【課題】炭化珪素質焼結体のクラックやメタルベインを解消し、欠陥のない緻密な炭化珪素質焼結体を提供できる。
【解決手段】金属珪素を含む炭化珪素質焼結体であって、該炭化珪素焼結体は珪素スポットを有し、前記炭化珪素質焼結体の断面より求めた前記珪素スポットの平均等価円直径Ｄ１と炭化珪素粒子の平均粒子間距離Ｄ２との比Ｄ１／Ｄ２が４以上であることを特徴とする炭化珪素質焼結体。前記珪素スポットは、真円度０．６〜１．０である。 （もっと読む）

【課題】放熱特性に優れるとともに強度の高い窒化アルミニウム基板および窒化アルミニウム基板の製造方法ならびに回路基板および半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る窒化アルミニウム基板は、複数個の窒化アルミニウム結晶粒と、この窒化アルミニウム結晶粒の粒界に存在し、希土類元素とアルミニウムとを含む複合酸化物結晶粒と、を備えた多結晶体からなり、窒化アルミニウムを主成分とする窒化アルミニウム基板であって、窒化アルミニウム結晶粒の平均粒径が５μｍ以下であり、複合酸化物結晶粒の平均粒径が５μｍ以下であり、熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上である。 （もっと読む）

【課題】ピンの作製に微小なクラックがピンの表面に存在せず、長寿命化が可能となる摩擦攪拌用接合工具用ピンとそれを用いた摩擦撹拌接合装置を提供する。
【解決手段】支持体２の先端に被接合部材に押圧させるピン１を備えたものであり、ピン１は表面に被覆層３を有するセラミックスからなる。 （もっと読む）

【課題】強度や破壊靭性などの機械特性に優れるだけでなく、摺動特性などを主とする耐摩耗特性、特にＳｉＣ系耐摩耗材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ系耐摩耗材料を、気孔率が２％以上かつ６％未満、気孔径は２μｍ以下とし、構成するＳｉＣ粒子の平均結晶粒子径が５μｍ以下であるとともに、ビッカース硬度が１７００以上かつ２０００以下となるようにする。このＳｉＣ系耐摩耗材料は、原料となるＳｉＣ粉末におけるＳｉＣ純度、ＳｉＣの結晶相およびＳｉＣの一次粒子径を制御することにより、得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 高熱伝導でシリコンに近い熱膨張係数、かつ精密加工性が良好で、工具摩耗の少ない半導体素子の検査に用いるプローブ案内部材を提供する。
【解決手段】 窒化ホウ素３７〜４９質量％、窒化アルミニウム４９〜６０質量％、イットリア１〜４質量％を含有し、相対密度９２％以上かつ窒化アルミニウム結晶粒子の長径の平均が２．０〜３．２μｍであるＢＮ−ＡｌＮ複合焼結体を用いるプローブ案内部材。平均粒径１．２μｍ以下、比表面積２．０ｍ^２／ｇ以上の窒化アルミニウム４９〜６０質量％、比表面積２０ｍ^２／ｇ以上の窒化ホウ素３７〜４９質量％、イットリア１〜４質量％及びアルミナ３質量％以下（０質量％を含む）の原料を用いて、圧力１０〜５０ＭＰａ、温度１，６４０〜１，７８０℃、保持時間１〜４時間のホットプレス焼結を用いるプローブ案内部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】特に金属溶湯に接触する溶湯部材に好適な耐熱衝撃性に優れた窒化珪素焼結体を提供する。
【解決手段】窒化珪素を主成分とし、マグネシウム及びイットリウムを酸化物換算で合計０．１〜１０質量％、鉄を酸化第二鉄換算で０．１〜０．５質量％含み、Ｙ_２Ｏ_３／ＭｇＯで表されるモル比が０．０１〜０．１０であって、室温の熱伝導率が７０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、３点曲げ強度が７００ＭＰａ以上であることを特徴とする窒化珪素焼結体。室温から１０００℃までの熱膨張係数が３．４×１０^−６／Ｋ以下である。 （もっと読む）

【課題】摺動特性、強度や破壊靭性などの機械的特性に優れるとともに、脆化を抑制してＳｉＣ粒子の脱落などを防止してなる、ポンプなど液体を用いる回転機器での液体軸封装置として用いられるメカニカルシール装置、並びにこのメカニカルシール装置に用いるＳｉＣ系焼結体リング及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ系焼結体回転リング及びカーボン系シートリングを含むメカニカルシール装置において、前記ＳｉＣ系焼結体リングは、平均結晶粒径が５μｍ以下、気孔率が５．０％以下、平均気孔径が２．０μｍ以下であって、比抵抗が室温で１Ω・ｃｍ以下であるＳｉＣ系焼結体リングとする。このリングはＳｉＣ純度が９７％以上であるとともに３Ｃ結晶を９２％以上含有するＳｉＣ原料粉末を造粒・成形した後で、加圧焼結法による圧力環境下で焼結することによって製造する。 （もっと読む）

【課題】 耐熱部材として高温での揮発分が少なく、不純物の混入が少なく、機械部品としての寸法精度を確保出来、高温での半導体製造装置に好適な部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 １７００℃の窒素ガス中で１２時間加熱した後のＳｉ、Ｃ、Ｂ、Ｎの合計含有量が９９．９質量％以上、且つ波長１μｍにおける放射率が８０％以上のＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体を用いる合成装置用耐熱性黒色部材。相対密度９８％以上かつＳｉＣ粒子の最大粒子径が４．０μｍ以下であることが好ましい。ＳｉＣが６０．０質量％以上８３．５質量％以下、ＢＮが１５．０質量％以上３５．０質量％以下、Ｂ_４Ｃが０．５質量％以上２．０質量％以下、カーボンが１．０質量％以上４．０質量％以下の原料組成を２０００〜２２００℃、圧力１５〜４０ＭＰａでホットプレス焼結する合成装置用耐熱性黒色部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 三族元素の有機化合物やアンモニア等の反応活性な雰囲気下、１３００〜１４００℃に達する高温で、Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、安定して使用可能な耐熱耐摩耗部材を提供する。
【解決手段】 Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、相対密度９７％以上かつＳｉＣの最大粒子径が４．０μｍ以下のＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体を用いる３−５族化合物半導体の製造装置用耐熱耐摩耗部材。１４００℃の窒素ガス中で６時間加熱した後の減量が０．１質量％以下、かつ耐ブラスト性試験が０．０５質量％/回以下のＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体を用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高気孔率でありながらも高強度であり、熱伝導率が高く耐熱衝撃性に優れ、比較的低温で焼結させることで製造可能な炭化珪素質多孔体を提供する。
【解決手段】金属珪化物を１〜３５質量％、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）を０．５〜１０質量％それぞれ含有し、気孔率が３８〜８０％である炭化珪素質多孔体。 （もっと読む）

【課題】 三族元素の有機化合物やアンモニア等の反応活性な雰囲気下、１，２００〜１，４００℃に達する高温で、Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、安定して使用可能なサセプタやその周辺部材を提供する。
【解決手段】 Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、ＡｌＮ６０質量％以上８５質量％以下、ＢＮ１５質量％以上４０質量％以下かつ１，４００℃のＮ_２中で６時間加熱した後の減量が０．１％以下のＡｌＮ−ＢＮ複合焼結体を用いる３−５族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材。好ましくは、相対密度９８％以上かつＡlＮの最大粒径が４μｍ以下である３−５族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材。 （もっと読む）

【課題】従来技術のＳｉＣ繊維強化型ＳｉＣ複合材料よりも優れた熱特性、強度特性等を発揮できるＳｉＣ繊維強化型ＳｉＣ複合材料を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ繊維強化型ＳｉＣ複合材料を製造する方法であって、（１）ＳｉＣ繊維表面に炭素、窒化ホウ素及び炭化ケイ素の少なくとも１種を含む被覆層が形成されてなる被覆ＳｉＣ繊維に対し、ＳｉＣ微粉末及び焼結助剤を含み、かつ、有機ケイ素高分子を含まないスラリーを含浸させることにより予備成形体を得る第１工程及び（２）前記予備成形体を加圧焼結させる第２工程を含むことを特徴とするＳｉＣ繊維強化型ＳｉＣ複合材料の製造方法に係る。 （もっと読む）

本発明は、擬等方性微細構造を備えたセラミック材料を製造する方法に関する。焼結セラミック部品を製造するための微細構造を製作する該方法は、放電プラズマ焼結（ＳＰＳ）工程を含む。ＳＰＳ工程を少なくとも２ステップで実施することにより、緻密化を粒子成長と分離させることが可能になる。第１の温度及び第１の圧力での最初の焼結ステップと、次のより高温及びより低圧での制御された粒子成長ステップにより、制御された微細構造及び改善された機械的性質を備えたセラミック部品を製造することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】劈開性が低く、クラック（亀裂）伝播抑制作用に優れ、高硬度かつ高靭性を有する高純度窒化ホウ素焼結体の製造方法を提供すること。
【解決手段】粒径０．５μｍ以下の微細なウルツ鉱型窒化ホウ素微粒粉末表面を、酸素を含有せず、流体源として固体のポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンを使用する超臨界流体で清浄化し、焼結助剤を添加せずに５ＧＰａ以上かつ１４００℃以上の高圧高温条件下で焼結することにより、微量のウルツ鉱型窒化ホウ素を含有する高純度窒化ホウ素焼結体を製造する。 （もっと読む）

【課題】新規のＳｉＣセラミック材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は新規のＳｉＣセラミック材料とその製造方法に関する。本発明の炭化硅素（ＳｉＣ）材料は、炭化硅素（ＳｉＣ）セラミック材料であって、セラミック材料が炭化硅素粒子及び１又は複数の酸化物結合相から成り、炭化硅素がセラミック材料の全重量に基づき少なくとも７０重量％、好ましくは８０重量％、より好ましくは８０〜９５重量％の範囲で存在し、炭化硅素粒子の粒度分布が、ＳｉＣ細粒の少なくとも一部と非凝集ＳｉＣ大粒の少なくとも一部を含む少なくとも二峰性であることを特徴とするセラミック材料二峰性である。 （もっと読む）

【課題】焼結添加剤を使用せずに、高い相対密度およびナノメートルのグレインサイズを有する炭化ケイ素部品を製造できるプロセスを提供すること。
【解決手段】本発明は、平均グレインサイズがナノメートルであり、相対密度が９７％を超える炭化ケイ素を含む部品の調製プロセスであって、このプロセスは：
−ナノメートルの炭化ケイ素粉末の冷間圧縮によるプレフォーム形成工程または粉末の造粒によるこうした粉末の粒塊形成工程；
−必要な相対密度および平均グレインサイズ、すなわち９７％を超える相対密度およびナノメートルの平均グレインサイズを得るために、少なくとも１つの所定温度および圧力における、焼結添加剤を使用しない、該プレフォームまたは該粒塊の放電プラズマ焼結工程を含むプロセスに関する。
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【課題】耐摩耗性が高く、かつ耐欠損性を改善した窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】 窒化珪素結晶２を９３質量％以上含む窒化珪素質焼結体１であって、焼結体１の表面を含む断面研磨面をフッ酸水溶液によりエッチング処理を行った後の前記断面研磨面の組織写真において、焼結体１の空隙３について、表面領域Ａにおける空隙率が焼結体１の内部Ｂにおける空隙率よりも小さい窒化珪素質焼結体１である。 （もっと読む）

【課題】耐エロージョン性に優れた高圧噴射用部品を提供する。
【解決手段】内部を高圧流体が流れる通路を有する高圧噴射用部品において、窒化ケイ素の粒子に焼結助剤を加えて成形体とし、その成形体を焼結して得られる窒化ケイ素セラミックスからなり、該窒化ケイ素セラミックスの四点曲げ強度を、９８０ＭＰａ以上としたものである。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム合金、アルミニウム合金と鋳鉄とからなる材料の切削加工時における、耐摩耗性、耐欠損性の高い窒化珪素焼結体工具の提供。
【解決手段】窒化珪素焼結体の結晶組成１００は、微少な粒子であるα型窒化珪素１０１および針状の粒子であるβ型窒化珪素１０３からなる結晶相１１０と、α型窒化珪素およびβ型窒化珪素の粒子の間に存在する、焼結助剤成分を含む粒界相１２０とから構成されている。窒化珪素焼結体は、α率が３５％以下であり、かつ、二次元断面上での長軸径が２μｍ以上のβ型窒化珪素の粒子面積の占める比率が１０％以下である。こうすることにより、窒化珪素焼結体の組成中に粒子形状が針状のβ型の窒化珪素粒子が存在するので、β型の窒化珪素が亀裂進展に対する抵抗となるとともに、β型の窒化珪素同士が互いに絡み合うことにより靭性が向上し、窒化珪素焼結体の耐磨耗性及び耐欠損性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】平均粒子径が２００ｎｍ以下であり、かつ、任意の粒子径の炭化ケイ素粉末を工業的規模で安価に製造することが可能な炭化ケイ素粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素粉末の製造方法は、炭化ケイ素微細粒子または炭化ケイ素前駆体を熱処理する、炭化ケイ素粉末の製造方法であって、前記熱処理を、還元性ガスを含む雰囲気で行なうとともに、前記雰囲気中における熱処理温度を１５００℃以上かつ１９００℃以下とすることを特徴とする。 （もっと読む）