【課題】ＡｌＮ基板の高放熱特性を活かした上で、金属薄膜との密着性や金属薄膜の形成精度等を向上させることによって、マイクロ波集積回路等の薄膜デバイスの信頼性を高めることを可能にする。
【解決手段】ＡｌＮ結晶粒の平均粒径が３〜５μｍの範囲で、かつ粒径分布の標準偏差が２μｍ以下であり、かつ常温での熱伝導率が１６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるＡｌＮ焼結体を作製する。ＡｌＮ焼結体の表面を、加工後の表面のスキューネスＲskが−１以上となるように中仕上げ加工する。中仕上げ加工されたＡｌＮ焼結体の表面を、算術平均粗さＲaが０．０５μｍ以下となるように鏡面加工し、加工表面のスキューネスＲskを０以上１以下に仕上げ加工する。ＡｌＮ基板の加工表面上に金属薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶粒径が小さくて破壊の基点となる気孔が殆ど存在せず、一段の加熱処理で製造されることのできる窒化ケイ素質焼結体を提供すること。この発明の他の課題は、結晶粒径が小さくて破壊の基点となる気孔の殆ど存在しない窒化ケイ素質焼結体を、ＨＩＰ及びＧＰＳといった後段の加熱処理をすることなく、製造することのできる方法を提供すること。
【解決手段】燃焼合成法により製造された窒化ケイ素質原料を一段焼結処理して成る窒化ケイ素質焼結体であって、最大ポアサイズが大きくとも１．５μｍであり、接触面積率が９８．０％以上であり、結晶粒子の平均粒径が０．６０〜０．８０μｍであり、結晶粒子の最大粒径が大きくとも５μｍであることを特徴とする窒化ケイ素質焼結体。燃焼合成法により製造された窒化ケイ素質原料を含む粉末を、常圧下及び窒素雰囲気下で、１６００〜１７００℃に焼結することを特徴とする窒化ケイ素質焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】靱性を高くすることができる炭化硼素質焼結体および防護部材を提供する。
【解決手段】炭化硼素を主成分とし、炭化珪素およびグラファイトを含む炭化硼素質焼結体であって、炭化硼素からなる主結晶粒子１の粒界に針状の炭化珪素粒子５が存在するとともに、該針状の炭化珪素粒子５と主結晶粒子１との間に、炭化珪素からなる介在結晶相６が存在するので、炭化珪素からなる介在結晶相６が針状の炭化珪素粒子５と主結晶粒子１とに接触し、炭化硼素を介在結晶相６、針状の炭化珪素粒子５で連結し、アンカー効果により靱性を向上できるとともに、仮に、クラックが発生したとしても、介在結晶相６および針状の炭化珪素粒子５でクラックの進展が抑制され、炭化硼素質焼結体の靱性を大きくすることができ （もっと読む）

【課題】靱性を向上できる炭化硼素質焼結体およびその製法ならびに防護部材を提供する。
【解決手段】炭化硼素を主成分とし、炭化珪素およびグラファイトを含む炭化硼素質焼結体であって、前記炭化硼素からなる主結晶粒子１の粒界に、針状の炭化珪素５が存在するとともに、任意の断面における針状の炭化珪素５が５００〜５０００個／ｍｍ^２存在するため、針状の炭化珪素５のアンカー効果により炭化硼素からなる主結晶粒子１同士を連結し、靱性を向上でき、仮に、クラックが発生したとしても、針状の炭化珪素５でクラックの進展を抑制することができ、これにより、防護部材の破損を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２膜に替わる特性を備えた高誘電体ゲート絶縁膜として使用することが可能であるＨｆＯ_２・ＳｉＯ_２膜の形成に好適な、耐脆化性に富むハフニウムシリサイドターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＨｆＳｉ_{０．８２−０．９８}からなるゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲットに関する。ＨｆＳｉ_{０．８２−０．９８}からなる組成の粉末を合成し、これを１００メッシュ以下に粉砕したものを１７００°Ｃ〜２１２０°Ｃ、１５０〜２０００ｋｇｆ／ｃｍ^２で、ホットプレス又は熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）することによりゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】窒化ケイ素焼結体の強度や摺動特性の低下を抑制しつつ、加工性を向上させて製造コストの低減を図る。
【解決手段】窒化珪素焼結体は、窒化珪素結晶粒子と、２質量％以上１５質量％以下の範囲の焼結助剤成分とを含有する、窒化珪素焼結体を構成する窒化珪素結晶粒子は、短径Ｓに対する長径Ｌの比（Ｌ／Ｓ比）が５以上の針状結晶粒子を面積比で１０％以上含む。このような針状結晶粒子はＬ／Ｓ比の平均値が６〜８の範囲で、Ｌ／Ｓ比の標準偏差が０．８以上である。窒化珪素焼結体は例えばベアリングボール２として用いられる。 （もっと読む）

【課題】相対密度が高く、かつ脱粒しにくい炭化硼素質焼結体および防護部材を提供する。
【解決手段】炭化硼素を主成分とし、炭化珪素を含む炭化硼素質焼結体であって、炭化硼素からなる主結晶粒子１の平均粒径が２５μｍ以上、相対密度が９７％以上であるとともに、気孔３ａを有することを特徴とする。このような炭化硼素質焼結体では、主結晶粒子１の平均粒径が２５μｍ以上で、相対密度が９７％以上であるため、高硬度を有するとともに、焼結体中の小粒子の割合が少なくなり、脱粒を抑制でき、これにより、欠けの起点となる脱粒を少なくして、耐チッピング特性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】靱性を高くすることができる炭化硼素質焼結体および防護部材を提供する。
【解決手段】炭化硼素を主成分とし、炭化珪素を含む炭化硼素質焼結体であって、前記炭化硼素からなる主結晶粒子１同士の２面間粒界の全数の２０％以上に、炭化珪素が存在するもので、靱性が炭化硼素よりも高い炭化珪素が、炭化硼素からなる主結晶粒子同士の２面間粒界の全数の２０％以上に存在するため、炭化硼素からなる主結晶粒子１にクラックが発生したとしても、周囲の靱性が高い炭化珪素でクラックの進展が抑制され、炭化硼素質焼結体の靱性を大きくすることができる。 （もっと読む）

【課題】純水や超純水中であっても、エロージョン等による損傷を抑えて、長期に亘って安定して使用できる純水用セラミックス摺動部材を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ焼結体からなり、超純水または純水中で使用されるセラミックス摺動部材３０，３８，３９であって、β−ＳｉＣのＳｉＣ焼結体中に占める割合は２０％以上で、平均的な結晶組織のアスペクト比は２以上である。 （もっと読む）

【課題】反応焼結窒化ケイ素基焼結体を作製する際に、低温短時間で従来製品と同等の反応焼結窒化ケイ素基焼結体を作製する方法及びその製品を提供する。
【解決手段】ケイ素原料に対して、窒化触媒の効果を有するＺｒＯ_２を添加するとともに従来法に比べて低温短時間で反応焼結を行うことで、従来製品の反応焼結窒化ケイ素と同等の機械的特性を有する反応焼結窒化ケイ素基焼結体材料を作製する。
【効果】従来法と比べて低温かつ短時間の反応焼結によって、窒化ケイ素基反応焼結体が作製可能なため、低エネルギー消費で従来品と同等の機械的特性を有する反応焼結窒化ケイ素基焼結体を作製し、提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 記録媒体駆動装置の高容量化に伴い、フェムトスライダ，アトスライダ等の小型化されたスライダが求められているのに対し、スライシング加工等の機械加工で形成されるスライダの側面およびイオンミリング加工法や反応性イオンエッチング法によって形成される流路面からの脱粒を抑制させた磁気ヘッド用基板およびこれを用いた磁気ヘッドならびに記録媒体駆動装置を提供する。
【解決手段】 アルミナを35質量％以上70質量％以下、炭化チタンを30質量％以上65質量％以下の範囲で含む焼結体からなる磁気ヘッド用基板１であって、前記焼結体の平均結晶粒径が0.25μｍ以下（但し、０μｍを除く）である磁気ヘッド用基板１である。この磁気ヘッド用基板１によれば、全体にわたって個々の結晶粒子が小さいために、短冊状に切断したり流路面を形成したりしても、大きな脱粒はほとんど発生しない。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド粒子からダイヤモンド−炭化ケイ素−ケイ素複合材料を製造する方法、および、この方法により製造されたダイヤモンド−炭化ケイ素−ケイ素複合材料を提供する。
【解決手段】加工物を形成し、その加工物を加熱し、その加熱温度と加熱時間を、ある一定の、所望とされる量の黒鉛がダイヤモンド粒子の黒鉛化により造り出されるように制御し、それによって中間物を造り、そしてその中間物にケイ素を浸透させることにより、２０〜７５容積％のダイヤモンド粒子、少なくとも５容積％、好ましくは１５容積％より多い炭化ケイ素、およびケイ素を含んで成る、ヤング率が４５０ＧＰａを越える物体を作製する。 （もっと読む）

【課題】 水に触れながら摺動する水潤滑下で優れた耐摩耗性を示す耐摩耗性部材を提供する。
【解決手段】 水潤滑下で使用される耐摩耗性部材において、前記耐摩耗性部材は、窒化けい素を７５〜９７質量％、Ｔｉ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｗ，Ｍｏの少なくとも１種を０．２〜５質量％、残部をＳｉ−Ｒ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ化合物（ただし、Ｒは希土類元素）を主とする粒界相を有する窒化けい素焼結体を具備すると共に、前記Ｓｉ−Ｒ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ化合物の焼結体内部の存在比率Ｍ１と表面の存在比率Ｍ２との比Ｍ２／Ｍ１が０．９〜１．１の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐クレーター性および強度を最適化することにより、耐欠損性に優れたｃＢＮ焼結体を提供する。
【解決手段】ｃＢＮ粒子を結合相で焼結した焼結体である。この結合相は二次元的に見て連続した構成となっている。また、この結合相は周期律表4a,5a,6a族遷移金属の炭化物，窒化物，炭窒化物，硼化物、Ａｌの窒化物，硼化物，酸化物、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉの少なくとも1種の炭化物，窒化物，炭窒化物，硼化物、およびこれらの相互固溶体よりなる群から選択される1種以上を含む。結合相厚みの平均値は１．０μｍ以下で、その標準偏差は０．７以下である。ｃＢＮの含有率は体積％で４５〜７０％である。そして、ｃＢＮ粒子の平均粒度は０．０１以上２μｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生が少ない耐食性部材、例えばガスノズルを提供すること。
【解決手段】窒化アルミニウム質焼結体からなる基体の表面の一部をなす複数の柱状の窒化アルミニウム結晶粒子を有し、前記柱状の窒化アルミニウム結晶粒子の頂点と、該頂点を中心とした２０μｍ四方における柱状以外の窒化アルミニウム結晶粒子の頂点との最大高低差が４μｍ以上である領域を有すること。 （もっと読む）

【課題】微細なＢＮ粒子が助剤相中に均一分散したＡｌＮ・ＢＮ複合焼結体を提供すること。
【解決手段】窒化アルミニウム結晶の少なくとも粒界に１０重量％以下の助剤相を含み、該助剤相には平均長径が１．０〜３．０μｍの鱗片状の窒化ホウ素粒子が分散していることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体。 （もっと読む）

【課題】炉材を消耗させることなく体積抵抗率が低い炭化珪素焼結体を製造する。
【解決手段】粉砕粉を窒素雰囲気下で焼成することにより焼成粉を生成し、焼成粉を粉砕することにより再粉砕粉を生成し、再粉砕粉を焼結させることにより炭化珪素焼結体を生成する。 （もっと読む）

【課題】高密度、高強度の炭化ケイ素焼結体を製造する原料として好適な炭化ケイ素粉末の製造方法を提供すること。
【解決手段】核粒子となるシリカ粒子を含むシリカゾルを生成した後、シリコンアルコキシド、アルコールおよびアンモニア水溶液の量比を変えて混合し、温度およびｐＨを設定して加水分解する（Ａ）（Ｂ）の異なる２段階の条件で加水分解して二峰性のシリカゾルを調製し、その後、フェノール類とホルムアルデヒドおよびアンモニア水溶液を添加して重合し、シリカ粒子を核としてその周囲をフェノール樹脂で被覆したコア・シェル構造のＳｉＣ前駆体を作製し、無酸素雰囲気下８００〜１０００℃で熱処理して焼成し、次いで、不活性雰囲気下１４００〜２２００℃で熱処理して珪化することを特徴とする炭化ケイ素粉末の製造方法。 （もっと読む）

高密度化された窒化ケイ素体は、ランタナ系焼結助剤を用いて形成することができる。この組成物は、改善された摩耗特性よって利益を得ることができる種々の用途において有用な材料を提供する特性を示すことができる。この組成物は焼結及び熱間等静圧圧縮成形によって高密度化することができる。
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【課題】高い硬度を有する炭化硼素質焼結体は、研削抵抗が大きいため、研削加工時のクラックの伝播の効率が悪く、加工性が低という問題があった。
【解決手段】炭化硼素を主成分とし、グラファイトおよび炭化珪素を含み、気孔を有する炭化硼素質焼結体からなり、前記グラファイトが前記気孔を規定する気孔規定面に主として存在させることで、高い硬度を維持したままで研削加工性の高い焼結体を提供する。 （もっと読む）