【課題】有機薄膜ＥＬ素子の簡便かつ容易な製造方法を提供すること。
【解決手段】正孔注入層（１２０）と発光層（１０６、１０７）を、陽極（１０１）および陰極（１１３）で狭持した構造の有機ＥＬ素子の製造方法であって、基板上の所定の領域に有機化合物からなる正孔注入材料を含むインク組成物をインクジェット方式により塗布し正孔注入層（１２０）を形成する工程と、有機化合物からなる発光材料を含むインク組成物をインクジェット方式により塗布し発光層（１０６、１０７）を形成する工程とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

蒸発した材料のビームが、反射体の衝突面に衝突して、当該反射体からシャドウマスク内の１以上の開口を通って堆積基板上へと方向が変えられるように、前記蒸発した材料のビームを前記反射体の方向に向けて、パターン化された材料層を形成することを含む、パターン化層の作成方法。
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好適には、２００ｎｍ乃至４９０ｎｍの波長範囲を有する一次放射線を出射するために少なくとも１つのエレクトロルミネッセンス光源（２）と、前記一次放射線の部分吸収及び二次放射線の出射のために前記一次放射線の光線の経路内に備えられている少なくとも１つの光変換要素（３）とを有するエレクトロルミネッセンス装置であり、光変換要素（３）は一次放射線の放射線方向（５）における拡張を有し、該拡張は、光変換要素（３）に一次放射線の平均散乱長より小さい、エレクトロルミネッセンス装置。 （もっと読む）

トップ-エミッション型OLEDデバイスの水分汚染を減らす方法は、上面（110）と底面（120）を有する基板を用意し；上記基板の上面の上方に、光を発生させるトップ-エミッション型ELユニット（130）を形成するが、その光が主にその基板を通過することはなく；上記基板の上面の上方に第1の保護カバー（140）を形成し、その基板の底面の下方に第2の保護カバー（160）を形成することにより、それぞれ第1のチェンバー（150）と第2のチェンバー（170）を画定し；上記第2のチェンバーに水分吸収材料（180）を組み合わせ；上記第1のチェンバーと上記第2のチェンバーを連通させる（190）ことにより、上記第1のチェンバーまたは第2のチェンバーに含まれる水分を上記水分吸収材料によって吸収させる操作を含んでいる。
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材料を基板に堆積させるための、熱による物理的蒸着源であって、その材料を収容する細長い容器と、その容器内の材料を加熱してその材料を気化させ、部分圧P_mにするためのヒーターとを備えており、その容器は、長手方向にコンダクタンスC_Bを持っている。この容器は、少なくとも1つの部材と、その容器のそれぞれの側を加熱してその容器の表面に凝縮する材料を減らす端部ヒーターとを備えていて、前記部材の長さ方向には複数の開口部が規定されていて、その開口部の全コンダクタンスがC_Aであって、式（I）を満たす。
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次の工程：（ａ）基板上に第１の導電性部材および導電性リードを形成する工程であって、第１の導電性部材および導電性リードが互いに離間されている工程と、（ｂ）基板上に有機層、第１の導電性部材、および導電性リードを形成する工程と、（ｃ）該有機層の上にパターン化した導電層を形成する工程であって、パターン化した導電層が第２の導電性部材を含み、およびパターン化した導電層が、有機層の露出部分および有機層の非露出部分を作り出す工程と、（ｄ）少なくとも１種の酸素含有ガスを使用して、少なくとも有機層の露出部分をドライエッチングして、導電性リードの一部を露出させる工程であって、ドライエッチングが約０．０１〜７．５ミリトールの範囲の圧力で行われる工程とを含む有機電子デバイスの形成方法。

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本発明は、回転炉または舟形炉（boat furnace）中で還元剤として水素を使用することにより、モリブデン酸アンモニウムまたは三酸化モリブデンを還元することによる高純度なＭｏＯ_２粉末に関する。加圧／焼結、ホットプレスおよび／またはＨＩＰによる粉末の圧密は、スパッタリングターゲットとして使用されるディスク、スラブまたは板を製造するために使用される。ＭｏＯ_２のディスク、スラブまたは板の形状物は、適当なスパッタリング方法または他の物理的手段を用いて支持体上にスパッタリングされ、望ましい膜厚を有する薄膜を提供する。薄膜は、透明度、導電率、仕事関数、均一性および表面粗さに関連してインジウム−酸化錫（ＩＴＯ）および亜鉛がドープされたＩＴＯの性質と比較可能かまたは前記性質よりも優れている性質、例えば電気的性質、光学的性質、表面粗さおよび均一性を有する。ＭｏＯ_２およびＭｏＯ_２を含有する薄膜は、有機発光ダイオード（OLED）、液晶ディスプレイ（LCD）、プラズマディスプレイパネル（PDP）、電界放出ディスプレイ（FED）、薄膜ソーラーセル、低抵抗オーミック接触ならびに他の電子デバイスおよび半導体デバイスに使用されてよい。 （もっと読む）