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Fターム[4E351CC22]の内容

プリント基板への印刷部品(厚膜薄膜部品) (19,111) | 電気的活性材の固定(被着) (1,935) | 被着材料の処理 (278) | 硬化、焼成、焼結の方法 (140)

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【課題】水分やめっき液に対し、より優れた耐性を有する新規な導電性ペースト、及び該導電性ペーストを使用した積層セラミック電子部品の製造方法、並びに該製造方法により製造された積層セラミック電子部品を実現する。
【解決手段】導電性ペーストが、導電性粉末とガラス成分と有機ビヒクルとを含有し、前記ガラス成分がSiO−TO−MO−XO系材料(ただし、TはTi及びZrの中から選択された少なくとも1種を示し、MはMn及びNiの中から選択された少なくとも1種を示し、XはCa、Ba、Sr及びMgの中から選択された少なくとも1種を示す。)で形成されている。この導電性ペーストを使用して積層セラミックコンデンサ等の積層セラミック電子部品の内部導体2を形成する。 (もっと読む)


【課題】パターニングのための印刷装置を用いず、またそれによる複雑な処理工程を必要とすることなく、導電パターンの生成を簡易に行え、導電パターンの微細化を実現できる導電パターンの生成方法を提供する。
【解決手段】基板3の表面には、導電性粉体と熱硬化性樹脂を均一に分散した導電性ペーストによって、導電性ペースト膜4が塗着されている。基板3は導電性ペースト膜4を上方に向けて基台1の所定位置に載置されている。基台1の上方に配置されたレーザー描画装置10による熱線レーザービームが導電性ペースト膜4に入射してペースト成分中の熱硬化性樹脂が熱硬化され、かつ導電性粉体も焼結される。レーザー未照射の部分では熱硬化及び焼結が生じない。この焼結と未焼結がドット状に形成され、焼結された回路パターン2が形成される。 (もっと読む)


【課題】 低温焼成が可能で、焼成の際における導体層から誘電体層へのAgの拡散を抑制することができる積層セラミック基板を得る。
【解決手段】 誘電体層と導体層とを積層して焼成することにより得られる積層セラミック基板であって、誘電体層が、組成式a・Li2O−b・(CaO1-x−SrOx)−c・R23−d・TiO2(但し、xは0≦x<1を満足し、RはLa、Yを含む希土類元素から選ばれる少なくとも1種であり、a、b、c及びdは、0<a≦20mol%、0≦b≦45mol%、0<c≦20mol%、40≦d≦80mol%、及びa+b+c+d=100mol%を満足する。)で表され、ペロブスカイト構造を有する誘電体材料を主成分とする誘電体層であり、導体層が、AgまたはAgPd合金を主成分とし、副成分としてBi23−ZnO−B23系ガラスを含有する導体層であることを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】コイル内蔵基板の内蔵コイルの重畳特性を向上させると共に、上面や下面に搭載された半導体チップやチップ部品に対するコイル用導体から発生する磁力線の影響を大幅に抑制することができるコイル内蔵セラミック基板を提供すること。
【解決手段】本発明のコイル内蔵基板は、間に平面スパイラルコイル4が埋設されている、第1のフェライト層2および第2のフェライト層3を、一対の絶縁層1で挟持してなるコイル内蔵基板において、平面スパイラルコイル4のコイル導体間に第1のフェライト層2および第2のフェライト層3より透磁率の小さい第3のフェライト層を形成することで成る。 (もっと読む)


【課題】μmレベルのより微細かつ平滑な導電パターンを、印刷法により単純で簡便な工程で形成可能な、導電性パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】被印刷物51に導電性インク組成物2を反転オフセット印刷法により転写した後、熱処理温度が120℃以上250℃以下で熱処理を行う導電性パターンの形成方法であって、該導電性インク組成物2が少なくとも平均粒子径が50nm以下の金属粒子と、水性溶媒と、水溶性樹脂を含む。 (もっと読む)


【課題】導電性配線材料、配線基板の製造方法及びその配線基板を提供する。
【解決手段】本発明による配線基板の製造方法は、複数の第1金属ナノ粒子と上記複数の第1金属ナノ粒子より小さな粒径を有する複数の第2金属ナノ粒子を含んで、低温焼成によって上記第2金属ナノ粒子が溶融され上記第1金属ナノ粒子間の空間を満たすことができる配線材料をベースフィルムに印刷する段階及び、その配線材料の印刷されたベースフィルムを低温焼成する段階を含んでおり、上記低温焼成によって第2金属ナノ粒子が溶融され第1金属ナノ粒子間の空間を満たすことができる。 (もっと読む)


【課題】ファインパターンの形成が容易で、廃液処理の必要がなく、生産工程が単純で設備費や生産コストが少なくて済む回路基板の製造方法の提供。
【解決手段】有機絶縁基板上に、インクジェット装置を用いて、平均粒子径が100nm以下の金属微粒子を保護コロイドとしての重合体等を含有する分散媒中に分散させた金属微粒子インクにより、回路パターンを描画し、熱もしくは光線により処理して重合体等を分解揮散させて所望の膜厚の導体パターンとする。導電パターンをメッキ核として、常法による電解メッキを施して、厚膜の導電回路パターンを形成することもできる。 (もっと読む)


【課題】優秀な導電性及び向上された耐移動性を有する配線形成の配線基板を製造すること。
【解決手段】インクジェット印刷法を利用して導電性インクにて回路パターンを形成することで配線基板を製造し、Ag−Pd合金のうちPd含量が5重量%超過40重量% 未満の導電性インクを提供する。上記配線基板の製造方法は、有機溶剤に上記Ag−Pd合金ナノ粒子が分散されている導電性インクを製造する段階及び、上記導電性インクを基板上にインクジェット方式にて噴射した後焼成して配線を形成する段階を含む。これによれば、価格競争力、優秀な導電性及び向上された耐移動性を有する配線形成の配線基板を製造することができる。 (もっと読む)


【課題】緻密な誘電体セラミック層を有し、しかも反りが殆どない電子部品を得ることができる電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の製造方法は、金属層11,31と誘電体セラミック層21とを積層してなる電子部品10の製造方法に関する。まず被焼成層配置工程を実施する。この工程では、未焼結誘電体セラミック層22を含む被焼成層30を、第1拘束層12と第2拘束層42との間に挟み込むようにして配置する。第1拘束層12は金属箔からなる。第2拘束層42は、未焼結誘電体セラミック層22に比べて焼結しにくいセラミックを母材とする。次に、未焼結誘電体セラミック層22を実質的に固相焼結させる拘束焼成工程を行う。 (もっと読む)


【課題】外部電気回路基板の配線導体へ電子部品を高い信頼性でもって接続できる配線基板を作製できる多数個取り配線基板を提供する。
【解決手段】誘電体から成り、上面に電子部品搭載領域を有する矩形状の基板10と、該基板の上面から下面に及ぶメタライズ導体からなる外部接続端子8とを備えるとともに、前記メタライズ導体は、平面視で前記基板の角部に位置する領域に形成されており、且つ金属粉末に対してセラミック粉末を50〜65重量部含むものを焼成してなる。 (もっと読む)


【課題】 メタライズ導体の平坦度を向上させるとともに絶縁基体から剥がれる可能性を低減させ、接続信頼性に優れるとともに低電気抵抗の配線基板を提供すること。
【解決手段】 ガラスセラミック焼結体から成る絶縁基体1と、絶縁基体1の内部に形成されるとともに一部が絶縁基体1の表面に露出した、銅または銅を主成分とする金属微粒子を含むメタライズ導体2とを具備してなり、メタライズ導体2の露出部が低融点ろう材を介して外部電気回路に電気的に接続される配線基板であって、メタライズ導体は、少なくとも露出部とその直下部に含まれている金属微粒子が球状を成しているとともに、金属微粒子の平均粒径が2μm乃至9μmに設定されている。 (もっと読む)


【課題】 ビア導体の周囲にクラック等の欠陥を生じない、長期信頼性を実現することができるビア用導体ペーストとこれを用いたセラミック配線基板を提供する。
【解決手段】 金属粉末とガラス粉末と有機成分とを少なくとも含有してなる導体ペーストであって、ガラス粉末が、金属粉末と同種の金属板との900℃での濡れ角が90〜180度のガラスからなる導体ペースト、及び、セラミック基板が1000℃以下の温度で焼結可能な低温焼成セラミック材料からなる基板であり、ビア導体を構成するガラスは、そのガラス粉末とビア導体の構成金属からなる金属板との900℃に於ける濡れ角度が90〜180度であり、且つ、ビア導体が金属の連続相とガラス分散相からなると共にビア導体と低温焼成セラミック基板との境界又はビア導体内部の金属相とガラス相との境界のうちの少なくともいずれか一方には、微細で不連続の隙間状空隙が存在する。 (もっと読む)


【課題】ファインパターンの形成が容易で、廃液処理の必要がなく、生産工程が単純で設備費や生産コストが少なくて済む遮光パターンの形成された透光体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】透明基体上に、インクジェット装置を用いて、平均粒子径が100nm以下の金属微粒子を保護コロイドとしての重合体又は界面活性剤を含有する水または有機溶剤中に分散させた金属微粒子インクにより、所定のパターンを描画し、次いで該基板を熱もしくは光線により処理して前記パターンに含まれる重合体または界面活性剤を分解揮散させて所望の膜厚の遮光パターンとする。
ファインパターンの形成が容易で、廃液処理の必要がなく、生産工程が単純で設備費や生産コストが少なくて済む。 (もっと読む)


【課題】メタライズ配線層の導体抵抗を上昇させることなく、絶縁基板とメタライズとの接着強度を高く維持し、かつ基板反りを抑制するメタライズ組成物を提供する。
【解決手段】銅粉末と、ガラス粉末と、水酸基含有アクリル系樹脂からなる有機バインダと、溶剤とを含有することを特徴とし、前記水酸基含有アクリル系樹脂が、水酸基を含有しないメタクリル酸エステル単量体と水酸基を含有しないアクリル酸エステル単量体とから選ばれる1種(a)と、水酸基を含有するメタクリル酸エステル単量体と水酸基を含有するアクリル酸エステル単量体とから選ばれる1種(b)との重合体からなり、前記(b)/((a)+(b))の割合が0.1〜20質量%から構成され、特に前記水酸基含有アクリル系樹脂が、イソブチルメタクリル酸エステル単量体と、水酸基を含有するイソブチルメタクリル酸エステル単量体と、の重合体からなることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】導電性が高く、かつ基板との密着性の高い金属配線を有する回路基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】絶縁基板上に非熱可塑性ポリイミド系樹脂前駆体の溶液を塗布した後、脱溶剤および脱水縮合反応のための熱処理を行って前記前駆体の一部を非熱可塑性ポリイミド系樹脂に転化させて、非熱可塑性ポリイミド系樹脂と非熱可塑性ポリイミド系樹脂前駆体とからなる層を絶縁基板上に形成させる工程(1)と、前記の層の上に、一次粒子径が200nm以下で、加熱することによって互いに融着する金属配線形成前駆体微粒子を含有する分散体を回路形状に付与し、加熱処理することによって、残りの前記前駆体を非熱可塑性ポリイミド系樹脂に転化させると共に、前記非熱可塑性ポリイミド系樹脂からなる層の上に金属配線による回路を形成させる工程(2)とを含むことを特徴とする回路板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 熱に弱い基板や下層に熱ダメージを与えることなく、感光性樹脂が十分に分解・除去される導電性組成物、パターン形成方法及び該パターン形成方法によって製造される電気光学装置を提供する。
【解決手段】 ガラスで構成された基板2上に形成された低耐熱性であるアクリル樹脂で構成されたバンク上に、銀20A、感光性樹脂20B、鉄20C、及び溶剤20Dからなる感光性導電ペースト20を印刷した。そして、インダクションヒータを使用して高周波電磁波を印加して同感光性導電ペースト20を加熱することで、バンク上に補助配線層を形成するようにした。 (もっと読む)


【課題】より高いICスイッチング速度に対処するために、改善された電圧応答と組み合わされた優れた配電インピーダンス低減を可能にすること。
【解決手段】電力コアが、少なくとも1つの埋込み個別化コンデンサ240を含む少なくとも1つの埋込み個別化コンデンサ層と、少なくとも1つの平面型コンデンサ積層薄板340とを備え、この平面型コンデンサ積層薄板340が、少なくとも1つの埋込み個別化コンデンサ240に電荷を供給するための低インダクタンス経路として機能し、少なくとも1つの埋込み個別化コンデンサ240が、平面型コンデンサ積層薄板340のうちの少なくとも1つに並列で接続され、電力コアが、少なくとも1つの信号層に相互接続される電力コアデバイスである。 (もっと読む)


【課題】銅箔の酸化なしに、誘電体における還元電位を著しく低減するプロセスを提供する。
【解決手段】本発明は、埋込コンデンサおよびプリント配線板を作る方法に関し、金属箔を提供することと、金属箔を覆って第1の誘電体層を形成することと、第1の誘電体層の少なくとも一部を覆って導電層を形成することと、制御された雰囲気の酸素含有量を制御することと、制御された雰囲気における焼成領域で第1の誘電体層および導電層を焼成することとを含む。 (もっと読む)


【課題】導体配線及び/又はビアと、抵抗体の接合部位の接合信頼性が高く、安価なセラミック回路基板及びこれに用いられる導体ペーストを提供する。
【解決手段】セラミック基材11の表面に設ける導体配線13及び/又はビア12に接続される抵抗体14を有するセラミック回路基板10において、抵抗体14が低抵抗値を有するAg−Pd系で形成され、導体配線13及びビア12がAg系からなり、しかも、抵抗体14と、導体配線13及び/又はビア12が接合部位15で直接接する部分を有することなく、接合用導体16を介して電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】 絶縁層及び配線層の剥離やクラックの発生を防止すると共に、表皮効果に基づく高周波伝送損失を低減する配線基板を提供する。
【解決手段】
絶縁層及び配線層を有する配線基板において、前記配線層2、4、6、8は金属部からなり、金属部の厚さ方向の中間部位(第二の金属層2b、4b、6b、8b)が、絶縁層との界面部位よりも気孔率が大きい多孔質金属からなる。 (もっと読む)


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