【課題】２つの基板が貼り合わされて構成された半導体力学量センサにおいて、製造工程の短縮化を図ると共に積層構造の簡素化を図る。
【解決手段】第１半導体基板１２０に配線部パターン１３３および周辺部パターン１３４を含んだパターン部１３０を形成したものを用意し、第２半導体基板１４２上に第１絶縁層１４４を形成した支持基板１４０を用意する。そして、配線部パターン１３３および周辺部パターン１３４を第１絶縁層１４４に直接接合することにより、第１半導体基板１２０と支持基板１４０とを貼り合わせる。この後、第１半導体基板１２０にセンサ構造体１１０を形成し、周辺部１５０にキャップ２００を接合する。そして、キャップ２００に第１〜第４貫通電極部３００〜３３０を形成することにより半導体力学量センサが完成する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ電極の厚みを薄くすることができ、しかもＣｕ電極の厚みを薄くしてもＣｕ電極にクラックやボイド、剥がれなどが生じにくく、接合強度の高い電極構造を提供する。
【解決手段】カバー基板７１に設けた貫通孔７２にＣｕの貫通配線７５を設ける。カバー基板７１の表面において、貫通配線７５の端部にはＣｕ電極８２を設ける。Ｃｕ電極８２の表面は、Ｓｎの拡散係数が３×１０^−２３ｃｍ^２／sec以下である材料、例えばＴｉやＮｉからなる拡散防止膜８３でＣｕ電極８２の全体を覆う。さらに、拡散防止膜８３の上にＡｕからなる濡れ性改善層８４を設け、その上にＡｕ−Ｓｎ系はんだからなる接合用のはんだ層８５を設ける。 （もっと読む）

【課題】分光可能な波長域が広く、かつ、分光された光の透過率および分解能が大きい波長可変干渉フィルター、測色センサー、および測色モジュールを提供する。
【解決手段】エタロンは、互いに対向する一対のミラー５６，５７と、これらのミラー間の間隔であるミラー間ギャップを可変する静電アクチュエーターと、を備える。そして、一対のミラー５６，５７は、それぞれ、複数の誘電体膜５５１と、これらの誘電体膜５５１の間に設けられ、互いに対向する誘電体膜５５１間の距離を所定の寸法に保持するとともに、互いに対向する誘電体膜５５１間に空気層５５３を形成するポスト部材５５２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能なＭＥＭＳ素子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ素子１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成された空洞部３２と、空洞部３２に収容された第１振動子２０ａと、空洞部３２に収容された第２振動子２０ｂと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 小型で性能が高い受動素子を備えた半導体装置を実現する。
【解決手段】 インダクタ１３などの受動素子が形成された絶縁基板１１を、第１の回路１２と電気的に接続された第２の回路２２が形成された半導体基板２１と積層して一体的に形成した半導体装置１０を構成する。これにより、受動素子の配線と基板間の寄生容量を低減し、配線の相互干渉を低減することができるため、受動素子の性能を向上させることができる。相互干渉を低減することができるため隣接する配線の間隔を狭くすることが可能で、アンテナの構成要素としてのインダクタ１３の専有面積を小さくすることができるので、半導体装置１０を小型化することができる。 （もっと読む）

【課題】センサ素子にダメージを与えることなく、キャップ接合に用いる接着樹脂の残渣を低減できるセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】センサ素子を形成した基板上に、該センサ素子を囲繞する平面形状の感光性接着樹脂を介して、前記センサ素子の上方を覆うキャップを接合してなるセンサの製造方法において、感光性接着樹脂の塗布前に、上記センサ素子を含む基板表面全体に、感光性接着樹脂の現像液に可溶の材料からなる下地層を形成しておく。そして、この下地層上に塗布した感光性接着樹脂を露光及び現像し、感光性接着樹脂の現像液によって、感光性接着樹脂の露光した領域と該露光領域の下に位置する下地層とを一緒に除去する。 （もっと読む）

【課題】気密空間の気密信頼性が向上されたウェハレベルパッケージ構造体、センサエレメント、センサデバイス、及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】センシング部を有するセンサ本体が複数形成されたセンサウェハと、センシング部を気密封止する空間を形成するための凹部が少なくとも１つ形成されたパッケージウェハとが常温接合されており、センサウェハとパッケージウェハとの接合面が環状に形成され、その環状の接合面における外周側の端部が、センサウェハとパッケージウェハそれぞれの外表面に形成された蒸着膜若しくは熱酸化膜によって閉塞されている。 （もっと読む）

【課題】気密封止光偏向器パッケージを有する画像表示装置における往復走査の同期方式はパッケージ外に設けた光ビーム検出器の検出信号に基づいて行っていたために、有効光ビームへの影響が大きく、装置が大型化する。
【解決手段】封止ガラス１は中央に光学透過窓１１を有し、その周辺に遮光カバー１２ａが形成された遮光部１２を有する。光偏向器２をセラミック実装基板３のキャビティ３ａ内に配置し、セラミック実装基板３のキャビティ３ａを封止ガラス１によって気密封止してある。有機薄膜フォトセンサ４ａ、４ｂはパッケージ内部にあって、光偏向器２のマイクロミラー２１から反射される走査光ビームが通過する光学透過窓１１の極近傍に設けられている。 （もっと読む）

【課題】マイクロチップなどの反応容器と蓋材が適正なシール温度で熱溶着されたかどうかをシール直後に判定し、シール異常時には直ちにシール動作を停止するシール装置を提供する。
【解決手段】反応容器／蓋材の表面温度を計測する温度計測手段と、シールの良否を検査するための検査条件設定手段と、温度計測手段により計測された温度計測データを取り込む計測データ取り込み手段と、計測データ取り込み手段によって取り込まれた計測値と検査条件設定手段により設定された良否判定閾値を比較する判定処理手段と、を備えたシール検査機能を有し、かつ、前記検査条件設定手段により設定された検査条件を記録する記録する情報記録手段と、前記判定処理手段によってシール不良と判定された場合にシール動作の停止指令を出力する制御手段と、を備えたことを特徴とするシール装置。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を実装する部材と信号入出力手段を設けている部材とが別部材となったパッケージ構造を有する半導体装置の構造を簡略にする。
【解決手段】マイクロフォン４１のパッケージを、カバー４４と基板４５によって構成する。カバー４４に設けた凹部４６内にはマイクチップ４２と回路素子４３を納めて凹部４６の天面に接着固定する。凹部４６の外側においてカバー４４の下面には複数個のボンディング用パッド４８を設ける。回路素子４３にボンディングワイヤ５１ａの一端を接続し、その他端をボンディング用パッド４８に接続する。基板４５は信号入出力手段として信号入出力端子５８を有しており、基板４５の上面には信号入出力端子５８と導通した接続電極５４がボンディング用パッド４８と対向して設けられている。基板４５とカバー４４は、接続電極５４とボンディング用パッド４８を導電性接着剤やハンダなどの導電性部材６０により接合される。 （もっと読む）

【課題】基準圧室としての空洞を基板の内部に設けることにより、低コスト化かつ小型化を実現可能な圧力センサを提供すること。
【解決手段】この圧力センサ１は、シリコン基板２を備えている。シリコン基板２の内部には、シリコン基板２の主面に平行な方向に平たい扁平空間４が形成されており、この扁平空間４とシリコン基板２の表面２１との間には貫通孔６が形成されている。貫通孔６にアルミニウム充填体８が充填されて埋め込まれることにより、扁平空間４は、基準圧室として密閉されている。そして、扁平空間４に対してシリコン基板２の表面２１側には、シリコン基板２におけるその表面２１と扁平空間４との間の部分（ダイヤフラム５）の歪み変形により電気抵抗が変化するピエゾ抵抗Ｒ１〜Ｒ４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】パッケージへ伝達された熱や応力に対して安定した動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体加速度センサ装置１は、内部にキャビティ２１ｃを有するパッケージ２１と、所定の素子を有する半導体チップ１０と、上面の所定領域３２ａに半導体チップが固着されたスペーサ３２と、スペーサ３２の下面における所定領域３２ａ下以外の領域とキャビティ内のパッケージの底面２１ａとを接着する接着部３３とを備え、半導体チップに形成された第１電極パッド１６と、パッケージに形成され、少なくとも一部がキャビティ内部で露出された配線パターン２３と、パッケージの底面に形成され、配線パターンと電気的に接続された第２電極パッド２２と、第１電極パッドと、露出された配線パターンとを接続する金属ワイヤ２６とをさらに有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成され、空洞部３２を有する層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃと、空洞部３２に収容された機能素子２０と、空洞部３２の上方に形成された第１被覆層４０と、空洞部３２の上方を避けて層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃの上方に形成された樹脂層５０と、第１被覆層４０の上方に形成された第２被覆層６０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ装置が備える性能を十分に発揮しうる装置構成を採用しつつ、徒らに製造工程数が増加することを防止し、製造時間の短縮を図ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】基板２と、基板２上に設けられる有機絶縁膜３と、有機絶縁膜３上に、有機絶縁膜３よりも薄く形成される無機絶縁膜４と、無機絶縁膜４上に形成され、その内部にＭＥＭＳ素子５を中空に封止する中空封止構造体６と、有機絶縁膜３と無機絶縁膜４とを貫通して形成される貫通孔７と、貫通孔７に充填されて基板２に形成される電極とＭＥＭＳ素子５とを電気的に接続する導電性部材８とを備える。 （もっと読む）

【課題】特性の良い機能素子を有する電子装置を製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】電子装置の製造方法によれば、基板１０の上方に機能素子２０を形成する工程と、機能素子２０を覆う層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃを形成する工程と、機能素子２０の上方であって、層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃの上方に第１被覆層４０を形成する工程と、第１被覆層４０に貫通孔４２を形成する工程と、層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃの上方および第１被覆層４０の上方に樹脂層５０を形成する工程と、貫通孔４２の上方の樹脂層５０に、貫通孔４２と連通する開口部５２を形成する工程と、貫通孔４２を通して機能素子２０の上方の層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃを除去し、空洞部３２を形成する工程と、貫通孔４２の上方に第２被覆層６０を形成して、貫通孔４２を塞ぐ工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】短時間で製造することができ、十分な気密性を有するとともに、基板の反りを低減させることができる貫通電極、微小構造体及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】導電性を有する基板１０の所定領域を貫通トレンチ２１で囲み、貫通トレンチ２１内に絶縁膜５０を形成して周囲から絶縁分離した貫通電極６０において、絶縁膜５０は、貫通トレンチ２１の側面から化学気相成長させたシリコン膜４０を熱酸化したシリコン熱酸化膜５０である。 （もっと読む）

【課題】封止基板の接合での気密封止パッケージで発生する内部応力による振動デバイスの共振周波数の変化やばらつきを低減し安定した特性の共振振動デバイスを提供する。
【解決手段】共振振動デバイスは、振動部が形成されている基板と、該基板に接合されて気密封止する封止基板とによって構成され、振動部が形成されている基板に封止基板に接合する接合フレーム１０１とは別に振動部を支持する支持フレーム１０３が設けられていて、接合フレーム１０１と支持フレーム１０３とがそれぞれのフレームよりも剛性の小さい部材によって結合されている。 （もっと読む）

【課題】音響検知部と振動検知部との間における機械的振動の伝達効率を向上させることによって音響センサのノイズ除去効果を高めることにある。
【解決手段】シリコン基板２８に、表裏に貫通する縦孔部３１ａと水平に伸びた横孔部３１ｂからなるバックチャンバ３１を形成する。縦孔部３１ａの上端はシリコン基板２８の上面で開口し、横孔部３１ｂの先端はシリコン基板２８によって塞がれている。シリコン基板２８の上面には、縦孔部３１ａの上面開口を覆うように形成された振動電極板３３ａと振動電極板３３ａに対向する固定電極板３４ａによって音響検知部２９を作製する。音響検知部２９の固定電極板３４ａには、音響振動を通過させるための音響孔４３ａを開口する。また、横孔部３１ｂの上方において、シリコン基板２８の上面に、振動電極板３３ｂと振動電極板３３ｂに対向する固定電極板３４ｂによって振動検知部３０を作製する。 （もっと読む）

【課題】第２シリコン基板の第１シリコン基板と対向する面で、凹部と対向する部位と第１シリコン基板と接合された部位との境界における応力集中を緩和することにより、破壊耐圧を向上させることができる半導体圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】一方の面３に凹部８ａが形成された第１シリコン基板２と、凹部８ａを封止するように第１シリコン基板２に一方の面７が接合された第２シリコン基板６と、第２シリコン基板６の他方の面１２に形成された歪検出素子１３と、第２シリコン基板６の一方の面７で凹部８ａと対向する部位に、少なくとも凹部８ａと対向する部位と第１シリコン基板２の一方の面３と接合された部位との境界を覆うように形成された第１酸化シリコン膜１８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を有するアクチュエータ、液滴噴射ヘッド、並びにそれらの製造方法と液滴噴射装置を提供する。
【解決手段】アクチュエータ２００は、第１の面を有する基板と、第１の方向に延びる複数の第１の導電層４０と、第１の導電層４０の少なくとも一部を、それぞれ覆うように形成された第１の部分５１と、第１の部分５１以外の第２の部分５２ａと、を有する、圧電体層５０と、第１の面と直交する方向から見て、第１の導電層４０の少なくとも一部とオーバーラップし、かつ、第１の部分５１の少なくとも一部を覆う第２の導電層６０と、第２の導電層６０の上に形成され、第１の方向に延びる第１リード配線７１と、第１リード配線７１の一部を覆うように形成された保護膜８０と、を含み、圧電体層５０は複数の第１の開口部５６を有し、圧電体層５０の第１の部分５１は、第１の開口部５６に挟まれた部分である。 （もっと読む）