【課題】 微粒超硬合金作製に有用な微粒ＷＣ粉とこれを安価に製造する製造方法とこの原料からなる高硬度微粒超硬合金を提供すること。
【解決手段】 ＷＣ粉は、結合炭素量が５．１０〜５．９０質量％、窒素含有量が０．１０〜０．２０質量％とＷ_２Ｃを含有するＷＣ粉において、Ｗ_２Ｃ／ＷＣ＝０．０７〜０．８８であり、Ｗ_２Ｃ／ＷＣの値はＸ線回折により、ＪＣＰＤＳ ２５−１０４７のＷＣ（１０１）とＪＣＰＤＳ ３５−０７７６のＷ_２Ｃ（１０１）の強度の割合である。このＷＣ粉は、Ｗ酸化物とカーボン粉、あるいはＷ酸化物とＣｒ酸化物とカーボン粉を混合し、窒素雰囲気中で加熱し、還元、炭化することによって得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、摺動時の負荷応力に対するクッション性を発揮し、また水や油等の潤滑条件下では潤滑剤の担持性を良好にすることによって、相手材攻撃性及び自材の比磨耗量を低減できるとともに、特に大気中無潤滑下での摺動性に優れ、メカニカルシール等の摺動部材として最適な炭化珪素複合焼結体を提供することを目的とする。
【解決手段】炭化珪素に炭素粉末を分散させた炭化珪素複合焼結体であって、前記炭素粉末は表面の少なくとも一部が炭化被膜で被覆された多孔質炭化粉末であり、前記炭素粉末の配合量は前記炭化珪素１００質量部に対して３〜１７質量部である構成を備える。 （もっと読む）

【課題】焼結後の構造及び諸物性、特に、密度及び強度が優れる炭素含有炭化ケイ素セラミックスの工業的な製造方法を提供すること。
【解決手段】炭化ケイ素と炭素原料と焼結助剤とを含む原材料の混合物Ｘを焼成する工程を有する炭素含有炭化ケイ素セラミックスの製造方法であって、該混合物Ｘを構成する粒子の平均粒径が０．０５〜３μｍである炭素含有炭化ケイ素セラミックスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】アルカリ土類元素や硼素を添加することなく高温雰囲気下における体積抵抗率を向上させる。
【解決手段】窒化アルミニウム（ＡｌＮ）粉末１００［ｇ］と酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）粉末２．０［ｇ］をそれぞれ図１に示す黒鉛坩堝１及び黒鉛坩堝２ａ，２ｂに入れた後、図１に示す坩堝３全体を温度２２００［℃］，圧力１．５［ｋｇｆ／ｃｍ２］の窒素雰囲気中に２時間保持する熱処理を行うことにより、実施例Ａ−１の窒化アルミニウム粉末を調製した。 （もっと読む）

本発明は、内容積を規定する底面および側壁を有する基体を含んでなる、溶融シリコンを処理するための坩堝に関する。本発明によると、基体は、少なくとも６５重量％の炭化ケイ素、酸化ケイ素または窒化ケイ素から選択される１２から３０重量％の成分を含んでなる。さらに、基体は、従来技術の坩堝とは反対に、少なくとも１つの酸化ケイ素および／または窒化ケイ素被膜を、少なくとも坩堝の内容積を規定する表面上に含み、そのような坩堝は、その物理的完全性の明らかな劣化なしに数回使用することができる。 （もっと読む）

【課題】クラッチ廃材等のSiC生成に必要な珪素と炭素成分を含む複合体シートから、適当な強度を有するSiC含有シートを製造する方法を提供すること。
【解決手段】複合体シートを予備加熱し、1400〜1600℃で熱処理することを含むSiC含有シートの製造方法であって、前記複合体シートは、セルロースおよび合成繊維の少なくとも一方、炭素粉体および炭素繊維の少なくとも一方、珪藻土並びにフェノール樹脂を含有し、かつ少なくとも前記予備加熱は、複合体シートからの揮発成分雰囲気下で行う前記方法。 （もっと読む）

【課題】エアベアリング面の段差の低減を図れかつ表面平滑性の高い磁気ヘッドスライダ用焼結体、これを用いた磁気ヘッドスライダ、及び磁気ヘッドスライダ用焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】ＴｉＣ及びＸＣの少なくとも一方と、Ｔｉ及びＸを含む炭化物と、Ａｌ_２Ｏ_３と、遊離炭素とを有し、１００体積部のＡｌ_２Ｏ_３に対して、ＴｉＣ及びＸＣの少なくとも一方、及び、Ｔｉ及びＸを含む炭化物を合わせた総炭化物を２５〜１６０体積部含み、Ａｌ_２Ｏ_３及び総炭化物の合計１００体積部に対して遊離炭素を１〜１５体積部含む磁気ヘッドスライダ用焼結体（但し、ＸはＴａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｖ及びＣｒからなる群から選択される少なくとも１種の元素である。）。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＮのマトリックスの優れた特性を維持した状態で、高い導電性を有する導電性セラミックスを提供すること。
【解決手段】本発明の導電性セラミックスは、ＡｌＮをマトリックス相とし、粒界相に希土類元素含有炭素化合物を含むものである。この希土類元素含有炭素化合物は粒界相の三重点を介して三次元的に網目状に連続した導電ネットワークを形成する。この導電ネットワークが粒界相の抵抗を大幅に低下させることにより、焼結体全体の電気抵抗を低下させ、導電性セラミックスの導電率を、１０^−９Ｓ／ｃｍから１０^１Ｓ／ｃｍまでの広範囲に亘り変化させる。希土類元素含有炭素化合物はマトリックス相に実質的に存在しないので、マトリックス相であるＡｌＮのハロゲン系腐食性ガス及びそのプラズマに対する耐食性や高熱伝導性や高強度を低下させることがない。 （もっと読む）

【課題】 比較的低温での焼結により相対密度９８％以上の高密度のＳｉＣを主成分とする焼結体を提供しようとする。
【解決手段】 ＳｉＣとＡ１Ｎとの固溶体の微粒子から構成された被焼結粉末を焼結して成り、該固溶体は０．５〜１０ｍｏｌ％のＡ１Ｎを含み、該微粒子は積層無秩序構造を持ち、前記焼結体の平均粒子サイズが５〜２００ｎｍであり、微量のＡ１Ｎが固溶したβ−ＳｉＣ構造、微量のＡ１Ｎが固溶したα−ＳｉＣと微量のＡ１Ｎが固溶したβ−ＳｉＣとの混在構造から選択される構造を有することを特徴とする焼結体であり、あるいは、該固溶体が８ｍｏｌ％以上のＡ１Ｎを含み、前記焼結体の平均粒子サイズが５〜２００ｎｍであり、前記焼結体が、Ａ１Ｎが固溶した変調構造を有する、ことを特徴とする焼結体である。
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【課題】様々な形状及び寸法を有する炭素を含有する多孔質の中間品を、高品質で、また特に、明確な相組成と高度の均質性とを有する成形体として製造することのできる、ケイ素浸透方法を提案する。
【解決手段】ケイ素及びバインダ材料を含有する均質な被着物質から成る可撓性を有する薄層体を、圧延成形、型成形、または押出成形により製作するステップと、炭素を含有する成形体に、前記薄層体を被着するステップと、前記薄層体を被着した前記成形体を、真空下で、ケイ素浸透度の目標値に応じて制御される数分間から数時間の加熱処理時間に亘って、１４００℃以上の温度で加熱処理するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 炭化ケイ素焼結体の焼成時間の短縮を図る。
【解決手段】
（イ）炭化ケイ素粉末及び炭素源を有機溶媒に混合してスラリー溶液を調製する工程と、（ロ）上記スラリー溶液を乾燥させ造粒粉を得る工程と、（ハ）上記造粒粉を焼成して脱脂粉を得る工程と、（ニ）上記脱脂粉表面にバインダーをコーティングして炭化ケイ素焼結体用粉体を得る工程と、を備える炭化ケイ素焼結体用粉体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】引張強度の高い炭素繊維強化ＳｉＣ系複合材を提供する。
【解決手段】炭素繊維強化炭素複合材に、金属Ｓｉを溶融含浸させて得られる炭素繊維強化ＳｉＣ系複合材において、該炭素繊維強化炭素複合材に用いられる炭素繊維がピッチ系炭素短繊維であり、前記ピッチ系炭素短繊維の繊維が二次元ランダムに配向していることを特徴とする炭素繊維強化ＳｉＣ系複合材。炭素繊維強化炭素複合材は、嵩密度１．２〜１．７ｇ／ｃｍ^３、気孔率１５〜４０ｖｏｌ％、体積当たりの炭素繊維含有率２０〜５０ｖｏｌ％であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＳｉとＯとを主成分とする薄膜をスパッタ法で作製するにあたって、成膜時における割れやすさを改善すると共に、異常放電の発生を抑制することを可能にしたスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】主成分としてＳｉとＣとを含有するスパッタリングターゲットである。スパッタリングターゲット１は、ＳｉＣ結晶粒２の隙間にＳｉ相３がネットワーク状に連続して存在する組織を具備する。Ｓｉ相３は平均径が1000nm以下とされている。このようなスパッタリングターゲットを、酸素を含むガス中でスパッタリングすることによって、主成分としてＳｉとＯとを含有し、かつ主成分以外の第三元素を合計量で10〜2000ppmの範囲で含む光学薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用放熱板を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０３であり、熱伝導率が２２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２５０ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用放熱板である。 （もっと読む）

【課題】 高温下でハロゲン系腐食性ガスやそのプラズマに曝されても腐食や摩耗が少なく、かつパーティクルの発生が極めて少ない窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】 窒化アルミニウム質焼結体中にＡｌ、Ｎ、Ｏを合計で９９．５重量％以上含み、ＡｌＮを主結晶相とするとともに、他の結晶相として上記Ａｌ、Ｎ、Ｏの３成分を含む化合物を含有し、上記焼結体をＸ線回折（Ｘ線の発生源：銅）にて測定した時、上記ＡｌＮの回折ピーク強度Ｉ１（面間隔：２．６８乃至２．７１）に対する上記化合物の回折ピーク強度Ｉ２（面間隔：２．５６乃至２．６２）の強度比（Ｉ２／Ｉ１）が１〜８％で、かつ面間隔：１．５２乃至１．５３７と上記ＡｌＮの（１０１）面の面間隔乃至上記ＡｌＮの（００２）面の面間隔とに回折ピーク強度を実質的に持たないようにする。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素より高比剛性でありかつ緻密な材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素５０〜９５質量部、炭化ホウ素５〜５０質量部、遊離炭素０．１〜５質量部を含むセラミックスであって、比剛性が１３０ＧＰａ・ｃｍ^３／ｇ以上であることを特徴とする高剛性セラミックス材料。混合時にさらにアルミニウムあるいはアルミニウム化合物をアルミニウム換算で０．１〜５重量部添加し、焼成を不活性ガス雰囲気中もしくは真空中で行う。 （もっと読む）

有機元素プレカーサーポリマーの熱分解によりプレカーサーセラミックを製造する方法が提案されている。この場合、炭素ナノチューブがプレカーサーセラミックと結合され、かつ有機元素プレカーサーポリマーの分解の際に生成される遊離炭素の量を調節して、プレカーサーセラミック中で化学量論的炭素含有量又は化学量論から大きく異なる炭素含有量が存在するように前記結合を実施する。 （もっと読む）

平坦な支持表面３ｂを有すると共に容易に大型化できかつ破壊靭性を向上させた定盤を提供する。支持表面３ｂを有する定盤３であって、セラミックスからなる主物質ａと、金属からなる補助物質ｂとの複合物質Ａによって形成される。
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第１セラミック材料を含む組成物から形成される焼結セラミック体と、該セラミック体中の複数の包含物であって、各包含物がグラファイト及び第２セラミック材料を含む包含物とを含むセラミック要素が開示される。
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【課題】発光効率に優れた発光素子などの半導体素子製造用基板として使用され、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜基板を提供する。
【解決手段】セラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を用いることにより、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜が形成される。該単結晶薄膜と焼結体との接合体を用いて、電子素子および電子部品を製造する。 （もっと読む）