【課題】所望の結晶方位に高精度に対応する切断面をもち、表面の平坦度が高い単結晶ウエハを得る。
【解決手段】複数のローラ１２間に張設されて走行しているワイヤソーに対して、ワイヤソーの走行方向に沿って配置した複数の単結晶体２０ａ、２０ｂを相対的に押圧して切断する方法であって、単結晶体２０ａ、２０ｂが、中心軸Ｏａ、Ｏｂに沿って一方端側から他方端側に向かう方向における構成元素の配列状態と、他方端側から一方端側に向かう方向における構成元素の配列状態とが異なっており、単結晶体２０ａ、２０ｂを、中心軸Ｏａ、Ｏｂをワイヤソーの走行方向に対して交差させるとともに、隣り合う単結晶体２０ａ、２０ｂ同士で、一方端から他方端に向かう方向が反対となるように、ワイヤソーの走行方向に沿って平行に１列に並べて配置し、走行しているワイヤソーに対して、配置した単結晶体２０ａ、２０ｂを相対的に押圧し、それぞれ切断する。 （もっと読む）

【課題】切りくずが混入したときの粘度の上昇、及び、混入した切りくずによる設備の配管詰まりや固い固着の発生を抑制できる固定砥粒ワイヤソー用水溶性加工液を提供する。
【解決手段】（Ｃ）カルボン酸と、（Ｄ）水に溶解して塩基性を示す化合物と、（Ｅ）水と、を含み、２５℃における電気伝導度が３００μＳ／ｃｍ以上３０００μＳ／ｃｍ以下であり、２５℃におけるｐＨが５以上１０以下であり、平均粒子径１．５μｍのシリコン粉を１０質量％添加し撹拌して形成した擬似使用液の粘度が、２５℃で３０ｍＰａ・ｓ未満である、固定砥粒ワイヤソー用水溶性加工液とする。 （もっと読む）

【課題】ワークの切断箇所に十分にスラリを供給することができるワイヤーソー装置を提供する。
【解決手段】ステー本体６３に対して伸縮可能な補助ステー６４ａを備える。そして、ワーク保持部５の上昇に伴って補助ステー６４ａを収容溝６４ｇ内に入り込ませる側に移動させると、ワーク４の外形に沿って、徐々に補助ステー６４ａの先端位置を変えられるようにする。これにより、補助ステー６４ａの先端からワーク４の外縁までの距離がある程度の範囲内となるように維持し、補助ステー６４ａの先端がワーク４の外縁から距離が離れすぎないようにすることができる。このため、スラリ供給部６にてワイヤー２に対してスラリ３を供給する際に、ステー本体６３の先端位置がワーク４から距離が離れていても、ワーク４の切断中常に、補助ステー部６４における補助ステー６４ａの先端位置がワーク４から近い位置となるように維持できる。 （もっと読む）

【課題】 円筒状インゴットを四側面剥ぎ切断加工して四角柱状インゴットに加工する際の切削屑を大幅に減らしたい。
【解決手段】 ダイヤモンド刃先幅が１．２〜２．５ｍｍと狭い回転切断刃９１ａ，９１ｂを用い、最初に円筒状インゴットｗの切断深さの約１／２の高さの溝を加工し、ついで、円筒状インゴットを１８０度回転させたのち、前記回転切断刃で円筒状インゴットの切断深さの約１／２の高さの溝を加工として溝同士を連結させて円筒状インゴットの側面より円弧柱状物を切り落とす。 （もっと読む）

【課題】半導体材料からなる被加工物のワイヤーソーイング時の最適な冷却を保証しつつ、切削液（ソーイングスラリー、スラリー）の特性に影響を及ぼさない方法を開発する。
【解決手段】本発明は、ワイヤーソーイング時に、たとえばシリコン、ゲルマニウムまたはガリウムヒ素などの半導体材料からなる円筒形被加工物を冷却する方法に関し、切断時にノズルによって冷却液が半導体材料被加工物に塗布される。被加工物を支承するワイパーが、冷却液が切削液と混合するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】ワークやその支持ピンへの応力の発生を防止し、切り終わりにブロックの割れや欠けを防止する。
【解決手段】ワーク切断装置１は、ワークが載置されるステージ１１と、ステージ１１を昇降させるシリンダ１２と、ワークの底面を支持する複数の底面支持ピン１３と、各底面支持ピン１３を制御する複数のブレーキ付シリンダ１４と、ワークの対向する２つの側面をそれぞれ支持する複数の側面支持ピン２１と、各側面支持ピン２１を制御する複数のブレーキ付シリンダ２２と、ワーク切断機構３０とを備えている。各ブレーキ付シリンダ１４は、対応する底面支持ピン１３をそれぞれ上昇させてステージ１１上のワークの底面に接触させた後、その位置で動かないようにロックする。また、各ブレーキ付シリンダ２２は、複数の側面支持ピン２１の各々を水平方向に移動させてステージ１１上のワークの側面に接触させた後、その位置で動かないようにロックする。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ面内での厚さバラつきを抑えることが可能な一方向走行式ワイヤソーを提供する。
【解決手段】上流側のグルーブローラに形成された各ワイヤ溝のピッチの方を、下流側のグルーブローラの各ワイヤ溝のうち、ワイヤの走行方向に隣接したワイヤ溝のピッチより大きくした。そのため、切断溝の上流側で、スラリーがワイヤに多量に付着して引き込まれることにより取り代の大きい研削を行っても、切断溝の上流側のウェーハ厚さを、その出側のウェーハ厚さと同程度にすることができる。これにより、ウェーハ面内での厚さバラつきを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドワイヤが硬脆材料をカットする効果を更に向上させ、且つダイヤモンドワイヤの使用寿命も更に延長することができるカット冷却装置を提供する。
【解決手段】連続する面又は複数の面に囲繞されて形成され一時的に冷却液を滞留し蓄えることができる閉塞空間である液槽４を設け、且つ液槽４を囲繞形成する面又は各面の間が連続した閉状態又は半開放状態を呈し、且つ硬脆材料に対してカットするダイヤモンドワイヤ１のカット部位が、前記液槽４を通過し随時前記冷却液中に浸漬するとともに、前記液槽４の下に分離収集器５を設ける。 （もっと読む）

【課題】接着剤を用いることなくても複数段のブロック状ワークの摺動状態又は保持状態が安定し、切断精度が向上するワーク切断装置及びワーク切断方法を提供する。
【解決手段】ワーク切断装置は、複数のワイヤを有するワーク切断部と、位置決め用基準面を有する位置決め用基準板と、位置決め用基準面にワークを押し当てる状態で位置決め用基準面に直交する方向にずれないようにワークを位置決めする位置決め用保持部材と、を有するワーク位置決め体と、位置決め用基準面に直交する挟持用基準面を有する挟持用基準板と、挟持用基準板に対向配置されて前記ワークが切断される方向の端部にスリットを有する挟持用保持部材を有し、ワイヤ長手方向に位置するワークの両端を挟持するワーク挟持体と、ワークを、位置固定されたワーク切断部に対して切断方向に押し出す押出手段と、を含み、ワイヤがスリットを通過する。 （もっと読む）

【課題】接着剤を用いずに複数のブロック状ワークを複数段積み重ねて切断する場合に、切断精度の低下を抑制すること。
【解決手段】このワーク切断方法は、切断対象となる複数のブロック状ワークをワイヤで切断するにあたって、複数のブロック状ワークを複数段積み重ねる準備工程と（ステップＳ１１）、ワイヤで複数のブロック状ワークを切断する切断工程と（ステップＳ１３）、を含む。切断工程においては、第１のブロック状ワークの段を切断中に、第１のブロック状ワークの段に隣接して積み重ねられた第２のブロック状ワークの段の切断が開始されるように前記ワイヤの撓みが制御される。 （もっと読む）

【課題】接着剤を用いることなくても複数段のブロック状ワークの摺動状態又は保持状態が安定し、切断精度が向上するワーク切断装置及びワーク切断方法を提供する。
【解決手段】ワーク切断装置は、複数のブロック状ワークの端面同士を押し当てて重ねた集合体であるワークを同時に複数の片状ワークに切断する複数のワイヤを有するワーク切断部と、ワーク切断部のワイヤによる切断面に平行でワイヤとの位置関係が設定された位置決め用基準面を有する位置決め用基準板と、位置決め用基準面にワークを押し当てる状態で位置決め用基準面に直交する方向にずれないようにワークを位置決めする位置決め用保持部材と、を有するワーク位置決め体と、ワークを位置固定されたワーク切断部に対して切断方向に押し出す押出手段と、を含み、位置決め用保持部材は、ワーク切断部により切断されているブロック状ワークに対して押圧可能な押圧部を有する。 （もっと読む）

【課題】接着剤を用いることがなくてもワイヤの挙動が安定し、ワイヤの断線のおそれが低減され、ワークの切断精度が向上するワーク切断装置及びワーク切断方法を提供する。
【解決手段】ワーク切断装置は、複数のブロック状ワークの端面同士を押し当てて重ねた集合体であるワークを同時に複数の片状ワークに切断する複数のワイヤを有するワーク切断部と、ワークが保持され収納されるワーク収納部と、ワーク収納部に収納されたワークを、位置固定されたワーク切断部に対して切断方向に押し出す押出手段と、片状ワークが載置され、片状ワークの落下高さを規制する落下高さ規制板を含む。 （もっと読む）

【課題】反りが小さい六方晶系半導体板状結晶を効率良く製造する方法を提供すること.
【解決手段】結晶切断用ワイヤーにより六方晶系半導体結晶を切削して板状結晶を製造する方法であって、前記六方晶系半導体結晶に対して２５°＜ α ≦ ９０°およびβ ＝ ９０°±５°［αは六方晶系半導体結晶のｃ軸とワイヤーにより切り出される結晶面の法線とがなす角度であり、βは六方晶系半導体結晶のｃ軸をワイヤーにより切り出される結晶面上に垂直投影した基準軸と切削方向とがなす角度である。］の各条件を満たすように前記結晶切断用ワイヤーを移動させて切削することを特徴とする六方晶系半導体板状結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】サファイアの切断能率を上げ、切断時間を短縮できる切断方法を提供する。
【解決手段】ワイヤソーを用いたサファイアの切断方法であって、化学作用を有する砥粒２を含む溶液３をワイヤ６が被工作物４を切断している切断部に供給しながら切断する。 （もっと読む）

【課題】固定砥粒ワイヤソーに供給するスラリの調整が容易で且つ安定した切断が図れるようにする。
【解決手段】スラリ廃液３を受ける第１槽５Ａと、第１槽５Ａのスラリ廃液３ｂを導入してスラリ２を分離する遠心分離機１４と、遠心分離機１４のスラリ２を受ける第２槽５Ｂと、第２槽５Ｂのスラリ２を固定砥粒ワイヤソー１に供給するスラリ供給系路２６と、第２槽５Ｂのスラリ２を取り出して循環する循環流路２８に備えた比重計２９と粘度計３０による検出値からスラリ濃度を検出する制御器４１と、第２槽５Ｂのスラリ２の一部を廃スラリ３１として排出するスラリ排出系路３３と、新スラリ２ａを第２槽５Ｂに供給する新スラリ供給系路３８とを備え、制御器４１で検出するスラリ濃度が規定濃度を保持するように、スラリ排出系路３３による廃スラリ３１の排出と新スラリ供給系路３８による新スラリ２ａの供給とを行う。 （もっと読む）

【課題】 円筒状シリコンインゴットの側面剥ぎ切断装置上で、円筒状単結晶シリコンインゴットの結晶方位を正確に検知する方法および外周刃の横揺れ幅を小さくすることができる自己補償機構の提供。
【解決手段】 加圧冷却液供給パッド一対９６ｐ，９６ｐを外周刃９１ａを挟んで外周刃の前面および後面に設け、ポンプ９６ｐより供給される加圧液体の供給管を２分岐し、分岐された供給管のそれぞれの先端を前記一対の加圧冷却液供給パッドの液体貯め空間に望ませた外周刃横揺れ自己補償機構９６。および、レーザ光反射型変位センサｓを用い、円筒状単結晶シリコンインゴットの結晶方位を正確に検知する。 （もっと読む）

【課題】支持体の長手方向範囲全体に亘ってクリーニング液の均一な分配及び有効な利用を保証する。
【解決手段】装置長手方向軸線（Ｌ）に対して平行に配置された２つの区域を有しており、上側の区域はアダプタ区域１として構成されており、アダプタ区域１によって装置を機械機器に結合することができ、下側の区域は保持区域２として構成されており、保持区域２は、周囲で閉鎖された又は閉鎖可能なチャネルシステムの、チャネル１１として提供された部分を有しており、チャネルシステムに、閉鎖可能な供給開口５によってフラッシング液を供給することができ、チャネル１１の底部は、フラッシング液のための通過開口１５を提供するために基板ブロック１３Ａ，１３Ｂの切断中にスロット状の形式で開放させられ、チャネル１１は、装置長手方向軸線（Ｌ）に沿って複数の区域１１Ａ，１１Ｂに細分されている。 （もっと読む）

【課題】多様化する単結晶インゴットの直径及びコーン状の端部形状に関わらず、切断位置の基点を高精度に特定でき、切断位置のずれを抑制することができるインゴットの切断方法を提供することを目的とする。
【解決手段】円筒研削された円柱状の直胴部と、該直胴部の少なくとも一端に形成された円筒研削されていない鏡面状態のコーン状の端部とを有する単結晶インゴットを切断するインゴットの切断方法であって、前記円筒研削された直胴部表面と前記円筒研削されていない鏡面状態のコーン状の端部表面の光の反射の違いを利用して、前記円筒研削面と前記円筒研削されていない境界の位置を検出する工程と、該検出した境界の位置を基点として切断位置の位置決めを行った後、前記インゴットを切断する工程とを有することを特徴とするインゴットの切断方法。 （もっと読む）

【課題】ワイヤの断線を抑制するとともに、加工速度の低下を抑制する、半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の製造方法は、砥粒が固着されたワイヤＷを単数列または複数列用いてインゴット１を切断することにより半導体基板を製造する方法であって、インゴット１を準備する工程と、ワイヤＷの延在方向に対して交差する方向ｙにワイヤを回転させながら、インゴット１を切断する工程とを備えている。切断する工程では、ワイヤＷを往復運動することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ワイヤソーにおけるワイヤの使用量を抑制できるインゴットの切断方法を提供すること。
【解決手段】インゴットを切断するワイヤソーを用いて、複数のインゴットを順次に切断するインゴットの切断方法であって、前記ワイヤソーのワイヤを一方向に送りつつ１つのインゴットを切断する工程と、この切断時における、前記ワイヤが前記１つのインゴットから離れたときのワイヤの送り位置を基準として、当該ワイヤを以下の数式（１）で示される距離Ｌだけ他方向に巻き戻す工程と、この巻き戻した状態のワイヤに次のインゴットを接触させ、前記ワイヤを一方向に送りつつ前記次のインゴットを切断する工程とを実施する。
０＜Ｌ＜Ｘａ＋Ｘｂ…（１）
数式（１）中、ワイヤ径減少領域Ｒ１の長さをＸａとし、ワイヤ径増加領域Ｒ３の長さをＸｂとする。 （もっと読む）