【課題】機械的構造体の適切な、向上した及び／又は最適な動作のための制御された又は制御可能な環境を含むＭＥＭＳを提供する。
【解決手段】機械的構造体の少なくとも一部の上に犠牲層を堆積させ、該犠牲層の上に第１の封止層を堆積させ、犠牲層の少なくとも一部を露出させるように第１の封止層を貫通して少なくとも１つのベントを形成し、犠牲層の少なくとも一部を除去してチャンバを形成し、少なくとも１つの比較的安定したガスをチャンバに導入し、少なくとも１つのベント上又は少なくとも１つのベント内に第２の封止層を堆積させ、これにより、チャンバをシールし、この場合、前記第２の封止層が、半導体材料である。 （もっと読む）

【課題】フレア光の発生を抑えつつ、ＭＥＭＳミラーの動作の安定化を図ることができる光走査装置を提供することに。
【解決手段】レーザーダイオード（光源）と、該レーザーダイオードから出射される光ビームを偏向するＭＥＭＳミラーと、前記レーザーダイオードから出射される光ビームを前記ＭＥＭＳミラー上に線状に結像させる自由曲面ミラー（結像素子）と、前記ＭＥＭＳミラーによって偏向された光ビームを被走査面上に結像させる走査レンズ３３，３４を備えた光走査装置１３において、パッケージ壁３１とその開口部を覆うパッケージカバー及びカバーガラス３０によってＭＥＭＳ室３１を形成し、該ＭＥＭＳ室３１に前記レーザーダイオードと前記ＭＥＭＳミラー及び前記自由曲面ミラーを収容するとともに、ＭＥＭＳ室３１を気密封止する。 （もっと読む）

【課題】上部電極の直下に下部電極を簡単に形成でき、上部電極と下部電極との短絡を防止し、センサの検出精度を向上できるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ベース基板７上に駆動用電極２２を選択的に形成し、駆動用電極２２を被覆するように、ＳｉＯ_２からなる電極被覆膜２３を形成する。次に、電極被覆膜２３上に、犠牲ポリシリコン層５２および犠牲酸化膜５３を順に形成する。次に、犠牲酸化膜５３上に、ポリシリコン層２６を形成し、エッチングにより、固定電極２７、可動電極２８およびコンタクト電極２９の形状に成形する。同時に、それらの間にトレンチ５６を形成する。次に、トレンチ５６の底部をさらに掘り下げて、犠牲酸化膜５３から犠牲ポリシリコン層５２を露出させる。そして、犠牲ポリシリコン層５２を完全に除去することにより、固定電極２７の櫛歯部３２および可動電極２８の櫛歯部３９の直下に空洞３７を形成する。 （もっと読む）

【課題】互いに噛み合う櫛歯状の第１電極および第２電極の大きさのばらつきを少なくでき、センサの検出精度を向上できるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ベース基板７をエッチングすることにより、柱状部２９およびベース部３０を形成する。次に、当該柱状部２９およびベース部３０を熱酸化することにより、これらを絶縁膜に変質させる。これにより、柱状部２９からなる絶縁層８５およびベース部３０の表層部からなるベース絶縁層２１を形成する。次に、ベース絶縁層２１上にポリシリコン層２２を形成し、当該ポリシリコン層２２およびベース絶縁層２１の積層構造をエッチングして、Ｚ固定電極７１およびＺ可動電極７２の形状に成形する。同時に、それらの間にトレンチ５０を形成する。そして、当該トレンチ５０の底部を等方性エッチングすることにより、ベース絶縁層２１直下に凹部２０（空洞２３）を形成する。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスとその製造方法において、封止後に電子デバイス内に残留する脱ガスの量を低減すること。
【解決手段】基板２０の上に下地膜２１を形成する工程と、下地膜２１の上に、感光性樹脂を露光及び現像してなる封止体２５ｂを形成する工程と、封止体２５ｂを加熱することにより、該封止体２５ｂをキュアする工程と、基板１に形成されたスイッチ素子１９に封止体２５ｂを貼付することにより、封止体２５ｂでスイッチ素子１９を封止する工程と、封止の後、下地膜２１を境にして封止体２５ｂから基板１を剥離する工程とを有する電子デバイスの製造方法による。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で高感度の圧力センサを提供する。
【解決手段】圧力センサ１は、半導体基板２を加工してダイヤフラム構造を形成した圧力センサであって、半導体基板２が貫通した貫通部４を１箇所以上ダイヤフラム部３に形成し、半導体基板２が貫通していない薄板部にピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４によるブリッジ回路を形成し、無機または有機材料５ａ〜５ｃにより貫通部４を密閉している。 （もっと読む）

【課題】低コストで簡単な方法により、固定電極および可動電極を保護する層を形成できるＭＥＭＳセンサの製造方法およびこの製造方法で得られるＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】センサ領域１０およびパッド領域を有するベース基板９をエッチングすることにより、露出空間３８を形成し、同時にＺ固定電極８１およびＺ可動電極８２を形成する。次に、センサ領域１０を覆うように第１犠牲層３９および第２犠牲層４０を形成する。次に、底部がパッド領域に対して接着するように、かつ頂部１８が第２犠牲層４０を覆うようにＳｉＯ_２からなる保護層１６を形成する。次に、保護層１６の直下の犠牲層３９，４０を除去して、保護層１６とセンサ領域１０との間に空間を形成する。犠牲層３９，４０の除去後、等方性エッチングにより、Ｚ固定電極８１およびＺ可動電極８２の下方部を連続させて空洞を形成する。 （もっと読む）

【課題】素子面積を減少させることができるとともに、製造コストを低減することができるＭＥＭＳ素子を提供する。
【解決手段】半導体基板２０と、半導体基板２０の主面２０ａに、半導体基板２０と相対変位可能に設けられた可動部３３と、半導体基板２０の主面２０ａ上に、可動部３３を覆うように設けられた蓋部５０と、半導体基板２０の主面２０ａであって、かつ、蓋部５０の外側の領域に設けられた第１の電極端子４１と、蓋部５０の半導体基板２０と対向する面に形成されており、第１の電極端子４１と可動部３３とを電気的に接続する第１の配線５１とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ素子パッケージの設計の自由度を低下させることなく、レーザ光の照射によりガラスフリットが溶解する際に電極が損傷する事態を防止しつつ、強固な封着強度を確保する。
【解決手段】本発明のＭＥＭＳ素子パッケージは、ＭＥＭＳ素子が配置された素子基板と、素子基板のＭＥＭＳ素子側の表面に間隔を置いて対向する封止基板と、ＭＥＭＳ素子の周囲を囲むように素子基板と封止基板との間の隙間を気密封着するガラスフリットを有するＭＥＭＳ素子パッケージにおいて、素子基板とガラスフリットの間に配置され、且つガラスフリットを封着する際に照射されるレーザ光から電極を保護するための金属酸化物膜を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ構造体が内在する空洞部を覆う被覆部の外にエッチング液が流出し難い構造の電子装置を提供する。
【解決手段】基板２上の空洞部３３内に位置し電気駆動される振動素子５と、空洞部３３の周囲を取り巻く絶縁層２９と空洞部３３とを画成する電気伝導性の包囲壁２５と、振動素子５と接続し包囲壁２５を貫通する第１配線８及び第２配線９と、を有し、第１配線８及び第２配線９が包囲壁２５を貫通する場所には絶縁層２９を溶解するエッチング液が空洞部３３から絶縁層２９に流動することを防止し包囲壁２５と第１配線８及び第２配線９とを絶縁する第１耐食絶縁膜１９及び第２耐食絶縁膜２０を備える。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ素子の耐衝撃性、気密性、信頼性を向上させ、低背化することができるＭＥＭＳデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】固定部、固定部に対して変位する可動部、及び固定部に配置された端子を有するＭＥＭＳ素子と、可動部に対向して配置され、貫通電極を有する貫通電極基板と、端子及び貫通電極との間に配置され、端子及び貫通電極を電気的に接続する導電性部材と、少なくとも導電性部材の配置位置の周囲の一部に導電性部材と接して配置された樹脂層、を備え、導電性部材及び樹脂層の高さは、それぞれ、可動部の変位を貫通電極基板で規制する高さであり、導電性部材及び／又は樹脂層は、可動部と前記貫通電極基板とを封止することを特徴とするＭＥＭＳデバイス。 （もっと読む）

【課題】往復振動するミラー基板を有するマイクロミラー装置において、ミラー基板の重畳増加を最小限に抑えつつ剛性を向上させて、ミラー基板を高速で往復振動させた場合でも、該ミラー基板の動的変形を確実に防止する。
【解決手段】ミラー基板１０３は、一対の捻り梁１０２で揺動可能に支持され、該捻り梁１０２をねじり回転軸として往復振動する。このミラー基板１０３の光反射面とは反対側の裏面に、該ミラー基板１０３の動的変形を抑えるための構造補強部材１０４を設け、これを三次元規則配列多孔体で構成する。三次元規則配列多孔体は、多数の微粒子による最密充填構造体を形成した後に、前記微粒子とは異なる材料からなる物質を空隙に充填して固化し、その後、微粒子を選択的に除去することによって、該微粒子の占めていた領域が空隙として残された構造のいわゆるインバースオパール構造体である。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイスを形成する方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイス（１０）を形成する方法は、基板（１２）上に犠牲層（３４）を形成するステップを含む。方法は、犠牲層（３４）上に金属層（４２）を形成するステップ、および金属層（４２）を覆う保護層（４４）を形成するステップをさらに含む。方法は、保護層（４４）および金属層（４２）をエッチングして、金属層の残り部分上に形成された保護層の残り部分を有する構造（５６）を形成するステップをさらに含む。方法は、犠牲層（３４）をエッチングしてＭＥＭＳデバイスの可動部分を形成するステップをさらに含み、犠牲層をエッチングしてＭＥＭＳデバイス（１０）の可動部分を形成するステップの間、保護層の残り部分が金属層の残り部分を保護する。 （もっと読む）

【課題】可動電極構造体に安定した状態で接点電極が形成できるようにする。
【解決手段】第２電極１０３の上部の後述する接点部が形成される接点部形成領域において、第２開口部１０５ａを有する密着膜１０５を犠牲膜１０４の上に形成し、次に、第２開口部１０５ａを覆って密着膜１０５の上に接点電極膜１０６を形成する。密着膜１０５は、例えば、チタン、クロム、ジルコニウム、タンタルなどの遷移金属、およびこれらの酸化物から構成することができる。接点電極膜１０６は、例えば、ルテニウム，ロジウム，パラジウム，オスミウム，イリジウム，および白金などの白金属の金属および金などから構成することができる。 （もっと読む）

【課題】高能率・高品質な微細穴加工を実現するための加工用工具、その作製方法および高分子フィルムの加工方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコンの基板に、ドライエッチング技術によって形成した微小貫通孔を形成し、少なくとも該微小貫通孔の内壁に一種もしくは二種類以上の金属膜を積層して金属製の中空状ニードルを形成する微細穴加工用工具を提供し、さらに、該微細穴加工用工具を用いることで、高分子フィルムに、最小寸法が数μｍ〜数十μｍ程度の微細な貫通穴を高精度、高品質かつ高能率に加工する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】均一な又は調整されたコーティングを有する新規なマイクロチャネル装置、及び、これらのコーティングを製造する新規な方法を提供する。
【解決手段】マイクロチャネル装置内の内部マイクロチャネルは、均一にコーティングされる。注目すべきことには、これらの均一なコーティングは、装置が組み立てられた後もしくは製造された後に内部チャネルに適用した材料から形成される。コーティングは、マイクロチャネルのコーナーにおいて、及び／又は、複数マイクロチャネルのアレイの多数のマイクロチャネル全体にわたって、マイクロチャネルの長さに沿って均一に作られ得る。マイクロチャネル上へのウォッシュコートの塗布を調整するための技術も記述される。 （もっと読む）

【課題】静電駆動バルブを改良する。
【解決手段】駆動弁孔２６をもつ駆動弁２０を挟んでその両側に櫛歯形状の一対の駆動電極１６〜１９を設ける。駆動電極１６〜１９への印加電極により、駆動弁孔２６が出口弁孔２５ａの軸上の位置にくる全開状態、及び駆動弁２０が弁体２５から離れ、かつ駆動弁孔２６が出口弁孔２５ａの軸上の位置から外れた位置にくる部分開状態をとりうるように、駆動弁２０は支持部２１により出口弁孔２５ａの軸方向とそれに垂直な方向とに移動可能に支持されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、する封止型デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の封止型デバイスは、固定部と前記固定部の内側に位置する可動部を有する第１基板と、前記第１基板の前記固定部及び前記可動部の上方を覆う第２基板と、前記第１基板の前記固定部と前記第２基板との間に配置され、前記第１基板と前記第２基板との間を封止する第１封止部材と、前記第１基板の前記固定部と前記第２基板との間に配置され、前記第１封止部材の外周部において前記第１基板と前記第２基板との間を封止する第２封止部材と、を備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い電気部品を提供する。
【解決手段】電気部品は、基板１００と、前記基板上に形成された機能素子１２０と、前記基板上において前記機能素子を収納するキャビティ１３０を形成し、複数の貫通孔１０９ｃを有する第１層１０９と、前記第１層上に形成され、複数の前記貫通孔を塞ぐ第２層１１０と、を具備し、前記第１層は、下部側に形成された第１膜１０９ａと、前記第１膜上に形成され、前記第１膜より熱膨張係数が小さい第２膜１０９ｂと、を含む。 （もっと読む）

【課題】導通不良を起こしてしまうのを抑制することのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】静電容量式センサは、固定板２と半導体基板とを接合した際に、固定電極に形成された固定電極側金属接触部２５と、半導体基板に形成された半導体基板側金属接触部１３とが接触するようになっている。そして、固定電極側金属接触部２５および半導体基板側金属接触部１３の少なくとも互いに接触する部位をバリアメタル１４で被覆するようにした。 （もっと読む）