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Fターム[3C069CA04]の内容

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Fターム[3C069CA04]に分類される特許

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【課題】マルチワイヤソーでの切断時に、分離プレートの挿入時やマウンティングプレートからの分離及び個別化時のウェハの損傷を回避する方法を提供する。
【解決手段】インゴットをギャング長さ(刃部の幅)LGを有するワイヤソーによって同時に多数のウェハに同時に切断する。工作物の長さをLi、工作物間を識別する分離プレート挿入スペースなどを考慮した工作物間の最小間隔をAminとすると、
[数1]


を満足し、かつ右辺ができるだけ大きくなるように同時に切断する工作物の組み合わせを選定する。次に工作物の間隔A(A≧Amin)が下式を満たすように決めてマウンティングプレート11に固定する。
[数2]
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【解決手段】 先ず、シリコンインゴット2の外周面2Bにスクライバ4Aによって円周方向溝2Dを形成する。次に、第1のレーザ光L1と第2のレーザ光L2を重畳させて端面2A側から円周方向溝2Dに照射し、その後、両レーザ光L1、L2を割断予定面2Eに沿って渦巻状の移動軌跡で相対移動させる。これにより、第1のレーザ光L1によって割断予定面2Eとその隣接箇所は結晶方位のない改質領域2Fに改質され、そこに第2のレーザ光L2が照射される。そのため、円周方向溝2Dに生じたクラック20が半径方向に進展してシリコンウェハ2Sが切り出される。
【効果】 内部の結晶方位の影響を受けることなく、シリコンインゴット2から所定厚さtのシリコンウェハ2Sを切り出すことができる。 (もっと読む)


【課題】 面取り加工機上で、円筒状シリコンインゴットブロックの結晶方位を正確に検知する方法の提供。
【解決手段】 レーザ光反射型変位センサsを用い、クランプ装置7に挟持された円筒状シリコンインゴットブロックwをC軸周りに一回転(0から360度)させてエンコーダ回転角度(θ)と4つのパルスピーク高さの相関図を表し、そのうちの1つのパルスピーク高さを示す回転角度(θ)をエンコーダにおける45度位置に回転して回転切断刃に対する切断開始角度と決定する。 (もっと読む)


【課題】インゴット等を複数のウエハに切断するワイヤソー装置及びこれを用いたウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】ワーク50を切断するワイヤWを切断後のウエハの厚さに対応するように複数本並行した状態で保持する保持部を外周に設けたワイヤ保持ローラ11,12と、複数のワークを同時に切断するための複数のワーク切断部を前記ワイヤ保持ローラ間に形成するようにワイヤ保持ローラ間に配置された少なくとも2つの補助ローラ15,16と、ワイヤ保持ローラと補助ローラが取り付けられる基台とを有したワイヤソー装置であって、基台と補助ローラとの間には補助ローラ移動機構40が備わり、補助ローラ移動機構を介してワイヤ保持ローラと補助ローラにかけられる一周分のワイヤ長さを変えることなく、ワーク切断部におけるワイヤの傾きが逐次変化するようにワイヤを揺動させる。 (もっと読む)


【課題】 シリコン等のインゴットの切削工程において、シリコンウエハ表面のシリコンと反応して被膜膜を形成するため、切削部分の温度が高くても優れた潤滑性を維持できるシリコンインゴットスライス用含水切削液を提供する。
【解決手段】 水混和性溶媒(A)、シリコンと反応する反応被膜型潤滑剤(B)、および水(W)を必須成分として含有することを特徴とするシリコンインゴットスライス用含水切削液であり、該反応被膜型潤滑剤(B)の含有量は、使用時の水混和性溶媒(A)と水(W)の合計量に対して0.01〜10重量%が好ましく、該反応被膜型潤滑剤(B)としてはシランカップリング剤が好ましい。 (もっと読む)


【課題】ワークの切断精度を良くするとともにワイヤの使用量を少なくしてランニングコストを低く抑え、生産性の良いワイヤソーを提供する。
【解決手段】互いに横並びに配置され水平軸心回りに回転する一対のローラ2に1本のワイヤ3がローラ2の水平軸心方向に所定のピッチで螺旋状に巻き掛けられている。ローラ2を回転駆動させるローラ駆動モータ20と、ワークWをワイヤ3に押し付けるワーク押付手段5とを備える。制御装置8は、ワークW切断時にワイヤ3にかかる切断負荷の基準値を記憶する基準負荷記憶部8aと、切断負荷値を検出する切断負荷検出部8bと、検出値と基準値とを比較判定する判定部8cとを備える。制御装置8は、検出値が基準値に満たない場合には、ローラ駆動モータ20を制御して新線供給速度を下げ、検出値が基準値を超えた場合には、ローラ駆動モータ20を制御してワイヤ走行速度を上げる。 (もっと読む)


【課題】レジンボンド法で問題とされている寿命が短い点、電着法で問題とされている生産性が悪くコスト高であるという点、ろう付け法で問題とされている高炭素鋼が使えずコスト的に優位でないという点、ろう付け後に超砥粒に内部応力が発生して砥粒が割れたり欠けやすくなるという点をいずれも解決でき、長寿命で生産性が高く、切断加工能力に優れた固定超砥粒式ワイヤソーを提供せんとする。
【解決手段】超砥粒14を仮固定するろう材層13、及び超砥粒14を保持するための金属めっき層16の二層を備え、ろう材層13の厚みを超砥粒14の平均粒径の10%以下とした。 (もっと読む)


【課題】ワイヤソーにおけるワイヤの脱線を防止して断線を防止すると共に、溝ローラの磨耗を低減する。
【解決手段】溝ローラ7a、7b間にワイヤ4を多列に巻き掛けて形成されたワイヤ列に加工物25を押し付けて、前記ワイヤ4を一方向走行又は往復走行させることにより、前記加工物25を多数枚の薄板に切断するワイヤソーにおいて、少なくとも一方の溝ローラ7bを他の溝ローラ7aよりも摩擦係数が低い金属製ローラとする。また、溝ローラ7a、7bの溝形状を逆台形状にし、溝ローラ7bの回転速度を溝ローラ7aよりも僅かに速くする。 (もっと読む)


【課題】固定砥粒式ワイヤソーのスラリ廃液からクーラントを効果的に分離できるようにする。
【解決手段】固定砥粒式ワイヤソーのスラリ廃液を分離装置に供給してクーラントを分離するスラリ廃液処理装置であって、貯留槽10から分離装置6に供給するスラリ廃液3aの温度を検出する温度計25又は粘度を検出する粘度計26と、温度計25又は粘度計26の検出値に基づいて、分離装置6に供給するスラリ廃液3aの粘度が最低粘度を保持するように貯留槽10のスラリ廃液3aの温度を設定温度に調節する温度調節装置23とを備える。 (もっと読む)


【課題】砥粒の摩耗および水素の発生を抑制できるシリコンウェハ加工液およびシリコンウェハ加工方法を提供する。
【解決手段】
シリコンウェハ加工方法に使用されるシリコンウェハ加工液は、含窒素化合物を含む摩擦調整剤が配合されており、含窒素化合物は、水との質量比(含窒素化合物/水)を1/99としたときにpHが2以上8以下である。含窒素化合物は、複素環化合物であることが好ましい。シリコンウェハ加工液は、ワイヤーに固定された砥粒の摩耗および水素の発生を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハを、安価で効率良く、かつ製品歩留まりを上げながら製造することができるワイヤソーのクーラント管理システムを提供する。
【解決手段】半導体のインゴットから厚さの薄い半導体ウエハを複数枚製造する固定砥粒方式のワイヤソーのクーラント管理システムであって、インゴットをワイヤソー600(610,620,630)によって切断した際に使用したクーラントの少なくとも一部を、そのSS濃度を低下させてリサイクルクーラントとしてワイヤソーによるインゴット切断に再び使用するリサイクルクーラント循環流路を備え、かつリサイクルクーラント循環流路の途中に使用済みクーラントのSS濃度を低下させたリサイクルクーラントを生成するフィルタプレス810,820(800)を備える。 (もっと読む)


【課題】切り屑が混入した加工液の増粘を抑制でき、加工液と切り屑との反応を抑制して水素の発生を抑制でき、さらに、切り屑が混入した加工液の増粘・ゲル化を抑制できる、固定砥粒ワイヤソー用水溶性加工液を提供する。
【解決手段】(A)ポリビニルピロリドン、および、ビニルピロリドンを含む共重合物から選ばれる少なくとも一種類以上の水溶性高分子、ならびに、(B)水を含有する固定砥粒ワイヤソー用水溶性加工液とする。 (もっと読む)


【課題】ワイヤーとワークとの間で発生する摩擦熱の影響で、ウェハの切断形状が変化することを抑制できる半導体ウェハの製造方法及びその装置を提供する。
【解決手段】複数のローラ12間にワイヤ13を巻き回してなるワイヤソー11で、ワーク17を切断してウェハを製造する半導体ウェハの製造方法において、ワイヤソー11の切断部16を、スラリー15を溜めたスラリー槽18内に浸して設けると共に、その切断部16のワイヤ13の上方にスラリー15を吹き付けるスラリー供給管20を設け、その切断部16のワイヤ13の下方のスラリー槽18内にワーク17をスラリー15に浸すように設けると共に、その上方の切断部16のワイヤ13にワーク17を押し付け、かつスラリー供給管20からスラリー15を切断部16に吹き付けて切断し、スラリー槽18内のスラリー15を温調槽21を介してスラリー供給管20に循環するようにした。 (もっと読む)


【課題】再利用可能な資源用のシリコンスラッジ中への接着剤層の切削屑および固定板の切削屑の混入を防止できるワイヤソー切断スラッジの回収方法およびその装置を提供する。
【解決手段】シリコンインゴットの切断開始後、ワイヤ列が接着剤層に達する直前までに発生した資源用のシリコンスラッジと、その後のスライス中に発生した接着剤層の切削屑および固定板の切削屑を含む廃棄用スラッジとを別々に回収する。これにより、再利用可能な資源用のシリコンスラッジ中への接着剤層の切削屑および固定板の切削屑の混入を防止できる。 (もっと読む)


【課題】 接着剤残渣の発生を低減させ、歩留まりを向上させる基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】 スライスベースに接着した半導体ブロックをワイヤーソーを用いて切断することによって半導体基板を得る半導体基板の製造方法であって、前記半導体ブロックおよび前記スライスベースを用意する準備工程と、前記スライスベースの上に硬化型接着剤を塗布する塗布工程と、前記硬化型接着剤を半硬化させる半硬化工程と、前記半導体ブロックを半硬化させた前記硬化型接着剤で前記スライスベースの上に仮接着してから、前記硬化型接着剤をさらに硬化させて、前記スライスベースに前記半導体ブロックを接着する接着工程と、前記スライスベースに接着した前記半導体ブロックを前記ワイヤーソーを用いて切断する切断工程とを順次行なうことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 ワイヤが巻き掛けられることによって生じる摩擦熱に起因した変形を抑制することができるローラを提供する。
【解決手段】
ローラ(1)であって、外周面に前記ワイヤが巻き掛けられる筒状部材(21)と、筒状部材(21)の中に通されて該筒状部材(21)の少なくとも両端部に周方向にわたって固定されている軸部材(22)とを有する。また、ローラ(1)は、軸部材(22)と筒状部材(22)との間に、両端部で閉じられた、軸部材(22)を通して内部に冷却用媒体を循環させる空間(S)を有する。 (もっと読む)


【課題】切断される部材を取り付けるための装置の改善。
【解決手段】ワークピース接合面152を有する板15と、板15内に少なくとも部分的に形成された少なくとも1つの溝を含む、ワイヤ切断装置にワークピースを取り付けるための装置。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物単結晶基板を短時間かつ高精度で製造することが可能なIII族窒化物単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】固定砥粒ワイヤを用いたワイヤソーによってインゴットを切断して、III族窒化物単結晶基板を前記インゴットから切り出す、基板切り出し工程を含むIII族窒化物単結晶基板の製造方法において、基板切り出し工程を、インゴットの切断方向とインゴットの劈開容易面の法線とのなす角度が2°以下になるようにして行うように構成する。 (もっと読む)


【課題】良好な切断能を保持しつつ、環境性を向上でき、かつ、コスト性にも優れたワイヤソーおよびそれを用いた切断方法を提供する。
【解決手段】シリコンインゴットの切断に用いられるワイヤソーである。ワイヤの表面に、水溶性樹脂を主成分とし、これにケイ酸塩を添加した混合物からなる潤滑層が形成されてなる。ワイヤソーを、ガイドロール間で走行させながらシリコンインゴットに押し当てて、シリコンインゴットを切断する方法である。ワイヤソーとして、表面に、水溶性樹脂を主成分とし、これにケイ酸塩を添加した混合物からなる潤滑層が形成されてなるものを用いるとともに、切断時のクーラントとして水を用いる。 (もっと読む)


【課題】ワイヤ駆動方向切換時の張力付与部材の急激な変位を抑制する。
【解決手段】第1リール9AからワイヤWを繰り出しながら当該ワイヤWの張力を繰出し側張力に上げる一方、このワイヤWの張力をこの張力よりも低い巻取り側張力に下げて第2リール9Bに巻取る前進駆動切断工程と、第2リール9Bからワイヤを繰り出しながら当該ワイヤWの張力を繰出し側張力まで上げる一方、このワイヤWの張力を巻取り側張力まで下げて第1リール9Aに巻取る後退駆動切断工程とを繰返し行う。その際、ワイヤ繰出し側では、第1リールをその周速度がガイドローラ24等の周速度よりも低くなる第1の回転速度で駆動し、巻取り側では、第2リールをその周速度が第1の回転速度で駆動される第1リールの周速度よりも低くなる第2の回転速度で駆動する。 (もっと読む)


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