【課題】気密封止光偏向器パッケージを有する画像表示装置における往復走査の同期方式はパッケージ外に設けた光ビーム検出器の検出信号に基づいて行っていたために、有効光ビームへの影響が大きく、装置が大型化する。
【解決手段】封止ガラス１は中央に光学透過窓１１を有し、その周辺に遮光カバー１２ａが形成された遮光部１２を有する。光偏向器２をセラミック実装基板３のキャビティ３ａ内に配置し、セラミック実装基板３のキャビティ３ａを封止ガラス１によって気密封止してある。有機薄膜フォトセンサ４ａ、４ｂはパッケージ内部にあって、光偏向器２のマイクロミラー２１から反射される走査光ビームが通過する光学透過窓１１の極近傍に設けられている。 （もっと読む）

【課題】圧電素子のヒステリシス特性のばらつきの少ない圧電アクチュエーターの製造方法を提供する。
【解決手段】上電極８０とリード電極との密着性を高めるスパッタエッチングにおいて、上電極８０の表面を、Ａｒガス流量を６０ｓｃｃｍ以上で導入しながらスパッタエッチングすることにより、Ａｒガスの導入によるＡｒガスの流れによって、Ａｒイオンの上電極８０表面での滞留時間を短くできる。したがって、イオン化したＡｒガスが表面に滞留することによる上電極８０のチャージアップを抑えることができ、チャージアップによる圧電素子３００への影響を少なくでき、圧電素子３００の圧電体層７０のヒステリシス特性のばらつきおよび変位特性のばらつきの少ない圧電アクチュエーターの製造方法を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】基準圧室としての空洞を基板の内部に設けることにより、低コスト化かつ小型化を実現可能な圧力センサを提供すること。
【解決手段】この圧力センサ１は、シリコン基板２を備えている。シリコン基板２の内部には、シリコン基板２の主面に平行な方向に平たい扁平空間４が形成されており、この扁平空間４とシリコン基板２の表面２１との間には貫通孔６が形成されている。貫通孔６にアルミニウム充填体８が充填されて埋め込まれることにより、扁平空間４は、基準圧室として密閉されている。そして、扁平空間４に対してシリコン基板２の表面２１側には、シリコン基板２におけるその表面２１と扁平空間４との間の部分（ダイヤフラム５）の歪み変形により電気抵抗が変化するピエゾ抵抗Ｒ１〜Ｒ４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】特性の良い機能素子を有する電子装置を製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】電子装置の製造方法によれば、基板１０の上方に機能素子２０を形成する工程と、機能素子２０を覆う層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃを形成する工程と、機能素子２０の上方であって、層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃの上方に第１被覆層４０を形成する工程と、第１被覆層４０に貫通孔４２を形成する工程と、層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃの上方および第１被覆層４０の上方に樹脂層５０を形成する工程と、貫通孔４２の上方の樹脂層５０に、貫通孔４２と連通する開口部５２を形成する工程と、貫通孔４２を通して機能素子２０の上方の層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃを除去し、空洞部３２を形成する工程と、貫通孔４２の上方に第２被覆層６０を形成して、貫通孔４２を塞ぐ工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成され、空洞部３２を有する層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃと、空洞部３２に収容された機能素子２０と、空洞部３２の上方に形成された第１被覆層４０と、空洞部３２の上方を避けて層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃの上方に形成された樹脂層５０と、第１被覆層４０の上方に形成された第２被覆層６０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】パッケージへ伝達された熱や応力に対して安定した動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体加速度センサ装置１は、内部にキャビティ２１ｃを有するパッケージ２１と、所定の素子を有する半導体チップ１０と、上面の所定領域３２ａに半導体チップが固着されたスペーサ３２と、スペーサ３２の下面における所定領域３２ａ下以外の領域とキャビティ内のパッケージの底面２１ａとを接着する接着部３３とを備え、半導体チップに形成された第１電極パッド１６と、パッケージに形成され、少なくとも一部がキャビティ内部で露出された配線パターン２３と、パッケージの底面に形成され、配線パターンと電気的に接続された第２電極パッド２２と、第１電極パッドと、露出された配線パターンとを接続する金属ワイヤ２６とをさらに有する。 （もっと読む）

【課題】高い導電性を有しかつ繰り返し動作しても機械的な物性の変化が抑制される可動部を備えたＭＥＭＳデバイスを提供すること。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に設けられる支持層１４ａ、１４ｂと、基板１１上に設けられる固定電極１２と、支持層１４ａ、１４ｂによって支持されており、固定電極１２と対向して設けられる可動電極１３と、を備え、可動電極１３は、導電性を有する材料からなる電気的機能層１３１と、電気的機能層１３１よりも強度が高い材料または電気的機能層１３１よりも脆性が高い材料からなる補強材料層１３２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】第２シリコン基板の第１シリコン基板と対向する面で、凹部と対向する部位と第１シリコン基板と接合された部位との境界における応力集中を緩和することにより、破壊耐圧を向上させることができる半導体圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】一方の面３に凹部８ａが形成された第１シリコン基板２と、凹部８ａを封止するように第１シリコン基板２に一方の面７が接合された第２シリコン基板６と、第２シリコン基板６の他方の面１２に形成された歪検出素子１３と、第２シリコン基板６の一方の面７で凹部８ａと対向する部位に、少なくとも凹部８ａと対向する部位と第１シリコン基板２の一方の面３と接合された部位との境界を覆うように形成された第１酸化シリコン膜１８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ダイシングやアセンブリ中の処理環境等から壊れやすいＭＥＭＳデバイスを保護することが可能な封止構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスを含むチャンバを覆う膜と、膜を支持し膜を基板に接続するアンカーからなる封止構造において、アンカーと膜を形成する構造材料を多結晶ＳｉＧｅで形成し、犠牲層を用いたウエハレベルパッケージプロセスにより製造する。また、チャンバ内をＳｉ酸化物で充填した構造とする。 （もっと読む）

【課題】 分散性に優れた液滴を生成することができるマイクロリアクターを提供する。
【解決手段】第１流路３と当該第１流路３に合流する第２流路４とを内部に有するマイクロリアクター本体２を備え、第１流路３は、第２流路４が合流するように流路面に開口する合流口９と、合流口９から第１流路３の下流に延びる分離部８とを備えており、分離部８は、第１流路３の凹凸状基部１３の表面に皮膜１６がコーティングされることにより凹凸状に形成されているマイクロリアクターである。 （もっと読む）

【課題】引き出し電極の抵抗値が小さく、引き出し電極の周りで寄生容量が形成され難い半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンからなるベース基板Ｂ４であって、絶縁分離された複数個のベース半導体領域Ｂｓが上面の表層部の所定領域Ｒ１に形成されてなるベース基板Ｂ４と、シリコンからなるキャップ基板Ｃ４であって、ベース基板Ｂ４の所定領域Ｒ１において、下面がベース基板Ｂ４の上面に貼り合わされるキャップ基板Ｃ４とを有してなる半導体装置１００において、下面が所定のベース半導体領域Ｂｓに接続し、キャップ基板Ｃ４を貫通するようにして、上面がキャップ基板Ｃ４の上面まで伸びる、金属４０で構成された引き出し電極Ｄｅ１が、当該引き出し電極Ｄｅ１の周りにおいて、キャップ基板Ｃ４との間に溝３５を有するように形成されてなる半導体装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】従来の領域分割基板と較べて部分領域を引き出し導電領域として利用した場合の抵抗値が小さく、導電性、半導電性または絶縁性の任意の基板材料を用いることができ、適用制限の少ない領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０の第１表面Ｓ１から第２表面Ｓ２に亘って、当該基板３０を貫通するように形成されたトレンチ３１ａによって、当該基板３０が複数の部分領域Ｃｅに分割され、トレンチ３１ａによって形成された部分領域Ｃｅの側壁に、第１表面Ｓ１の側から第２表面Ｓ２の側に亘って、当該基板３０より高い導電率を有する導電層３５が形成され、導電層３５を介して、トレンチ３１ａ内に絶縁体３１ｂが埋め込まれてなる領域分割基板Ａ１０とする。 （もっと読む）

【課題】設計が容易であって、且つ接点間の開閉性能を劣化させることなく接点間の閉成時の衝撃を緩和するとともに、接点の接触圧を確保することのできる接点装置及びそれを用いたリレー、並びにマイクロリレーを提供する。
【解決手段】固定接点１０と、可動接点２１ａと、可動部２と、ベース１とを備え、可動部２には、ベース１の対向する部位と当接することで可動部２の変位量を規制するストッパ２０ａと、ストッパ２０ａと当接することで当接する際の衝撃を吸収する衝撃吸収部材１１とが設けられ、衝撃吸収部材１１は、他の部材と接触する瞬間には剛体に似た抵抗を有し、その後接触中においては概ねばね定数が無いように変形する軟質材料から成る。 （もっと読む）

次の工程を含む、ホールに少なくとも部分的に閉塞部を挿入するための方法：ａ）１μｍ〜３００μｍの最大寸法を有する少なくとも１つのホールを備えた少なくとも１つの基材（２）を与える工程；ｂ）前記少なくとも１つのホールよりも大きな寸法を有する材料片（１）を与える工程；ｃ）前記材料片（１）を前記ホールに対して道具を用いて押圧して、閉塞部を形成する工程であって、前記材料片（１）の少なくとも一部を前記ホールに圧入する工程；及びｄ）前記道具を前記材料片（１）から取り除く工程。この方法によって作成された閉塞ホールを、さらに開示している。１つの実施態様の１つの利点は、産業上利用可能なワイヤーボンディング技術を、様々なキャビティを封止するために使用できることである。既存のワイヤーボンディング技術は、この閉塞化を早くかつ安価にする。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ、ＮＥＭＳなどの半導体素子を封入する方法、および空隙を形成する方法、および関連した素子を提供する。
【解決手段】半導体素子を製造する方法は、非平坦な立体形状を有し、実質的な地形変動を含む主面を備えた基板を用意することと、上面および下面を有する第１キャップ層を主面の上に形成することとを含む。第１キャップ層の形成の際、第１キャップ層に局所欠陥が導入され、局所欠陥は、実質的な地形変動に対応した場所に位置決めされており、局所欠陥は、所定の流体が通過できるのに適している。 （もっと読む）

【課題】デバイス本体に不要な応力がかかるのを抑制しつつ、外部物体との接触によるボンディングワイヤの破損を防止することが可能なＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板（半導体基板）１００を用いて形成され複数のパッド１３を一表面側に備えたデバイス本体１、デバイス本体１の上記一表面側に接合された表面側保護基板２、デバイス本体１の他表面側に接合された裏面側保護基板３を有するＭＥＭＳチップＣと、ＭＥＭＳチップＣが実装された実装基板５とを備える。表面側保護基板２は、デバイス本体１の各パッド１３それぞれを全周に亘って露出させる複数の貫通孔２０２が形成され、且つ、各貫通孔２０２それぞれに各別に連通するととともに貫通孔２０２側とは反対側が開放されデバイス本体１のパッド１３と実装基板５の導体パターン５０２とを電気的に接続するボンディングワイヤを通す複数の溝部２０３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】小型化を図りつつ光の走査角度の広角化を図れるＭＥＭＳ光スキャナを提供する。
【解決手段】外側フレーム部１０、ミラー面２１が設けられた可動部２０、一対の捩りばね部３０，３０を有するミラー形成基板１と、ミラー形成基板１に接合された第１のカバー基板２および第２のカバー基板３とを備える。外側フレーム部１０に形成された固定電極１２と可動部２０に形成された可動電極２２とで、可動部２０を駆動する駆動手段を構成している。第１のカバー基板２におけるミラー形成基板１側に、第１のカバー基板２を通して入射し１つのミラー面２１で反射した光を当該ミラー面２１側へ反射する複数の固定ミラー６が並設されている。 （もっと読む）

【課題】低コストで信頼性が高く、光の不要な反射を抑制することが可能なＭＥＭＳ光スキャナおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板（半導体基板）１００を用いて形成され、外側フレーム部１０、ミラー面２１が設けられた可動部２０、一対の捩りばね部３０，３０を有するミラー形成基板１と、第１のガラス基板２００を用いて形成されミラー形成基板１の一表面側に接合された第１のカバー基板２と、ミラー形成基板１の他表面側に接合された第２のカバー基板３とを備える。第１のカバー基板２および第２のカバー基板３がミラー形成基板１と同じ外形寸法に形成され、第１のカバー基板２におけるミラー形成基板１とは反対の外表面側に、透光性樹脂もしくは低融点ガラスにより形成され光の反射を抑制する微細周期構造６を有する。 （もっと読む）

【課題】ミラー面の振れ角に応じて出力が変化するように配置された受光素子を備えた構成の採用による小型化を図ながらも、ミラー面において光ビームを入射させる位置が制限されたりミラー面の振れ角が制限されるのを防止することが可能なＭＥＭＳ光スキャナを提供する。
【解決手段】外側フレーム部１０、ミラー面２１が設けられた可動部２０、一対の捩りばね部３０，３０を有するミラー形成基板１と、ミラー形成基板１に接合された第１のカバー基板２および第２のカバー基板３とを備える。受光素子６は、ミラー面２１で反射された光のうち第１のカバー基板２を透過する主光線Ｉ１ではなく第１のカバー基板３におけるミラー面２１側の表面で反射された副光線Ｉ２を受光しミラー面２１の振れ角に応じて出力が変化するように、第１のカバー基板２の上記表面側に配置してある。 （もっと読む）

【課題】捩り撓みヒンジで連結されて相対的に回転する微細加工部材の改良された構造体を提供する。
【解決手段】基準フレームを動的プレート５８に連結し、フレームを捩りバーではなく、折返し捩り撓みヒンジ９６でプレートに連結する。そして、折返し捩り撓みヒンジ９６はプレート５８をフレーム側から支持するもので、３つの基本ヒンジ素子１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃから成り、各基本ヒンジ素子１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃの縦軸９８の向きは、プレート５８の回転軸６２に垂直ではなく、折返し捩り撓みヒンジ９６の中間部１０４が、基本ヒンジ素子１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃの直隣接端１０６を相互連結し、基本ヒンジ素子１０２ｂは、フレームに対して、軸６２を中心とするプレート５８の角回転を測定する捩りセンサ１０８を備えるように構成する。 （もっと読む）