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Fターム[3C069CA04]の内容

石材又は石材類似材料の加工 (12,048) | 被加工材料の種類 (2,947) | セラミック (1,216) | 半導体インゴット (387)

Fターム[3C069CA04]に分類される特許

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【課題】本発明の目的は、スライス台の適正化を図ることにより、固定砥粒ワイヤーを用いた場合であっても、固定砥粒ワイヤーとスライス台との間で滑りが発生することなく、確実にインゴットの切断を行える太陽電池用シリコンインゴットの切断方法を提供することにある。
【解決手段】スライス台10に接着固定されたインゴット20を、固定砥粒ワイヤー30が少なくともスライス台10の接着面に切り込む位置Xに達するまで切断する方法であり、前記スライス台10の接着面10aの表面粗さ(Ra)が、3μm以上であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体材料からなる原料塊10を切断するための装置であって、原料塊からの発熱を抑制することができる切断装置を提供する。
【解決手段】切断装置30は、長手方向を有するワイヤ状電極であって、原料塊10に対して長手方向と交差する一方向に相対移動可能なワイヤ状電極40と、原料塊に接触してワイヤ状電極よりも原料塊を高電位に印加する印加部材50と、原料塊とワイヤ状電極との間に電解液18を保持する保持機構70と、を備える。印加部材は、切断開始時のワイヤ状電極に対して原料塊を間に挟んで一方向に対向する位置に配置された対向印加部材55と、一方向におけるワイヤ状電極と対向印加部材との間の位置で原料塊に接触可能な中間印加部材60と、を有する。 (もっと読む)


【課題】半導体単結晶ウェハにおいて厚さのばらつきや反り等の形状不良を低減させることができる半導体単結晶ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体単結晶ウェハの製造方法は、ワイヤーソーにより半導体単結晶インゴットをスライスする半導体単結晶ウェハの製造方法であって、セラミックスまたは樹脂からなる補助治具を前記半導体単結晶インゴットに取り付け、前記補助治具からスライスし始めることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 スライス不良が低減されるワイヤーソー装置を提供すること。
【解決手段】 表面に砥粒が固着され、かつ平均直径Dのワイヤーと、前記ワイヤーが巻かれた複数の溝を表面に有するメインローラと、を備え、前記溝の断面形状が台形であり、前記溝の開口角度Aが30度以上38度以下であり、前記溝の底面の長さをBとした場合、B/Dが、式(1/cos(A/2)−tan(A/2))<B/D≦0.800を満足することを特徴とするワイヤーソー装置とする。 (もっと読む)


【課題】廃スラリーから砥粒およびクーラントを回収して再使用した再生スラリーを供給しながら、ワイヤソーによりシリコンインゴットを切断するにあたって、切断品質の低下を抑えつつ、回収率を向上させることでコストの増加を抑制しながら切断することができる切断方法および切断システムを提供する。
【解決手段】ワイヤソーによるシリコンインゴットの切断時の廃スラリーを1次遠心分離、2次遠心分離して固形分、廃スラッジ、2次分離液に分離し、2次分離液と固形分を回収し、新たな砥粒とクーラントを加えて再生スラリーを調合し、ワイヤソーに供給してシリコンインゴットを切断する方法であって、廃スラッジを蒸留して、固形残渣と残分溶液に分離し、固形残渣を分級して砥粒を分離し、その砥粒と残分溶液を回収し、再生スラリーを調合するときにさらに加えるシリコンインゴットの切断方法および切断システム。 (もっと読む)


【課題】半導体に悪影響を及ぼしたり、半導体ウェーハの獲得が困難になるのを抑制し、製造装置を簡素化できる半導体ウェーハの製造方法及びその装置を提供する。
【解決手段】回転ステージ11に半導体ウェーハ1を搭載してその隅の面取り部2を回転ステージ11の回転軸14に接近させ、X方向移動ステージ15を移動させて集光レンズ23の光軸27を半導体ウェーハ1の表面周縁部側に位置させ、半導体ウェーハ内に集光点を形成できるようレーザ照射装置20を調整し、集光点の線速度が一定になるよう回転ステージ11を回転させるとともに、レーザ光線21を照射し、X方向移動ステージ15を移動させてレーザ光線21を回転ステージ11が所定の回転角で回転する度に半導体ウェーハ1の表面周縁部側から面取り部2方向に移動させる。その後、回転軸14と集光レンズ23の光軸27が所定の距離に達した場合にレーザ照射を停止して中間品を形成する。 (もっと読む)


【課題】低熱膨張であると共に、軽量かつ高強度であり、高速回転させてインゴット等を精度よく且つ効率よく切断することができるワイヤソー用メインローラーと、そのローラー本体及び製造方法を提供する。
【解決手段】ワイヤソー用メインローラー20は、円筒状のCFRP製のローラー本体21と、該ローラー本体21の外周に装着された外装体としての円筒状のアウタースリーブ22と、ローラー本体21の両端に装着されたボス部24とを備えている。ローラー本体21の外周面とアウタースリーブ22の内周面との間に金属製スリーブを設けてもよい。ローラー本体21がCFRP製で、低比重かつ高強度であるところから、これを高速回転させてインゴット等を効率よく切断することができる。また、CFRPは低熱膨張であるので、インゴット等を高精度にて切断することができる。 (もっと読む)


【課題】正確に切断でき、切断時のウェハ歩留まりを上げられる単結晶を切断する方法及び装置を提供すること。
【解決手段】切断機の外側の装置10で単結晶の結晶面と外面との間の角度を測定する工程と、オートコリメーション・テレスコープ25を使用して角度を測定した後に切断機にて外面2の方位を測定する工程と、所定の結晶面が送り方向に対し所定角度をなすよう外面の方位に基づき単結晶を位置決めする工程と、切断を行う工程とを含み、結晶面と外面との間の角度を測定する工程は、外面が基準軸に対してなす角度をオートコリメーション・テレスコープ14によって測定する工程と、基準軸に対する結晶面の角度をX線ゴニオメータによって測定する工程と、補正値を得るために測定した角度同士を差し引く工程とを含み、単結晶を位置決めする工程は、方位合わせ装置24を用いて外面の測定された方位と得られた補正値とに基づき位置決めする工程を含む。 (もっと読む)


【課題】マルチワイヤーソーおよびこれを用いたウエハ製造方法を得ること。
【解決手段】シリコンブロック1の下部端面1cの高さおよび角度を調整する高さ・角度調整機構と、シリコンブロック1の奥行き方向17全域に亘って、加工開始時に最初にワイヤー4に当接する部分1cとワイヤー4との隙間dを、ワイヤーガイドローラ溝6aの深さd1からワイヤー4の直径d2を差引いた長さd3よりも小さい長さの隙間になるように前記高さ・角度調整機構を調整して加工を開始させる制御手段と、を備える。 (もっと読む)


【課題】ワイヤソーによる円柱状のワークの切断において、Warpの発生を簡単に効果的に抑制することができるワークの切断方法を提供することを目的とする。
【解決手段】複数のワイヤガイド間に螺旋状にワイヤを巻回することによって形成されるワイヤ列に円柱状のワークを押圧し、前記ワークとワイヤとの接触部にスラリを供給しながら前記ワイヤを走行させることによって、前記ワークをウェーハ状に切断するワークの切断方法において、切断開始前に前記ワークを、前記供給するスラリの切断開始時の温度以上、前記ワークの切断中に達するワークの最高温度以下の温度に加温してから該ワークを切断することを特徴とするワークの切断方法。 (もっと読む)


【課題】固定砥粒を利用したワイヤーソー10による加工において、好ましい部分に砥粒を固定させたソーワイヤー14を用いて、ワークを効率よく加工する方法を提供する。
【解決手段】無砥粒部分48を所定の位置に所定の長さだけ設けたソーワイヤー14を用いるシリコンインゴット60の切削加工方法において、用いるワイヤーソー14のボビン12、18形状に合わせた長さの無砥粒部分48を端部に設け、ボビン12、18を回転させてソーワイヤー14を固定し、更に、ボビン12、18の巻き取り面を平滑にし、シリコンインゴット60切削を行うことを特徴とする加工方法。 (もっと読む)


【課題】廃スラリーから砥粒およびクーラントを回収して再使用した再生スラリーを供給しながら、ワイヤソーによりシリコンインゴットを切断するにあたって、切断品質の低下を防ぐとともに、回収率を向上させることでコストの増加を抑制しながら切断することができる方法を提供する。
【解決手段】ワイヤソーによるシリコンインゴットの切断時の廃スラリーを1次遠心分離して1次分離液と固形分に分離し、1次分離液の少なくとも一部を2次遠心分離して廃スラジと2次分離液に分離し、2次分離液と固形分を回収し、新砥粒と新クーラントを加えて再生スラリーを調合してワイヤソーに供給しつつシリコンインゴットを切断するシリコンインゴットの切断方法であって、2次遠心分離において、1次分離液の50質量%以上の量の2次分離液を回収するとともに、再生スラリーを調合するときにシリコン濃度を6質量%以下にしてワイヤソーに供給する切断方法。 (もっと読む)


【課題】インゴットの切り終わり時の座り状態を安定化して維持し、インゴットの切断の際のカケやチップの発生を抑制することで製品歩留りを向上させることができるインゴット切断装置及びインゴットの切断方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、切断テーブルの上面に設置され、該切断テーブル上に載置される前記インゴットとの間に介在するVプロセスパッドを有し、該Vプロセスパッドは、パッド本体内に粉粒体を封入し、前記パッド本体の供給部から供給されたエアーを吸引部から吸引して減圧し、前記粉粒体を硬化させることによって表面形状を造形可能なものであり、前記Vプロセスパッドを減圧して前記Vプロセスパッドの載置面の表面形状を該載置されたインゴットの表面形状に沿うように造形して前記インゴットと前記Vプロセスパッドとを密着させて前記インゴットを切断するものであることを特徴とするインゴット切断装置。 (もっと読む)


【課題】ワークの切断完了時点でも、ワークを接着層により拘束できるようにして、ワイヤに対する端材の干渉や、メインローラの溝に対する端材の入り込みを無くする。
【解決手段】複数の平行なメインローラ2の間に多重に巻き掛けられたワイヤ3を走行させ、走行状態のワイヤ3に、接着層6によりホルダー5に固定されているワーク4を押し当てることによって、ワーク4を目標の厚みtに切断するワイヤソー1において、ワーク4の目標の厚みt方向で、ワーク4の両端部に接着層6を部分的に残しながら、ワーク4について必要な寸法(切断高さH、切断長さL、切断幅W)を確保できる範囲に、ワーク切断域Aを設定しておき、このワーク切断域A内でワイヤ3のワイヤピッチPを目標の厚みtに対応する値に設定するとともに、ワーク切断域A以外をワイヤ飛ばし域Bとし、このワイヤ飛ばし域Bでワーク4と干渉する範囲にワイヤ3を不存在とする。 (もっと読む)


【課題】切断効率を高めるため、特殊な装置を用いず簡便に適切な捻れをワイヤに付加するマルチソーマシン、及び切断方法を提供する
【解決手段】メインローラの円筒面上であって軸芯方向に対して垂直に周回するワイヤの走行溝を、同じピッチ間隔Pで複数有し、該メインローラのうち被加工物を押し当てるワイヤ群を張設する2本のメインローラの走行溝が相互に軸芯方向へずれて対峙する、具体的には走行溝のずれがワイヤ径d(mm)以上、1.0P(mm)未満であるマルチソーマシンとし、更にワイヤ群がメインローラの軸芯方向へd〜1.5Pずらして張設した状態で行う切断方法とする。 (もっと読む)


【課題】加工時に割れ等の破損が生じることがない単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶インゴット1の結晶方位であるC軸4を検出する工程と、前記単結晶インゴット1に基準面形成用樹脂10を固着させる工程と、該基準面形成用樹脂10の上端部を、前記C軸4に対して所定の角度に傾斜する面に加工して基準面11を形成する工程と、この基準面11に基づいて前記単結晶インゴット1をスライス加工する工程と、を有する。基準面形成用樹脂10を研削加工し、単結晶インゴット自体1を直接に研削加工しないため、単結晶インゴット1について割れや欠け等の破損が大幅に抑制される。 (もっと読む)


【課題】半導体に悪影響を及ぼしたり、半導体ウェーハの獲得が困難になるのを抑制し、製造装置を簡素化できる半導体ウェーハの製造方法及びその装置を提供する。
【解決手段】厚い半導体ウェーハ1を搭載する加工ステージ10とレーザ照射装置20用の制御装置30により、集光レンズ23の光軸27を半導体ウェーハ1の表面周縁部に位置させ、半導体ウェーハ1内に集光点を形成できるようレーザ照射装置20の高さを調整する機能、集光点の線速度が一定になるよう回転ステージ11を回転させ、照射するレーザ光線21を回転ステージ11の回転毎に半導体ウェーハ1の表面周縁部から中心部方向に移動させる機能、回転ステージ11の回転軸16と光軸27が近距離に達した場合に回転ステージ11とレーザ照射装置20を停止し、加工ステージ10を移動させ、半導体ウェーハ1の表面中心部にレーザ光線21を照射して中間品を形成する機能を実現する。 (もっと読む)


【課題】シリコンインゴットを切断するときに、切断に伴う欠けを防止できるようにする。
【解決手段】シリコンインゴット5から製品として用いない部分を切り落とし部24として切断し、製品として用いる製品ブロック23を得る切断装置において、製品ブロック23を保持する第1の保持手段16と、切り落とし部24を保持する第2の保持手段17を備え、第1の保持手段16で製品ブロック23を保持すると共に第2の保持手段17で切り落とし部24を保持した状態でシリコンインゴット5を切断するバンドソー12を備える。シリコンインゴット5を製品ブロック23と切り落とし部24に切断加工する際、第1,第2の保持手段16,17により製品ブロック23と切り落とし部24の両者を保持した状態で切断を行なうことができるから、製品ブロック23から切り落とされる切り落とし部24の自重により切断面近傍に欠けが発生することを防止できる。 (もっと読む)


本発明は、切断プロセスの前、その間、または、その後にワイヤソーの各構成要素を洗浄すべく、または、自浄式ワイヤソー切断装置の切断領域を湿潤すべく適合された洗浄機構を含むという自浄式ワイヤソー切断装置を提供する。本自浄式ワイヤソー切断装置は、ワイヤソーの種々の構成要素上へと水性流体を供与すべく適合された少なくとも一個の供与器を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】極めて簡単な構造でシリコンインゴットなどの被加工材の両サイドを高精度で平行に切断することができる切断装置を提供する。
【解決手段】同一径の第1のブレードホイール15と第2のブレードホイール16とを並設し、これら2つの第1,第2のブレードホイール15,16に環状のバンドソー17を掛け回すことで、バンドソー17に平行関係を有する一対の切断部21a,21bを形成する。これにより、バンドソー17を回転用モーター12で回転駆動し、往路方向に移送される一方の切断部21aと、往路とは反対向きの復路方向に移送される他方の切断部21bとによって、保持手段5で保持されたシリコンインゴット4の両サイドを高精度で平行に切断することができる。 (もっと読む)


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