【課題】 微粒超硬合金作製に有用な微粒ＷＣ粉とこれを安価に製造する製造方法とこの原料からなる高硬度微粒超硬合金を提供すること。
【解決手段】 ＷＣ粉は、結合炭素量が５．１０〜５．９０質量％、窒素含有量が０．１０〜０．２０質量％とＷ_２Ｃを含有するＷＣ粉において、Ｗ_２Ｃ／ＷＣ＝０．０７〜０．８８であり、Ｗ_２Ｃ／ＷＣの値はＸ線回折により、ＪＣＰＤＳ ２５−１０４７のＷＣ（１０１）とＪＣＰＤＳ ３５−０７７６のＷ_２Ｃ（１０１）の強度の割合である。このＷＣ粉は、Ｗ酸化物とカーボン粉、あるいはＷ酸化物とＣｒ酸化物とカーボン粉を混合し、窒素雰囲気中で加熱し、還元、炭化することによって得られる。 （もっと読む）

【課題】
従来の希土類付活サイアロン蛍光体より緑色の輝度が高く、従来の酸化物蛍光体よりも耐久性に優れる緑色蛍光体を用いた照明器具および画像表示装置を提供する。
【解決手段】
発光光源と蛍光体とを含む照明器具、又は、励起源と蛍光体とを含む画像表示装置において、前記蛍光体は、β型Ｓｉ_３Ｎ_４結晶構造を持つ窒化物または酸窒化物の結晶中に金属元素Ｍ（ただし、Ｍは、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｅｕから選ばれる１種または２種以上の元素）が固溶してなるβ型Ｓｉ_３Ｎ_４結晶構造を持つ窒化物または酸窒化物の結晶相を含み、前記発光光源あるいは励起源を照射することにより波長５００ｎｍから６００ｎｍの範囲の波長にピークを持つ蛍光を発光することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】研磨による平坦性に優れた窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】粒界強度を向上させると共に、且つ、焼結処理中に窒化アルミニウムと固溶することにより粒界相として存在しなくなるＳｉＯ_２又はＭｇＯを窒化アルミニウム粉末に微量添加し、１６００［℃］以上１７５０［℃］以下の低温で窒化アルミニウム粉末を焼結することにより、研磨による平坦性に優れた窒化アルミニウム焼結体を製造できることを知見した。 （もっと読む）

【課題】炭化硼素質焼結体の結晶粒径分布がほぼ均一であり、高い衝撃を受けた際のクラックの進展を抑制することができず、特に防護部材として用いた場合には圧縮強度が十分でないため、クラックが生じやすいという。
【解決手段】炭化硼素を主結晶相とする炭化硼素質焼結体であり、断面視における所定範囲内の炭化硼素の結晶のうち、結晶粒径１０μｍ以下の結晶を前記所定範囲に対して５０面積％以上有するととともに、結晶粒径２０μｍ以上の結晶を前記所定範囲に対して５面積％以上有する。 （もっと読む）

【課題】切削工具として十分な強度、硬度、耐熱性および放熱性を有する立方晶窒化ホウ素焼結体を提供する。
【解決手段】低圧相窒化ホウ素を高温高圧下で直接変換させると同時に焼結させて立方晶窒化ホウ素焼結体を製造する方法において、ホウ素と酸素とを含む化合物を、窒素と炭素とを含む化合物で還元することにより出発物質としての低圧相窒化ホウ素を準備する。得られた立方晶窒化ホウ素焼結体の（２２０）面のＸ線回折強度Ｉ₂₂₀と、（１１１）面のＸ線回折強度Ｉ₁₁₁との比Ｉ₂₂₀／Ｉ₁₁₁は０．１以上である。 （もっと読む）

本発明は、内容積を規定する底面および側壁を有する基体を含んでなる、溶融シリコンを処理するための坩堝に関する。本発明によると、基体は、少なくとも６５重量％の炭化ケイ素、酸化ケイ素または窒化ケイ素から選択される１２から３０重量％の成分を含んでなる。さらに、基体は、従来技術の坩堝とは反対に、少なくとも１つの酸化ケイ素および／または窒化ケイ素被膜を、少なくとも坩堝の内容積を規定する表面上に含み、そのような坩堝は、その物理的完全性の明らかな劣化なしに数回使用することができる。 （もっと読む）

【課題】浮上量が１０ｎｍ以下の範囲では浮上面の表面平滑性が重視されるようになり、この浮上面を得るには、平均粒径０．１μｍ以下の小さなダイヤモンド砥粒を用いて研磨しなければならないため、従来のセラミック焼結体では機械加工性が悪く、このセラミック焼結体から製作される磁気ヘッドを１０ｎｍ以下の浮上量に対応させることはできなかった。
【解決手段】Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒子と、該Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒子の内部に存在する内部ＴiＣ結晶粒子と、前記内部ＴｉＣ結晶粒子以外の外部ＴiＣ粒子とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】熱衝撃・繰り返し熱疲労や腐食に対する耐久性を大幅に向上させ、周辺鋼製部材との施工性を改善した溶融金属めっき浴用浸漬部材を提供すること。
【解決手段】本発明は、溶融金属めっき浴４に浸漬される装置２，３に付設された浸漬部材であって、該浸漬部材が、実質的に主相はβ-Ｓｉ_３Ｎ_４および粒界相はＳｉ₂Ｎ₂Ｏ、ＭｇＹ₂Ｏ₄、Ｙ₂Ｓｉ₂Ｏ₇、Ｙ₂ＳｉＯ₅の1種以上から構成される複合酸化物相で、平均粒径３μｍ以上１０μｍ以下のホウ化チタン（ＴｉＢ_２ ）粒子を質量分率３５〜８０％の範囲で分散させた焼結体を成形加工してなる溶融金属めっき浴用浸漬部材及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 耐摩耗性や潤滑性に優れ、かつ高い硬度を有し、高速度の切削に好適に使用される切削工具を、被膜形成等を要することなく提供することができる立方晶窒化硼素焼結体を得ること。
【解決手段】 立方晶窒化硼素及び、結合材からなる立方晶窒化硼素焼結体であって、前記結合材中における炭素の含有量が、立方晶窒化硼素焼結体全体に対して、０．０１〜３質量％であることを特徴とする立方晶窒化硼素焼結体とする。前記炭素がグラファイトとして含有されている場合には、その粒径が３０ｎｍ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】微細なＴｉＮを分散粒子とするセラミックス焼成体を容易に得る製造方法を確立することを目的とする。
【解決手段】粉末α及びＴｉＮ粉末を含む混合粉末を製造する方法であって、粉末αと、還元、窒化処理することによりＴｉＮ粉末を生成する前駆体としてのＴｉＯ_２粉末とを含む原料混合物を得る工程と、Ｎ_２ガス及びＨ_２ガスの混合ガス雰囲気下、１０００〜１２００℃で原料混合物を加熱処理することにより、ＴｉＯ_２粉末をＴｉＮ粉末に還元、窒化する工程と、得られた混合粉末を焼結する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】結晶粒の粗大化を防止し、残留炭化チタン（TiC）相の発生を抑制して均質化による特性の向上を図るとともに、エネルギー多消費型の製造法から、より低温、短時間での合成法を確立するものであり、かつパルス通電加圧焼結方法による短時間成形法により、優れた特性を持つチタンシリコンカーバイド焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】チタン（Ti）、炭化珪素（SiC）、炭化チタン（TiC）の混合粉末をパルス通電加圧焼結することにより得られ、結晶粒径が１０μｍ以下であり、炭化チタン（TiC）含有量が８ｗｔ％以下であることを特徴とするチタンシリコンカーバイド焼結体。 （もっと読む）

【課題】 比較的低温での焼結により相対密度９８％以上の高密度のＳｉＣを主成分とする焼結体を提供しようとする。
【解決手段】 ＳｉＣとＡ１Ｎとの固溶体の微粒子から構成された被焼結粉末を焼結して成り、該固溶体は０．５〜１０ｍｏｌ％のＡ１Ｎを含み、該微粒子は積層無秩序構造を持ち、前記焼結体の平均粒子サイズが５〜２００ｎｍであり、微量のＡ１Ｎが固溶したβ−ＳｉＣ構造、微量のＡ１Ｎが固溶したα−ＳｉＣと微量のＡ１Ｎが固溶したβ−ＳｉＣとの混在構造から選択される構造を有することを特徴とする焼結体であり、あるいは、該固溶体が８ｍｏｌ％以上のＡ１Ｎを含み、前記焼結体の平均粒子サイズが５〜２００ｎｍであり、前記焼結体が、Ａ１Ｎが固溶した変調構造を有する、ことを特徴とする焼結体である。
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【課題】本発明は、焼成後、未研磨の状態において平滑な表面を有し、光線透過特性が高い窒化アルミニウム焼結体を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明に係る窒化アルミニウム焼結体は、酸素濃度が４５０ｐｐｍ以下、酸素、窒素、アルミニウム以外の不純物元素濃度が３５０ｐｐｍ以下であり、平均結晶粒径が２μｍ〜２０μｍであり、更に、焼成後、未研磨の状態において、表面の算術平均高さＲａが１μｍ以下であり、最大高さＲｚが１０μｍ以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用基板を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０３であり、熱伝導率が２２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２５０ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用基板である。 （もっと読む）

【課題】 炭化ケイ素焼結体の焼成時間の短縮を図る。
【解決手段】
（イ）炭化ケイ素粉末及び炭素源を有機溶媒に混合してスラリー溶液を調製する工程と、（ロ）上記スラリー溶液を乾燥させ造粒粉を得る工程と、（ハ）上記造粒粉を焼成して脱脂粉を得る工程と、（ニ）上記脱脂粉表面にバインダーをコーティングして炭化ケイ素焼結体用粉体を得る工程と、を備える炭化ケイ素焼結体用粉体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 直接窒化法による、歪みや転位あるいは亜粒界の量が多いＡｌＮ原料粉末を用いて、高熱伝導性の窒化アルミニウム焼結体を安価に提供する。
【解決手段】 Ｘ線回析におけるＡｌＮの（２１３）面の２θの半値幅が０．３５ｄｅｇ以上であるＡｌＮ原料粉末７０〜９９．９重量％と、半値幅が０．３５ｄｅｇ未満であるＡｌＮ原料粉末３０〜０．１重量％とを混合し、混合物を形成して焼結することにより、単一粒子内の転位密度が１０μｍ／μｍ^３以下で熱伝導率が１７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体を得る。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、本発明は、プラズマガス耐性、高熱伝導を有し、優れた光学特性を有する窒化アルミニウム焼結体を提供することを目的としている。
【解決手段】 本発明に係る窒化アルミニウム焼結体は、陽電子消滅法における欠陥分析において、窒化アルミニウム結晶中で、180ps(ピコ秒)内に消滅する陽電子の割合が90%以上であることを特徴とし、好ましくは200W／ｍK以上の熱伝導率を有する。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用放熱板を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０３であり、熱伝導率が２２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２５０ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用放熱板である。 （もっと読む）

【課題】 高熱伝導率であると同時に高強度を有する窒化アルミニウム焼結体、及びその製造方法、並びにこの窒化アルミニウム焼結体を用いた半導体基板を提供する。
【解決手段】 気相化学合成法で得られた平均粒径１.０μｍ以下のＡｌＮ粉末１〜９５重量％と、残部が他のＡｌＮ粉末からなる原料粉末を調整し、この原料粉末を非酸化性雰囲気中で焼結した焼結体で、平均粒径が２μｍ以下、Ｘ線回析により得られる（３０２）面回析線の半価幅が０.２４ｄｅｇ以下である。この焼結体上に金属化層を形成することにより、半導体基板とすることができる。 （もっと読む）

【課題】適正な通気性、強度を兼備した状態で、圧力損失が低く、熱応答性、放熱性の良好な珪素−炭化珪素複合部材を提供する。
【解決手段】複数の炭化珪素の結晶粒子１を３次元的に配置させるとともに、隣り合う炭化珪素の結晶粒子１間を珪素相３により接合した立体的な網目構造を形成した珪素−炭化珪素複合部材であって、珪素相３の間隙および気泡を非連結部とし、珪素−炭化珪素複合部材の断面を平面視したときの２２００μｍ×１７００μｍの範囲における非連結部の面積比率＝（非連結部の面積）／（珪素相３の面積＋非連結部の面積）×１００（％）が３．５％以下であること。 （もっと読む）