【課題】絶縁基材上に供給された導電ペーストを焼成して回路導体とする回路基板の製造方法であって、配線パターンの抵抗値が低く、特に、多層に形成された配線パターン３１を有する多層回路基板１００であっても安価に製造することのできる回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基材２１上に供給された導電ペースト１０を焼成して回路導体とする回路基板の製造方法であって、導電ペースト１０には、金属材料でナノメータオーダーの粒径を持つ金属ナノ粒子１ａが含まれてなり、アルコールを含む低酸素雰囲気下で導電ペースト１０を焼成することにより、金属ナノ粒子１ａを焼結させる。 （もっと読む）

【課題】 低融点金属を含む導電性ペーストを使用した積層回路基板において、銅箔と低融点金属を含む導電性ペーストとの界面にボイド、亀裂が発生せず、接続信頼性の高い積層回路基板を提供する。
【解決手段】 本発明の積層回路基板は、銅箔または銅合金箔の少なくとも片面の表面粗さが０．１μｍ〜５μｍ以下の元箔上に、平均付着量が１５０ｍｇ／ｄｍ^２以下で表面粗さが０．３〜１０μｍの突起物からなる粗化処理層が形成された粗化処理銅箔の該粗化処理層上に、低融点金属を含有する導電性ペーストが設けられ、かかる表面処理銅箔を樹脂基板と積層したものである。 （もっと読む）

【課題】 任意の精緻な回路定数に制御可能な回路素子の製造方法及び製造装置を提供すること、また、その製造方法を利用して製造される所望の回路定数を有した回路素子及び回路基板を提供する。
【解決手段】 基板２の導電膜形成領域Ｌの略中央に、所定の大きさに制御されたビームスポットＢｓ２を集光させてから、導電膜形成領域Ｌに、液滴吐出ヘッド３２のノズルから導電性流動体４Ｌを微小液滴として吐出させて所定量塗布する。そして、抵抗値計測結果を確認しながらビームスポットＢＳ２の大きさを制御して所定の抵抗値に合わせ込み（ビームスポットＢｓ１とする）、ビームスポットＢｓ１を集光させたまま、ＵＶ照射部３４から導電性流動体４Ｌが塗布された導電膜形成領域ＬにＵＶ光を照射して固化させると、略中央部に空隙Ｔ１が形成された導電膜４となって成膜され、抵抗素子１が得られる。 （もっと読む）

【課題】ガラス−セラミックからなる基板本体とこれに形成するパッドとの密着性を高めると共に、かかるパッドにハンダ付けされる導体ピンの接合強度を高められる配線基板を提供する。
【解決手段】ガラス−セラミックからなり、表面３および裏面４を有する基板本体２と、該基板本体２の裏面４に形成されるパッド２０と、該パッド２０の表面に形成される表層パッド２２と、該表層パッド２２上にハンダ２３を介して立設される導体ピン２６と、を備え、パッド２０は、１００重量部のＣｕに対し、ガラス−セラミックを構成するセラミックと同一のセラミックおよびＦｅ_２Ｏ_３換算した場合のＦｅの含有量が合計で１〜２８重量部であり、表層パッド２２は、ＣｕおよびＦｅを含むと共に、該ＦｅのＦｅ_２Ｏ_３換算した場合の含有量は、パッド２０におけるＦｅ_２Ｏ_３換算した場合のＦｅの含有量よりも少ない、配線基板１。 （もっと読む）

【課題】高容量化が容易であって、しかもシート両面導通構造を備えた高誘電率材シートを提供すること。
【解決手段】高誘電率材シート２０が備える誘電体層２１は、複数の誘電体粒２２と導電粒２５と固着材料２３とにより構成される。固着材料２３は、複数の誘電体粒２２及び導電粒２５を互いに固着する。複数の誘電体粒２２及び導電粒２５は、誘電体層２１の平面方向に沿って二次元的にかつ単層状に配列される。よって、誘電体層２１にて誘電体粒２２が存在する部分においては、誘電体層２１の厚さ方向に沿って誘電体粒２２のみが配置され、誘電体層２１にて導電粒２５が存在する部分においては、誘電体層２１の厚さ方向に沿って導電粒２５のみが配置される。 （もっと読む）

【課題】 特に、配線部内や配線部と基板との間で生じる拡散を適切に抑制することが可能な配線基板を提供することを目的としている。
【解決手段】 Ａｕ配線部１５とＡｇ配線部１６との間に、Ａｕ及びＡｇに比べて高融点の第１高融点金属部１８が設けられている。第１高融点金属部１８は融点が高いことで拡散係数が低く、すなわち拡散しにくい材料である。また前記Ａｇ配線部１７からＡｇが拡散するのを適切に抑制するバリア材としても機能している。このように前記Ａｕ配線部１５とＡｇ配線部１６との間に第１高融点金属部１８を設けることで、従来のようにＡｇ配線部とＡｕ配線部とが接して形成されている形態に比べて、Ａｇの拡散を効果的に抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】先行技術のＬＴＣＣ用厚膜導体組成物がもつ問題を克服し、優れた再焼成安定性をもたらす厚膜組成物およびＬＴＣＣ構造を提供すること。
【解決手段】本発明は、低温共焼成セラミック回路に使用する厚膜組成物であって、全厚膜組成物に対する重量パーセントで、（ａ）貴金属、貴金属の合金およびこれらの混合物から選択される微粉砕粒子の３０〜９８重量パーセントと、（ｂ）１種または複数の選択された無機バインダーおよび／またはこれらの混合物と、これらを分散させた（ｃ）有機媒体とを含み、前記焼成条件において、前記ガラス組成物が低温共焼成セラミック基板ガラスに存在する残存ガラスと不混和性または部分的に混和性である厚膜組成物を対象とする。
本発明は、さらに、上記組成物を利用して多層回路を形成する方法、ならびに（マイクロ波用途を含めて）高周波用途におけるこの組成物の使用を対象とする。 （もっと読む）

【課題】水分やめっき液に対し、より優れた耐性を有する新規な導電性ペースト、及び該導電性ペーストを使用した積層セラミック電子部品の製造方法、並びに該製造方法により製造された積層セラミック電子部品を実現する。
【解決手段】導電性ペーストが、導電性粉末とガラス成分と有機ビヒクルとを含有し、前記ガラス成分がＳｉＯ_２−ＴＯ_２−ＭＯ−ＸＯ系材料（ただし、ＴはＴｉ及びＺｒの中から選択された少なくとも１種を示し、ＭはＭｎ及びＮｉの中から選択された少なくとも１種を示し、ＸはＣａ、Ｂａ、Ｓｒ及びＭｇの中から選択された少なくとも１種を示す。）で形成されている。この導電性ペーストを使用して積層セラミックコンデンサ等の積層セラミック電子部品の内部導体２を形成する。 （もっと読む）

【課題】凝集の少なく分散性に優れた微細な銀微粒子とその製造方法を提供する。
【手段】銀イオンの還元によって生じた沈澱を乾燥して銀微粒子を製造する方法において、カルボキシル基およびアミノ基を有すると共に銀に対して高吸着性の高分子化合物、例えばカゼインと、好ましくはアラビアゴムとの存在下で銀イオンを還元し、生じた沈澱を乾燥する高分散性銀微粒子の製造方法、および平均粒径が１.０μm以下であって、湿潤状態および乾燥状態の何れにおいても０.４〜０.７μmの範囲内に粒径分布の最大ピーク
を有し、このピークの分布頻度が１５％以上である高分散性銀微粒子。 （もっと読む）

【課題】 製造コストを低廉にすることができるとともに、製造効率を向上でき、抵抗を小さくすることができ、さらに導体材料と基板との密着性に優れた回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 樹脂材料１１と溶剤とＡｇで形成された導電性材料１２で構成される導電性インクでスクリーン印刷し、基板２の表面２ａに印刷部１０を形成し、印刷部１０の表面を覆うメッキ部２０を無電解メッキ法によって形成する。また、樹脂材料１１と溶剤とカーボンブラックで形成された導電性材料１２とＰｄで形成された触媒性材料を有する導電性インクでスクリーン印刷し、基板２の表面２ａに印刷部１０を形成し、印刷部１０の表面を覆うメッキ部２０を無電解メッキ法によって形成する。 （もっと読む）

【課題】 電極が低電気抵抗で耐熱性があり、電極が貫通孔から離脱し難い貫通電極付基板を得る。
【解決手段】 Ｃｕ粉とＳｎ粉の混合材を熱処理することで、Ｃｕ−Ｃｕ_３Ｓｎ−Ｃｕ_６Ｓｎ_５の３層構造を形成。Ｃｕ_３Ｓｎ領域を多くすることで電気抵抗を下げ、３層構造とすることで耐熱性を有する電極材６とする。貫通孔３の内壁に予め金属膜をスパッタ等で形成し、金属膜と電極材６とが一部合金化することで、電極６が貫通孔３に強固に保持された貫通電極付基板５０が得られる。 （もっと読む）

【課題】μｍレベルのより微細かつ平滑な導電パターンを、印刷法により単純で簡便な工程で形成可能な、導電性パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】被印刷物５１に導電性インク組成物２を反転オフセット印刷法により転写した後、熱処理温度が１２０℃以上２５０℃以下で熱処理を行う導電性パターンの形成方法であって、該導電性インク組成物２が少なくとも平均粒子径が５０ｎｍ以下の金属粒子と、水性溶媒と、水溶性樹脂を含む。 （もっと読む）

固体状態、膨潤状態、又はこれらの少なくとも一からなる組み合わせの状態において本質的に導電性のポリマー前駆体の一部を架橋することからなり、ここで、当該膨潤状態が本質的に導電性のポリマー前駆体が溶剤に完全に溶解することなく、溶剤に曝されて容積が増加する状態であることで特徴づけられる、本質的に導電性のポリマーの製造方法。
他の具体例において、基板上に本質的に導電性のポリマー前駆体のフィルムを成形し、そして酸化反応によりフィルムの少なくとも一部を架橋する際に当該架橋を固体状態、膨潤状態、又はこれらの状態の少なくとも一からなる組み合わせの状態で行う、パターンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】外部電気回路基板の配線導体へ電子部品を高い信頼性でもって接続できる配線基板を作製できる多数個取り配線基板を提供する。
【解決手段】誘電体から成り、上面に電子部品搭載領域を有する矩形状の基板１０と、該基板の上面から下面に及ぶメタライズ導体からなる外部接続端子８とを備えるとともに、前記メタライズ導体は、平面視で前記基板の角部に位置する領域に形成されており、且つ金属粉末に対してセラミック粉末を５０〜６５重量部含むものを焼成してなる。 （もっと読む）

【課題】 ビア導体の周囲にクラック等の欠陥を生じない、長期信頼性を実現することができるビア用導体ペーストとこれを用いたセラミック配線基板を提供する。
【解決手段】 金属粉末とガラス粉末と有機成分とを少なくとも含有してなる導体ペーストであって、ガラス粉末が、金属粉末と同種の金属板との９００℃での濡れ角が９０〜１８０度のガラスからなる導体ペースト、及び、セラミック基板が１０００℃以下の温度で焼結可能な低温焼成セラミック材料からなる基板であり、ビア導体を構成するガラスは、そのガラス粉末とビア導体の構成金属からなる金属板との９００℃に於ける濡れ角度が９０〜１８０度であり、且つ、ビア導体が金属の連続相とガラス分散相からなると共にビア導体と低温焼成セラミック基板との境界又はビア導体内部の金属相とガラス相との境界のうちの少なくともいずれか一方には、微細で不連続の隙間状空隙が存在する。 （もっと読む）

【課題】 透磁率の高い磁性体ペーストおよび加工性や信頼性に優れた基板内蔵インダクタを提供する。
【解決手段】 バインダー樹脂と磁性体粒子とを含み、磁性体層を構成する磁性体ペーストであって、前記磁性体粒子の粒径は前記磁性体層の厚さの５％以上４０％以下であり、かつバインダー樹脂は環状オレフィン系樹脂であることを特徴とする磁性体ペーストにより達成される。前記環状オレフィン系樹脂としては、ノルボルネン系樹脂を含むものを用いることができる。本発明のインダクタは、前記磁性体ペーストで構成される磁性体と導体より構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】メタライズ配線層の導体抵抗を上昇させることなく、絶縁基板とメタライズとの接着強度を高く維持し、かつ基板反りを抑制するメタライズ組成物を提供する。
【解決手段】銅粉末と、ガラス粉末と、水酸基含有アクリル系樹脂からなる有機バインダと、溶剤とを含有することを特徴とし、前記水酸基含有アクリル系樹脂が、水酸基を含有しないメタクリル酸エステル単量体と水酸基を含有しないアクリル酸エステル単量体とから選ばれる１種（ａ）と、水酸基を含有するメタクリル酸エステル単量体と水酸基を含有するアクリル酸エステル単量体とから選ばれる１種（ｂ）との重合体からなり、前記（ｂ）／（（ａ）＋（ｂ））の割合が０．１〜２０質量％から構成され、特に前記水酸基含有アクリル系樹脂が、イソブチルメタクリル酸エステル単量体と、水酸基を含有するイソブチルメタクリル酸エステル単量体と、の重合体からなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高導電性を有するファインパターンの形成精度に優れた導電性ペーストおよびそれを用いた配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の導電性ペーストは、金属粉末、ガラスフリットおよび有機ビヒクルを主成分とする導電性ペーストであって、金属粉末は、一次粒子の平均粒径が０．１〜１μｍの球状粒子（Ａ）が金属粉末全体の５０〜９９重量％と、一次粒子の平均粒径が５０ｎｍ以下の球状粒子（Ｂ）が金属粉末全体の１〜５０重量％からなる。また、Ｅ型回転粘度計により、常温（２５℃）で測定した回転数１ｒｐｍにおける粘度（Ｖ_１ｒｐｍ）と回転数１０ｒｐｍにおける粘度（Ｖ_{１０ｒｐｍ}）との比（Ｖ_１ｒｐｍ／Ｖ_{１０ｒｐｍ}）が４以上１０以下であり、回転数１ｒｐｍにおける粘度（Ｖ_１ｒｐｍ）が４００Ｐａ・ｓ以上１２００Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
導電性微粒子分散液を用いて配線を形成する際に、基板に対する配線の密着性および配線の細線化を両立した配線基板を提供する。
【解決手段】
基板上に導電性微粒子分散液（１）を吐出して配線パターンを形成する配線基板において、前記基板と前記導電性微粒子分散液（１）との間に中間層（４）を設け、該中間層（４）に、前記導電性微粒子分散液（１）に含まれる界面活性剤（３）と対のイオン性を持つ官能基を備えた界面活性剤（６）を含有させ、さらに前記中間層（４）表面に含フッ素化合物を有する撥液層（８）を設けた。 （もっと読む）

【課題】導体配線及び／又はビアと、抵抗体の接合部位の接合信頼性が高く、安価なセラミック回路基板及びこれに用いられる導体ペーストを提供する。
【解決手段】セラミック基材１１の表面に設ける導体配線１３及び／又はビア１２に接続される抵抗体１４を有するセラミック回路基板１０において、抵抗体１４が低抵抗値を有するＡｇ−Ｐｄ系で形成され、導体配線１３及びビア１２がＡｇ系からなり、しかも、抵抗体１４と、導体配線１３及び／又はビア１２が接合部位１５で直接接する部分を有することなく、接合用導体１６を介して電気的に接続されている。 （もっと読む）