炭化ケイ素と黒鉛とを含む多孔質の炭化ケイ素焼結体およびその製造方法が記載される。多孔質の炭化ケイ素体はシールであることができる。多孔質の炭化ケイ素焼結体は、約１容量％〜約５容量％の範囲の気孔率を構成する、約２０μｍ〜約４０μｍの範囲の平均孔径で細孔を画定する。
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炭化ケイ素焼結体の形成方法は、約３重量％未満の酸素含有率を有し、約８ｍ^２／ｇ〜約１５ｍ^２／ｇの範囲の表面積を有する炭化ケイ素粉末を、炭化ホウ素粉末および炭素焼結助剤と混合して炭化ケイ素素地を形成する工程を含む。あるいは、炭化ケイ素焼結体の製造方法は、炭化ケイ素粉末を、約５ｎｍ〜約１００ｎｍの範囲の平均粒径を有する炭化チタン粉末とおよび炭素焼結助剤と混合して炭化ケイ素素地を形成する工程を含む。別の代替手段においては、炭化ケイ素焼結体の形成方法は、炭化ケイ素粉末を、炭化ホウ素粉末、炭化チタン粉末、および炭素焼結助剤と混合して炭化ケイ素素地を形成する工程を含む。焼結後に、炭化ケイ素体は、炭化ケイ素の理論密度の少なくとも９８％の密度を有する。
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【課題】炭素繊維の靭性等の機械的特性を劣化させることなく、稠密性の高い耐熱性カーボン／シリコンカーバイド系複合材料を製造する。
【解決手段】シリコンカーバイド相で構成された母相と、この母相に分散された炭素繊維と、ケイ素及びこのケイ素の融点を降下させるための元素を含む共晶金属相とを含み、前記炭素繊維は、ケイ素及び前記元素の複合炭化物で形成されたカバー層で覆われているカーボン／シリコンカーバイド系複合材料である。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、トライボロジー向上成分を含む硬質非酸化物又は酸化物セラミック複合体部分に直接結合し且つこの部分と異なる、理論密度が少なくとも９５％の、少なくとも１つの硬質非酸化物又は酸化物セラミック部分を含むハイブリッド物品を包含する。少なくとも１つの硬質非酸化物又は酸化物セラミック部分は、炭化ケイ素、常圧焼結炭化ケイ素、液相焼結炭化ケイ素、反応焼結炭化ケイ素、炭化タングステン、酸化アルミニウム、及び窒化ケイ素からなる群の１つを含む。少なくとも１つの硬質非酸化物又は酸化物セラミック複合体部分は、炭化ケイ素、常圧焼結炭化ケイ素、液相焼結炭化ケイ素、反応焼結炭化ケイ素、炭化タングステン、酸化アルミニウム、及び窒化ケイ素からなる群の１つを含む。いくつかの実施形態において、ハイブリッド物品は、理論密度が少なくとも９５％の、少なくとも１つの硬質非酸化物又は酸化物セラミック体を調製すること；トライボロジー向上成分を含む、少なくとも１つの硬質非酸化物又は酸化物セラミック複合体を調製すること；これらの体（セラミック体及びセラミック複合体）をお互いに接触させて配置し、ハイブリッド物品を形成すること；並びにハイブリッド物品を処理し、これらの体（セラミック体及びセラミック複合体）を直接結合させることによって形成される。いくつかの実施形態において、ハイブリッド物品の処理は、熱間等静圧圧縮成形、常圧焼結、液相焼結又は反応焼結を含んでもよい。
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【課題】 水溶性のレゾール型フェノール樹脂を使用し、低環境負荷を実現し、緻密で高比剛性の炭化硼素焼結体と、その製造方法を提供する。
【解決手段】 炭化硼素を主成分とし、これに、レゾール型フェノール樹脂、カーボン粉体、及び、分散剤を混合して、焼結させる炭化硼素焼結体。更にジルコニアを含有する炭化硼素焼結体。炭化硼素、レゾール型フェノール樹脂が炭化して生成するカーボン及びカーボン粉体の合計質量を１００質量部とした際に、カーボン粉体が、２〜１０質量部、レゾール型フェノール樹脂が炭化して生成するカーボンの量で１〜５質量部である炭化硼素焼結体。 （もっと読む）

【課題】本発明は、十分に軽量で高精度なＣ／ＳｉＣハニカム複合体及びその製造方法を得ることを目的とするものである。
【解決手段】Ｃ／ＳｉＣハニカム複合体は、ハニカム構造部１と、ハニカム構造部１の一側に固定されたプレート部２とを有している。ハニカム構造部１は、炭素短繊維と黒鉛粉末と粉末樹脂とを含む混合原料を成形し炭素化してなるＣ／ＣハニカムコアをＣ／ＳｉＣ化してなっている。プレート部２は、Ｃ／Ｃハニカムコアと同一の混合原料を成形し炭素化してなるＣ／ＣプレートをＣ／ＳｉＣ化してなっている。ハニカム構造部１とプレート部２とは、Ｃ／ＣハニカムコアとＣ／Ｃプレートとにシリコンを含浸してＣ／ＳｉＣ化することにより一体化されている。 （もっと読む）

【課題】ヒータとしての発熱量を確保しつつ、部位毎の発熱量の差をさらに抑制させたヒータ、ヒータに用いられる発熱体、及び発熱体の製造方法を提供すること。
【解決手段】電力の供給に伴って発熱する発熱体１０と、発熱体１０の両端部に接続され、電源からの電力を供給する端子２０と、を備えたヒータ１００であって、発熱体１０は、純度が、９９．９９％以上の炭化珪素の粉末を成型するステップと、粉末を窒素雰囲気において、１７００℃以上で１時間以上焼成するステップとにより製造されること。 （もっと読む）

【課題】水蒸気の電気分解で発生した水素を貯蔵した上で発電に利用する水素電力貯蔵システムにおいて、発電時に発生する熱を有効に利用して総合効率を向上させる。
【解決手段】水素電力貯蔵システム３０は、水素と酸化剤ガスとを用いて発電する発電部および水蒸気を電気分解する電解部（電力／水素変換装置１１）を具備する。水素電力貯蔵システム３０は、電気分解により生成された水素を貯蔵し、当該水素を発電時に発電部に供給する水素貯蔵部１２と、発電に伴って発生する高温の熱を貯蔵し、当該熱を電気分解時に電解部に供給する高温蓄熱部１３と、高温蓄熱部１３で熱交換された後の低温の熱を貯蔵し、当該熱で電解部に供給する水蒸気を発生させる低温蓄熱部３１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】潤滑性材料の包含物（インクルージョン）を有するセラミック体とその形成方法の提供。
【解決手段】セラミック要素は、第１セラミック材料を含む組成物から形成される焼結セラミック体と、該セラミック体中の複数の包含物であって、各包含物がグラファイト及び第２セラミック材料を含む包含物とを含む。特に潤滑性及び（又は）グラファイト含有のセラミック体を形成するための種々の技術、ならびにそれらによって形成されるセラミック体。 （もっと読む）

【課題】加圧浸透法により金属−セラミックス複合材料を得るための高強度の多孔体を提供し、クラックやメタルリッチ層、浸透不良が生じず、低コストで剛性の高い金属-セラミックス複合材料の作製を可能とする。
【解決手段】加圧浸透法によりアルミニウムまたはアルミニウム合金を浸透させて金属−セラミックス複合材料を得るための炭化ケイ素を主成分とする多孔体であって、炭化ケイ素の充填率が６０％以上であり、Ｓｉとカーボンが反応してなる反応焼結炭化ケイ素が、炭化ケイ素全体の５〜１０質量％を占めることを特徴とする多孔体。 （もっと読む）

【課題】 三族元素の有機化合物やアンモニア等の反応活性な雰囲気下、１，２００〜１，４００℃に達する高温で、Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、安定して使用可能なサセプタやその周辺部材を提供する。
【解決手段】 Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、ＡｌＮ６０質量％以上８５質量％以下、ＢＮ１５質量％以上４０質量％以下かつ１，４００℃のＮ_２中で６時間加熱した後の減量が０．１％以下のＡｌＮ−ＢＮ複合焼結体を用いる３−５族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材。好ましくは、相対密度９８％以上かつＡlＮの最大粒径が４μｍ以下である３−５族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材。 （もっと読む）

【課題】気孔径が５００μｍ未満で、かつ気孔径の大きさおよび分布が比較的均一な炭化ケイ素系セラミックス多孔質材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ポリウレタン、ポリエチレンまたはゴムからなるスポンジを一軸圧縮成形されてなり、かつ上記スポンジに、樹脂類およびシリコン粉末を含むスラリー、または樹脂類、シリコン粉末および炭化ケイ素粉末を含むスラリーが含浸されてなるスポンジ状多孔質体を焼成および炭素化して形成される炭素化多孔質体に、シリコンを反応焼結させ、あるいはシリコンを反応焼結させた後にシリコンを溶融含浸させて形成されており、気孔径が０．１μｍ以上、５００μｍ未満の範囲内である連続気孔を有している。 （もっと読む）

本発明は、２体積パーセント未満の多孔度を有する、ダイヤモンド粒子と、炭化ホウ素とを含む炭化ホウ素複合材料に関する。本発明は、このような材料を製造するための方法であって、複数のダイヤモンド粒子を炭化ホウ素でコーティングするステップと、この複数のダイヤモンド粒子を合わせることによって、グリーン体を形成するステップと、このグリーン体を、摂氏約１２００度から約２０００度の範囲の温度及び約２０００Ｍｐａを超えない圧力又は真空にさらすステップとを含む方法にさらに関する。
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【課題】本発明は粒径が１μｍ以下のような小さな微粒子の捕獲率が高いセラミックフィルタを提供することを課題とする。
【解決手段】本発明に係るセラミックフィルタは、多孔質組織を構成する炭化珪素結晶粒子同士がネック部によって結合された焼結体であって、ＳiＣ表面から起立した複数のナノチューブを有するナノチューブ層が形成されていることを特徴とする。ナノチューブの長さ方向は、ＳiＣ表面と略垂直であることが好ましい。また、ナノチューブの長さは１〜３μｍであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】マトリックス部をより均一に反応させ、強度特性に優れる炭素繊維強化炭化ケイ素複合材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】（ｉ）樹脂、充填材及び有機繊維を混合する工程、
（ｉｉ）（ｉ）の工程でられた混合物と炭素繊維を混合する工程、
（ｉｉｉ）（ｉｉ）の工程で得られた混合物を所定の形状に成形する工程、
（ｉｖ）（ｉｉｉ）の工程で得られた成形体を炭素化（焼成）する工程、並びに
（ｖ）（ｉｖ）の工程で得られた焼成体にシリコンを溶融含浸する工程を含むことを特徴とする炭素繊維強化炭化ケイ素複合材の製造方法及びこの製造方法より得られる炭素繊維強化炭化ケイ素複合材。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素焼結体本来の優れた特性を保持しながら炭化珪素単相の焼結体よりも良好な加工性を示し、優れたセラミックス構造材料となりうる炭化珪素／窒化硼素複合材料焼結体、および炭化珪素／窒化硼素複合材料焼結体の新たな製造方法を提供する。
【解決手段】上記焼結体は、炭化珪素55〜92質量%、六方晶窒化硼素5〜35質量%ならびに焼結助剤等を3〜25質量%の割合で含有し、酸素不純物含有量が0.2質量%以下であり、曲げ強度が400MPa以上である。上記製造方法は、炭化珪素粉末および六方晶窒化硼素粉末を含む混合粉末を焼成する前に真空または不活性雰囲気中1450〜1650℃の温度で熱処理する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】銃弾，砲弾等の飛翔体の貫通性能が飛躍的に高くなっているが、それらに対して、十分に防護できる防護部材を提供する。
【解決手段】受衝部２をセラミックスで構成し、受衝部２の裏面側に位置する基部３を受衝部２より熱膨張係数の低い材質で構成した防護部材１とすることにより、基部３には圧縮力がかかった状態が維持されるため、着弾した銃弾や砲弾の貫通を阻止する性能が向上する。また、受衝面２ａで発生したクラックの進行は、基部３との境界で止められるため、前記両材質の特性が十分に発揮され、相乗効果により防護性能を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】焼結条件を変更することなく炭化ケイ素焼結体の高密度化を実現する。
【解決手段】本願発明の発明者は、鋭意研究を重ねた結果、炭化ケイ素粉末と燃結助剤を含むスラリーにフェノールを添加することにより、焼結条件を変更することなく炭化ケイ素焼結体の高密度化を実現できることを知見した。具体的には、発明者は、炭化ケイ素粉末重量の８〜１６％の範囲内のフェノールを添加することにより、炭化ケイ素焼結体の密度が上がり、プラズマ耐性が１０〜８０％の範囲内向上することを知見した。これは、スラリーにフェノールを添加することにより、焼結性が向上し、燃結助剤によってガラス相が生成されることにより、炭化ケイ素焼結体中の気孔率が減少したためであると推察される。 （もっと読む）

【課題】耐火物の耐食性と強度を更に高めることのできる窒化珪素鉄粉末と、それを用いた耐火物、特に出銑樋材や高炉出銑口閉塞用マッド材などとして適した耐火物を提供する。
【解決手段】ＢＥＴ比表面積が0.5〜250ｍ²/gの炭素粉を5〜20質量％を含有してなることを特徴とする窒化珪素鉄粉末である。更に、該窒化珪素鉄粉末と、耐熱性骨材と、炭素粉末及び／又は加熱によって炭素となる有機バインダーとを含有してなることを特徴とする耐火物である。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生が少なく、半導体製造装置またはフラットパネルディスプレイ製造装置に好適な多孔体を提供する。
【解決手段】１００質量％のＳｉＣ粉末と、５質量％以下のカーボンと、２０質量％以上の金属シリコンからなることを特徴とする多孔体であって、前記金属シリコンの粒子同士がネッキングした構造を有する。１００質量％のＳｉＣ粉末と、５質量％以下のカーボン粉末または５質量％以下のカーボンを含む有機系バインダーと、２０質量％以上の金属シリコン粉末との混合粉末をプレス成形して成形体とする工程と、前記成形体を非酸化雰囲気中、１２００〜１３５０℃で熱処理することにより金属シリコンの粒子同士をネッキングさせる工程を含む製造方法。 （もっと読む）