陰極と陽極間に少なくともホスト材料及びりん光発光性有機金属錯体を含んで形成されたりん光発光性の発光層を有する一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記発光層を形成するホスト材料に不純物として含まれる臭素、ヨウ素及び塩素のハロゲン元素質量濃度の合計が５０ｐｐｍ以下である有機エレクトロルミネッセンス素子であり、発光輝度及び発光効率が高く、寿命が長い。 （もっと読む）

新規なイリジウム錯体は、エレクトロルミネッセンス性である。 （もっと読む）

陰極（１７），（１８）と陽極（１２）との間に、少なくとも発光層（１５）と電子輸送層（１６）とを含む積層構成を有する有機ＥＬ素子（１００）であって、発光層（１５）を形成するホスト材料の３重項エネルギーギャップ値（Ｅｇ^Ｔ）は２．５２ｅＶ以上３．７ｅＶ以下であり、電子輸送層（１６）を形成する電子輸送材料は、ホスト材料と異なる材料で、正孔輸送能を保有し、発光層（１５）には、燐光性発光性かつ重金属を有する金属錯体化合物をさらに含むことを特徴する有機ＥＬ素子（１００）。 （もっと読む）

本発明は一般に、エレクトロルミネセンスＩｒ（ＩＩＩ）化合物、Ｉｒ（ＩＩＩ）化合物を製造するために用いられる置換２−フェニルピリジン、およびＩｒ（ＩＩＩ）化合物で製造されるデバイスに関する。
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陰極（１）と陽極（２）の間に少なくとも重金属を中心金属とする有機金属錯体を含有する発光層（３）と電子輸送層（４）とが積層された構造を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
該発光層（３）を形成する主たる有機材料の電子親和力と電子輸送層（４）を形成する主たる材料の電子親和力との差（ΔＡｆ）が
０．２ｅＶ＜ΔＡｆ≦０．６５ｅＶ
の関係式を満たすことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 （もっと読む）

単結合によって2つの外側の基に結合された一つまたは複数のホスフィンオキシド部分を有する、電子デバイスおよび電界発光素子における使用のための、新規のクラスの物質。2つ以上のホスフィンオキシド部分を有する態様では、2つ以上のホスフィンオキシド部分はさらに架橋基によって結合される。適切な架橋基および外側の基を選択することによって、本発明の新規なクラスの物質は、この物質の電子的特徴およびエレクトロルミネセント特徴を設計者が「整調」することを可能にさせる。ホスフィンオキシド部分は、架橋基と外側の基との間の電子共役（electron conjugation）を制限し、架橋基および外側の基をお互いから隔て、架橋基および外側の基の光物理的特性が分子中で維持されることを可能にする。従って、この最低エネルギー成分（架橋基または特定の外側の基）は、分子全体についての三重項状態、最高被占分子軌道および最低非占有分子エネルギーを明らかにする。

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９，９−ジ（フルオレニル）−２，７−フルオレニル単位を有する有機エレクトロルミネッセント高分子およびこれを用いたエレクトロルミネッセント素子を開示する。特に、本発明は、置換フルオレニル基をフルオレンの９位に導入することにより、青色エレクトロルミネッセント高分子およびホスト材料として使用可能な、９，９−ジ（フルオレニル）−２，７−フルオレニル単位を有する有機エレクトロルミネッセント高分子、および前記エレクトロルミネッセント高分子を用いたエレクトロルミネッセント素子を提供する。前記エレクトロルミネッセント高分子は、高い溶解度、高い熱安定性および高い量子効率を有する、高純度の青色、緑色および赤色のホスト材料として使用できる。
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有機電場発光デバイスは、アノードと、アノードの上に配置された正孔輸送層と、正孔輸送層の上に配置され、正孔−電子の再結合に応答して光を生じる発光層と、発光層の上に配置された電子輸送層とを含む。また、デバイスは電子輸送層中に組み込まれた、電子輸送層が動作中結晶化するのを防止する結晶化抑制材料と、電子輸送層の上に配置されたカソードとを含む。
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過アリール化ボランをベースとする、ポリマーの燐光性有機半導体エミッター物質、その製法及びその使用。
本発明は、半導体特性を有する発光化合物及びその製造及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤＳ）におけるその使用に関する。周期律法の第８副族からの中心原子を有する金属錯体を包含するコポリマーが重要である。 （もっと読む）

特定構造の化合物からなる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、及び、陰極と陽極間に少なくとも発光層を有する一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも一層が、上記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子であり、発光効率が高く、画素欠陥が無く、耐熱性に優れ、かつ寿命の長い有機エレクトロルミネッセンス素子を提供可能な有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。 （もっと読む）

下記一般式（１）で表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用材料：
【化１】


（式中、Ａ_１、Ａ_２、Ａ_３は各々独立に芳香族炭素環基または複素環基を表し、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３は各々独立に芳香族炭素環または複素環を形成するのに必要な残基を表す。）、前記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置、および、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。 （もっと読む）

下記一般式（１）で表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【化１】


（式中、Ｒ_１、Ｒ_２は各々独立に置換基を表し、Ａ_１は芳香族炭素環または複素環を形成するのに必要な残基を表し、Ｌは連結基を表し、Ｘは不対電子を持ちホウ素原子と配位結合可能な元素を表し、Ｒｘは水素原子、脂肪族基、芳香族基、複素環基を表し、ｎは０又は１を表し、ｍは１又は２を表し、ＲｘはＬの任意の元素と結合して環を形成してもよく、また、Ｒ_１とＲ_２は結合して環を形成してもよい。ＲｘはＡ_１の任意の元素と結合して縮合環を形成してもよい。） （もっと読む）

カソードと、アノードと、その間に発光層とを備える有用なエレクトロルミネセントデバイスであって、この発光層はホスト材料とリン光発光材料とを含み、このホスト材料は式（１）：Ｘ’−Ａ−Ｘ’’によって示され、式中、Ａは、非置換フェニレン環、ビフェニレン基、テルフェニレン基、ナフチレン基およびフルオレン基からなる群より選択され；そして各々のＸ’およびＸ’’は、独立して選択された、オルト芳香族置換基を保有する芳香族基である、エレクトロルミネセントデバイスが開示される。 （もっと読む）

本発明は、量子ドットが埋め込まれた、エレクトロルミネッセント有機材料のマトリックスに関するものである。電極が、マトリックスに電子およびホールを供給して、量子ドットに伝達されるべき励起子を形成する。本発明は、量子ドット上に伝達分子を付与し、励起子をまず伝達分子に伝達することにより、エレクトロルミネッセント有機材料から量子ドットへの励起子の伝達を容易化する。伝達分子は、有機材料から伝達分子への励起子の伝達レートが、有機材料内での励起子の崩壊レートよりも大きくなるように選択される。より具体的には、有機マトリックスは、発光装置（ＬＥＤ）内の発光層を形成する。また、エレクトロルミネッセント有機材料は、エレクトロルミネッセントポリマーであることが好ましい。
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本発明は、正孔障壁層における図式１において示される式（１）〜（４）の材料の使用による、リン光有機エレクトロルミネセンスデバイスの改良に関する。 （もっと読む）

第１のタイプの電荷輸送体の注入のための第１の電極を含む基板を提供する工程、第１のタイプの電荷輸送体の輸送用第１の材料並びに発光及び第１のタイプの電荷輸送体の輸送用第２の材料を含む組成物を基板上に蒸着することによって半導体領域を形成する工程、及び第２のタイプの電荷輸送体を注入するための第２の電極を半導体領域上に蒸着する工程を含む電子発光装置の形成方法。 （もっと読む）

電子活性光装置（Ｄ）は、基板（１）と、少なくとも１層のカソード層（２）と、少なくとも１層のアノード層（４）と、アノード層とカソード層（２、４）の間に少なくとも部分的に挟まれた少なくとも１層の有機化合物系活性材料（３）とを含む。層（２、３、４）は、装置（Ｄ）が発光エネルギーを電気的エネルギーに、またはその逆に変換できるように、基板（１）上に所定の形態で配置される。基板（１）はフロートガラスから作られる。

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本発明は、少なくとも基板（１）と、アノード（２）と、第１の正孔輸送層（３）と、発光層（５）と、カソード（６）とを有する発光デバイスであって、前記第１の正孔輸送層（３）と前記発光層（５）との間に第１の正孔ブロッキング層（４）が構成される、発光デバイスに関する。正孔ブロッキング層（４）は、発光層（５）に到達する正孔の濃度を低減し、このため、通常多数電荷担体である正孔の濃度は、電子流に適応することができる。
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本発明は、二極性配位子を有する新規の金属錯体に関する。このような化合物は、最も広い意味の電子産業に関連する、一連の異なるアプリケーションにおける機能性材料として利用される。 （もっと読む）

高分子主鎖が芳香環又は複素環を有するアミノ基で置換されたフルオレン誘導体の９位で連結された重合体からなる電荷輸送性化合物、例えば、下記式（１）で示される化合物、を電荷輸送性薄膜中に用いることで、有機ＥＬ素子の低電圧化、高輝度化、超寿命化及び無欠陥化を図ることができる。
［化１］
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