【課題】常温下と高温下の双方の雰囲気下においても、高強度を有する炭化珪素焼結体を製造する方法を提供する。
【解決手段】アチソン炉を用いて、粒子内にシリカとカーボンの各々が全体的に分布しており、かつ、Ｂ及びＰの各々の含有率が１ｐｐｍ以下である、シリカとカーボンからなる粒子を加熱して、炭化珪素粉末を得る、炭化珪素粉末製造工程と、得られた炭化珪素粉末を焼結して、炭化珪素焼結体を得る、焼結工程を含む、炭化珪素焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】摺動部に十分な潤滑液が回り込まない状況やドライ状況といった厳しい環境下においても、摩擦係数が高くなる不都合を抑制又は解消して、耐久性や信頼性に優れるメカニカルシール用密封環の実現に寄与するＳｉＣ摺動部材を提供する。
【解決手段】回転軸１と一体回転する回転側の密封環２と、ハウジング３に相対固定される静止側の密封環４と、回転側及び静止側の各前記密封環２の摺動面２ａ，４ａどうしを押付け合う弾性手段５とを有して成るメカニカルシールＭにおける回転密封環２を形成するＳｉＣ摺動部材において、密封環Ｗが、これの一面Ｗｂから他面Ｗｃに亘る貫通気孔を有するとともに、所定の規格寸法に形成されている密封環Ｗの表面に存在する単位量の液体ｒが密封環Ｗの内部に吸収されるに要する透水時間（ｍｉｎ）が、１０〜６０で規定される。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、熱伝導性に優れた窒化ホウ素粒子及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】
ホウ酸メラミンと、粉末X線回折法による黒鉛化指数（ＧＩ）２．０以下、平均粒子径５〜４０μmの鱗片状窒化ホウ素粉末からなり、平均粒子径が４０〜３００μmである複合粒子。有機バインダーを０．０５〜１．０質量％含有した水溶液１００質量部に対し、ホウ酸メラミン１００質量部に対して鱗片状窒化ホウ素が１．０〜２０質量部の混合物１０〜５０質量部含有するスラリーを用いて、噴霧造粒する複合粒子の製造方法。複合粒子を、非酸化性雰囲気下６００〜１３００℃で焼成後、非酸化性雰囲気下１６００〜２２００℃で焼成する窒化ホウ素粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】六方晶系窒化ホウ素を快削性付与剤として含み、より低温で焼成可能であって、かつ、無加圧下で製造が可能な快削性セラミックス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】粒子の表面のみならず内部にも酸素が含まれている快削性付与剤としての六方晶系窒化ホウ素粉体と、基材としてのセラミックス粉体（ただし六方晶系窒化ホウ素は除く）とを混合して焼結用混合粉とし（混合工程）、該焼結用混合粉を圧力成形してプレ成形体とし（プレ成形工程）、プレ成形体を非酸化性ガス雰囲気下又は真空中において焼結する（焼結工程）。 （もっと読む）

【課題】 絶縁耐力が高く、優れた放熱特性および機械的特性を有する窒化珪素質焼結体およびこれを用いた回路基板ならびに電子装置を提供する。
【解決手段】 窒化珪素を主成分とし、マグネシウム，希土類金属，アルミニウムおよび硼素を酸化物換算でそれぞれ２質量％以上６質量％以下，12質量％以上16質量％以下，0.1質量％以上0.5質量％以下，0.06質量％以上0.32質量％以下含んでなり、β−Ｓｉ_３Ｎ_４を主結晶相と、組成式がＲＥ_４Ｓｉ_２Ｎ_２Ｏ_７（ＲＥは希土類金属）として示される成分を含む粒界相とにより構成され、Ｘ線回折法によって求められる、回折角27°〜28°におけるβ−Ｓｉ_３Ｎ_４の第１のピーク強度Ｉ_０に対する、回折角30°〜35°におけるＲＥ_４Ｓｉ_２Ｎ_２Ｏ_７の第１のピーク強度Ｉ_１の比率（Ｉ_１／Ｉ_０）が20％以下（但し、０％を除く）の窒化珪素質焼結体である。 （もっと読む）

【課題】二相構造を有する共晶シリコン合金の焼結体の製造方法を提供すること。
【解決手段】重量％で、シリコン３０〜７０、窒素１０〜４５、アルミニウム１〜４０、及び酸素１〜４０を含有するシリコン合金であって、β’サイアロン相とο’サイアロン相からなる共晶組織を有する二相共晶シリコン合金の粉末からなる成形体を、その熱容量の１０倍以上の熱量を投入できる焼結炉内に保持し、常圧又は常圧以上で、且つシリコン気体のモル分率が１０％以上である窒素雰囲気において、１４００℃以上１７５０℃以下の温度範囲内の異なる温度において２段階で焼結を行う。各相に適した異なる温度で２段階で焼結することにより、高密度焼結体を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】低温〜高温の広い温度域ですぐれた抵抗値特性を有する炭化ケイ素焼結体を製造する炭化ケイ素焼結体の製造方法及び炭化ケイ素焼結体を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素焼結体の製造方法は、炭化ケイ素と、ホウ素を含むホウ素原料と、が混合した原料粉末を調製する原料混合工程と、原料粉末を、窒素とアルゴンとからなる雰囲気下で焼結する焼結工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】非接触式電力伝達系を提供する。
【解決手段】この電力伝達系は誘電材料を含む場集束素子を含む。誘電材料は（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３又はＣａＣｕ_３Ｔｉ_４Ｏ_１２の群から選択される組成物を含む。（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３の組成物には、Ｃａ_{１−ｘ−ｙ}Ｂａ_ｘＳｒ_ｙＴｉ_１−ｚＣｒ_ｚＯ_３−δＮ_ｐのような材料が包含され、ここで０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０≦ｚ≦０．０１、０≦δ≦１、０≦ｐ≦１である。ＣａＣｕ_３Ｔｉ_４Ｏ_１２の組成物には、Ｃａ_{１−ｘ−ｙ}Ｂａ_ｘＳｒ_ｙ（Ｃａ_１−ｚＣｕ_ｚ）Ｃｕ_２Ｔｉ_４−δＡｌ_δＯ_{１２−０．５δ}のような材料が包含され、ここで０≦ｘ＜０．５、０≦ｙ＜０．５、０≦ｚ≦１、０≦ｄ≦０．１である。 （もっと読む）

【課題】リチウム，ケイ素、窒素からなるリチウムケイ素窒化物には、Ｌｉ：Ｓｉ：Ｎ比が異なる数種の化合物が報告されており、そのうちＬｉ：Ｓｉ：Ｎ比が１：２：３の化合物はイオン伝導性があり、かつ大気中でも安定である。しかし、リチウムケイ素窒化物は窒化物であるため、共有結合性が強く、ＬｉＳｉ_２Ｎ_３組成の混合粉末を固めて加熱する場合、高温が必要であるが、あまり温度が高いとリチウムが蒸発してしまい、目的とする組成のものができない。
【解決手段】Ｌｉ_３ＮとＳｉ_３Ｎ_４を１：３の重量割合に秤量した原料粉末に、焼結助剤としてＢ_２Ｏ_３１．０〜５．０重量％を加え、混合する。混合は、Ｌｉ_３Ｎが大気と反応しないよう、高純度窒素雰囲気のグローブボックス中で行うか、混合容器を用いる場合は容器中を高純度窒素雰囲気とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の放熱部材に適した複合部材、その製造方法、放熱部材、半導体装置を提供する。
【解決手段】この複合部材は、マグネシウム又はマグネシウム合金とSiCといった非金属無機材料とが複合されたものであり、上記SiCを70体積％超含有し、熱膨張係数が4ppm/K以上8ppm/K以下であり、熱伝導率が180W/m・K以上である。この複合部材は、半導体素子との熱膨張係数の整合性に優れる上に、放熱性にも優れるため、半導体素子の放熱部材に好適に利用できる。上記非金属無機材料は、上記非金属無機材料同士を結合するネットワーク部を有する焼結体などの成形体を利用することで、複合部材中の非金属無機材料の含有量を容易に高められる上に、複合部材中に上記ネットワーク部が存在することで熱特性に優れる。 （もっと読む）

本発明は、多結晶の立方晶窒化ホウ素（ＰＣＢＮ）の本体を固体のインサートとして又は支持体に取り付けられるものとして含む、その上に硬質かつ耐摩耗性のＰＶＤコーティングが堆積された、チップ除去による機械加工のための切削工具インサートに関する。前記コーティングは、Ａ層及びＢ層の互層の多結晶のナノ積層構造を含み、ここで、Ａ層は（Ｔｉ、Ａｌ、Ｍｅ１）ＮでありＭｅ１は周期表の３、４、５又は６族からの金属元素の１種以上であり、Ｂ層は（Ｔｉ、Ｓｉ、Ｍｅ２）Ｎであり、Ｍｅ２は、Ａｌを含む周期表の３、４、５又は６族からの金属元素の１種以上であり、厚さは、０．５〜１０ｍである。本発明のインサートは、高温を発生する金属切削用途、例えば、鋼、鋳鉄、超合金及び硬化鋼の高速加工において特に有用である。
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【課題】アルカリ性溶液と酸性溶液とに対する耐食性に優れ、それら溶液に頻繁に晒されるような過酷な環境下でも強度が低下しにくいセラミック多孔体を提供する。
【解決手段】１０〜２０質量％のＺｒＯ_２を含むガラス相と、ＺｒＯ_２粒子及びＳｉＣ粒子からなる群より選択される何れか一種の骨材粒子とを含むセラミック多孔体。 （もっと読む）

【課題】 耐熱部材として高温での揮発分が少なく、不純物の混入が少なく、機械部品としての寸法精度を確保出来、高温での半導体製造装置に好適な部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 １７００℃の窒素ガス中で１２時間加熱した後のＳｉ、Ｃ、Ｂ、Ｎの合計含有量が９９．９質量％以上、且つ波長１μｍにおける放射率が８０％以上のＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体を用いる合成装置用耐熱性黒色部材。相対密度９８％以上かつＳｉＣ粒子の最大粒子径が４．０μｍ以下であることが好ましい。ＳｉＣが６０．０質量％以上８３．５質量％以下、ＢＮが１５．０質量％以上３５．０質量％以下、Ｂ_４Ｃが０．５質量％以上２．０質量％以下、カーボンが１．０質量％以上４．０質量％以下の原料組成を２０００〜２２００℃、圧力１５〜４０ＭＰａでホットプレス焼結する合成装置用耐熱性黒色部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高気孔率でありながらも高強度であり、熱伝導率が高く耐熱衝撃性に優れ、比較的低温で焼結させることで製造可能な炭化珪素質多孔体を提供する。
【解決手段】金属珪化物を１〜３５質量％、ホウ素（Ｂ）を酸化ホウ素（Ｂ_２Ｏ_３）換算で０．１〜１０質量％それぞれ含有し、気孔率が３８〜８０％である炭化珪素質多孔体。 （もっと読む）

【課題】 三族元素の有機化合物やアンモニア等の反応活性な雰囲気下、１，２００〜１，４００℃に達する高温で、Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、安定して使用可能なサセプタやその周辺部材を提供する。
【解決手段】 Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、ＡｌＮ６０質量％以上８５質量％以下、ＢＮ１５質量％以上４０質量％以下かつ１，４００℃のＮ_２中で６時間加熱した後の減量が０．１％以下のＡｌＮ−ＢＮ複合焼結体を用いる３−５族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材。好ましくは、相対密度９８％以上かつＡlＮの最大粒径が４μｍ以下である３−５族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材。 （もっと読む）

【課題】
高結晶性六方晶窒化ホウ素粉末を、これまでに知られている方法と比べ、より経済性に優れた方法で製造する。
【解決手段】
ホウ素含有物質と窒素含有物質とを１３００℃以下で反応させて得られる粗製六方晶窒化ホウ素粉末を、大気雰囲気中６０℃以下で１週間以上養生させた後に、洗浄してから、不活性ガス雰囲気中にて１６００〜２２００℃で再加熱処理し、平均粒径が１０μｍ以上に結晶成長させることを特徴とする、高結晶性六方晶窒化ホウ素粉末の製造方法。大気雰囲気中６０℃以下で１週間以上養生させた後再加熱する前の状態における、粗製六方晶窒化ホウ素粉末のＸ線回折法による黒鉛化指数（ＧＩ）が２．５以上かつ数平均粒子径が９μｍ以下であり、不活性ガス雰囲気中にて１６００〜２２００℃で再加熱処理した後の高結晶性六方晶窒化ホウ素粉末のＸ線回折法による黒鉛化指数（ＧＩ）が１．９以下かつ数平均粒子径が１０μｍ以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 圧力損失が低く、高い強度を有するハニカムを製造することができるハニカム構造体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 炭化ケイ素粉末、バインダ及び添加材を含む原料組成物を成形することにより、多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設された柱状のハニカム成形体を作製した後、上記ハニカム成形体を脱脂処理することによりハニカム脱脂体を作製し、さらに、上記ハニカム脱脂体を焼成処理することによりハニカム焼成体からなるハニカム構造体を製造するハニカム構造体の製造方法であって、上記原料組成物は、上記炭化ケイ素粉末として、炭化ケイ素粗粉末と上記炭化ケイ素粗粉末より平均粒子径（Ｄ５０）の小さい炭化ケイ素微粉末とを含むとともに、上記添加材として、金属酸化物粉末を含み、上記金属酸化物粉末の上記原料組成物中の配合量は、０．８〜４．０重量％であることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、基本的に、組成物Ｍ_１−ｙＡ_２−ｘＢ_ｘＯ_２−２ｘＮ_２＋ｘ：Ｅｕ_ｙから成り、ここで、Ｍは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ又はそれらの混合物を含むグループから選択され、Ａは、Ｓｉ、Ｇｅ又はそれらの混合物を含むグループから選択され、Ｂは、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ又はそれらの混合物を含むグループから選択され、ｘ及びｙは、＞０から≦１までで別々に選択されるセラミック複合材料を備える発光装置、特にＬＥＤに関する。この材料は、一方の相がアンバー乃至赤色放射相であり、他方の相がシアン乃至緑色放射相である２相組成物であることが分かった。
（もっと読む）

【課題】アスベストを分解するとともに、分解後の生成物を利用できる、ケイ酸塩鉱物の分解方法を提供する。
【解決手段】ケイ酸塩鉱物と、酸化ホウ素と、金属とを含む第１の混合物を反応させ、ホウ化物と、金属酸化物とを含む第２の混合物を分解生成物とすることを含む。ケイ酸塩鉱物としては、アスベストを用いることができる。この場合、上記反応は、下記の反応を含む。
ｍ_１１Ｍｇ_６Ｓｉ_４Ｏ_１０（ＯＨ）_８＋ｍ_１２Ｂ_２Ｏ_３＋ｍ_１３Ｍｇ
→ｍ_１８（Ｍｇ，Ｓｉ）Ｂ_α＋ｍ_１４ＭｇＢ_２＋ｍ_１５ＳｉＢ_６＋ｍ_１６ＭｇＯ
＋ｍ_１７Ｈ_２Ｏ （もっと読む）

【課題】窒化ホウ素と炭化ケイ素の複合材料であって、より微細な窒化ホウ素が前記複合材料中に均一に分散している複合材料、およびそのような複合材料の原料である窒化ホウ素と炭化ケイ素の複合粉末の提供を目的とする。
【解決手段】炭化ケイ素と窒化ホウ素とが複合化されている複合粉末であって、前記複合粉末が、下記式（Ｉ）を満たす複合粉末により解決される。
６２．１＜Ｘ＋０．１０１×Ｙ （Ｉ）
前記式中、ＸおよびＹは明細書中で定義のとおりである。
また、炭化ケイ素と窒化ホウ素とが複合化されている複合材料であって、前記複合材料が、本発明の複合粉末を焼結して得られた複合材料であり、前記複合材料が、下記式（ＩＩ）を満たす複合材料により解決される。
Ｓ＞５．５６Ｙ−６７０ （ＩＩ）
前記式中、ＳおよびＹは明細書中で定義のとおりである。 （もっと読む）