードホイール６を配置するとともに、保持フレームに設けた水平な梁フレーム５の下部にバンドソー７の掛け回された２つのブレードホイール６を吊り下げるようにして保持させる。これにより、バンドソー７及び２つのブレードホイール６を保持する保持フレームの剛性力を高めることなく保持することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ワークの切断に用いられるマルチワイヤソーのワイヤの断線の予兆を検知するようにしたマルチワイヤソーのワイヤ断線予防装置を得る。
【解決手段】スラリ供給弁４からスラリが供給され、シリコンインゴッドのワーク３を切断中のワイヤ１の反射光をビジョンセンサ５によって撮像し、この撮像された画像をワイヤ異常検知部１２により、グレイレベル化し、このグレイレベル化された画像を解析し、平均値と標準偏差が設定閾値内であり、かつグレイレベルの強度が閾値を超えたとき、ワイヤの乱れ線として検出するとともに、この検出された乱れ線を時系列に蓄積して出現頻度が閾値を超えたとき、断線の予兆と判断して、ワイヤによる切断作業を制御する加工制御装置２０へ制御信号を出力して、断線を予防するようにした。 （もっと読む）

細長い物体と、細長い物体の表面上を覆う結合層と、約０．０２ｃｔ／ｍと約０．３０ｃｔ／ｍの間の範囲内の平均砥粒集中度で結合層内に含まれる砥粒とを含む研磨物品。
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【課題】半導体結晶等、特に硬脆性のＧａ含有窒化物結晶などの半導体結晶等のする際の加工ダメージを低減させることが可能な結晶スライス方法を提供すること。
【解決手段】ワイヤーは「正転」と「逆転」を繰り返しながら走行するが、板状の結晶を切削する状態にあるワイヤーは必ず、ＧａＮ結晶の端部から中心部に向かう方向に走行する。なお、「正転」から「逆転」、或いは、「逆転」から「正転」への変化は、ワイヤーの走行速度が実質的にゼロとなる時点で生じさせるから、結晶を切削する状態にあるワイヤーがＧａＮ結晶の中心部から端部に向かう方向に走行することはない。このため、結晶に対する加工ダメージは低減され、クラック等の発生要因が抑制される。 （もっと読む）

【課題】 加工精度が高くかつ生産性の高いワイヤソーを提供すること。
【解決手段】カーボン系の材料からなるスライス台１９の曲面側にシリコンインゴットを、エポキシ系接着剤を用いて接合する。そして、スライス台１９の曲面側と対向する面に超音波振動子２３である円板状の圧電セラミックを、エポキシ樹脂を用いて接合する。円板状の圧電セラミックは厚さ方向に分極してある。圧電セラミックの形状は３種類あり、圧電セラミックの円盤の拡がり振動モードの固有振動数は、約３５ＫＨｚ、約４５ＫＨｚ、約５５ＫＨｚである。そしてワークプレート１８をスライス台１９にエポキシ系樹脂を用いて接合する。なお、３種類の圧電セラミックは、同数使用している。 （もっと読む）

【課題】半導体結晶等、特に硬脆性のＧａ含有窒化物結晶などの半導体結晶等をスライスする際の加工ダメージを低減させる手法を提供すること。
【解決手段】先ず、マルチワイヤーソー（１）で結晶をスライスするため、ＧａＮ結晶（１００）とツルーイング用砥石（２０）を接着させたカーボン台座（２００）が固定されている金属台座（４００）を切削装置内にセットする。続いて、ワイヤー（１０）を揺動させ、板状のＧａＮ結晶（１００）の切削時の揺動角度を決定し、ワイヤー（１０）の揺動を繰り返しながら該ワイヤー（１０）をＧａＮ結晶（１００）の端部から中心部に向かう方向に走行させ、かつ、金属台座（４００）を昇降モータで上昇させることにより、切削が進行する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーの溝飛びを抑制しつつ、ローラーの再利用を可能とする溝を有するワイヤーソー用ローラーを提供する。
【解決手段】周方向に複数の周方向溝が形成されたワイヤーソー用ローラーであって、該ローラーの周面と、前記周方向溝の溝壁とのなす角度が、ローラーの回転軸線を含む平面で見て９０度であり、該周方向溝の深さが、周方向溝の溝幅の０．８３〜３倍であることを特徴とするワイヤーソー用ローラーである。ここで、周方向溝は、断面がＵ字状であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 ワイヤードラムへのワイヤー巻き付け状態の異常を検出する装置を提供する。
【解決手段】
ワイヤードラムのワイヤー巻き付け面に螺旋状のワイヤー溝が設けられ、該ワイヤー溝にワイヤーが導入され一層をなして巻き付けられ、導出されるようにしたワイヤー巻き付け装置と、前記ワイヤードラムの外円周面の近くで、ドラムの溝から露出するワイヤーの高さの範囲内で、ドラム回転軸線に平行な仮想直線上を進む光線を発射する投光器と、該光線を受ける受光器と、前記投光器と受光器とを取付けるセンサー取付部材を備える。 （もっと読む）

【課題】切断部が可能な限り滑らかになるとともにいかなる傷も現れないワークの切断方法及びそれを実現可能なワイヤソーを提供すること。
【解決手段】本発明の方法において、切断部上において切断スリットに沿ってワークから取付ビーム（２２）への移行点で傷または段が形成されることが完全に防止される。そのため、ワーク（２１）は、切断作業時において、ワイヤソー内で取付ビーム（２２）により、２つの貫通点（２９；３０）の一方がワーク（２１）の表面上に位置すると同時に、２つの貫通点（２９，３０）の他方（３０）が取付ビーム（２２）の表面上に位置し、ワークの表面上に位置する前記貫通点が侵入側貫通点となるように保持される。 （もっと読む）

【課題】特にアズグロンインゴットのような座り精度の悪いインゴットの切断においても、カケ、チップ及びクラックの発生を抑制でき、製品歩留りを向上させることができるインゴット切断装置及び切断方法を提供することを目的とする。
【解決手段】上面がＶ字形状に形成され、インゴットが水平に載置される切断テーブルと、前記インゴットを切り出しブロック部と保持部に切断するためのブレードとを有し、前記インゴットの保持部をクランプによって保持しながら前記ブレードを相対的に上方から下方に送り出すことによって前記インゴットを切断するインゴット切断装置であって、切断時の前記インゴットへの衝撃を緩和する緩衝材が前記切断テーブルの上面に設けられ、該緩衝材は、前記インゴットの切り出しブロック部が載置される部分の硬度が前記インゴットの保持部が載置される部分の硬度より小さいものであることを特徴とするインゴット切断装置。 （もっと読む）

【課題】低コストで簡単にウェーハの厚さむらを抑制でき、ドレッシングによる生産性の低下を抑制することができるワークの切断方法を提供することを目的とする。
【解決手段】複数の溝付きローラに巻掛けされ、表面に砥粒が固着された固定砥粒ワイヤを軸方向に往復走行させ、ワークを前記往復走行する固定砥粒ワイヤに押し当てて切り込み送りし、前記ワークをウエーハ状に切断するワイヤソーによるワークの切断方法であって、前記切断するワークの切断開始位置に砥粒を含有した当て板を接着し、前記往復走行する固定砥粒ワイヤに前記当て板を押し当てて切り込み送りし、前記当て板を切断することによって前記固定砥粒ワイヤをドレッシングした後、前記ワークを切断することを特徴とするワークの切断方法。 （もっと読む）

キャリア上の基板をクリーニングする装置であって、キャリアは、その内部において、互いに平行に延び、開口によってキャリアの下側で外に接続する複数の縦方向の通路を有し、装置は、互いに平行に延び、パイプホルダに配置されて液体供給源に対して液体を導くように接続された複数の細長いパイプを有している。センタリングプレートが、パイプの周囲に設けられ、パイプホルダから離れたパイプの端部領域にある取付け位置と、取付け位置及びパイプホルダ間の作用位置との間でパイプの長手方向にパイプに対して移動可能である。センタリングプレートがキャリアに支持され、パイプが縦方向の通路に対して正確に配列される。
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【課題】加工能率及び加工精度に優れ、断線の発生が少なく、被加工物の金属汚染を回避することが可能な固定砥粒ワイヤを提供する。
【解決手段】固定砥粒ワイヤ１０は、少なくとも表面が導電性を有する柔軟なワイヤ１１と、表面の一部に形成された導電性の被覆層１２の一部がワイヤ１１の外周面に密着した状態で電着層１３によって仮固着された超砥粒の一つであるダイヤモンド砥粒１４と、ダイヤモンド砥粒１４をワイヤ１１の外周面に固着するためワイヤ１１の外周面の電着層１３及びダイヤモンド砥粒１４の被覆層１２を被覆する合成樹脂層１５と、を備えている。被覆層１２はＮｉで構成され、電着層１３はＮｉメッキによって形成され、合成樹脂層１５はＵＶ硬化樹脂によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】高精度な化合物半導体単結晶基板を製造できる化合物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る化合物半導体基板の製造方法は、化合物半導体としてのＧａＮ単結晶のインゴット３０を準備するインゴット準備工程と、インゴット３０を切断部材で切断してＧａＮ単結晶基板を形成する切断工程とを備え、切断工程は、インゴット３０と切断部材との接触部分３２の温度を１６０℃以下に制御してインゴット３０を切断する。 （もっと読む）