【課題】半導体発光素子からの４３０〜４８０ｎｍの範囲の光によって高効率で安定に発光する窒化物蛍光体および酸窒化物蛍光体、これらの蛍光体の製造方法、ならびに、高効率で特性の安定した発光装置を提供する。
【解決手段】一般式（Ａ）：Ｅｕ_aＳｉ_bＡｌ_cＯ_dＮ_eで実質的に表される、発光のピ−ク波長から可視光の長波長領域での反射率が９５％以上である２価のユーロピウム付活酸窒化物蛍光体、一般式（Ｂ）：ＭＩ_fＥｕ_gＳｉ_hＡｌ_kＯ_mＮ_nで実質的に表され、、発光のピ−ク波長から可視光の長波長領域での反射率が９５％以上である２価のユーロピウム付活酸窒化物蛍光体、または、一般式（Ｃ）：(ＭＩＩ_1-pＥｕ_p)ＭＩＩＩＳｉＮ₃で実質的に表され、発光のピ−ク波長から可視光の長波長領域での反射率が９５％以上である２価のユーロピウム付活窒化物蛍光体、これらの蛍光体の製造方法、ならびに、これらの蛍光体を用いた発光装置。 （もっと読む）

【課題】、１０μｍ以上の窒化ホウ素粒子ないしは窒化ホウ素粒子を含む凝集粒子の露出を軽減させた、例えばサセプタとして好適な窒化物複合焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物セラミックス粉末を焼成する方法において、窒化物セラミックス粉末が媒体と窒化物セラミックス粉末との湿式混合物から媒体が除去されたものであり、媒体がハイドロフルオロカーボン及びハイドロフルオロエーテルの少なくとも一方にアルコールを２〜１０質量％含有させてなるものであることを特徴とする窒化物複合焼結体の製造方法。アルコールが、エタノール、イソプロピルアルコール及びｔ−アミルアルコールから選ばれた少なくとも１種、特にｔ−アミルアルコールであることなどが好ましい。 （もっと読む）

【課題】バーナーの小型化、少台数化、短時間の熱交換を図ることができ、しかも熱膨張、酸化、腐食等により損耗し難い蓄熱部材及び熱交換器を提供する。
【解決手段】理論密度比で９５％以上の緻密質セラミックスからなる蓄熱部材であって、緻密質セラミックスが、平均結晶粒径２〜５０μｍ、平均アスペクト比１０未満、純度８５質量％以上のアルミナ質セラミックス、平均結晶粒径２〜５０μｍ、平均アスペクト比１０未満、純度９０質量%以上のムライト質セラミックス、平均結晶粒径１〜２０μｍ、平均アスペクト比１５未満、純度８５質量%以上の窒化珪素質セラミックス、又は、平均結晶粒径０．５〜１０μｍ、平均アスペクト比１２未満、純度９０質量%以上の炭化珪素質セラミックスから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする蓄熱部材、及び、この蓄熱部材を少なくとも用いてなる熱交換器である。 （もっと読む）

【課題】ナノメータ単位の粒子径を有するＷ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｓｉの炭化物粉末の合成手段を提供する。
【解決手段】金属アルコキシドと、Ｃ、Ｈ、Ｎ、Ｏ以外の元素を実質的に含まない有機物の炭素源とを溶媒に溶解した後に、乾燥し得られた組成物を、非酸化雰囲気中、１０００〜１９００℃にて炭化処理する。アルコキシドに存在する配位子と、炭素源の官能基を液相中で置換し、安定に存在させることにより、金属の酸化物生成を抑制できる。得られた金属炭化物は最大粒子径が１５０ｎｍ以下で遊離炭素含有量が０．５重量％以下である。この焼結体は強度や破壊靭性（耐クラック発生・伝播性）にも優れており、加工時のクラック発生や粒子脱落（プルアウト）が無い材料である。また、炭化物が微細な為、２〜１５重量％の炭化物含有量でも従来のセラミックス複合材料焼結体と同等以上の機械的特性や加工特性が得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、立方晶窒化硼素（ｃＢＮ）砥粒製造時に導入された欠陥及び微視的亀裂を解消し、耐磨耗性、耐欠損性が原料砥粒よりも高い立方晶窒化硼素粒子を含んだ立方晶窒化硼素焼結体を提供することを目的とする。
【解決手段】立方晶窒化硼素及び、結合材からなる立方晶窒化硼素焼結体であって、該立方晶窒化硼素焼結体の断面において、立方晶窒化硼素が二以上の角部を有し、該角部のうち二以上の角度が９０°以下であることを特徴とする立方晶窒化硼素焼結体により解決される。 （もっと読む）

【課題】高い熱伝導率を有し、しかもチッピング幅の分布が小さい窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】下記条件（１）および（２）を充足する窒化アルミニウム粒子からなることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体。 （１）Ｄ₉₀−Ｄ₁₀＝３．０〜６．０μｍ〔Ｄ₉₀は、窒化アルミニウム粒子の粒度分布における累積個数％が９０％のときの粒子径であり、Ｄ₁₀は、窒化アルミニウム粒子の粒度分布における累積個数％が１０％のときの粒子径である。〕 （２）平均粒子径（Ｄ_av）＝３．０〜７．０μｍ （もっと読む）

【課題】少ない粒界相成分でも微細な組織を持ち、緻密で耐摩耗性に優れた窒化珪素質焼結体を提供することである。
【解決手段】窒化珪素の結晶粒子と、周期律表第３族元素、アルミニウム、マグネシウム、珪素、酸素及び窒素を含む非晶質の粒界相と、該粒界相に分散された周期律表第６族元素化合物粒子とからなる窒化珪素質焼結体であって、前記周期律表第３族元素を酸化物換算量で０．１質量％以上、前記アルミニウムを酸化物換算量で０．０５〜０．５質量％、前記マグネシウムを酸化物換算量で０．３質量％以上含有するとともに、前記周期律表第３族元素の酸化物換算量、前記アルミニウムの酸化物換算量、前記マグネシウムの酸化物換算量の合計が２．５質量％以下であり、周期律表第６族元素化合物を酸化物換算で０．１〜２質量％の割合で含有し、前記窒化珪素質焼結体に含まれる酸素量が１．３質量％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 緻密で導電性が高いカーボンナノチューブ分散窒化ケイ素焼結体を容易に安定して製造する。
【解決手段】 特定の焼結助剤を含有する窒化ケイ素組成物に配合するカーボンナノチューブとして、平均直径が７０ｎｍ以上、平均アスペクト比が２００以下であり、空気雰囲気下に６００℃で１時間放置後の減量率が１０％以下であるものを用いる。
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【課題】 透明性を有し、かつ導電性及び熱線遮蔽性に優れる薄膜あるいは成形体を形成できる、金属ホウ化物微粉末の安定的な製造方法を提供する。
【解決手段】 希土類金属、IVａ族遷移金属、Ｖａ族遷移金属及びVIａ族遷移金属の中から選ばれる少なくとも1種の金属の酸化物に、酸化ホウ素及び炭素を加え、該炭素は金属酸化物及び酸化ホウ素に由来する酸素の総和に対し原子比１.３以上の割合で加え、不活性ガス雰囲気下で焼成する第１の熱処理工程と、第１の熱処理工程での温度Ｔ_１より低い温度Ｔ_２にて残存する炭素を酸化分解する第２の熱処理工程、さらにＴ_１未満でＴ_２を越える温度域にて不活性ガス雰囲気下で焼成する第３の熱処理工程からなる金属ホウ化物微粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】立方晶型窒化硼素を20体積％以上含むＣＢＮ焼結体からなる基材またはダイヤモンドを40％以上含むダイヤモンド焼結体からなる基材を有する工具用の複合高硬度材料の改良。
【解決方法】Ｃ、ＮおよびＯの中から選択される少なくとも１種の元素と、Tiと、Alとを主成分とした少なくとも１層の硬質耐熱被膜を少なくとも切削に関与する箇所に有する。ＣＢＮ焼結体またはダイヤモンド焼結体の高い硬度および高い強度（超硬合金に比べ数倍）と、硬質耐熱被膜の優れた耐摩耗性とを併せ持った、焼入鋼切削や鋳鉄の粗切削、鋳鉄とアルミ合金との共削り等で用いた場合に従来工具に対して著しく長い寿命を示す理想的な工具用複合高硬度材料。 （もっと読む）

【課題】従来の高純度ｃＢＮ焼結体の合成技術ではなし得なかった、構成粒子径が０．１μｍ以下の微細な構造を有し、かつｃＢＮ含有量が１００％の透光性を有する高純度超微粒子ｃＢＮ焼結体を提供する。
【解決手段】六方晶窒化ホウ素を原料として、立方晶窒化ホウ素が熱力学的に安定な９．５万気圧、１７００℃以上１９００℃以下の圧力、温度条件で、立方晶への高圧相転移を伴いながら助剤無添加で焼結することにより、ｃＢＮ含有量が１００％で、かつ、焼結体の平均粒子径が０．１μｍ以下で、透光性を有する焼結体を得る事が出来る。 （もっと読む）

【課題】ガラスとの反応性が少なく、耐磨耗性と耐久性が高く、成形したガラスの成形型表面からの離型性が良好なガラス製ハードディスク基板用成形型を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素−炭素複合セラミックスを含む、ガラス製ハードディスク基板用成形型であって、前記炭化ケイ素−炭素複合セラミックスが、炭化ケイ素１００重量部に対し１５〜５０重量部の炭素粒子を含有し、前記炭素粒子の平均粒径が０．３〜１００μｍの範囲である成形型とする。 （もっと読む）

本発明は、ＷＣ−Ｃｏ焼結炭化物アロイに関する。極度に少量のＴｉ、Ｖ、Ｚｒ、ＴａもしくはＮｂ、またはこれらの組み合わせを加えることによって、より異常でないＷＣ−粒子を有する微粒化された焼結炭化物構造が得られた。 （もっと読む）

【課題】安価に製造することができ、特性のバラツキが抑制され信頼性に優れた窒化けい素焼結体からなる耐磨耗性部材を提供すること。
【解決手段】窒化けい素を主成分とするセラミックス焼結体からなる耐磨耗性部材であって、前記耐磨耗性部材はＦｅ成分の含有量が１０ｐｐｍ以上３５００ｐｐｍ以下かつＣａ成分の含有量が１０ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下であり、硬度および破壊靱性値のバラツキが±１０％以内であるもの。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板上に無電解メッキにより直接金属膜を形成することによってメタライズドセラミック基板を製造する方法において、信頼性が高く、十分な密着強度が得られるメタライズドセラミック基板を作製可能な方法を提供すること。
【解決手段】表面に導電層または導電ペースト層を有していてもよいセラミック基板からなる原料基板を準備する工程（Ａ）と、該原料基板上にセラミックペースト層を形成し、該セラミックペースト層を焼成しセラミック焼結体層を形成する工程（Ｂ）と、該セラミック焼結体層上に無電解メッキにより金属膜を形成する工程（Ｃ）と、を含むメタライズドセラミック基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】加熱バーナー周囲の炉壁等の亀裂や剥落を防止でき、かつ、熱処理炉の立ち上げ、休止の時間を短縮できる鋼材の加熱式熱処理炉の提供。
【解決手段】熱処理炉は、少なくとも炉壁内側にセラミックファイバー３が配設された炉壁構造を具備し、炉壁に設けられた挿入孔にバーナー２が設置され、該バーナー２の炉内側に、Ｙ_２Ｓｉ_２Ｏ_７相とＥｒ_２Ｓｉ_２Ｏ_７相とＹｂ_２Ｓｉ_２Ｏ_７相の少なくとも１相を２．５〜４．８質量％、Ｓｉ_２Ｎ_２Ｏ相を２〜６．５質量％、平均粒径０．１μｍ以上０．７μｍ以下のＳｉＣ質粒子を２〜５質量％、及び、β-Ｓｉ_３Ｎ_４及び不可避的不純物を残部とする組成である窒化珪素質セラミックス焼結体で構成されたバーナーポート４が隣接して配置され、かつ、該バーナーポートの先端が炉内壁面より炉内側に突出して配置されている。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２膜に替わる特性を備えた高誘電体ゲート絶縁膜として使用することが可能であるＺｒＯ_２・ＳｉＯ_２又はＨｆＯ_２・ＳｉＯ_２膜の形成に好適な、耐脆化性に富むシリサイドターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＳｉ_{０．８−１．２}（Ｍ：Ｚｒ、Ｈｆ）からなり、遊離Ｓｉが存在せず、相対密度が９９％以上であり、かつ平均結晶粒径が３０μｍ以下であることを特徴とする耐脆化性に優れたゲート酸化膜形成用シリサイドターゲット。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＯ_２膜に替わる特性を備えた高誘電体ゲート絶縁膜として使用することが可能であるＺｒＯ_２・ＳｉＯ_２又はＨｆＯ_２・ＳｉＯ_２膜の形成に好適な、耐脆化性に富むシリサイドターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】 水素化金属（Ｍ）粉とＳｉ粉を１：０．８〜１：１．２のモル比に調製・混合した後、焼成し、焼成の際の加熱により、脱水素とシリサイド化を一度に行い、得られたシリサイド粉を粉砕し、これを焼結して、遊離Ｓｉが存在せず、相対密度が９９％以上であるＭＳｉ_{０．８−１．２}（Ｍ：Ｚｒ、Ｈｆ）からなる焼結体を製造する。耐脆化性に優れたゲート酸化膜形成用シリサイドターゲットが得られる。 （もっと読む）

【課題】装飾部品用セラミックスの使用に供し、長期間の使用において酸化等が進み、強度、装飾性が低下しやすい。特に、釣糸用の案内部材では、耐泥水性が低いため、長期間の使用に供することができないという問題があった。
【解決手段】窒化チタンを主成分とし、ジルコニア、ニッケルを含むセラミックスであって、前記ジルコニアから成るジルコニア結晶の少なくとも一部が前記窒化チタンから成る窒化チタン結晶内に分散されてなる硬質相と、前記ニッケルを主成分とし、前記硬質相を結合する結合相と、からなる装飾部品用セラミックスである。
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【課題】高純度で高耐久性のヒータ用炭化ケイ素焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒素含有量が０．１体積％以上のβ型炭化ケイ素粉体を焼結して得られるヒータ用炭化ケイ素焼結体であって、ヒータ用炭化ケイ素焼結体を構成する粒子間の結合部の直径は１００μｍ以上であり、ヒータ用炭化ケイ素焼結体を１０００℃で１０００時間加熱した後の前記ヒータ用炭化ケイ素焼結体の抵抗増加率は１５％以下であり、ヒータ用炭化ケイ素焼結体はα型炭化ケイ素からなるヒータ用炭化ケイ素焼結体。 （もっと読む）